-
CVD
晶圆制造
厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室
答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷
何谓半导体
?
; I* s# N*
v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 - W
答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属
(
铜、铝，以及钨等
)
和绝缘
和橡胶、塑料
与干木头之间。
最常用的半导体材料是硅及锗。<
/p>
半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种
叫做掺杂的步骤刻意加
入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。
常用的半导体材料为何
' u*
k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G
答：硅
(Si)
、锗
(Ge)
和砷化家
(AsGa
)
: j* z$$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4
D
何谓
VLSI
' b5 w; M#
}; b; @; 8 g3 P
. G
答：
VLSI(Very Large Scale
Integration)
超大规模集成电路
5 E3 U8
@- t& t9 x5 L4 K% _2 f
在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺
0 r7 i,
`/ G1 P! U
答：介电质
(Dielectric)
. w-
j
薄膜区机台主要的功能为何
答：沉积介电质层及金属层
何谓
CVD(Chemical Vapor Dep.)
答：
CV
D
是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程
CVD
分那几种
?
答：
PE-CVD(
电浆增强型
)
及
Thermal-
CVD(
热耦式
)
为什幺要用铝铜
(AlCu)
合金作导线
?
4 Z* y3 A, G
f+ z X* Y5 ?
答：良好的导体仅次于铜
介电材料的作用为何
?
% Y/ W)
h' S6 J, l$$ i5 B; f9 [
答：做为金属层之间的隔离
何谓
PMD(Pre-Metal Dielectric)
答：
称为
金属沉积前的介电质层，
其界于多晶硅与第一个金属层的介电质
5 |3 X. M$$ o; T8 Y
,
N7 l5 q+
b
何谓
IMD(Inter-
Metal Dielectric)
9 u9 j4 F1 U! Q/
?
答：金属层间介电质层。
1 X8
g' q a0 h3 k4 r
何谓
USG?
答：未掺杂的硅玻璃
(Undoped Silicate
Glass)
: u0 F0 d! A M+ U( w/
Q
何谓
FSG?
答：掺杂氟的硅玻璃
(Fluorinated
Silicate Glass)
何谓
BPSG?
& ~- I3 f8
i( Y! M) q, U
答：掺杂硼磷的硅玻璃
(Borophosphosilicate glass)
6 f/
g4 U& D/ }5 W
何谓
TEOS?
答：
Tetraethoxysilane
用途为沉积二氧化硅
TEOS
在常温时是以何种形态存在
?
答：液体
. P)
X
二氧化硅其
K
值为
3.9
表示何义
( Y!
@1 J! X+ P; b* _$$ g
答：表示二氧化硅
的介电质常数为真空的
3.9
倍
6
H9 v' O5 U U
氟在
C
VD
的工艺上，有何应用
答：作为清
洁反应室
(Chamber)
用之化学气体
4 Z& Z5 a* E6 m+ F
简述
Endpoint
detector
之作用原理
.
6
[2 d$$ j
. f
答：
clean
制程时
,
利
用生成物或反应物浓度的变化
,
因其特定波长光线被
detector
侦测
到强度变强或变弱
,
当超过某一设定强度时
< br>,
即定义制程结束而该点为
endpoint.
#
{1
t4
t!
D!
H,
Q6
{
机台使用的管件材料主要有那些
?
答：有不锈钢制
(Stainless Steal),
黄铜制
(Brass),
塑胶制
(PVC),
特氟隆制
(Teflon)
四种
.
机器维修时要放置停机维修告示牌目的为何
?
答：告知所有的人勿操作机台，避免危险
机台维修至少两人配合，有何目的
?
7
n4 e* o% i- d
答：帮忙拆卸重物，并随时警戒可能的意外发生
更换过任何气体管路上的零件之后，一定要做何动作
?
答：用氦气测漏机来做测漏
. {0 R1
R
维修
尚未降至室温之反应室
(Chamber)
，应配带何种手套<
/p>
答：石棉
材质之防热手套并宜在
80
摄式度下始可动作
< br>9 |/ _' d. T& r6 N# F0 A7 V
何为真空
(Vacuum)?
半导体业常用真空单位是什幺
?
- {3 Y# I- u; c
答：半导体业通常用
Torr
作为真空的压力单位
,
一大气压相当
760Torr
,
低于
760Torr
压
力的环境称为真空
.
真空
Pu
mp
的作用？
8 A8 x8 P:
c
答：
降低反应室
(Chamber)
内的气体密度和压力
何谓内部连锁
(Interlock)
答：
机台
上
interlock
有些属于保护操作人员的安全
,
有些属于水电气等规格讯号
,
< br>用以保
护机台
.
机台设定许多
interlock<
/p>
有何作用
?
答：机台上
interlock
主要避
免人员操作错误及防止不相关人员动作
.
: ~) C; d#
H% k7 e! G) R
Wafer
Scrubber
的功能为何
?
答：移除芯片表面的污染粒子
6
D/ ^# ~6 s9 S h. Z! X: Y) d,
+
L( G+ m6 G8 l, D+ E
ETCH
何谓蚀刻
(Etch)?
