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实验
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热释光剂量仪
实验目的
1.
了解热释光剂量仪的工作原理
,并掌握热释光剂量仪的正确使用方法。
2.
了解照射距离和屏蔽材料对测定
γ
射线照射量的影响,并掌握外照射防护的基本原
则。
实验内容
1
.
测量<
/p>
LiF
元件的发光曲线,选择加热程序。
2
.
校准热释光剂量仪。
3
.
用光和法测量不同照射距离上的照射量。
4
.
根据对减弱照射量的要求,选择铅屏蔽体的厚度。
原理
热释光剂量法(即
TLD
)与通常采用的电离室或胶片等方法相比,其主要优点是:组
织等效好,灵敏度高,线性范围宽,能量响应好,可测较长时间内的累积剂量,性能稳定,
使用方便,并可对
α
、
β
、
γ
、
n
、
p
、
π
p>
等各种射线及粒子进行测量。因此,热释光剂量法
在辐射防护测量,
特别是个人剂量监测中有着广泛的应用。
热释光剂量仪方框图如
图
1
所示。
热释光剂量仪的基本工作原理是:经辐照后的待测元件由仪器内的电热片或热气等加
热,
待测元件加热后所发出的光,通过光路系统滤光、反射、聚焦后,通过光电倍增管转换
成
电信号。
输出显示可用率表指示出发光峰的高度
(峰高法)
p>
或以数字显示出电荷积分值
(光
和法)
p>
,最后再换算出待测元件所接受到的照射量。
1.
热释光
物质受到电离辐射等作用后,
将辐射能量储存于陷阱中。
当加
热时,
陷阱中的能量便以
光的形式释放出来,
< br>这种现象称为热释发光。
具有热释发光特性的物质称为热释光磷光体
(简
称磷光体)
,
如锰激活
的硫酸钙
[CaSO
4
(Mn)]
p>
、
镁钛激活的氟化锂
[LiF(Mg
、
Ti)]
、
氧化铍
[BeO]
等。
磷光体的发光机制可以用固体的能带理论解释。
假设磷光体内只存在一种陷阱,
p>
并且忽
略电子的多次俘获,
则热释光的强度
I
为:
I<
/p>
?
nS
exp(
?
?
kT
)
(
1
)
p>
这里,
S
为一常数,
k
是玻耳兹曼常数,
T
是加热温度<
/p>
(
K
)
,
n
是在所考虑时刻
陷阱能级
< br>ε
上的电子数。
强度
I
与磷光
体所吸收的辐射能量成正比,因此通
常用
光电倍增管测量热释光的强度,
就可以探测辐射及确定辐射剂量。
2.
发光强度曲线
热释光的强度与加热温度(或加
热时间)的关系曲线叫做发光曲线。
如图
2
所示。晶体受热时,电子首先
由较浅的陷阱中释放出来,当这些陷
阱中储存的电子全部释放完时,光强
度减小,形成图中的第一个峰。随着
加热温度的增高,
较深的陷阱中的电子被释放,
又形成了图中的其它的峰。
发光曲线的形状
与材料性质、
加热速度、
热处理工艺和射线种类等有关。
对于辐射剂量测量的热释光磷光体,
要求发光曲线尽量简单,并且主峰温度要适中。
发光曲线下的面积叫做发光总额。
同一种磷光体,
若接受的照
射量一定,
则发光总额是
一个常数。因此,原则上可以用任何一
个峰的积分强度确定剂量。但是低温峰一般不稳定,
有严重的衰退现象,
必须在预热阶段予以消除。
很高温度下的峰是红外辐射的贡献,
不适宜
用作剂量测量。对
LiF
元件通常测量的是
210
℃下的第五个峰。另外,剂量也可以
与峰的高
度相联系。所以测量发光强度一般有两种方法:
(
1
)
p>
峰高法-测量发光曲线中峰的高度。
这一方法具有测速快、
衰退影响小、
本底
荧光和热辐射本底干扰小等优
点。
它的主要缺点是,
因为峰的高度是加热速度的函数,
所以
加热速度和加热过程的重复性对测量带来的影响比较大。
(
2
)
p>
光和法-测量发光曲线下的面积,
亦称面积法。
这一方法受升温速度和加热过
程重复性的影响小,
可以采用
较高的升温速度,
并可采用测量发光曲线中一部分面积的方法
(
窗户测量法)
消除低温峰及噪声本底的影响。它的主要缺点是受
“假荧光”热释光本底及
残余剂量干扰较大。所以在测量中必须选择合适的“测量”阶段
和“退火”阶段的温度。合
理地选择各阶段持续时间,
以保证磷
光体各个部分的温度达到平衡,
以利于充分释放储存的
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