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关于照明技术和光电半导体的
术语和定义
关于照明技术和光电半导体的术语和定义
A/D
数模信号
< br>/
转换
模拟信号到数字信号的转换器
signal/converter
器
(ADC)
。将模拟输入信号转换为数字数
据或数据流，用于进一步处理或存储。
ABCS
ABCS
（锑基化合物半导体）
ABCS
是一
种新
型化合物半导体，与基于硅、砷化镓
和磷化铟的半导体相比
，它具有优越
的电子特性和较低的开启电压。在国
防和空间应用
中，
ABCS
预计能在功率
消耗最低
的情况下产生世界上最快的
电路。
ABCS
< br>技术还具有商业应用前
景，在高频率无线应用、光波通信和
集成光电子电路方面尤其如此。
Absorption
吸收
铁、铜、钴、钒、和铬等杂质引
起的
在光纤中的损失。对光纤而言，即使
是十亿分之一或十亿分
之二的杂质也
被认为是不可接受的。
Acceptance
接受图
相对入射角绘制的总透射光曲线图。
Pattern
Acceptor
受主杂质
（又名
P
型杂质）不同于半导体却出
Impurity
现在半导体中的原子和离子，其价电
子不足以完成半导体晶体结构中的正
常键合排列。受主杂质接受相邻原子
的电子来生成一个正电荷载流子（
例
如空穴）。
Active
Matrix
有源矩阵显示
一种平板显示器，其屏幕刷新频率
比
Display
器
传统无源矩阵显示器高。最常见类型
的有源矩阵显示器是基于一种名为
TFT
（薄膜晶体管）的技术，因此有源<
/p>
矩阵和
TFT
这两个术语通常可以互
换使用。
Active Matrix
有源矩阵液晶
< br>有源矩阵显示器由以下材料组成：一
Liquid Crystal
显示器
块装有薄膜晶体管
(TFT)
的背面玻
Displays
(AMLCD)
璃基板和一块带色彩过滤板的前面玻
(AMLCDs)
璃基板形成夹层，中间填充液晶
(LC)
< br>材料。背面基板上的薄膜晶体管阵列
连接到电子驱动器，电子驱动器则从
连接到主系统的电脑芯片接收脉冲。
每个
TFT
均用作激活像素的通断开
关，迫使液晶体扭曲以允许光
通过并
AEL (Accessible
AEL
（可接近放
Emission
Limits)
射限值）
AFS(Advanced
Frontlighting
System)
AFS
（高级前照<
/p>
明系统）
AGC
(Automatic
AGC
（自动增益
Gain
Control)
控制）
ALCVD
ALE
AlGaAs
AllnGaP
AllnGaP chip
(LED)
Alphanumeric
Display
Alternating
Current (AC)
Ammeter
ALCVD
ALE
AlGaAs
AllnGaP
AllnGaP
芯片
(LED)
字母数字显示
数字和字母的读出装置。
器
交流电
(AC)
定期逆转方向的电流，通常每秒逆转
多次。
电流计
用于测量电
路某个部分的电流量的仪
表。
Amorphous
非晶体
在提纯加工前无明显原子排列的材
料，如塑料和硅。
< br>
Analog Display
模拟显示器
提供沿预定校准路径进行
的连续、明
亮的移动动作的读数装置，用于显示
所需测量。
Analog Meter
模拟仪
标有连续数字刻度的读数装置
，指针
沿刻度移动。
Anode
阳极
电解槽的正电极，电流通过电镀
槽时
此处带正电的原子离开。
ANPR (Automatic
ANPR
（车牌自动
ANPR
是一种用于读取汽车车牌（号
Number Plate
识别系统）
码）的监控方式。其应用范围包括收
Recognition)
费道路上的电子收费和监控交通活
动。红外
LED
非常适合此应用。
在显示器上形成图像。
各激光分类（标准
IEC-60825-1
< br>）的
可接近放射限值是波长和放射持续时
长的一个函数，
列于特定表格中。
AFS
能根据不
同的行驶条件优化光束
模式，调整车头灯输出。例如，根据
车辆
的行驶速度和方向加强驾驶员的
夜视能力。
AGC
自动调整放大器的增益，以维持
不同输入信号的恒定输出。如果输入
信号较弱，
AGC
将增强该信号；如果
输入信号较强，则
AGC
将减弱该信
号。
AGC
有助于避免过激放大器，还
可改进信噪比。
AGC
通常在音频应用
中用于调节音量。
原子层化学气相沉淀
原子层外延，以
单个原子层为增量的
晶体生长。
铝镓砷
铝铟镓磷
基于铝铟镓磷化物的芯片<
/p>
/LED
。
ARC (Anti
ARC
（防反射
涂
一种能减少反射的光学涂层，可用于
Reflection
层）
增强
LED
和激光器的发光强度。
Coating)
Arsenic
砷
一组
V
元素，在硅中是
n
型掺杂剂。
ASCII
(American
ASCII
（美国信
基于英文字母表顺序的字符编码方
Standard
Code
for
息交换标准代
案，代表电脑和其他通信设备中的文
Information
码）
本。
ASCII
定义了
128
个字符。
Interchange)
ASIC
ASIC
（专用集成
定制仅用于一个特殊用途的集成电路
(Application
电路）
(IC)
。（现代
ASIC
通常基于
32
位
Specific
微处理器，存储块包含
ROM
、
RAM
、
Integrated
EEPROM
、闪存和其它电子元件。）
Circuit)
ASP
ASP
平均销售价格
Atomic
Orbital
原子轨道
原子核周
围的空间，在此空间中，具
有给定量子数的电子最有可能被发
现
。
AV-input
AV
输入
AV
（
音频
-
视频）输入是一个可接收
DVD
播放器、电视调谐器或
VH
S
（录
像机）等电子设备的音频和视频信号
的通用接口。
Back-End
后端
Backlighting
背光照明
指半导体制造、生产的封装组装和测
试阶段，包括烧录和环境测
试功能。