+ `(
Z( a5 H' |# m
答：将形成在晶圆表面上的薄膜
全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类
:
答：
(1)
干蚀刻
(2)
湿蚀刻
蚀刻对象依薄膜种类可分为
:
答：
poly,oxide, metal
半导体中一般金属导线材质为何
?
答
：鵭线
(W)/
铝线
(Al)/
铜线
(Cu)
9 / y% ~. R9
T0 l
何谓
dielectric
蚀刻
(
介电质蚀刻
)?
n- 9 }- a2
_1 `) Y2 e& `2 n/ V
答：
Oxide etch and nitride
etch
半导体中一般介电质材质为何
?
$$
T
答：氧化硅
/
氮化硅
* V: K2 j9 G$$ B. O0 k A2
l
何谓湿式蚀刻
< br>答：利用液相的酸液或溶剂
;
将不要的薄膜去除
* z* ^) J8 Y B8 E$$ . T L
何谓电浆
Plasma?
& e$$ j3 t6 |! U4
a
答：电浆是物质的第四状态
.
带有正
,
负电荷及中性粒子之总和
;
其中包含电子
,
正离
子
,
负
离子
,
中性分子
,
活性基及发散光子等
,
产生电浆的方法可使用高温或高电压
.
3 Q J6 H1 j6 ?9 J0 w)
u
何谓干式蚀刻
?
答：利用
plasma
将不要的薄膜去除
何谓
Under-
etching(
蚀刻不足
)?
0
e* k7 Z1 s3 L: g
答：系指被蚀刻材料，在
被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留
}& H, n# m# Z3 o%
a; {# Q
何谓
Over-
etching(
过蚀刻
)
$$ i, F& C( f$$ W
答：蚀刻过多造成底层被破坏
) j1 V& K6 L*
N! h: x- ^ n
何谓
Etch
rate(
蚀刻速率
)
答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度
7 Q; T!
_ x/ ]/ ^& j, M
何谓
Seasoning(
陈化处理
)
' b5 P% p8 B2 w8
i) w3 ~
答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（
dumm
y
）
进行数次的蚀刻循环。
:
r
. g6 g) `+ f9 Q* + n
Asher
的主要用途
:
1 y2 z2 z e) d/
e
答：光阻去除
3 R8 V9 p/ f)
A
Wet bench dryer
功用为何
?
( O! C) z2
o; i4 w2 P# B
答：将晶圆表面的水份去除
) W/ R4 w: J4
@
列举目前
Wet bench
dry
方法
:
M& I- R!
e; k2 ], y
答：
(1) Spin Dryer (2)
Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
何谓
Spin Dryer
2 ]( o+ [0 o*
Z
答：利用离心力将晶圆表面的水份去除
何谓
Maragoni Dryer
2 ~: r$$
i
答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除
7
Y
何谓
IPA Vapor
Dryer
答：利用
IPA(
异丙醇
)
和水共
溶原理将晶圆表面的水份去除
<
/p>
测
Particle
时
< br>,
使用何种测量仪器
?
; `&
B+ @& k4 |+ N
答：
Tencor Surfscan
测蚀刻速率时
,
使用何者量测仪器
?
0 A+
S( f. z, X
答：膜厚计
,
测量膜厚差值
何谓
AEI
' X% L% G' W$$ G#
M
答：
After Etching Inspection
蚀刻后的检查
AEI
目检
Wafer
须检查哪些项目
:
答：
(1)
正面颜色是否异常及刮伤
(2)
有无缺角及
Particle
(3)
刻号是否正确
& x
K( U;
u$$ U
金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理
?
答：清机防止金属污染问题
金属蚀刻机台
Asher
的功用为何
?
答：去光阻及防止腐蚀
- w2 N$$
i
金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗
?
答：因为金属线会溶于硫酸中
! }, |4 B. f+
Q* C( N
机台是什幺用途
?
答：烘烤
Hot Plate
烘烤温度为何
?
晶圆
答：
90~120
度
C
' G( L u( a
y# ~
何种气体为
Poly
ETCH
主要使用气体
?
& J#
v& e/ l6 O3 ^! b7 j2 P
答：
Cl2,
HBr
, HCl
用于
Al
金属蚀刻的主要气体为
- x0 C- X- T4
^
答：
Cl2, BCl3
$$ p0
N4 v. E- I( W& Y; N( G. Q
用于
W
金属
蚀刻的主要气体为
$$ f0 x' d$$ Q; @) |0
s
答：
SF6
; }5 n, E3
e8 s* l
何种气体为
oxide vai/contact
ETCH
主要使用气体
?
; x'
D0 e3 t8 H1 l9 n0 s- b
答：
C4F8, C5F8,
C4F6
硫酸槽的化学成份为
:
# C8 [3
K% E# |; t3 T! L9 V1 _+ t
答：
H2SO4/H2O2
. y
| B. `8 E$$ i
<
/p>
AMP
槽的化学成份为
:
. G: K) _9 h# C% S
答：
NH4OH/H2O2/H2O
UV curing
是什幺用途
?
答：利用
UV
光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
用于何种层次
?
