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:
晶体管型号
：
2N1711(S)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，德国椤茨标
准电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>70MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC141,BC300,BC301,2N1990,
晶体管型号
：
2N2102(A.L.S)
生产厂家：
美国国民半导体公司，美
国无线电公司，
SEM
，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔
伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC300,BSS
42,BSS43,BSV84,BSW67,BSX47,2N2243,2N2405,2N3019,2N
3020,3DK03E,
晶体管型号
：
2N2218(A)
生产厂家：
<
/p>
SEM
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶
体管有限公司，德
国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC3
01,BFX96A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX6
0,BSX61,2N3444,3DK3
D,
晶体管型号
：
2N2219
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，美国、法国
费兰第有限公司，美国通用电器公司，德国椤茨标
准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β300
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC140,BC302,BFX97,BSW52,BSX45,3DK3D,
晶体管型号
：
2N2219(A)
生产厂家：
<
/p>
SEM
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶
体管有限公司，德
国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC3
01,BFX97A,BSW51,BSW52,BSW53,BSW54,BSX45,BSX59,BSX6
0,BSX61,2N3444,3DK3
D,
晶体管型号
：
2221
生产厂家：
未知生产厂家
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β=40
-120
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
2N2221,
晶体管型号
：
2N2222
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DI
T
，美国、法国费兰第有限公司，美国通用电器公司，德国椤茨标
准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
β=300
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC546,BC6
39,BFX95,BSW62,BSW85,3DK3D,3DG2222,
晶体管型号
：
2N2222A
生产厂家：
SEM
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管
有限公司，德
国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC546,BC6
37,BFX95A,BSS40,BSS41,BSW61,BSW62,BSW63,BSW64,BSW8
5,2N4014,3DK3D,
晶体管型号
：
2N2369(A)
生产厂家：
<
/p>
DIT
，德国椤茨标准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国
晶体管有限公司，
德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
高速开关（
< br>SS
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX92
,BSX93,BSY62,BSY63,2N
3227,2N3261,
2SC2901,3DG84B,
晶体管型号
：
2N2712
生产厂家：
美国通用电器公司，
SEM
，美国史普拉各电气
公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
18V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.12W
放大倍数：
β>75
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG120
C,
晶体管型号
：
2N1714
生产厂家：
SEM
，美国得克萨斯仪表公司，美国晶体管有限公司
< br>
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
0.75A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β>20
最大工作频率：
>16MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC3
01,BSS42,BSS43,BSX46,BSX47,2N5320,2N4239,3DK3D,
晶体管型号
：
2N2923
生产厂家：
SEM
，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β>90
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号
：
2N2924
生产厂家：
SEM
，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β>150
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号
：
2N2925
生产厂家：
SEM
，法国巴黎珊斯公司，美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β>235
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号
：
2N3019(S)
生产厂家：
<
/p>
德国
AEG
公司，法国巴黎珊斯公司，德
国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体
公司，美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSW
68,2SC1860,2N3440,2N3500,2N3501,2G072C,
晶体管型号
：
2N3020(S)
生产厂家：
<
/p>
德国
AEG
公司，法国巴黎珊斯公司，德
国电子元件股份公司，美国摩托罗拉半导体
公司，美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号：
2N3055(E,H,S,U,)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公
司，美国摩托罗拉半导体公司，德国凡尔伏公司，德国西门子
AG
公司，美国晶体管有限公司，美国无线
电
公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（<
/p>
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
115W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD130,BD3
17,BD745C,BDW51C,BDX10,BDY20,BDY39,BDY73,2N5629,2N
5630,2N5631,2N6254,3D
D17D,
晶体管型号：
2N3390
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>400
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG121
C,
晶体管型号：
2N3391(A)
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>250
最大工作频率：
160MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号：
2N3392
生产厂家：
美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>150
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG121
A,
晶体管型号：
2N3393
生产厂家：
美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>90
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号：
2N3394
生产厂家：
美国通用电器公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>55
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号：
2N3414
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限
__________
工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>75
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC338,BC3
78,BC738,BC838,2N220,2N221,2N2222,2N3402,3DK3A,
晶体管型号：
2N3415
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>75
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
2N3403,
晶体管型号：
2N3416
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>75
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337,BC3
77,BC737,BC837,2N2220,2N2221,2N2222,2N3404,3DK3A,
晶体管型号：
2N3417