用于使平板显示器在低环境光条件下
更易于阅读的一项技术。最常用的背
光照明类型为
L
ED
、
EL
（电致发光）
或
CCFL
（冷阴极荧光灯）。
一组轨
道，分别在固体中呈游离态，
能量分布如此紧密几乎是连续不断。
价电子带顶部与传导带底部的能量分
离。
< br>
Band
Band gap
频带
带隙
Band pass
filter
带通滤波器具有特定的中心频率和传
输带宽。高于或低于带通范围的频率
将被阻止或明显减弱。
Beam
光束发散度
（与
电磁波束的光束直径增长和与光学孔
divergence
PN
结平行的
径（点源）之间距离的角测度。
(FWHM
parallel
FWHM
）
to pn
junction)
BEF
BEF
（增亮膜）
LCD
屏幕上的薄膜，通过棱柱状结构
(Brightness
控制光的输出角度，为观众提供最大
Enhancement
亮度。
Film)
BEOL (Back End
BEOL
（后端制
将有源组件（晶体管、电阻器等）与
Of
Line)
程）
晶圆上的布线相连的
IC
（集成电路
）
制造工艺步骤，包括触点、绝缘材料、
金属液面和芯片与封装
连接的焊接
点，以及将晶圆切割成单独的
IC
（集
成电路）芯片。
Bias
偏压
施加于电气设备的电极上的电压，要
考虑极性。
Bias Control
偏压控制
电子器件的偏压为通常施加到实际信
号上的电压或电流。通过控
制装置调
节电流或电压。
Biasing
施加偏压
施加电压，通常用于改变发光二极管
(LED)
等装置的电气和光输出。
Bin (binning)
BIN
（分选）
分选就是将
LED
划分为精细分级
的
不同组别。根据亮度、颜色坐标或正
向电压对
LED
进行分类或分级，但没
有通用标准。即使是
同一批次的
LED
，
也可以有很大差
异，需要进行分类。
Bipolar
双极
一种半导体装置，其中的空穴和
电子
均充当载流子。任何负载电流穿过
PN
结的装置都是双极器件。
Bipolar
双极晶体管
两个
PN
结形成的有源半导体装置，
transistor
功能在于放大或切换电子电流。双极
晶体管包含三个部分：发射器、基片<
/p>
和集电极。
Bit
位
二进制数字（
1
或
0
），为电脑可识
别信息的最小单位。用于表示二进制
数制中的两种状态。八位等于一个字
节。
Black package
黑色封装
对于视频墙应用或可变信息
标志，黑
色封装的
LED
比白色封装的
LED
提
带通滤波器
供的对比度更高和反射更少。
BLUs
BLU
（背光模组）
LCD
（液晶显示屏）背光照明的模块，
(Backl
ight
采用边缘或直接
/
全部原理
（边缘
=
units)
LED
固定在
LCD
面板侧面；直接
/
全
部
=
完全采用
LED
背光照明的
LED
屏幕）。
Bonded Wafer
已键合晶圆
通过将两个单独的硅基板
的氧化表面
溶凝（高温下）在一起形成的复合介
质隔离基板。<
/p>
Bonding
键合
将电线从封装引线连接至芯片（
或晶
粒）焊盘的步骤，是组装过程的一部
分。结合热和超声能量
将小直径金线
或铝线粘合到焊盘区。
Breakdown
击穿电压
如果超过此电压，将导致反向电流急
voltage
(VBR)
(VBR)
剧上升。
Brightness
亮度
一种视觉特性：刺激作用的激烈程度
或发射光的多少。亮度并非光度标
准
（如照度），不应与坎德拉每平方米
等光度单位一起使用。<
/p>
Buck/boost
降压
/
升压调节
输出电压比输入电压更高（升压）或
regulator
器（转换器）
更低（降压）的电源转换器。
(converter)
Bypass
旁路电容器
模拟系统中用于消除或降低电源噪音
capacitor
的电容器。
C-mount/cs-mount
标准化封装，配备用于安装激光器的
热沉。
Candela
发光强度单位。
Capacitance
电容器或其他电导体储存电荷的能
力。
Carrier frequency
载波频率
载波的频率，
即调制消息内容的频率。
Carrier/Charge Carrier
载流子
/
电荷载
移动传导电子或半导体结构中的空
流子
穴。
Cathode
阴极
电解槽的负电极，电流通过电镀槽时
带正电的原子迁移至此。
Cathodoluminesence
阴极发光
(CL)
通过某种形式的能量激发固体所发射
(CL)
的光。本术语大体上包括常用类别的
荧光和磷光。阴极发光最常见于电子
显微镜系统中。
CBE
CBE
化学束外延
C
安装
/cs
安
装
坎德拉
电容
CCD-sensor
（用于数码相机）电荷耦合器件，通<
/p>
常由光敏光电二极管矩阵组成。这些
光电二极管所占面积越大，光
敏度越
高，
CCD
传感器的动态范围
越广。光
电二极管的数量越多，
CCD
的分辨率
越高。
CCFL (Cold Cathode
CCFL
（冷阴极荧
阴极元素不是独立加热的荧光灯。
Fluorescent Lamps)
光灯）
CCT
(Correlated Color
CCT
（相关色温）
当黑体吸收阳光的所有光成分从而产
Temperature)
生与实际存在的照明具有相同色彩效
果的光时的温度。
CCTV (Closed Circuit
CCTV
（闭路电
可通过使用红外
LED
实现夜视的摄
Television)
视）
像监控系统。
CDM
(Charged Device
CDM
（带电器件
为模拟
ESD
（静电放电）测试而开发
Model)
模型）
出了多种模型，
包括人体模型
(HBM)
、
机器模型
(MM)
和带电器件模型
(CDM)
。
CDM
是一种模拟一个或以上接
地连接点上的静电元件放电的模型。
< br>使用此模型可测试电路对静电放电的
敏感度。
Centroid wavelength
质心波长
电磁（光）发射光谱的波长
，其中一
半能量波长较短，另一半能量波长较
长。
CFD (Computional Fluid
CFD
（计算流体
公认的流体动力学方法，目的在于通
