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STD1664Y AUK光电子NPN硅晶体管

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-03-03 13:04
tags:

-

2021年3月3日发(作者:性感带)


硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多


重功能,常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高,响应速度快,准确性高;耐压范 围大,结


实可靠。




NPN


硅晶体管


STD1664


PNP


硅晶体管


STB1132


适用于中功率放大器等应用,均采用


SOT-89


封装,具有低集电极饱和电压,陶瓷基板采用


40


×


40


×


0.8mm

时集电极耗散功率为


2W





STD1664


< br>STB1132


硅晶体管当工作温度为


25


℃时的结温


TJ



150< /p>


℃,存储温度


Tstg



-55~


150


℃,可以满足工业级温度要求,适用于 高低温工作环境和较恶劣的应用温度环境中。两款硅晶


体管在工作温度为


25


℃时的各参数的最大额定值如下表:





STD1664

< br>,


STB1132


硅晶体管的产品特征:



?


PC


(集电极散耗功率 )


=2W


(陶瓷基板采用


40


×


40


×


0.8mm< /p>




?


STD 1664


低集电极饱和电压:


VCE(sat)=0.15V< /p>


(典型值)



?


STB1132


低集电极饱和电压:


VCE(sat)=-0. 2V


(典型值)



?


STD1664



STB1132


彼此互补配对



?



采用


SO T-89


封装



STD1664



STB1132


硅晶体管的市场应用:



?



中功率放大器












Description






?



Medium power amplifier application

< p>
?中功率放大器的应用


?




Features


P



C


(Collector power dissipation)=1W PC


(收集器功耗)


= 1W


?



(Ceramic substate of 250


?


×


0.8t used)



?



Low collector saturation voltage :

< p>
低集电极饱和电压:


?


V


CE(sat)


=0.15V(Typ.)



?


Complementary pair with ST B1132


?与


STB1132


互补< /p>




PIN Connection





SOT-89




Ordering Information







Marking





Type NO.



STD1664




Package Code



SOT-89




A2




YWW



Absolute maximum ratings



Characteristic





Symbol





Ratings





(Ta=25


?

C)



Unit



V




Collector-Base voltage





V


CBO




40



32





Collector- Emitter voltage





V


CEO



V


EBO





V



V




Emitter-Base voltage




5



1





Collector current



I


C




A(DC)



A(Pulse)







I


CP


*




2



0.5




Collector power dissipation



P


C




W




Junction temperature





P


C



T


J




*


1



150




?


C






Storage temperature




T


stg




-55~150




?


C



*



: Single pulse, tp= 300


?




**



: When mounted on ceramic substrate(250


?×0.8t)



**



*


单< /p>


脉冲,


tp = 300


?




**



**


: 安装在陶瓷基板上




250



0.8t





Electrical Characteristics



Characteristic





Symbol





Test Condition









(Ta=25


?


C)



Min.



Typ.



Max.




Unit



V




Collector-Base breakdown voltage





BV


CBO




I


C


=50


?


, I


E


=0




40




-




-



-





Collector- Emitter breakdown voltage





BV


CEO




I


C


=1


?


, I


B


=0




32




-



-





V



V




Emitter-Base breakdown voltage





BV


EBO




I


E


=50


?


, I


C


=0




5



-





-



0.5





Collector cut-off current





I


CBO




V


CB


=20V, I


E


=0



V


EB


=4V, I


C


=0





-



-





?



?




Emitter cut-off current





I


EBO



h


FE



-



100



0.5



320



DC current gain



*


V


CE


=3V, I


C


=0.1A



I


C


=500


?


, I


B


=50


?





-



0.15





-



V




Collector-Emitter saturation voltage





V


CE(sat)



f


T





-



-





0.4



-





Transition frequency




V


CE


=5V, I


C


=50


?



V


CB


=10V, I


E


=0, f=1


?





150



15





?



?




Collector output capacitance





C


ob



-



-



* : h


FE


rank / O : 100 ~ 200, Y : 160 ~ 320




Electrical Characteristic Curves


电气特性曲线







Fig. 1 P


C


- T


a










?


































Fig. 3 I


C


- V


CE













?


?





?




?




?



?




?





?



?




?







Fig. 5 h


FE



-



I


C



















?



Fig. 2 I


C


- V


BE



Fig. 4 V


CE(sat)


- I


C



?



?





















































Outline Dimension(mm)


外形尺寸(


mm






Recommend PCB solder land [Unit: mm]
















































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