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>75
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
2N3405,
晶体管型号：
2N3439(L,S)
生产厂家：
德国
AEG
公司，美国无线电公司，美
国得克萨斯仪表公司，德国电子元件股份公司，
美国晶体管有限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS49,BUX
54,BUX55,BUX64,BUY59,BUY60,2N5095,3DK304B,
晶体管型号：
2N3441
生产厂家：
美国无线电公司，法国巴
黎珊斯公司，德国西门子
AG
公司，
S
EM
，美国硅晶体技术
公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
3A
最大耗散率：
25W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>0.8MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD193,BD2
41D,BD243D,BDX22,BDY72,BDY79,2SD386(A),2N3738,2N62
64,3DD61E,
晶体管型号：
2N3501(S)
生产厂家：
<
/p>
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
0.3A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSW68,2SC1860,
晶体管型号：
2N3700
生产厂家：
美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS43,BSS
59,BSW68,2SC3228,2SC2383,2N2990,3DK204C,
晶体管型号：
2N3707
生产厂家：
美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），前置放大（
V
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.03A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC109,BC1
69,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG11
0B,
晶体管型号：
2N3711
生产厂家：
美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.03A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>180
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,
晶体管型号：
2N3858
生产厂家：
美国通用电器公司，
SEM
，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>60
最大工作频率：
125MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG121
M.,
晶体管型号：
2N3859
生产厂家：
美国通用电器公司，
SEM
，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
140MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC183,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC38
3,BC583,2N2220,2N2221,2N2222,3DG121
M,
晶体管型号：
2N3860
生产厂家：
美国通用电器公司，
SEM
，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>150
最大工作频率：
170MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC168,BC1
83,BC238,BC548,BC108,BC172,BC208,BC383,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG121
M,
晶体管型号：
2N3879
生产厂家：
美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
7A
最大耗散率：
35W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD193,BDX
22,MJE15030,2N5202,2N6264,3DA27B,
晶体管型号：
2N3903
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>50
最大工作频率：
>250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC1
82,BC190,BC546,2N2220,2N2221,2N2222,3DK40B,
晶体管型号：
2N3904
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
>250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC182,BC190,BC546,
晶体管型号：
2N3947
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，
SSI
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC182,BC5
46,BFX94,BSW61,BSW84,2N2221,2N2221(A),2N2222(A),3D
G130B,
晶体管型号：
2N4014
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
2N3737,3DG84C,
晶体管型号：
2N4123
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC1
71,BC183,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,BSW41,2N222
0,2N2221,2N2222(A),2N22
22,2N2221(
A),3DK40A,
晶体管型号：
2N4124
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC238,BC548,BSW41,2N2221(A),2N2222(A),
晶体管型号：
2N4264
生产厂家：
CSR
< br>，美国摩托罗拉半导体公司，美国半导体技术公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90
,BSX91,BSX92,BSX93,B
SY62,BSY63,2N
914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,
晶体管型号：
2N4265
生产厂家：
CSR
< br>，美国摩托罗拉半导体公司，美国半导体技术公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>
100
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX90
,BSX91,BSX92,BSX93,B
SY62,BSY63,2N
914,2N2368(A),2N2369(A),3DK40A,
晶体管型号：
2N4286
生产厂家：
美国国民半导体公司，
PIH
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大耗散率：
0.25W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
3CG120c,
晶体管型号：
2N4400
生产厂家：
美国、法国费兰第有限公
司，美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>50
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337A,BC
487,BC537,BC637,BC639,2N2220,2N2221,2N2221(A),2N22
22,2N2222(A),3DK4B,
晶体管型号：
2N4401
生产厂家：
美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司
< br>
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极
__________
限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>100
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337A,BC637,BC639,2N2221(A),2N2222(A),
晶体管型号：
2N4409
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
NSC
，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
数码驱动（
Nix
）
< br>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.25A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF2
97,BF422,BFR22,BFR86,BSS38,BSV29,BSX21,MPSA43,2N55
50,2SC1670,3DG182H,
晶体管型号：
2N4410
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，
NSC
，美国得克萨
斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
数码驱动（
Nix
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.25A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BFR22,MPS-A43,2SC1670,
晶体管型号：
2N4424
生产厂家：
美国通用电器公司，法国巴黎珊斯公司，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337A,BC
487,BC537,BC637,BC640,2N2220,2N2221,2SD667,3DK40A,
晶体管型号：
2N4921
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