Dynamics) analysis
动力学）分析
过数值法解决流体动力学问题。
Charge Carrier
电荷载流子
固态装置的晶体中的电荷
载体，如电
子或空穴。
Charge
coupled devices
电荷耦合器件
将电荷存储在势井中并通过变换势井
位置来打包传送几乎所有电荷的传送<
/p>
器件。
Chemical
Etching
化学腐蚀加工
通过
酸浴消除表面损伤并使硅晶体片
更薄。
Chemical Mechanical
化学机械抛光
结合化学去除法和机械抛光法两种方
Polishing
(CMP)
(CMP)
法来压平和抛光晶圆。
Chemical Vapor
化学气相沉淀
在高温下使绝缘薄膜或金属沉积到晶
Deposition
(CVD)
(CVD)
圆上的气态过程。
Chip
芯片
一种半导体材料，单晶性质，可
形成
一个或多个有源或无源固态装置。
Chip Carrier
芯片载体
一种超薄元件封装，通常为正方形，
其有源芯片腔或安装面积占
封装尺寸
大部分，
封装的四面都有外部连接点。
Chip-On-Board (COB)
板上芯片
将晶粒半导体芯片安装在
PCB
上制
(COB)
成电子元件的技术。
CCD
传感器
Chip-on-Flex
(COF)
Chip-on-Glass (COG)
CHMSL (Center High
Mounted
Stop
Light/Lamp)
Circuit
软膜覆晶接合
一种
IC
安装和贴合工艺，将集成电
技术
(COF)
路
(IC)
驱动器（
芯片）贴合到高间
距柔性电路上并安装得十分贴近平板
显示屏（
贴合在玻璃板上的柔性电路
板），以获取高屏幕刷新速度和分辨
率。
晶玻接装
集成电路
(IC)
驱动器（芯片）直接
(COG)
贴合到玻璃板（
LCD
或
OLED
）上而无
需使用高间距柔性电路板的
IC
安装
和贴合工艺。
< br>CHMSL
（中央高
安装在汽车中间较高位置的后刹车<
/p>
位刹车灯）
灯，可采用
LED
制成。
电路
相互连接的电气或电子元件组合，用
于执行一个或多个指定功能
。
Cladding
镀层
覆盖在光纤线芯表面的薄玻璃或
塑料
材料，密度比线芯低。如果光以适当
的角度照射两种材料之
间的分界，将
被反射回密度更大的线芯中。
Cleanroom
无尘室
用于制造
IC
的密闭区域，里面的
湿
度、温度和颗粒物受到严格控制。无
尘室的“等级”由无尘室
空间内每立
方英尺的最大颗粒物数量来决定。
CMOS (Complementary
CMOS
（互补金属
一种
MOS
技术，
P
沟道和
N
沟道元
Metal-Oxide
氧化物半导体）
件都是在相同的晶粒
上制造而成，比
Semiconductor)
使用其他
MOS
或双极工艺的集成电
路更省电。
CMP
(CMP)
化学机
又称平面化，即改进半导体表面的过
(Chemical-
Mechanical
械抛光
程。
Polish)
Coating
涂层
将光阻材料应用到晶圆上的工艺，一
般在晶圆中间涂上少量光阻材料，然
后高速旋转晶圆使光阻材料扩散和干
燥（又名旋涂）。
COB (Chip On Board)
CO
B
（板载芯片）
将裸晶粒半导体芯片安装在
PCB
上
technology
技术
制成电子元件的技术。
CoD
(Color-on-Demand)
CoD
（按需选色）
使用冷光转换原理
（蓝色晶粒结合磷）
制造自定义
LED
颜色的欧司朗系统。
使用此技术制造的
LED
，能发射出
超出标准
LED
技术范围的特定颜色
光。
CoD
LED
的应用极大简化了消费
电子和汽车市场中利用颜色来区
分品
牌。
Collector
current (Ic)
集电极电流
(Ic)
Collector emitter
集电极发射极
saturation voltage
饱和电压
Collector
emitter
集电极发射极
voltage
电压
Collector
surge
current
集电极浪涌电
流
Color Coordinates
颜色坐标
Color
spectrum
色谱
穿过双极结
型晶体管的集电极的直流
电，受基极发射极结电流控制。
双极晶体管的集电极与发射极之间的
最大电压。
可通过测量双极晶体管的集电极发射
极连接点的电压测得
。
双极晶体管中的最大集电极电流
(Ic)
。
国际照明委员会首批以数学方式定义
的色彩空间（
CIE
1931
色彩空间）之
一。
（
RGB
多照明色彩）
RGB
色谱
/
光谱是
电磁波谱中无需技术帮助即可为肉眼
所见的部分，可通过混合
RGB
LED
实
现。
Color Super-Twist
彩色超扭曲向
基于超扭曲向列液晶的无源矩阵彩色
Nematic (CSTN) Display
列
(CSTN)
型
LCD
显示器。
显示器
Comparator
比较器
用于比较两个或两个以上值或
信号并
根据其差异性产生输出的装置。
Complementary
互补
此术语用于描述以下类型
IC
：
采用两
个极性类型相连接的元件，对任何一
个进行操作皆会被补充。互补双极电
路同时采用
NPN
和
PNP
晶体管。互
补
CMOS
电路
(CMOS)
同时采用
N
沟道和
P
沟道装置。
Compound
Semiconductor
化合物半导体
化合物半导体由化学元素周期表中两
种或两种以上不同化学基团中的元素
组成。
Conduction band
传导带
进入此空能级的电子可受激变
成导电
电子。
部分传导带被流动电子占领时，
< br>允许它们按特定方向移动，形成穿过
固体的电流。
Conductor
导体
具有高导电性的材料，如铜、铝或金。
Connector Insertion
连接器插入损
用分贝
(dB)
表示的光损失，因在光
Loss
耗
纤传输系统的两个部分之间插入配
对
连接器而引起。
Contactless (SMT)
非接触式
使用反射光而不是通过物理接触来检
sensors
(SMT)
传感器
测附近是否存在物体的光学元件。此