0 N) D7 m+ w5 O9 _
答：金属层
, Z6 _7 z# X6 Y8 O5 F*
~* ?
何谓
EMO?
答：机台紧急开关
5 s. r-
t8 B9 x8 T! V! {7 S9 L1 T2 _
EMO
作
用为何
?
5 a7 c# j, V!
A
答：
当机台有危险发生之顾虑或已不可控制
,
可紧急按下
湿式蚀刻门上贴有那些警示标示
?
7
X; t- O) N9 h
答：
(1)
警告
.
内部有严重危险
.
严禁打开此门
(2)
机械手臂危险
.
严禁打开此门
(3)
化
学药剂危险
.
严禁打开此门
, x) P
. w4
m, _, x, Y2 ?2 P
. a
遇化学溶液泄漏时应如何处置
?
答：严禁以手去测试漏出之液体
.
应以酸碱试纸测试
.
并寻找泄漏管路
.
' i3 v'
|% Q! K1 h%
遇
IPA
槽着火时应如何处置
??
答：
立即关闭
IPA
输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组
$$ T:
A6 _& J7 F
M
BOE
槽之主成份为何
?
) q, E R: w9 M
答：
HF
(
氢氟酸
)
与
NH4F(
氟化铵
).
BOE
为那三个英文字缩写
?
, x7 }' u8 C9 C( i!
L
答：
Buffered Oxide Etcher
。
有毒气体之阀柜
(VMB)
功用为何
?
答：当有毒
气体外泄时可利用抽气装置抽走
,
并防止有毒气体漏出
电浆的频率一般
13.56
MHz,
为何不用其它频率
?
答
：
为
避
免
影
响
通
讯
品
质
,
目
前
只
< br>开
放
特
定
频
率
,
作
为
产
生
电
浆
之
用
,
如
380~420KHz
,13.56MHz,2.54GHz
等
何谓
ESC(electrical static
chuck)
2 B# z. J- d& A5 I4 _) H' G0 o2
a0 `
答：利用静电吸附的原理
,
将
Wafer
固定在极板
(Substrate)
上
/ E- Y2 U, d, d) ^, L6 m!
K,
Asher
主要气体为
答：
O2
Asher
机台进行蚀刻最关键之参数为何
?
答：温度
简述
TURBO PUMP
原理
; d$$ F0 C) H, I. `(
|
答：
利用涡轮原理
,
可将压力抽至
10-6
TORR
$$ r2 s9 v F( c u; a* J5 C-
X
热交换器
(HEAT
EXCHANGER)
之功用为何？
w0 W- |7
h* {3 [! D
答：将热能经由介媒传输
,
以达到温度控制之目
地
' l3 C2 x
简述
BACKSIDE
HELIUM COOLING
之原理？
! A6 n: ~9
y# _# `* z
答：藉由氦气之良好之热传导特性
,
能将芯片上
之温度均匀化
ORIENTER
之用途为何？
2 f( K4 L! z6 N% K+ s% e
答：搜寻
notch
边
,
使芯片进反应腔的位置
都固定
,
可追踪问题
简述
EP
D
之功用
答：侦测蚀刻终点
;End point
detector
利用波长侦测蚀刻终点
何谓
MFC
？
答：
mass flow controler
气体流量控制器
;
用于控制
反应气体的流量
GDP
为何
?
5 c3 B% g$$ p:
u( B
答：气体分配盘
(gas distribution
plate)
GDP
有何作用？
答：均匀地将气体分布于芯片上方
&
W+ W+ t9 Y
. `/ z& Z n
何谓
isotropic etch?
5 H0 K* j9 k7
e* A* c9 d
答：等向性蚀刻
;
侧壁侧向蚀刻的机率均等
何谓
anisotropic
etch?
- Q( w( V; e$$ }! ^8 `
答：非等向性蚀刻
;
侧壁侧向蚀刻的机率少
何谓
etch
选择比
?
7 N/ `' M' D$$
^7 t. R# h6 R% w
答：不同材质之蚀刻率比值
& C+
c8 p, i _3 G; F3 T% j9 l
何谓
AEI CD?
答：蚀刻后特定图形尺寸之大小<
/p>
,
特征尺寸
(Critical
Dimension)
9 U; Y2 }' K) d7 z$$ [$$ E3
X
何谓
CD bias?
答：蚀刻
CD
减蚀刻前黄光
CD
E, `; Y& M) q0 d;
B6 n
简述何谓田口式实验计划法
?
答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析
何谓反射功率
?
9 F2 F' ?7
v9 G
答：蚀刻过程中
,
所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收
端所接受
,
会有部份值反射
掉
,
此反射之量
,
称为反
射功率
Load Lock
之功能为何
?
答：
Wa
fers
经由
loadlock
后再进
出反应腔
,
确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的
影响
.
厂务供气系统中何谓
Bulk
Gas ?
答：
Bulk Gas
为大气中普遍存在之制程气体
,
如
N2, O2, Ar
等
.
8 h2 V; G' R7
X
厂务供气系统中何谓
Inert Gas?
答：
Inert Gas
为一些特殊无强烈毒性的气体
,
如
NH3, CF4, CHF3,
SF6
等
.