30W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD135,BD165,BD175,BD185,BD233,BD437,3DD30A,
晶体管型号：
2N4922
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
30W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD137,BD1
67,BD177,BD187,BD235,BD439,3DD30A,
晶体管型号：
2N4923
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
30W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD139,BD1
69,BD179,BD189,BD237,BD441,3DD30A,
晶体管型号：
2N5038(-1)
生产厂家：
美国无线电公司，德国电
子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
20A
最大耗散率：
140W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,
晶体管型号：
2N5039(-1)
生产厂家：
美国无线电公司，德国电
子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
20A
最大耗散率：
140W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV10,BUW57,BUX10,BUX40,
晶体管型号：
2N5058(S)
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.15A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF259,BF3
38,BF659,BFR59,BFS89,BFT49,3DG841,
晶体管型号：
2N5059(S)
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.15A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF258,BF2
59,BF337,BF658,BF659,BFS89,BFR58,BFT48,3DG841,
晶体管型号：
2N5088
生产厂家：
美国范恰得公司，美国摩
托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
35V
最大电流允许值：
0.05A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>300
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC109,BC1
69,BC173,BC184,BC209,BC239,BC384,BC549,BC584,3DG12
0A,
晶体管型号：
2N5089
生产厂家：
美国范恰得公司，美国摩
托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
β>400
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC169,BC184,BC239,BC549,
晶体管型号：
2N5172
生产厂家：
美国通用电器公司，
SEM
，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG120
A,
晶体管型号：
2N5191
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD189,BD1
99,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,M
JE244,3DD64C,
晶体管型号：
2N5192
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD189,BD1
99,BD295,BD441,BD789,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,M
JE244,3DD64C,
晶体管型号：
2N5209
生产厂家：
美国、法国费兰第有限公司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC3
84,BC413,BC414,BC550,2SC2240,3DG110C,
晶体管型号：
2N5210
生产厂家：
美国、法国费兰第有限公
司，美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.05A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC413,BC414,BC550,2SC2240,
晶体管型号：
2N5223
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国史普拉各电气公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
68,BC172,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,2N222
0,2N2221,2N2222,3DG120
A,
晶体管型号：
2N5224
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国史普拉各电气公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
72,BC183,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,BSS10,BSS11
,BSS12,BSX19,BSX20,2N
2220,2N2221,
2N2222,2N2368(A),2N2369(A),3DG120C,
晶体管型号：
2N5232(A)
生产厂家：
美国中央固体工业公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC1
82,BC190,BC546,2N2220A,2N2221A,2N2222A,2SC1775(A),
2SC2240,2SC2389,2SC2459
,3DG121D,
晶体管型号：
2N5302
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
30A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDY29,MJ802,2SD797,
晶体管型号：
2N5303
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（<
/p>
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
30A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDY29,MJ802,2SD797,
晶体管型号：
2N5550
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（
< br>Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
0.6A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF3
92,BF393,BFP22,BSS48,MPS-A42,MPS-A43,2N3440,3DG84G
,
晶体管型号：
2N5551
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（
< br>Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
0.6A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF3
92,BF393,BFP22,BSS48,HY5551,MPS-A42,MPSA43,2N3440,
3DA87C,
3DG84G,
晶体管型号：
2N5581
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
SSI
，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
β>20
最大工作频率：
>250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BFX94A,BFX95A,BSW63,BSW64,BSW84,BSW85,2N2220A,
2N2221A,2N2222A,3DK102B,
晶体管型号：
2N5629
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
16A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD317,BDX
40,BDX50,BDX60,BDY57,BDY60,2N3272,2N3773,2SC2608,3
DK170B,
晶体管型号：
2N5655
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
275V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
20W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF668,BF4
61,BF462,BF758,BF759,MJE5655,3DK205F,
晶体管型号：
2N5656
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
325V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
20W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF462,BF759,MJE56556,3DK305A,
晶体管型号：
2N5657
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
375V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
20W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD410,MJE
5657,2SC2899,2SC3051,2SC3425,3DK305A,
晶体管型号：
2N5671
生产厂家：
美国无线电公司，德国电
子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