传感器可用做开关，或用于根据目标
的接近度来改变或减弱信号电平。常
见应用包括关闭显示器和键盘，以
及
用于手机减弱显示和降低音量级。
Contrast
对比度
显示屏上通过控制电路中电子移动实
现的照亮和非照亮区域的光输出差<
/p>
异。
Contrast Ratio
对比率
指图像最亮部分与图像最暗部
分的对
比比例（例如：
100:1
）。
Controller x-bit
控制器
x
位
使用由
“x”
位组成的数据的微控
制器，其中
x
通常为
8
、
16
、
32
或
64
。
Conversion technology
转换技术
通过结合蓝色发光晶粒和合
适的磷光
转换器使
LED
产生白光的技术。
Core
线芯
用于导光的光纤内部部分，由纯
玻璃
（硅）或塑料制成，直径通常约
为
.01
～
.05
英寸。
Coupling
耦合
把光输入光纤或从光纤输出。
CPU
(Central
Processing
< br>CPU
（中央处理
电脑或电子系统的核心部分，用于处<
/p>
Unit)
器）
理数据和执行所有计算。今天中央处
理器几乎已经成为单独的电子元件
了，通常称为微处理器。
CRI (Color
CRI
（显色指数）
测量光源表现物体、材料颜色和肤色
Rendering/Reproduct
ion
的精确度，以及再现色泽细微变化的
Index)
程度，范围介于
0%
至
100%
之间，
用以将其它光源与参考光源作对比。
CRT
(Cathode Ray tube)
CRT
（阴极射线<
/p>
一种专用真空管，当电子束照射磷光
管）
表面时里面会生成图像。老式电视屏
幕
/
显示屏、台式电脑显示器均采用
C
RT
。
此技术正逐渐为平板显示器所取
代。
Crystal
晶体
原子、离子或分子以有序格局在
三维
空间内重复排列组成的固体。
CTE (Coefficient of
CTE
（热膨胀系
此参数用于描述温度变化引起的物体
T
hermal Expansion)
数）
几何尺寸（长度、面积、体积）的变
化。
Current
电流
电子流或空穴流。按单位时间内经过
特定点的粒子数量进行测量（以安培
为单位）。可通过在导体中应用电场
或改变穿过电容器的电场来诱发
电
流。
Current
Transfer Ratio
电流传输比
光耦合器的输出电流与输入电流之间
(CTR)
(CTR)
的比例。
Custom
Integrated
Circuit
CW
(mode/pulsed)
定制集成电路
要求为特殊功能或应用专门设计一整
套掩膜的集成电路
(IC)
。
定制集成电
路
(IC)
通常是为特定客户专门研制
的。
CW
（模式
/
脉冲
）
激光器的输出可以是持续的恒定振幅
（称为
CW
或连续波），或者可以是
脉冲。脉冲工作模式下能达到更高的
峰值功率。
DALI (Digital
DALI
（数字可寻
对电子镇流器和建筑内调光器等照明
Addres
sable
址照明接口）
标
控制装置
进行数字控制的开放式标
Lighting
准协议
准。系统中的每一个
DALI
可寻址控
Interface)
制装置均有其自己的地址。
standard
protocol
Dark current
暗电流
光电检测器在没有光输入时的输出电
流。
Dark
current
IR
暗电流
IR
即使没有光子输入到装
置也会流经光
电二极管的一股小电流。可与非光学
装置中的泄漏
电流匹敌。
DAW (Digital
DAW
（数字音频
用于录音、音乐制作、混音和母带录
Audio
工作站）
制的计算机控制系统。
Workstation)
DBEF (Dual
DBEF
（反射式增
用于
LCD
屏幕，以加强后部偏光器中
Brightness
光偏光片
)-D
通常会失去的光。
Enhancement
Film)-D
Decoder/Driver
解码器
/
驱动器
此电路可将数字信息转换
为模拟电
压，然后将电压放大至足以为显示器
各元件提供能量的
电平等级。
Delocalized
离域（电子）
不再绑定到特定原子核且具有高流动
(electrons)
性的电子。
Demodulator
解调器
使用积分器和施密特触发器译
解接收
的信号的数据信号。通过合理设计
IC
（集成电路），将输入和输出信号之
间的脉冲畸变保持在最低水平。必要
Deposition
Detection
limit (D)
Dice
Die
Die Area
Die
Attach
Die Bonding
Die Cost
Die Size
Die Sort
Die Yield
Diffuser
(film)
Digital
Display
Digital I?C
output
Diode
更改施密
特触发器的时间至少是载波
频率的四个周期。
蒸镀
将材料沉淀到基底表面的工序。
通常
指用于形成
MOS
门、薄膜电阻器和
IC
（集成电路）互连系统的导电薄膜
或绝缘薄膜。
检测限
(D)
正好足够从背景噪声
中分辨出信号时
的水平。
晶粒
两个或两个以上晶粒。见晶粒。
晶粒
一片已集成特定电路的正方形或
长方
形半导体材料。另请参见芯片。
晶粒面积
晶粒的长度乘以宽度。
固晶
将晶粒安装到某种类型的封装元
件或
载体（如引线框架）上的工序。
晶粒贴合
使用导电粘合剂或金属合金
（引线框
架）将晶粒固定到封装上的方法。
晶粒成本
通过晶圆制造和晶圆测试步
骤生产出
一颗好晶粒所需的成本。
晶粒尺寸
晶粒的大小。可用长度乘以
宽度或面
积表示。
晶粒分选
分选出晶圆上的好晶粒和坏
晶粒的工
序。见晶圆测试。
晶粒成品率
好晶粒数量除以被测晶粒数量。
散光罩（薄膜）
一种薄膜，通过分散
光形成标准的朗
伯发射模式来制造均匀照亮的表面。
数字显示
字母数字（字母和数字）的
显示，并
非模拟或线性仪表显示。
数字
I?C
输出
数字
PC
总线数据协议
二极管
利用
PN
结或点接触的整流特性的双
极半导体装置。
Diode laser
二极管激光器
与
LED
技术有关的半导体元件，