P
, S: l
厂务供气系统中何谓
Toxic
Gas ?
, E# r$$ `4 t6 J! g
答：
Toxic Gas
为具有强烈危害人体的毒性气体
,
如
SiH4, Cl2, BCl3
等
.
机台维修时
,
异常告示排及机台控制权应如何处理
?
答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作
6 F&
X' X* T$$ h: O& m; ~
冷却器的冷却液为何功用
?
答：传导热
2 W
Etch
之废气有经何种方式处理
?
答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽
4 U; x6
D
何谓
RPM?
答：即
Remote Power
Module,
系统总电源箱
.
火灾异常处理程序
3 ~% D&
k E' w j- [2 c9 b, H
答：
(1)
立即警告周围人员
.
(2)
尝试
3
秒钟灭火
. (3)
按下
EMO
停止机台
. (4)
关闭
VMB Valve
并通知厂务
. (5)
撤离
.
- @0 g9 {& C#
a* c! C3 D
一氧化碳
(CO)
侦测器警报异常处理程序
# R) W* R/ c+ P4 Z- [+ d# C% x1
^
答：
(1)
警告周围人员
. (2)
按
Pause
键
,
暂止
Run
货
. (3)
立即关闭
VMB
< br>阀
,
并通知
厂务
. (4)
进行测漏
.
高压电击异常处理程序
/ @2 J
`/ b* 9 y# I
答：
(1)
确认安全无虑下
,
按
EMO
键
(2)
确认受伤原因
(
误触电源
,
漏水等
)(3)
处理受伤
人员
T/C
(
传送
Transfer Chamber)
之功能为何
?
答：提供一个真空环境
,
以利机器手臂在反应腔与晶舟间传送
Wafer
,
节省时间
.
机台
PM
时需佩带面具否
7 a1 V$$ O
答：是
,
防毒面具
机台停滞时间过久
run
货前需做何动
作
答：
Seasoning(
陈化处理
)
; b2 |/ _5 A, {7 J
何谓日常测机
% q: @' p/
o5 E' z$$ P
答：机台日常检点项目
,
以确认机台状况正常
8 D5 `! ?5 G%
P
何谓
WAC (Waferless Auto Clean)
答：无
w
afer
自动干蚀刻清机
何谓
Dry
Clean
0 h1 D- S+ K/ S; C7 a, `8
W
, I% o
答：干蚀刻清机
日常测机量测
etch
rate
之目的何在
?
答：因为要蚀刻到多少厚度的
fil
m,
其中一个重要参数就是蚀刻率
操作酸碱溶液时
,
< br>应如何做好安全措施
?
答：
(1)
穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜
(2)
操作区备有清水与水管以备不时之
需
(3)
操作区备有吸酸棉及隔离带
如何让
chamber
达到设定的温度
?
' `- K6 d2 t:
|
答：使用
heater
和
chiller
Chiller
< br>之功能为何
?
! j* v6 [2 R' v; E5
i$$ X: c
答：用以帮助稳定
chamber
温度
如何在
chamber
建立真空
?
3
O+ 3 s5 V( g$$ {$$ F8 r* L. [
答：
(1)
首先确立
chamber
parts
组装完整
(2)
以
dry
pump
作第一阶段的真空建立
(3)
当圧力到达
100mT
Ｄ寺再以
tu
rbo pump
抽真空至
1mT
以
下
真空计的功能为何
?
( r# i4
r' z( }* ?& |
<
/p>
答：侦测
chamber
的压力
,
确保
wafer
在一
定的压力下
process
Transfer module
之
robot
功用为何
?
答：将
wafer
传进
chamber
与传出
c
hamber
之用
$$ U0 b$$ w0 V5 O5 g$$
?/ f# x
何谓
MTBC? (mean time between
clean)
# ^0 R4 N! K6 x$$ O7 W% C6 p- z/
I
答：上一次
wet clean
到这次
wet clean
所经过的时间
) O3 H8 * c, {0 m0 Z7
p
RF Generator
是否需要定期检验
?
: o! q/
p5 T2 N8 _
答：是需要定期校验
< br>;
若未校正功率有可能会变化
;
如此将影响电浆的组成
为何需要对
etch
chamber
温度做监控
?
答：因
为温度会影响制程条件
;
如
etchi
ng rate/
均匀度
为何需要注意
dry pump exhaust
presure (pump
出口端的气压
)?
2 V% b(
z7 L& g! B) ^: c9 ^!
I! @
答：因为气压若太大会造成
pump
负荷过大
;
造成
pump
跳掉
,
影响
chambe
r
的压力
,
直接影响到
run
货品质
为何要做漏率测试
? (Leak
rate )
7 n! {% f# f$$ q5 v/ [
答：
(1)
在
PM
后
PUMP
Down
1~2
小时后
;
为确保
c
hamber
Run
货时
,
无大气进入
chamble
影响
chamber GAS
成份
(2)
在日常测试时
,
为确保
chamber
内来自大气的泄漏源
,
故需测漏
机台发生
Alarm
时应如何处理
?