30A
最大耗散率：
140W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW30,BDW
32,BDY37,BDY57,BDY58,2N6249,2N6259,2N6322,3DK109E,
晶体管型号：
2N5672
生产厂家：
美国无线电公司，德国电
子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
30A
最大耗散率：
140W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDW32,BDY
37,BDY58,2N6249,2N6259,2N6322,3DK109E,
晶体管型号：
2N5685
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
50A
最大耗散率：
300W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N5575,2N
5576,2N5577,2N5578,2N5579,2N5580,2N6274,3CD275A,
晶体管型号：
2N5686
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，美国硅晶体技术公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
50A
最大耗散率：
300W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N5578,2N5579,2N5580,
晶体管型号：
2N5769
生产厂家：
美国范恰得公司，美国国民半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>500MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSX19,BSX20,BSX39,BSX92,BSX93,2N2368(A),2N2369(
A),3DG112C,
晶体管型号：
2N5830
生产厂家：
美国范恰得公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
12V
最大电流允许值：
0.6A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF391,BF3
92,BF393,BFP22,MPS-A42,MPS-A43,2N5550,3DG84E,
晶体管型号：
2N5838
生产厂家：
美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
275V
最大电流允许值：
3A
最大耗散率：
100W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU109,BU2
10,BU606,BU607,BU608,BUW71,BUX16A,BUX16B,BUX16C,BU
Y22,BUY74,3DK206F,
晶体管型号：
2N5881
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司，
ITX
，美国晶体管
有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
160W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD315,BD7
45A,BDW51A,2N5302,2N5685,2N5620,2N5621,2N5622,2N56
23,2N5624,2N5625,2N5626,
2N5627,2N
5628,2N5629,2N5630,2N5631,3CDA74A,
晶体管型号：
2N5882
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
ITX
，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
160W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD315,BD7
45B,BDW51B,2N5303,2N5686,2N5620,2N5621,2N5622,2N56
23,2N5624,2N5625,2N5626,
2N5627,2N
5628,2N5629,2N5630,2N5631,3CDA74B,
晶体管型号：
2N5885
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
ITX
，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
25A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD366,BD368,BDY29,MJ802,2N5685,2N6274,3DK209B,
晶体管型号：
2N5886
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
ITX
，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
25A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BD368,BDY
29,MJ802,2N5686,2N6274,2SD797,3DK209B,
晶体管型号：
2N6121
生产厂家：
美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243,BD5
33,BD539,BD595,BD605,BD947,3DD64B,
晶体管型号：
2N6122
生产厂家：
美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243A,BD
535,BD539A,BD597,BD607,BD949,3DD64C,
晶体管型号：
2N6123
生产厂家：
美国国民半导体公司，德国电子元件股份公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2.5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243B,BD
537,BD539B,BD599,BD609,BD951,3DD64C,
晶体管型号：
2N6251
生产厂家：
美国无线电公司，美国硅晶体技术公司，美国晶体管有限公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>2MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU221,BUW
24,BUW25,BUW34,BUW72,BUX17C,BUY75,2N6306,3DK308B,
晶体管型号：
2N6274
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
SSI
，美国硅晶体技术公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
50A
最大耗散率：
250W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N6032,2N6033,2N6322,3DK210C,
晶体管型号：
2N6275
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，
SSI
，美国硅晶体技术公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
50A
最大耗散率：
250W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
2N6033,2N6322,3DK210C,
晶体管型号：
2N6288
生产厂家：
美国国民半导体公司，美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
7A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243,BD5
43,BD595,BD605,BD795,BD805,3DD62B,
晶体管型号：
2N6473
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243C,BD601,2N6465,3DD60D,
晶体管型号：
2N6474
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
130V
最大电流允许值：
4A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2N6466,3DD60E,
晶体管型号：
2N6486
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
75W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD605,BD705,BD743A,BD907,BDT81,3DK5A2,
晶体管型号：
2N6487
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
75W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD607,BD707,BD743B,BD909,BDT83,3DK5A4,
晶体管型号：
2N6488
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
90V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
75W
放大倍数：
未知放大倍
__________
数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD609,BD709,BD743C,BD911,BDT85,3DK5A4,
晶体管型号：
2N6497
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
80W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT56(A),
MJE51T,MJE52T,MJE53T,2SC2907,3DA308A,
晶体管型号：
2N6498
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
400V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
80W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>5MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT56(A),MJE52T,MJE53T,2SC2907,3DA308A,