发射
激光束。所发射波长由半导体材料决
定。
< br>
DIP (Dual
DIP
（双列直插
最常见的
IC
（集成电路）封装，可以
In-line
式封装）
是塑料或陶瓷材质。电路引线或引脚
Package)
从矩形封装体的两侧向外和向下对称
延长。
DIP package
DIP
封装
又称双列直插式封装，是电子元
件的
伸长体形状，其中两排引脚通过孔安
装定位于外壳两侧。<
/p>
Direct
Band
Gap
直接带隙
< br>带有直接带隙的半导体允许电子从传
导带渡越到价电子带而无需改变动量
直流电流（即仅按一个方向流动的电
流）。
Discrete
分立器件
一种包含功率晶体管和整流器的电子
Device
元件，其中每个功率晶体管和整流器
都包含一个有源元件。相比之下，
IC
的一个晶粒中通常包含几百、几千甚
至几百万个有源元件。
Display format
显示格式
表示显示屏的列或行中的点
或像素的
数量（即
640 x 480
或
96 x
64
）。
DMD (Digital
DMD
（数字微镜
包含许多微型镜的小
装置，可使用呈
Mirror Device)
装置）
矩阵排列的微致动器使这些微
型镜单
独移动。可操纵一个强大的光源生成
图像。此技术常应用
于（
DLP/
数字光
处理）视频投影机
。
Dominant
主波长
此波长为对人眼所感知的光的颜色进
Wavelength
(λdom)
行的定量测量。
(λdom)
Dopant
掺杂剂
特意添加到半导体中的杂质元素。
Doping
掺杂
在半导体中引入外来原子，从而影响
其导电性或晶体结构。
Dot Matrix
点阵显示
行和列阵列中点排列的格式，各点能
Display
够单独照亮形成字母数字字符和图
形。
Dpi
Dpi
每英寸点数的英文缩
写。若要在打印
和视频制作中达到高品质分辨率，须
达到最低标
准
300 dpi
或以上（网络
质量为
72
dpi
）。
DRAM
DRAM
即动态随机存取存储器，是一种固体
存储器，里面的信息会随时间衰减，
需要定期刷新。
Drift velocity
漂移速度
在导体、半导体或电子管中
，载流子
在电场的影响下进行移动的平均速
度。
Driving
驱动电流
通过电流或电压的方式控制其他电子
circuit
装置的电路或其他电子元件，例如，
通过
LED
的电流。
DUT
(Device
DUT
（被测装置）
正在测试的一个元件或整个系统。所
Under Test)
执行测试类型取决于装置类型、测试
参数和可用测试设备和测量
仪器。
Duty cycle
占空比
接通持续时长（脉冲持续时间
）与方
波总周期时间的比。占空比以
0
～
1
之间的无因次比或
0%
～
100%
之间
的百分比表示。
Dynamic
动态散射
LCD
LCD
面板正确通电时引起环境光散射
Scattering LCD
并形成显示的一项技术。
Early Effect
在双极晶体管（
BJT
、
< br>HBT
等）中，
反向偏压结耗尽区的增长趋向于降
低反向电压不断增加的基底的宽度。
反过来，
这样会导致电流增益随电压
增加而增加，
即使设备处于“饱和
”
状态也会造成电流近乎线性增长。
另
请参见厄利电压。
Early Voltage
厄利电压
即使处于饱和状态，
双极器件的电流
也容易发生线性增长。
与该增
长斜率
相同的延长线在名为厄利电压的负
电压处截断电压轴。<
/p>
EBDIC (Extended Binary
EBDIC
（扩展的
一种常用的
< br> 8
位字符代码。
Coded Decimals
二进制编码的
Interchange Code)
十进制交换码）
EBL
(Electron Block
EBL
（
< br>电子块层）
可描述为
OLED
（有机发光二极管）
Layer)
< br>中使用的层。
其中一个问题是，
有时
ITO
（氧化铟锡）表面会造成短路。
< br>此外，空穴传输材料的电势通常较
低。
这两个缺点通常会
通过特殊空穴
注入材料制成的中间层注入。
这样的
中间层使
ITO
（氧化铟锡）
层更平滑
并作为
电子块层交互作用。
ECRMBE
ECRMBE
电子回旋共振分子束外延。
Edge-emitting Lasers
边缘发射激光<
/p>
相对垂直空腔表面发射激光器
器
(VCSEL)
而言的一种半导体装置，
包
含一个能从增益区域边缘发
射光
（或
激光）的光学增益区。
EEPROM
EEPROM
电可擦除可编程只读存储器是
EPROM
的换代产品。相比之下，
CPU
（中央处理器）
现在则可以用作编程
器。
EL
(Electro
Luminescence)
EL
（电致发光）
< br>在某些材料或材料组合之间施加电
场时发射光的性能。
Elastic Recoil Detection
弹性反
冲探测
一种离子束技术，
能提供材料和薄膜
厄利效应
Analysis
的
直接和定量成分深度剖面图。
此技
术采用重离子作为抛射粒子，
对所有
化学元素都很敏感，
因此非常适
合提
取氢和氮等光元素的化学计量信息。
ELD
ELD
电致发光显示器
Electric
Generator
发电机
输入机械能并输出电
(AC/DC)
的设
备。
Electrical Conductivity
导电性
材料携带电流的能力，
与电阻
（单位
为
ohm
-1
cm
-1
）对等。
Electrical Resistance
电阻
计量电流通过特定材料的困难度
的
值，单位为
ohm
。
Electricity
电
以从高电势区到低电势区的顺序流
过导体的电流。
Electroluminescent (EL)
电致发光
(EL)
透明导电电极段或点所组成的显示
Display
显示屏
屏，
电极之间采用包含发光荧光粉的
薄介质进行分隔。
如果在相反的
电极
之间施加交流电压，
将导致电介质发
出特有的蓝绿光。
Electromagnetic
电磁辐射（波）
真空状态下传播速度为
3 x
10
8
m/s
Radiation