' P#
v) W2 I& `( H& Y
答：
(1)
若为火警
,
立即圧下
EMO(
紧急按钮
),
并灭火且通知相关人员与主管<
/p>
(2)
若是一
般异常
< br>,
请先检查
alarm
讯息再
判定异常原因
,
进而解决问题
,
若未能处理应立即通知主要负
责人
0 b#
a6 [% u2 + _2 y/ t
蚀刻机台废气排放分为那几类
?
答：一般无毒性废气
/
有毒酸性废气排放
蚀刻机台使用的电源为多少伏特
(v
)?
5 L, _: N3 Y
答：
208V
三相
, P
, i7
`
, N) J5 Z
干式蚀刻机台分为那几个部份
?
答：
(1) Load/Unload
端
(2) transfer
module (3) Chamber process module (4)
真空系
统
(5) GAS system (6) RF
system
)
PHOTO
1 _)
Q5 B3 C* o; a& b2 l
PHOTO
流程
?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→
CD
< br>量測→
Overlay
量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
+ c( l; `.
D9 Q5 m. x# B
<
/p>
答：
Photoresist(
光阻
).
是一种感光的物质，其作用是将
Pat
tern
从光罩
(Reticle)
上
传递
到
Wafer
上的一种介质。其分
为正光阻和负光阻。
何为正光阻
?
答：
正光阻，
是光阻的一种，
这种光阻的特性是将其曝光之后，
感光部分的
性质会改变，
并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
7
C% @' k4 + j8 N
何为负光阻
?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的
性质被改变，但是这种光
阻的特性与正光阻的特性刚好相反，
其
感光部分在将来的显影过程中会被留下，
而没有被感
光的部分则
被显影过程去除。
5 `+ X5 M7 L6 `+ X
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，
使其
感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图
形清晰的显现出来的过程。
何谓
Photo?
7 o) B! s, G) M! _, X6
C
答：
Photo=Photolithgraphy,
光刻，将图形
从光罩上成象到光阻上的过程。
/ _+ N& K6 }! N6
[
Photo
主要流程为何
?
4 F( C0 x% |0 p+ H/ z
答：
Ph
oto
的流程分为前处理，上光阻，
Soft Bake, <
/p>
曝光，
PEB
，显影，
< br>Hard Bake
等。
何谓
PHOTO
区之前处理
?
答：在
Wafer
上涂布光阻之前，需要先对
Wafer
表面进行一系列的处理工作，以使光
阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括
Bake
，
HDMS
等过程。其
中通
过
Bake
将
Wafer
表面吸收的水分去除，
然后进行
HDMS
工作，
以使
Wafer
表
面更容易
与光阻结合。
何谓上光阻
?
' R5 q$$ V#
F9 p$$ 4 c) _0 m
答：上光阻是为了在
Wafer
表面得
到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（
Nozzle
）被
喷涂在高速旋转的
Wafer
表面，
并在离心力的作用下被均匀的涂布在
Wafer
的表面。
/ n/ E# A#
E/ z5 U0 J*
`) X
何谓
Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行
Soft
Bake
，其主要目的是通过
Soft
Bake
将光阻中的溶剂
蒸发，并控制
光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光
?
答：
曝光是将涂布在
Wafer
表面的光阻感光的过程，
同时将光罩上的图
形传递到
Wafer
上的过程。
6
B& g8 ?' x: ]! j5 {
何谓
PEB(Post
Exposure Bake)?
4 . Q( J. ^.
y
答：
PEB
是在曝光结束后对光阻进行控制精密的
< br>Bake
的过程。其目的在于使被曝光的
光阻进行充分的
化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
0 i Q. e: D# V1 X'
u
何谓显影
?
答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的
Wafer
进行成象的过程，通过这个过程，成
象在光阻上
的图形被显现出来。
8 @0 o1 s
何谓
Hard Bake?
) C%
n6 N3 B8 n2 c
答：
Hard Bake
是通过烘烤使
显影完成后残留在
Wafer
上的显影液蒸发，
并且固化显影
完成之后的光阻的图形的过程。
.
C
何为
BARC?
何为
TARC?
它们分别的作用是什幺？
2 H) f) i: f3 x6 k) z3
I, p
答：
BARC=Bottom Anti
Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective
Coating. BARC
是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，
TARC
则是被涂布在光阻上表面的一层减
少光
的反射的物质。
他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，
以使曝
光的大部分能量都被光阻吸收。
1 `:
1 x: Q/ o5 B
何谓
I-line
？
答：曝光过程中用到的光，由
Mercury Lamp(
汞灯
)
产生，其波长为
365nm
，其波长较
长，因此曝光完成后图形的分辨率较
差，可应用在次重要的层次。
何谓
DUV
？
答：曝光过程中用到的光，其波长为
248nm
，其波长较短，因此曝光完成后的图形分
辨率较好，
用于较为重要的制程中。
; M% l1 [7 M! n! Z C) j#
M
I-
line
与
DUV
主要不同处为何
?
答：
光源不同，
波长不同，
因此应用的场合也不
同。
I-Line
主要用在较落后的制程
（
0.35
微米以上）或者较先进制程（
0.35
微米以下）的
Non-Critical
layer
。
DUV
则用在先进制程
的
Critical
layer
上。
何为
Exposure
Field?