晶体管型号：
2N6515
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
250V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF392,BF3
93,BFP25,MPS-A42,2SD1350,3DG84I,
晶体管型号：
2N6516
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF393,BFP25,MPS-A42,2SD1350,3DG841I,
晶体管型号：
2N6517
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
），
视频输出（
Vid
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
350V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>40MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1350,3DG84I,
晶体管型号：
2N6542
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
100W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>6MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BU126,BUS
11(A),BUX82,BUX83,2N6308,2SC3048,3DK308G,
晶体管型号：
2N6544
生
__________
产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
125W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>6MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12(A),
BUX14,BUX47(A),2N6308,2SC3092,2SD811,3DK309E,
晶体管型号：
2N6545
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
850V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
125W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>6MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12(A),
BUX14,BUX47(A),2SC3092,2SD811,3DK309G,
晶体管型号：
2N6545
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
850V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
125W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>6MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12(A),BUX14,BUX47(A),2SC3092,2SD811,3DK309G
,
晶体管型号：
2N6546
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>6MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS13(A),
BUX97(A),BUX25,BUX47(A),BUX47(B),BUX47(C),2N6547,3
DK210G,
晶体管型号：
2N6671
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW24,BUW
25,BUW26,BUW34,BUW35,BUW36,BUW72,3DK309B,
晶体管型号：
2N6672
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
550V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW25,BUW26,BUW35,BUW36,BUW80,3DK309D,
晶体管型号：
2N6673
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
5A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引
__________
脚数：
2
可代换的型号：
BUW26,BUW35,BUW36,BUW80,BUX81,3DK309E,
晶体管型号：
2N6674
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV25,BUW44,BUW75,BUX25,3DK309B,
晶体管型号：
2N6675
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUW13(A),
BUW44,BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK30
9E,
晶体管型号：
2N6676
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV25,BUW
44,BUW45,BUW46,BUX25,BUX48,3DK309B,
晶体管型号：
2N6677
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
550V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS13(A),
BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK309D,
晶体管型号：
2N6678
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
15A
最大耗散率：
175W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS13(A),
BUW45,BUW46,BUX48(A),BUX48(B),BUX48(C),3DK309E,
晶体管型号：
2N6686
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
260V
最大电流允许值：
25A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N6561,3DK210E,
晶体管型号：
2N6687
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
280V
最大电流允许值：
25A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N6561,3DK210F,
晶体管型号：
2N6688
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
20A
最大耗散率：
200W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUV12,BUW73,BUX12,BUX22,2N6561,3DK210F,
晶体管型号：
2N6702
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
7A
最大耗散率：
50W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BU409,BUW
64A,BUW64B,BUW64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206C,
晶体管型号：
2N6703
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
7A
最大耗散率：
50W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BU409,BUW
64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D,
晶体管型号：
2N6704
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
180V
最大电流允许值：
7A
最大耗散率：
50W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BU409,BUW
64C,TIP150,TIP151,TIP152,3DK206D,
晶体管型号：
2N6714
生产厂家：
NAT
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大耗散率：
1.2W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD509,BD517,2SD1078,2SD1079,3DK104B,
晶体管型号：
2N6715
生产厂家：
NAT
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大耗散率：
1.2W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD509,BD517,2SD1078,2SD1079,3DK104B,
晶体管型号：
2N6738
生产厂家：
RAT
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
100W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT54,BUT56(A),BUW40,2SC3039,2SC4106,
晶体管型号：
2N6739
生产厂家：
RCT
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
550V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
100W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT54,BUT56(A),BUW40A,2SC3039,2SC4106,
晶体管型号：
2N6740
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
8A
最大耗散率：
100W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUT54,BUT
56(A),BUW40B,MJE13006,MJE13007,