(waves)
的系列能量波，
包括无线电波、
微波、
可见光、
红外线、
紫
外线、
X
射线和
伽马射线。
Electron
电子
带负电荷的亚原子粒子，其质量为
9.1 x 10
-31
kg
。
Electron
Energy Level
电子能级
涉及量子力学，
表示电子能承受的能
量。
Electronics
电子学
应用物理学和与控制电路中的
电子
有关的工程学的一个分支。
Elementary Semiconductor
基本半导体
由单一元素制成的半导体
，虽然碳
（金刚石）
和锗也是基本半导体，
但
主要的例子为硅。
此类半导体通常显
示为金刚石晶体的晶格。
EMI
(ElectroMagnetic
EMI
（
电磁干扰
/
任何包含变化电流的电子装置都会
Interference/Influence)
影响）
发射电磁波，
可能会对其它电子装置
造成有害干扰。
Emissive Polymer Layer
发光聚合物层
OLED
装置中的聚合物层，会发光。
Emitter
发射器
形成双极晶体管的三个区中的一个。
在发射极基极
PN
结的正向偏压下，
发射器将少数载流子（电子或空穴）
注入基极区中，
载流子在此重组或扩
散到集电极中。
EN (Européen
EN
（欧
洲标准
CEN
（欧洲标准化委员会）维护的工
< br>Normalisation)-standards
化）标准
艺和产品的欧洲标准。
分析
Encapsulation
(epoxy/silicon)
封装
（环氧树脂
用于描述芯片封装的术语。
环氧化物
/
硅树脂）
和硅树脂材料用于封装晶粒，以防
LED
受损且方便组装。
EOS (Electrical
EOS
（电过载）
电过载指未观察到的超负荷和破坏
Overstress) <
/p>
或电子元件的预损坏。
这可由各种错
误<
/p>
（测量过程中出现高压短路、
信号
电压没
有电压、
电源电压的顺序错误
或电压调节器布线不充分）引起。
Epitaxy
外延
一种材料在另一种材料上的受控
生
长。
在
IC
（集成电路）
制造过程中，
这通常表示
N
型外延层通过沉积方
式生长在
P
型基底上。
EPROM
EPROM
可擦除可编程只读存储器。
电子存储
芯片，可通过特殊编程器进行编程。
可使用紫外光删
除里面的数据，
然后
重新编程。
ESD (ElectroStatic
ESD
（
静电放电）
静电放电是电气绝缘材料出现火花
Discharge)
或击穿引起的大电势差，
会导致非常
高的短
电脉冲。
ESD protection
静电放电
ESD
损害一般来自于大功率短脉冲，
(electrostatic
(ESD)
防护
脉冲宽度不到
100
ns
，可能导致电
discharge)
子设备彻底崩溃。放电（
ESD
事件
）
和热冲击相结合，
会造成能量积存在
结构内，有时可能进而导致
LED
晶
粒表面上出现小裂纹。
ETL (Electron Transport
ETL<
/p>
（电子传输
ETL
（电子传输层）
Layer)
层）
EXAFS
EXAFS
扩展
X
射线吸收精细结构
Excitons
激子
半导体中发射光的粒子，
本质上是通
过库仑相互作用绑定的电子
-
空穴对
系统。
虽然激子可以穿过半导体，
但
一般不会
受电场的影响，
因为它们不
携带净电荷。
光致发光或电致发光是
由激子辐射复合导致的，
而光电流则<
/p>
是激子离解引起的。
External
beam expander
外粒子束扩展
可改变激光辐射的
直径，
以避免不希
器
望的光学效应。凭借光束的精细焦
点，可消除衍射。
Extrinsic semiconductor
非本征半导体
掺杂了
N
型或
P
型元素的半导体。
Fab
(Fabrication)
即半导体制造，通常指在半导体晶圆
上嵌入器件或集成电路等前端工序，
不包括封装（后端）工序。
FAC (Fast Axis
FAC
（快轴准直）
用于高功率二极管激光器的特殊光学
Collimation)
透镜，它使得二极管输出的光束质量
好、效率高。
FC (Fiber
FC
（光纤耦合
/
标准化的光纤连接器，设计用在高振
coupled/Fiber-optic)
光纤）连接器
动环境中等。可用于数据通信、电信、
Connector
测量设备或单模激光器。
FEOL
(Front End Of
FEOL
（前端制
IC
（集成电路）制造工序的前端步骤，
Line)
程）
即把单个有源器件（晶体管、电
阻器
等）定型到半导体上。
Ferroelectric
铁电体
一种热电材料，其足够强的电场可以
逆转自发极化的方向。
FET
FET
场效应晶体管为单级晶体管，其中电
流载体中只有一个电荷。与双极晶体
管不同，开关场效应晶体管时几乎没
有损耗。
Fiber Optic
光纤
沿光导体传输并导引光辐射（光）的
技术。
Fiber Optic Cable
光纤缆线，
光缆
束在一根导缆中的光纤。除了光纤及
其镀层，导缆还可包括塑料加强件，
内外塑料套各一个，以保护光纤。
Fiber
Optic
Connector
光纤连接器
一种快速连接
/
断连组件，用来将光源
连接到光缆，将一条光缆
连接到另一
条光缆；将光缆连接到光检测器。
Fiber Optic Coupler
光纤耦合器
一种通过混合并分离光缆
中信号在双
向系统中互连光缆的机械元件。
Fiber Optic Splice
光纤接头
连接两根光缆的不可分的结
。连接方
式为使用环氧胶或热熔方式。
FIT
失效率
元件失效率，指工程系统或元件失效
的频率。
Flat-panel display
平板显示器
薄而平的显示器，如
LCD
、
EL
、<
/p>
OLED
（有机发光二极管）或等离子显示器，
< br>不同于
CRT
和投射显示器。
Flex-on-
Glass
玻璃载柔
一种直接附着在玻璃（
LCD
或
OLED
）
上的柔性电路及贴合技术。
Fluorescent
荧光转换器
用于小型荧光灯及
LED
技术中，把蓝