5 [! W8 d9 L* t0 G8 u#
b
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓
Stepper?
其功能为何
?
答：一种曝光机，其曝光动作为
Step
by
step
形式
< br>,
一次曝整個
exposure
field,
一個一
個曝過去
-
k- Q( O0 u3 ]' J. _' d( [ [
何谓
Scanner?
其功能为何
?
! ?8 n; J*
z5 I' z. c, g
答：一种曝光机，其曝光动作为
Scanning
and
step
形式
,
在一個
exposure
field
曝光
時
,
先
Scan
完整個
field,
Scan
完後再移到下一個
field.
何为象差？
答：代表透镜成象的能力
,
越小越好
.
2 i g)
_
Sc
anner
比
Stepper
优点为何
？
答：
Exposure
Field
大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？
答：
En
ergy(
曝光量
), Focus(
焦距
)
。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分
辨率和要求大小的图形，
主要表现在图形的
CD
值超出要求的范围。因此要求在生产时要时
刻维持最佳的能
量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为
Reticle?
答：
Re
ticle
也称为
Mask
，翻译做光
掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，
通过曝光过程，这些图形的信息将被传
递到芯片上。
5 J& ]+ a2 t3 X
何为
Pellicle?
答：
Pellicle
是
Reticle
上为了防止灰塵
< br>(dust)
或者微塵粒子
(Particle)
落在光罩的图形面
上的一层保护膜。
何为
OP
C
光罩？
& u2 b0 w7 l)
U
答：
OPC
(Optical
Proximity
Correction)
为了增加曝光图
案的真实性，做了一些修正的
光罩，例如，
0.18
微米以下的
Poly, Metal layer
就是
OPC
光罩。
何为
PS
M
光罩？
Z* S' l, z+ `,
x
答：
PSM
(Phase
Shift
Mask)
不同于
Cr
mask,
利用相位干涉原理成象，目前大都应用
在
contact layer
以及较小
CD
的
Critical layer
（如
AA
，
POLY<
/p>
，
METAL1
）以增加图形的分辨
率。
2 I2 l3 X; ] _ a5
H
何為
CR
Mask
？
8 F+ }! g& O4 K5 l* f,
?- l
答：傳統的鉻膜光罩
,
只是利用光訊
0
與
1
干涉成像
,
主要應用在較不
Critical
的
layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
8
^+ u/ E' Z: }9 E3 a
答：
例如
0
03700-156AA-1DA, 0037
代表产品号，
0
0
代表
Special code,156
代表
layer
,A
代表客户版本
，
后一个
A
代表
SMIC
版本，
1
代表
FAB1
，
D
代表
DUV(
如果是
J,
则
代表
I-line),A
代表
ASML
机台（如果是
C
，则代表
Canon
机台）
6 f9 E9 }4 o
F
光罩室同时不能超过多少人在其中？
, U: U8 R*
l* U1 z+ a, g9 {0 ?
答：
2
人，
为了避免产生更多的
Particle
和静电而损坏光罩。
( e3 p' K# H6 C. w
存取光罩的基本原则是什幺？
答：
(1)
光罩盒打开的情况下，不准进出
Mask
Room,
最多只准保持
2
个人<
/p>
(2)
戴上手
套
(3)
轻拿轻放
如何避免静电破坏
Mask
？
2 a( Q
<
/p>
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
(
H+ S4 f3 `8 @ M7 r! e
光罩
POD
和
FOUP
能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？<
/p>
, t% [* l' Z8 u L( J! S
答：不能放在一起，之间至少要有
30
公分的距离，防止搬动
FOUP<
/p>
时碰撞光罩
Pod
而
损坏光罩。
何谓
Track?
( j3 `# p7 D9 d1
[
答：
Photo
制程中一系列步骤的组合，
其包括：
Wafer
的前、
后处理，<
/p>
Coating(
上光阻
)
，
和
Develop(
显影
)
等过程。
In-line Track
机台有
几个
Coater
槽，几个
Devel
oper
槽？
答：均为
4
个
机台上亮红灯的处理流程？
. k' m% U5 B6 ?2
S3 F
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能
RUN
货，因此应该
及时
Call E.E
进行处理。若
EE
现在无法立即解决，则将机台挂
DOWN
。
0 B2 Q+ U L9
r9 J' k$$ _( {
何谓
WEE?
其功能为何
?
; f! U3 v,
s- U% V$$ j; I4 G0 O% |
答：
Wafer Edge Exp
osure
。由于
Wafer
边缘的光
阻通常会涂布的不均匀，因此一般不
能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻
peeling
而影响其它部分的图形，因此将
Wafer Edge
的光阻曝光，
进而在显影的时候将其
去除，
这样便可以消除影响。
( H# ~% h& {+
?!
i& [3 b
何为
PEB
？其功能为何？
答：
Post
Exposure <
/p>
Bake
，其功能在于可以得到质量较好的图形。
（消除
standing
waves
）
% y, m0 /
D: j8 ~% j7 e. C5 e
PHOTO
POLYIMIDE
所用的光阻是正光阻还是负光阻
x)
C- ( R& d1 P) [, U s) P9 p
答：目前正负光阻都有，
SMIC
FAB
内用的为负光阻。
0 }; C r# D( f%
J2 F/ }8 y
RUN
货结束后如何判断是否有
wafer
被
reject
？
- [9 n& f, X/ d( t5 ^% g
答：查看
RUN
之前
lot
里有多少
Wafer<
/p>
,
再看
Run
之
后
lot
里的
WAFER
是否有少掉，如
果有少，则进一步查看机台是否有
R
eject
记录。
何谓
Overlay?