晶体管型号：
2N6751
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12(A),BUW35,BUW36,BUX80,BUX81,
晶体管型号：
2N6752
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
850V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12(A),BUW36,BUX81,MJ8504,
晶体管型号：
2N6753
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
900V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12A,BUW36,BUX81,MJ8504,
晶体管型号：
2N6754
生产厂家：
美国无线电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1000V
最大电流允许值：
10A
最大耗散率：
150W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>15MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BUS12A,BUX81,MJ8504,2SC3215,
晶体管型号：
2N6771
生产厂家：
美国克里姆森本导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
450V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW40,BUW
40(A),BUW40(B),BUX84,BUX85,TIP49,TIP50,
晶体管型号：
2N6772
生产厂家：
美国克里姆森本导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
550V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW40A,BUW40B,BUX84,BUX85,2SC3352,
晶体管型号：
2N6773
生产厂家：
美国克里姆森本导体公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
），功率放大（
L
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
650V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
40W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>10MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BUW40B,BUX84,BUX85,2SC3352,
晶体管型号：
2N699(A,B)
生产厂家：
DIT
< br>，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件股份公司，美国晶体管有限公司，
美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC300,BSS
42,BSS43,BSV84,BSW67,BSW68,BSX47,2N2405,2N3498,3DG
84E,
晶体管型号：
2N706(A...C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DID
，德国椤茨标
准电器公司，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子
元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX39,BSX87,BSX88,BSX89
,BSX92,BSX93,BSY62,B
SY63,2N753,2N
2368(A),2N2369(A),3DK7A,
晶体管型号：
2N708
生产厂家：
未知生产厂家
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSX19,BSX20,2N2368(A),2N2369(A),
晶体管型号：
2N718
生产厂家：
德国电子元件股份公司，
美国摩托罗拉半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.4W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337A,BC637,BC639,BCX24,
晶体管型号：
2N720(A)
生产厂家：
德国电子元件股份公司，
美国摩托罗拉半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.4W
放大倍数：
β>40
最大工作频率：
>50MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC300,BCX
22,BSS42,BSV84,BSW67,BSX47,2N3700,2N3701,2SD667,2S
D774,3DK1150A,
晶体管型号：
2N834
生产厂家：
未知生产厂家
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSX19,BSX20,2N2368(A),2N2369(A),
晶体管型号：
2N910
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC141,BC3
01,BC639,BCX24,2N719,2N720,2N870,2N871,2N3700,2N37
01,2SD667,
晶体管型号：
2N914(A)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，法国巴黎珊斯公司，美国摩托罗拉半导体公司，德国电子元件
< br>
股份公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.5A
最大耗散率：
0.36W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BSS10,BSS
11,BSS12,BSV59,BSX19,BSX20,BSX26,BSX39,BSX87,BSX88
,BSX92,BSX93,BSY62,B
SY63,2N7744A,
2N3261,3DK4B,
晶体管型号：
2N930
生产厂家：
未知生产厂家
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.03A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>30MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC414,BC550,2N2483,2N2484,2N3117,
晶体管型号：
2N956
生产厂家：
美国摩托罗拉半导体公司
，德国电子元件股份公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），
TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
75V
最大电流允许值：
未知
A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC489,BC5
38,BC639,BCX24,2N3700,2N3701,2N2220A,2N2221A,2N222
2,2SD667,3DG170G
晶体管型号：
2PC4081Q
生产厂家：
荷兰飞利浦公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β=120
-270
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4081,
晶体管型号：
2PC4081S
生产厂家：
荷兰飞利浦公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β=270
-560
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
,
晶体管型号：
2PC4081R
生产厂家：
荷兰飞利浦公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.2W
放大倍数：
β=180
-390
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
,
晶体管型号：
2SC1815
生产厂家：
日本东芝公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大耗散率：
0.4W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
>80MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC1
82,BC184,BC190,BC384,BC414,BC546,DG458,DG1815,
晶体管型号：
2SC2240
生产厂家：
日本东芝公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC1775A,
2SC1845,2SC2088,2SC2089,2SC2362,2SC2389,2SC2459,2S
C2631,2SC2632,DG2240,3D
G180J,
晶体管型号：
2SC2655
生产厂家：
日本东芝公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），开关管（
S
）<
/p>
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大耗散率：
0.9W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD517,BD5
25,2SC3328,2SC3669,2SD1207,2SD2177,3DK10C,
晶体管型号：
2SC2786
生产厂家：
日本日电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
调频（
FM
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.02A
最大耗散率：
未知耗散功率
W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
600MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BF225,BF2
40,BF314,BF502,BF5050,BF507,BF523,BF959,3DG112D,
晶体管型号：
2SC2873
生产厂家：
日本东芝公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（
