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硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多
重功能,常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高,响应速度快,准确性高;耐压范
围大,结
实可靠。
NPN
硅晶体管
STD1664
,
PNP
硅晶体管
STB1132
适用于中功率放大器等应用,均采用
SOT-89
封装,具有低集电极饱和电压,陶瓷基板采用
40
×
40
×
0.8mm
时集电极耗散功率为
2W
。
STD1664
,
< br>STB1132
硅晶体管当工作温度为
25
℃时的结温
TJ
为
150<
/p>
℃,存储温度
Tstg
为
-55~
150
℃,可以满足工业级温度要求,适用于
高低温工作环境和较恶劣的应用温度环境中。两款硅晶
体管在工作温度为
25
℃时的各参数的最大额定值如下表:
STD1664
< br>,
STB1132
硅晶体管的产品特征:
?
PC
(集电极散耗功率
)
=2W
(陶瓷基板采用
40
×
40
×
0.8mm<
/p>
)
?
STD
1664
低集电极饱和电压:
VCE(sat)=0.15V<
/p>
(典型值)
?
STB1132
低集电极饱和电压:
VCE(sat)=-0.
2V
(典型值)
?
STD1664
,
STB1132
彼此互补配对
?
采用
SO
T-89
封装
STD1664
,
STB1132
硅晶体管的市场应用:
?
中功率放大器
Description
?
Medium power amplifier application
?中功率放大器的应用
?
Features
P
C
(Collector power
dissipation)=1W PC
(收集器功耗)
=
1W
?
(Ceramic
substate of 250
?
×
0.8t
used)
?
Low collector saturation voltage :
低集电极饱和电压:
?
V
CE(sat)
=0.15V(Typ.)
?
Complementary pair with ST
B1132
?与
STB1132
互补<
/p>
PIN
Connection
SOT-89
Ordering Information
Marking
Type NO.
STD1664
Package Code
SOT-89
A2
□
YWW
Absolute maximum ratings
Characteristic
Symbol
Ratings
(Ta=25
?
C)
Unit
V
Collector-Base voltage
V
CBO
40
32
Collector-
Emitter voltage
V
CEO
V
EBO
V
V
Emitter-Base voltage
5
1
Collector current
I
C
A(DC)
A(Pulse)
I
CP
*
2
0.5
Collector power dissipation
P
C
W
Junction temperature
P
C
T
J
*
1
150
?
C
Storage
temperature
T
stg
-55~150
?
C
*
: Single
pulse, tp= 300
?
**
: When mounted
on ceramic substrate(250
?×0.8t)
**
*
单<
/p>
脉冲,
tp =
300
?
**
**
:
安装在陶瓷基板上
时
(
250
?×
0.8t
)
Electrical
Characteristics
Characteristic
Symbol
Test
Condition
p>
(Ta=25
?
C)
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
Collector-Base breakdown
voltage
BV
CBO
I
C
=50
?
,
I
E
=0
40
-
-
-
Collector-
Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C
=1
?
,
I
B
=0
32
-
-
V
V
Emitter-Base breakdown
voltage
BV
EBO
I
E
=50
?
,
I
C
=0
5
-
-
0.5
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=20V,
I
E
=0
V
EB
=4V,
I
C
=0
-
-
?
?
Emitter cut-off
current
I
EBO
h
FE
-
100
0.5
320
DC current
gain
*
V
CE
=3V,
I
C
=0.1A
I
C
=500
?
,
I
B
=50
?
-
0.15
-
V
Collector-Emitter saturation
voltage
V
CE(sat)
f
T
-
-
0.4
-
Transition
frequency
V
CE
=5V,
I
C
=50
?
V
CB
=10V,
I
E
=0, f=1
?
150
15
?
?
Collector output capacitance
C
ob
-
-
* : h
FE
rank / O
: 100 ~ 200, Y : 160 ~ 320
Electrical Characteristic
Curves
电气特性曲线
Fig. 1 P
C
-
T
a
?
Fig. 3
I
C
-
V
CE
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
Fig. 5
h
FE
-
I
C
?
Fig. 2
I
C
-
V
BE
Fig. 4
V
CE(sat)
-
I
C
?
?
Outline Dimension(mm)
外形尺寸(
p>
mm
)
※
Recommend PCB solder land
[Unit: mm]
该产品
旨在用作一般电子设备(办公和通讯设备,测量设备,家用电器等)的组件。
在将这些产品用于要求高品质和
/
或可靠性的设
备以及可能对人类生命的福祉产生重大影响的
设备(原子能控制,飞机,宇宙飞船,运输
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控制,所有类
型的安全装置等)。
<
/p>
未经事先协商,如果将这些产品用于上述设备中,则对由此引起的任何
损坏不承担任何责任。
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摸解决方案
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片机、马达驱动芯片、显示驱
动芯片、刷卡芯片、时针芯片、存储芯片、语音芯
片、低压
MO
S
管、
TVS
二极管;深圳市奥伟斯代
理
AUK
韩国光电子二极管、三极
管、
MOS
管、
MOSFET
、
NPN
硅晶体管等全系列批量供应,可接受订货<
/p>
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