converter
光
LED
涂上黄色荧光粉（作为荧
光转
换器进行相互作用）。这样就可以将
较高能量光（蓝色光和
紫外线辐射）
制造
的短波长改变为长波长来发射白光。
Fluorescent Display
荧光显示器
一种屏幕上涂有荧光粉的
真空管显示
器，当遭到受热灯丝释放的电子轰击
时能发出特有的
蓝绿光。
FM (Frequency
调频（频率调
一种调制方法，其中的载波频率被传
Modu
lation)
制）
输的信号改变
。频率调制可与幅度调
制相比，后者的信息信号的动态范围
较高
。
FOLED
柔性有机发光
通用显示器公司采用的贴在柔性基板
二极管
上的有机发光二极管。
Forbidden
Energy
Band
禁止能带
传导带和价电带之间的一种材料的能
带，指从价电带释放电子到其传导带
时所需的能量。
Forward Bias
正向偏压
施加在传导方向
p-n
结上的偏压
，多
数载流子电子和空穴流向该结，导致
电流流量增大。
Forward current
正向电流
朝二极管流动的某些电流经
二极管进
入导通状态。
Forward voltage
正向电压
朝二极管流动的某些电压经
二极管进
入导通状态。
FPC
Flexible Printed
柔性印刷电路
柔板是一种
柔性单
/
双面电路板材料，
Circu
it (flexboard)
（柔板）
其上覆有一到多个铜层。
Frame
rate
帧率
每秒图像帧数。通常简写为
fps
，即
每秒帧数。
Frequency doubling
倍频
透明光介质上的频率入射光，在
该介
质上光以倍频发射。
Front
End
前端
集成电路贴合到晶圆里
面或上面的制
造过程。
FTNMR
(Fourier
FTNMR
（傅里叶
用来探测
MOVPE
使用的金属有机前
Transform Nuclear
变换核磁共振）
躯体里可能含有的有机杂质和氧化杂
Magnetic
Resonance)
质。
Gallium
Aluminum
Arsenide
(GaAIAs)
Gallium
Arsenide
镓铝砷
(GaAIAs)
镓、铝、砷的化合物，用来生产
LED
。
砷化镓
(GaAs)
镓和砷的化合物，用来生产
LED
。
(GaAs)
Gallium
镓砷磷
Arsenide
(GaAsP)
Phosphide
(GaAsP)
Gallium
氮化镓
(GaN)
Nitride (GaN)
Gallium
磷化镓
(GaP)
Phosphide
(GaP)
Galvanometer
电流计
Gas Discharge
气体放电显示
Display
器
镓、砷、磷
(P)
的化合物，用来生产
LED
。
镓和氮的化合物，用来生产
LED
。
镓和磷
(P)
的化合物，用来生产
LED
。
一种测量小电流的仪器。
一种显示器
，里面排列的段和点含有
惰性气体，且位于玻璃显示屏表面下
方
。通过施加足够高的电压使气体电
离并发射光到屏幕上，从而照亮显示
< br>屏。光通常呈特有的蓝绿色。也称作
等离子或等离子显示器。
Gate
门
影响与之直接相关的半导体区的控制
电极或控制区，这样半导体区的导电
特性便暂时得以改变，结果常出现开
-
关型切
换动作。
Gate voltage
门电压（
VG
）
常称作
MOSFET
的域电压。晶体管含
(VG)
有一个
反型层，反型层形成于绝缘层
和基板之间门电压流经的界面。
Gaussian beam
高斯光束
光束的横向电场及强度分布
可用高斯
剖面来说明。
Germanium
锗
早期用来制造晶体管和晶体二极管的
半导体材料。也被加到硅晶体管中来<
/p>
提高性能（锗的电子迁移率比硅的
高。）
GPU
图形处理器
图形处理器被用来计算电脑和游戏机
的屏幕输出。
Graded Index
渐变折射率光
中心密度高，纤芯
-
包层界面密度低的
Fiber
纤
一种密度渐变光
纤。在光纤中，被反
射光不是大幅扭曲传播，而是沿平滑
的曲线
路径进行传播，减少了畸变。
Grayscale
灰度
指一系列深浅的灰色或亮度。灰
度图
像比素描（只有黑白色）的细节和深
度更丰富。
比如，
4
位灰度对应于
2
4
=
16
级灰度，或
8
位灰度对应于
2
8
=
256
级灰度。
GRIN-SCH
GRIN-SCH
渐变折射率分离式限制异质结构
Ground Loop
地环路噪声
一种在相对低电平信号电路的共同基
Noise
准上产生的不理想的电压，由磁场或
由与相同电路基准（接地）连接的相
对高功率的电路产生的回流或基准电
流产生。这种情况具有潜在的危
害，
一般是由于
PCB
板上电路布局不良
引起的。
GSMBE (Gas
GSMBE
（
气体源
分子束外延
(MBE)
的一种变体，其中
Source
分子束外延）
的一个源呈气态，如作为
GaP
中的磷
Molecular
Beam
(P)
来源的
PH
3
。
Epitaxy)
Gullwing
鸥翼
一种常见的引脚形式，用来将表
面贴
装器件连接到线路板上。封装器件位
于
PCB
板的上面。参见倒立鸥翼。
GUNN Diode
GUNN
二极管
一种利用半导体材料的高场效
应的无
结器件。一旦电子速度随场效应的增
加而下降，就有可能
出现负阻模式的
运行。
HBL (Hole
HBL
（空穴阻挡
OLED
器件上有机多层堆栈里的特定
Blocking Layer)
层）
层。它阻挡空穴到阴极的通道，
并提
升效能。因此，它需要所谓的低
HOMO
（最高被占分子轨道）能级。
HDD
HDD
硬盘驱动，电脑技术中的一种磁存储
< br>介质，将二进制数据写入旋转的铁磁
盘表面。信息通过读取头扫描盘表面
的磁化来读取。
HDTV
HDTV
高清电视是一种统称，包括一系列不
同于传统电视的电视标准，它的分辨
率更高，达
1920*1080
像素（全高
清）。
Heat sink
散热片
用来驱散器件上多余的热量，防止器
件过热。
LED
的性能和寿命很大程度
上取决于其结的温度。因此要采
用散
热片来有效地冷却
LED
（无源
= f.e.
