-
闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍
目前
NAND
Flash
封装方式多采取
TSOP
、
FBGA
与
LGA
等方式
,
由于受到终端电子产品转向轻薄短小的趋势影
响
,
因而缩小体积与低成本的封装方式成为
NAND
Flash
封
装发展的主
流趋势
TSOP(Thin smaller outline package)
封装技术
,
为目
前最广泛
使用于
NAND
Flash
的封装技
术
,
首先先在芯片的
周围做出引脚
,
采用
SMT
技术
（表面安装技术）直接附着在
PCB
板的表面
< br>.TSOP
封装时
,
寄生参数减
小
,
因而适合高频
的相关应用
,
操作方便
,
可靠性与
成品率高
,
同时具有价格便
宜等优点<
/p>
,
因此于目前得到了极为广泛的应用
.
FBGA(Ball Grid Array,
也称为锡球数组
封装或锡脚封
装体
)
封装方式
,
主要应用于计算机的
存
、主机板芯片组等大
规模集成电路的封装领域
,FBGA
封装技术的特点在于虽然
导线数增多
,
但导线间距并不小
,
因而提升了组装良率<
/p>
,
虽然
功率增加
,
但
FBGA
能够大幅改善电热性能<
/p>
,
使重量减少
,
信
号传输顺利
,
提升了可靠性
.
采用
FBGA
新技术封装的存
,
可以使所有计算机中的存
在体积不变的情况下容量提升数倍
,
与
TSOP
相比
,
具有更小
的体积与更好的散热性能
,FBGA
封装技术使每平方英寸的
储存量有很大的提升
,
体积却只有
TSOP
封装的三分之一
,
与
传统
TSOP
封装模式相比
,FBGA
封装方式有加快传输速度
并提供有效的散热途径
,F
BGA
封装除了具备极佳的电气性
能与散热效果外
,
也提供存极佳的稳定性与更多未来应用的
扩充性<
/p>
.
LGA(land grid array)
触点列封装
,
亦即在底面制作有
数组状态坦电极触点的
封装
,
装配时插入插座即可
,
现有
227
触点
(1.
27mm
中心距
)
和
44
触点
(2.54mm
中
心距
)
的瓷
LGA,
< br>应用于高速逻辑
LSI
电路
,<
/p>
由于引线的阻电抗小
,
对高速
LSI
相当适用的
,
但由
于插座制作复杂
,
成本较高
,
普及率较
低
,
但未来需
求可望逐渐增加
.
目前
NAND
Flash
一般封装大多采用
TSOP
、
FBGA
与
LGA
的方式
,
而记忆卡则多采用
COB
方式进行封装手机
应用领域则多用
MCP
< br>的封装形式
,
随着终端产品的变化
,
未
来
WLP
与
3D
TSV
的封装方式也将逐渐为业界广为应用
.
U
盘的一个大特点便是它的写入速度远不如读取速度快
,
但
这并不不是所有
U
盘的共同问题
,
只是较大围存在这样的问
题
,
其根源在于受于成本和体积的限制
,
大多数大容量
USB
闪存
盘均采用
MLC
的闪存颗粒
,
只有极少数采用
SLC
的闪
存颗粒
,
那么究竟
MLC
和
SLC
有什么本质的区别呢？
SLC
和
M
LC
均是
NAND
Flash
的存储原理级技术
,
也
可以理解为目前
NAND
Flash
在存储数据原理方面分道扬
镳的一个表现
.
SLC
全称单层式储存
(Single
Level
Cel
l
）
,
是指一个
Block
（块
,Flash
的基本
存储单元
,
也可称为
Cell
）
只有两种
电荷值
,<
/p>
高低不同的电荷值表明
0
或者
1,
因为只需要一组高低
电压就可以区分出
0
或者
1
信号
,
所以
SLC
最大的
驱动电压可
以做到很低
,
传统的双电压
卡或者低电压版本卡片肯定采用
SLC
类型的
< br>NAND Flash
芯片
.
SLC
因为结构简单
,
在写入数据时电压变化
的区间小
,
所
以寿命较长
,
传统的
SLC
Flas
h
可以经受
10
万次的读写
,
因
此出现坏
Block
的几率较小
,
因为存储结构非常简单<
/p>
,
一组电
压即可驱动
,
所以其速度表现更好
,
目前所有
的超高速卡都采
用
SLC
类型的
Flash
芯片
.
不
过这种一个
Block
只存储一组
数据
的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度
,
所以只能
在工艺制程方面努力进步
,
才能满足用户在容量方
面的要求
.
MLC
（多层式储存—
Multi
Leveled Cell
）是那种充分
利用
< br>Block
的技术
,
它采用较高
的电压驱动
,
通过不同级别的