其功能为何
?
, Z6 |7 }.
|' `1 F# h6 k# }' u( o
答：
迭对测量仪。
< br>由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，
因此必须保证每一层与前
面或者后面的层的对准精度，
如果对准精度超出要求范围内，
则可能造成整个电路不能完成
设计的工作。
因此在每一
层的制作的过程中，
要对其与前层的对准精度进行测量，
如果测
量
值超出要求，则必须采取相应措施调整
process
condition.
何谓
ADI
CD?
7 J& |6 b2 ~/ x4 f( S4 V% E% F6
O
答：
Critical Dimension
< br>，
光罩图案中最小的线宽。
曝光过后，
< br>它的图形也被复制在
Wafer
上，通常如果这些最小的
线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。
因此通常测量
CD
的值来确定
process
的条件是否合适。
何谓
CD-SEM?
其功能为何
?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测
量
CD
以及观察图案。
PRS
的制程目的为何？
7 V)
R6 ^. N% l9 K N' F4 ?
答：
PRS
(Process
Release
Standard)
通过选择不同的条件（能量和焦距）对
Wa
fer
曝
光，以选择最佳的
proce
ss condition
。
3 w$$ J5 r k!
k6 n
何为
ADI
？
ADI
需检查的项目有哪些？
2 T7 W9 y' f5 d. {5
h
答：
After Develop Inspection
，曝光和显影完成之后，通过
ADI
机台对
所产生的图形的
定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：
L
ayer ID,Locking
Corner
,Vernier
,Photo Macro
Defect
+ b+ U) D' {5 V3 7
N
何为
OOC, OOS
，
OCAP
？
8 X- X u) H& V;
^. j4 K. l
答：
OOC=out of control,OOS=Out
of Spec,OCAP=out of control action
plan
( J2 t* N8 b4
e- d4
@
当需
要追货的时候，是否需要将
ETCH
没有下机台的货追回来？<
/p>
答：
需要。
因为通常是
process
出现了异常，
而且影响到了一些货，
因此为了减
少损失，
必须把还没有
ETCH
的货追
回来，否则
ETCH
之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI
检查的
SITE
是每片几个点？
7 Q: [5 m2 ~
答：
5
点，
Wafer
中间一点，周围四点。
$$
Y6 x/ q& S! J! o$$ k' a
PHOTO OVERLAY
检查的
SITE
是每片几个点？
+ x8 g* z' T
. p! Q& R+
|
答：
20
1 o# X5
Y
, F( W% F& W4 f5 n
7 S9 Q8 C7 W# X- G5 `4 O9
q
PHOTO
ADI
检查的片数一般是哪几片？
* w0 |9 _8 J-
b$$ K% y& x
答：
#1
，
#6
，
#15
，
#24;
统计随机的考量
; F6 k1 a- ,
K
何谓
RTMS
，其主要功能是什幺？
答
：
RTMS
(Reticle
Management
System)
光
罩
管
理
系
统
用
于
trace
光
罩
的
History,Status,Locatio
n,and Information
以便于光罩管理
1 U(
|0 n9 H/ z. 9 c) s
PHOTO
区的主机台进行
PM
的周期？
答：一周一次
1 }3 W7 K;
; {7 v* ?* p* `1 ]
PHOTO
区的控片主要有几种类型
答：
(1)
Particle
:
作為
Particle
monitor
用的芯片
,
使用前測前需小於
10
顆
(2)
Chuck
Particle
:<
/p>
作為
Scanner
測試
Chuck
平坦度的專用芯片
,
其平坦度要求非常高
(3)
Focus
:
作為
Scanner
Daily
monitor
best
的
wafer(4)
CD
:
做為
photo
區
daily
monitor
CD
穩定度的
wafer(5) PR
thickness :
做為光阻厚度測量的
wafer(6)
PDM :
做為
photo defect
monitor
的
wafer
, c9
b
当<
/p>
TRACK
刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当
TRACK
刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER
有读
WAFER
刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺
?
它们的作用是什幺
?
答：光刻部的主要机台是
:
TRACK(
涂胶显影机
),
Sanner(
扫描曝光机
)
3 W5
k }. m
为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
. E$$ ~+
U# Z4 m! M# a- E! d
答：
Track
< br>把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片
,
而曝光机就是一台
最高级的照相机
.
光
罩上的电路图形
就是
人物
通过
对准
,
对焦
,
打开快门
,
让一定量的光照过光罩
,
其图像呈
现在芯片的光刻胶上
,
曝光后的芯片被送回
Track
的显影槽
,
被显影液浸泡
,
曝光的光刻胶
被洗掉
,
图形就显现出来了
.