SMD
），通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
2A
最大耗散率：
未知耗散功率
W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1422,2SD1623,
晶体管型号：
2SC3733
生产厂家：
日本日电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
射频
/
高频放大（
HF
），开关管（
S
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
1W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2236,2SC3941A,
晶体管型号：
2SC945
生产厂家：
日本日电公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.25W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC1
71,BC174,BC182,BC183,BC190,BC207,BC237,BC382,BC546
,BC547,BC582,DG945,2N2
220,2N2221,
2N2222,3DG120B,3DG4312,
晶体管型号：
BC107(A,B)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，德国椤茨标
准电器公司，
MBL
，意大利、德国
M
istra
公司，英
国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国电子元件股份公司，德国西门子
AG
公司，美国晶体管
有
限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=500
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC171,BC1
82,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,3DG120B,
晶体管型号：
BC108(A,B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，德国椤茨标
准电器公司，
MBL
，意大利、德国
M
istra
公司，英
国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国电子元件股份公司，德国西门子
AG
公司，美国晶体管
有
限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC172,BC1
83,BC208,BC238,BC383,BC548,BC583,3DG120A,
晶体管型号：
BC109(B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，
DIT
，德国椤茨标
准电器公司，
MBL
，意大利、德国
M
istra
公司，英
国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国电子元件股份公司，德国西门子
AG
公司，美国晶体管
有
限公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
晶体管型号：
BC182L
生产厂家：
美国国民半导体公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=500
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC546,3DG130B,
晶体管型号：
BC183(A,B,C)
生产厂家：
法国巴黎珊斯公司，德国
西门子
AG
公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC1
71,BC207,BC237,BC382,BC547,BC582,3DG130B,
晶体管型号：
BC184(B,C)
生产厂家：
法国巴黎珊斯公司，德国
西门子
AG
公司，美国得克萨斯仪表公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
>150MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC384,BC413,BC550,3DG130B,
晶体管型号：
BC237(A,B)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公
司，德国西门子
AG
公司，美国得克萨斯仪表公司，
MBL
，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=500
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC107,BC1
71,BC182,BC207,BC382,BC547,BC582,3DG237,
晶体管型号：
BC238(A,B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公
司，德国西门子
AG
公司，美国得克萨斯仪表公司，
MBL
，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC108,BC1
72,BC183,BC208,BC383,BC548,BC583,3DG238,
晶体管型号：
BC239(B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，法国巴黎珊斯公司，德国电子
__________
元件股份
公
司，德国西门子
AG
公司，美国
得克萨斯仪表公司，
MBL
，荷兰飞利浦公司，
RTC
，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC109,BC1
73,BC184,BC209,BC384,BC549,BC584,3DG239,
晶体管型号：
BC337(-16...-40)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，英国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
法国巴黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，德国西门子
AG
公司，美国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏
公
司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），
TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC377,BC737,BC837,BC637,3DK4B,
晶体管型号：
BC338(-16...-40)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，英国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
法国巴
黎珊斯公司，德国电子元件股份公司，德国西门子
AG
公司，美
国得克萨斯仪表公司，德国凡尔伏
公
司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），
TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.8A
最大耗散率：
0.625W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC378,BC738,BC838,BC635,3DK4C,
晶体管型号：
BC368
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国西门子
AG
公司
，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（
LF
），
TR
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
20V
最大电流允许值：
1A
最大耗散率：
0.8W
放大倍数：
未知放大倍数
最大工作频率：
<1MHZ
或者未知工作频率
引脚数：
3
可代换的型号：
BC338,BC378,BC635,BC738,
晶体管型号：
BC413(B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，意大利、德国
Mis
tra
公司，法国巴黎珊斯
公司，德
国西门子
AG
公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
45V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC330,BC384,BC550,3DG120C,
晶体管型号：
BC414(B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，意大利、德国
Mis
tra
公司，法国巴黎珊斯
公司，德
国西门子
AG
公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
），低噪放大（
ra
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大耗散率：
0.3W
放大倍数：
β=900
最大工作频率：
250MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC184,BC329,BC384,BC550,3CG120C,
晶体管型号：
BC546(VI,A,B)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，英国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
德国西
门子
AG
公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
0.2A
最大耗散率：
0.5W
放大倍数：
β=500
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC174,BC190,BC447,3DG9011,
晶体管型号：
BC547(VI,A,B,C)
生产厂家：
德国
AEG
公司，德国椤茨标准电器公司，英国
Mullard
有限公司，荷兰飞利浦公司，
德国西
门子
AG
公司，德国凡尔伏公司
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（
Uni
）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.2A
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