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1 Active Area
主动区（工作区）
主动晶体管（
ACTIVE TRANSISTOR
）被制造的区域即所谓的主动区（
ACTIVE AREA
）
。在标准之
MOS
制造
过程中
ACTIVE AREA
是由一层氮
化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，
而由于利用到局部场氧化之步
骤，
所以
ACTIVE AREA
会受
到鸟嘴
（
BIRD
’
< br>S BEAK
）
之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区
域来的小，
以长
0.6UM
之场区氧化
而言，
大概会有
0.5UM
之
BIRD
’
S
BEAK
存在，也就是说
ACTIVE AREA
比原在之氮化硅光罩所定义的区域小
0.5UM
。<
/p>
2 ACTONE
丙酮
1.
丙酮是有机溶剂的一种，分子式为
CH3COCH3
。
2.
性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3.
在
FAB
内之用途，主要
在
于黄光室内正光阻之清洗、
擦拭。
4.
对神经中枢具中度麻醉性，
对皮肤黏膜具轻微毒性，
长期接触
会引起皮肤炎，
吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、
眼结膜及咽喉黏
膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5.
允
许浓度
1000PPM
。
3
ADI
显影后检查
1.
定义：
After
Developing Inspection
之缩写
2.<
/p>
目的：检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖
不良、显影不良?等即予修改，以维护产品良率、品质。
3.
方法：利用目检、显微镜为之。
4 AEI
蚀刻后检查
1.
< br>定义：
AEI
即
After
Etching Inspection
，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对
产品实施全检或抽样检查。
2.
目的：
2-1
提高产品良率，避免不良品外流。
2-2
达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3
显示制程能
力之指针
2-4
阻止异常扩大，节省成本
3.
通常
AEI
检
< br>查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、 缺点密度增加，生产成本增高，以及良
率降低之缺点。
5
AIR SHOWER
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将<
/p>
尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT
对准
1.
定义：
利用芯片上的对准键，
一般用十字键和光罩上的对准键合
对为之。
2.
目的：
在
IC
的制造过程中，
必须经过
6~10
次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像
在芯片上面。
3.
方法：
A.
人眼对准
B.
用光、电组合代替人眼，即机械
式对准。
7 ALLOY/SINTER
熔合
Alloy
之目的在使铝与硅基
(Silicon Substrate)
之接触有
Ohmic
特性，即电压与电流成线性关系。
Alloy
也可降低接触的
阻值。
8 AL/SI
铝
/
硅
靶
此为金属溅镀时所使用的一种金属
合金材料利用
Ar
游离的离子，让其撞击此靶的表面，把
Al/Si
的原子撞击出来，而镀在芯
片表面
上，一般使用之组成为
Al/Si
(1%)
，将此当作组件与外界导线连接。
9
AL/SI/CU
铝
/
硅
/
铜
金属溅
镀时所使用的原料名称，通常是称为
TARGET
，其成分为<
/p>
0.5
﹪铜，
1
﹪硅及
98.5
﹪铝，一般制程通常是使用
99
﹪铝
1
﹪硅，后来为了金属电
荷迁移现象（
ELEC TROMIGRA
TION
）故渗加
0.5
﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10
ALUMINUN
铝
此为金属溅镀时所使用的一种金属
材料，利用
Ar
游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，
把
Al
的原子撞击出来，
而镀在芯片表
面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11
ANGLE
LAPPING
角度研磨
Angle
Lapping
的目的是为了测量
J
unction
的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之
Angle Lapping
。公式为
Xj=
λ
/2 NF
即
Junction
深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着
VLSI
组件的缩小，准确度及精密度
都无
法因应。如
SRP(Spreading
Resistance
Prqbing)
也是应用
Angle
Lapping
的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度
与阻值的对应关系求出
Junction
的深度，精确度远超过
入射光干涉法。
12 ANGSTRON
埃
是一个长度单位，其大小为
1
公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用
于
IC
制程上，表示其层
（如
SiO2
，
Poly
，
SiN
?
.
）
厚度时用。
13 APCVD
（
A
TMOSPRESSURE
）
常压化学气相沉积
APCVD<
/p>
为
Atmosphere(
大气
)
，
Pressure(
压力
)
，
Chemical(
化学
)
，
Vapor
(
气相
)
及
D
eposition(
沉
积
)
的缩写，也就是说，反应气体（如
SiH4(g)
，
B2H6(g)
，和
O2(g)<
/p>
）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如
BPSG
）于芯片上。
14
AS75
砷
自然界元素之一；由
33
个质子，
42
个中子即
75
个电子所组成。半导体工业用的砷离子（
< br>As
＋）可由
AsH3
气体分解
得到。砷是
N-TYPE DOPANT
常用作
N-
场区、空乏区及
S/D
植入。
15
ASHING
，
STRIPPING
电浆光阻去除
1.
电浆预处理，系利用电浆方式（
Plasma
）
，将芯片表面之光阻加以去除。
2.
电浆光
阻去除的原理，
系利用氧气在电浆中所产生只自由基（
Radi
cal
）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到
光阻去除的目的。
3.
电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去
除为慢，但是若产品经过离子植入或电浆蚀刻后，表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面
之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去
除之方式来做。
16 ASSEMBLY
晶粒封装
以树酯或陶瓷材料，将晶粒
包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒
封装（
Assembly
）
。封装的材
料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割→晶粒目检→晶粒
上
「架」
（导线架，即
Lead fr
ame
）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→
盖印→完成。以树酯为材料之
IC
，
通
常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之
IC
，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
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