散热片
/
有源
=
风扇和放电金属的组
合）。
散热块
/
散热器
金属板，有助于驱散处理器半
导体芯
（晶粒）产生的热量，保护芯体。
Heat
slug/spreader
Heat transfer
传热箔或传热
< br>有助于提高器件和散热片之间的热传
foil or paste
膏
递。
Heterostructure
异质结构
各种材料的组合，其中一个
单一器件
中带一个不同的带结构，常引起材料
组合的突变。
HID
HID
灯
/
投影系
汽车前照灯使用的高强度
放电灯，如
lamps/projection
统
氙气灯。
systems
High resolution
高清全彩
该术语用来描述大对角线
LED
视屏。
full color
极小尺寸的
LED
能使大量的像素容
纳在一小块显示区。
High Resolution
高清图像
300 dpi
到
600 dpi
的图像。格式：
Images
JPG
、
TIFF
或
EPS
（被看作是矢量图
及
/
或
Adobe
公司的矢量图形处理软
件
Illus
trator
）
。
没有
PowerPoint
、
PageMaker
或
web
graphics
(72
dpi)
格式。
High-
precision
高精度快门
直接安装在芯片上的
Ostar
前照灯
shutter
所采用的光圈
，发出的光束图案轮廓
清晰，光撕边缘锐利。用作汽车前照
灯，
可以省去外遮光器，满足政府规
定的不使来车司机炫目的要求。
HMD
HMD
头戴式显示器
Hole
空穴
一种虚构的移动粒子，其行为如
同带
正电荷的粒子。当电子从价电带提升
到传导带或
p
型掺杂物的受主能级
时，空穴便在价电带产
生了。
Hot bar
热棒（焊接）
在永久压力和足够温度下，把两个预
(soldering)
助熔焊液涂覆的器件焊接在一起。
Hot spot
热点
热点指
LED
光斑在导光板的去耦
一
侧造成的非均匀区域。根据辐射角和
光导材料，导光板内的这
些热点扩散
程度不同。目的是将这些热点控制在
导光板的外缘，
应用时将其遮盖。
HPS (High
HPS
（高压钠灯）
气体放电灯，采用钠（金属元素）在
Pressure
Sodium
受激状态发光。高压钠灯含有额外元
Bulb)
lamp
素，如汞。
HTL
(Hole
HTL
（空穴传送
OLED
器件上有机多层堆栈里的特定
Transport
Layer)
层）
层。它从阳极把
称作空穴的正电荷粒
子按方向传送到发光的发射有机层。
HVPE
HVPE
氢化物气相外延
IC
(Integrated
Circuit)
IC
（集成电路）
< br>集成电路是一种封装在硅芯
片上的完全电子电路。
ICMOVPE (International
ICMOV
PE
（国际
完全致力于
MOVPE
（金属有机
Conference on
金属有机物气
物气相外延）
的最新发展和相
Metalorganic Vapor
相沉积大会）
关的化合物半导体技术。
Phase
Epitaxy)
IEC
IEC
国际电工委员会是一个标准
化组织，
发布电子、
电气和各
种相关技术的国际标准。
Illuminated Legend
Legend
发光
将信息印在半透明表面上，
然
Display
显示器
后用背光照明方式照亮的一
种显示器。
IMPATT (Impact
IMPATT
（碰撞
一种
PIN
型二极管，发生击
Ionization Avalanche
电离雪崩渡越
穿（电子雪崩）时，产生射频
Transit Time)
时间二极管）
振荡。
IMS
(Insulated Metal
IMS
（绝缘金属
电力电子学上的一种基板，
它
Substra
te)
基板）
提供电气互连，并驱散
LED
等有
源元件的热量。
绝缘金属
基板由一块金属基板
< br>（多为铝
制）
构成，
其上覆有一
薄层电
介质和一层铜。
铜的一侧只能
容
纳电气元件。
与传统的
PCB
板相比，其优点是散热更好。
Incandescent Light
白炽光
充有（氩）气的灯泡，内有金
属灯丝（钨丝）。当施加足够
大的电压时，
灯丝便发光。
一
种普通灯泡。
Indirect Band Gap
间接带隙
一种间接带隙半导体，
需要改
变电子动量让电子从传导带
的最小能
量区跃迁到价电带。
Indium-Gallium-
Nitride
氮化铟镓
InGa
N
（氮化铟镓）是一种由
(InGaN)
(InGaN)
氮化镓和氮化铟组成的半导
< br>体材料，
用来产生
LED
颜
色，
即从蓝色（
460nm
）到真绿色
（
528nm
）
和基于荧光的颜色，
如白色（通常为
3250K
或
5600K
）。
Infrared Light
红外光
波长为
1
毫米到
700
纳米
之间的电磁波。
Infrared Radiation
红外辐射
介于
750
到
1000
纳米之间
电磁波长区域的辐射。
InGaAlP (AlGalnP,
AllnGap,
InGaAIP)
(indium gallium
aluminium phosphide)
InGaAlP
半导体材料，
用于制造发光二
（
AlGalnP
、
极管和和二极管激光器，<
/p>
来产
AllnGap
、
< br>
生颜色，从蓝色
(430nm)
< br>到
InGaAIP
）（磷
纯绿色
(555nm)
和基于荧光
化铝铟镓）
的颜色，
如白色
（白炽光白色
4500k
到灰白色
6500k
）。
InP
InP
磷化铟
Insulator
绝缘子
一种低导电率的材料。
其较低
能量的价电带几
乎全部被电
子充满，
较高能量的传导带几
乎全部为空，
没有电子，
因为
这两个
带之间存在一个大的
能隙。
Integrated
Circuit
(IC)
集成电路（
IC
）
一个单体的半导体芯片或
晶
圆，
如今，
它的每平方厘米含
< br>有成千或成百万电路元件。
Integrator
积分器
一种特殊的运算放大器，
它对
输入信号进行积分，
使电路具
有频率依赖性。
Interface
Pads
界面垫片
用作芯片和散热
片之间的传
热路径（如导热膏）。
Interstitial
间隙
<
/p>
一种零维缺陷，
指在三维原子
排列中占据
多个空穴的一个
原子。
Intrinsic
本征浓度
半导体内的少数载流子数量，
Concentration <
/p>
因为半导体内部有热生成的
电子
-
空穴对。
Intrinsic
本征半导体
一种本质纯净的半导体材料。
Semiconductors
Ionization
电离
当元件端子
（电极）
被施加了
足够幅度的高电压后，
< br>惰性气
体被击穿。
IR
IR
红外，红外线
IR Reflow
红外回流（焊）
SMD
元件的电炉焊接工艺，
其
中粘合焊膏被红外热熔化。
IR
Solderable
红外可焊接
可以用红外回流工艺电焊到
PCB
板上的
SMD
元件。
IRED
(Infrared Light
IRED
（红外发
在
>780nm
到用于如
CCTV
Emitting
Diode)
光二极管）
（闭路电
视）
的不可见范围内
发光的
LED
，或其它夜视系
统。
ISO
ISO
国际标准化组织
Isolation
隔离
集成电路所在区域之间的电
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