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COG M/C Set-up Manual
1.
Pre-bonding
Unit
Figure 1 Home return complete
自动生产模式
进入主机
系统复位
输入
/
出信号
当前产品型号
马达状态
产品信息
错误信息
对位数据
级别选择
半自动操作
手动操作
编辑数据
操作设定
[Create
data]
镜
头
较
准
Figure 2:
Data edit menu
进入
create data:
产品参数
产品参数
系统参数
图象数据
调节设定
手动操作
3.1
系统参数设定(参见设备操作说明书——一般情况下无需调整)
[Create
data]
→
[
System
data]
Figure 3: System data
①
Travel speed
parameters:
Panel
传输速度设定,正常情况下不需调整。
②
Calibration
data:
设备校正时用,调试时不需调整。
3.2
操作参数设定
[Create
data]
→
[Operation
data]
Figure 4: Operation
data menu
玻璃参数
IC
参数
玻璃搬运参
数
補正量
slider
吸取位
延时
压头动作
压头温度
压头压力
其它参数
3.2.1
设定
Panel
的参数
[Create
data]
→
[Operation
data]
→
[Substrate data]
→
[TypeA]
→
[Su
bstrate size]
Figure 5:
Substrate size
邦定
IC
的
个数设定
收
< br>.
送
时
搬
运
位
置
上
.
下
偏
光
p>
片的厚度
<
/p>
上
.
下
glas
s
的厚度
邦定中心点
Bonding condition No:
邦定条件的存储位置选择,与设定
邦定条件
的页面
对应。
Chip type No.:
Ic
的类型选择
与
< br>IC
在
PALLET
的放置位置
对应
LCD mark
存储页面位置
选择
:
要一一对应
其余含义的如上图所示。
3.2.2
设定
Panel
放在
< br>Stage
上的位置
方框的数
字
=
下
LCD
伸出宽度
+2-0.3
当邦定
10
’
以上的
p>
LCD
时用来调整位置
:
< br>确保压接位在石英条上
.
3.2.3
设定对位时
Mark
的位置
Mark
存储页面位置选择要对应
调节
lcd
mark
的清晰度
Auto
tuning:
校正
mark to monitor be
center
的
mode
Add:
自动校正
3.2.4
对位方式的选择
Figure 6: Alignment mode selection
正常情况下用
1 mode
生产
“
0
”
:
不对位
“
1
”
:
能找到
mark
时又在公差内
“
2
”
:
手动找
mark
“
3
”
:
设定在精度范围内
“
4
”
:
精度检查
mode
3.2.5
Panel Mark
存储位置的选择
Mark
存储页面位置选择要对应
Mark 1 No./Mark 2 No.: Mark
存储位置的选择,需与做
Mark
时保
持一致。
Light intensity:
找
Mark
时亮度的选择。
Delay:
设定找
Mark
的延迟时间,一般情况下不需改变。
Tol
erance:(
公差
)
设定的数字与
实际找
MARK
3.2.6
Chip
参数的设定
Figure
8: Chip size
IC
放置位置选择要对应
3.2.7 Chip
Mark
的位置设定
Figure
9: Chip marks
1
2
1:
下
LCD
表面
TO IC
压接表面的高度
2:
压接时镜头停留的位置
3.2.8 Chip
Mark
存储位置的选择
Figu
re
10: Chip alignment
如
LCD MARK
3.2.9
机械手设定
(
收
.
送的高度
)
压接时的亮度
3.2.10 Pre-
bonding
条件设定
邦定条件存储页面位置选择要对应
温度检测设定
压力设定
3.2.11 Pre-bonding
Offset
设定
收
.
送
LCD
的補正
:Auto-turning
自动校正
邦定时
Table
的高度補正
压头吸取
IC
时的高度補正
3.2.11
时序设定
各部位真空吸
.
放时的时间
(
在设定时间内检测
)
找
mark
时的顺序
2.
Chip Loader
Unit
2.2
操作参数设定
进入
settings for
loaded product
IC
放置设定
IC
放置设定跟
chip type
相对应
IC
翻转设定
进入
chip transfer
2.2.2 Pallet
的尺寸设定
选择
IC
承载盘
2.2.3 Chip
Tray
的尺寸设定
2.2.4 Chip Tray
在
P
allet
上的位置设定
定位
TRAY
基准点
:
通常等于
tray
的一半
2.2.5 Robot
p>
吸取
IC
设定
总厚度减去深度
吸取失败后动作
p>
1:
同一
IC
的次
数
:2:
连续的个数
基准点
to
第一个
IC
的中心点
2.2.6 Chip pre-
alignment
设定
较正
IC
的方式
调整<
/p>
IC
在压头上的位置
< br>调整镜头看
mark
的
位置
p>
10
’
以上的
LC
D
2.2.7
Offset
设定
IC
离开压头边沿的距离
:
视
:
IC
大
小
w<1mm:>0.2,>1
mm:=0.1
2.2.8
吸取
IC
时
IC
的
位置设定
Pallet
的位置
Tray
的位置
3.3
半自动参数设定
吸取
IC TO
slider
的等待位置
把
IC
送到压头上
模拟生产时压头下压一次
下压时的条件
精度检测
压接点
mde:
压接边设定
压接点设定
:
ON
表示压接
搬运设定
3.
ACF Unit
1.1
系统参数设定(参见设备操作说明书)
1.2
操作参数设定
1.2.1 Panel
参数设定输入
[Create
data]
→
[Type C]
Figure 1 Operation data menu
[Create
data]
→
[Substrate
data]
→
[Substrate size]
Figure 2 Substrate size
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