光刻技术的英文是什幺
答：
Photo Lithography
常听说的
.18
或点
13
技术是指什幺
?
3 i9 S7 e;
v
答：
它是指某个产品
,
它的最小
的大小为
0.18um
or
0.13um.
越小集成度可以越
高
,
每个芯片上可做的芯片数量越多
,
难
度也越大
.
它是代表工艺水平的重要参数
.
3
i6
T-
z!
C;
w* z/ {+ Q;
[4 A
从点
18
工艺到点
13
工艺到点零
9.
难度在哪里
?
答：难度在光刻部
,
因为图形越来越小
,
曝光机分辨率有限
.
b/ {;
}: Z9 r0 V! x8 R/ e# g+ F g
曝光机的
NA
是什幺
?
- N! r9 L3 @2
p
答：
NA
是曝光机的透镜的数值孔径
;
是光罩对透镜张开的角度的正玹值
.
最大是
1;
先
进的曝光机的
NA
在
0.5
---0.85
之间
.
% h7 z#
r2 H6 O; Y
曝光机分辨率是由哪些参数决定的
?
#
`* y+ P
. Y* p* X/ w: ]
答：分辨率
=k1*Lamda/NA. Lamda
是用于曝光的光波长
;NA
是曝光机的透镜的数
值孔
径
;
k1
是标志工艺水准的参数
,
通常在
0.4--
0.7
之间
.
2 g) a* n1
x9 n. r
如何提高曝光机的分辨率呢
?
. z,
z7 ~ `6 v2 ~8 M5 m# n
答：减短曝光的光波长
,
选择新的光源
;
把透镜做大
,
提高
NA.
现在的生产线上
,
曝光机的光源有几种
,
波长多少
?
答：有三种
:
高压汞灯光谱中的
365nm
谱线
,
我们也称其为
I-line;
KrF
激光器
,
产生
248 nm
的光
; ArF
激光器
,
产生
193 nm
的光
;
9 ^ [2 I&
O
下一代曝光机光源是什幺
?
答：
F2
激光器
.
波长
157nm
我们可否一直把波长缩短
,
以提高分辨率
?
困难在哪里
?
答：不可以
.
困难在透镜材料
.
能透过
157nm
的材料是
CaF2,
其晶体很难生长
.
还未
发现能透过更短波长的材料
.
为什幺光刻区采用黄光照明？
答：
因为白光中包含
365nm
成份会使光阻曝光
,
所以采用黄光
;
就象洗像的暗房采用暗
红光照明
.
+ X, a s; L. K/ `2
n
什幺是
SEM
答：扫描电子显微镜
(Scan
Electronic
Microscope)
光刻部常用的也称道
CD
SEM.
用它
来测量
CD
# `&
s; R2 d2 u8 o
如何做
Overlay
测量呢
?
+ n9 W8 j# F3
K3 k1 p) B g) o
答：
芯片
(
Wafer)
被送进
Overlay
机台中
.
先确定
Wafer
的位置从而找到
Overlay MARK.
这个
MARK
是一个方块
IN
< br>方块的结构
.
大方块是前层
,
小方块是当层
;
通过小方块是否在
大方块中心来确定
Overlay
的好坏<
/p>
.
生产线上最贵的机器是什幺
+ W5 u* V- s+
G
答：曝光机
;5-15
百万美金
/
台
曝光机贵在哪里
?
答：
曝光机贵在它的光学成像系统
(
它的成像系统由
15
到
20
个直径在
200 300MM
的
透镜组成
.
波面相位差只有最好象机的
5%.
它有精密的定位系统
(
使用激光工作台
)
激光工作台的定位精度有多高
?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于
10nm
曝光机是如何保证
Overlay<50nm
. o3 b* x# n j+ `9 b9
}0 U ?6 C
答：
曝光机要保证每层的图形之间对准精度
<5
0nm.
它首先要有一个精准的激光工作台
,
它把
wafer
移动到准确的位置
< br>.
再就是成像系统
,
它带来的
图像变形
<35nm.
在
WAFER
上
,
什幺叫一个
Field?
答：光罩上图形成象在
WAFER<
/p>
上
,
最大只有
26X33mm
一块
(
这一块就叫一个
Field),
激光工作台把
WAFE
R
移动一个
Field
的位置，
再曝一次光，
再移动再曝光。
直到覆盖整片
WAFER
。
所以，一片
WAFER
上有约<
/p>
100
左右
Field.
什幺叫一个
Die?
6 ]8
G
答：
一个
Die
也叫一个
Chip;
它是一个功能完整的芯片。
一个
Field
可包含多个
Die;
为什幺曝光机的绰号是
―
印钞机
‖
答：曝光机
很贵；一天的折旧有
3
万
-9
万人民币
之多
;
所以必须充份利用它的产能
,<
/p>
它
一天可产出
1600
< br>片
WAFER
。
Track
和
Scanner
内主要使用什幺手段传递
< br>Wafer
：
答：机器人手臂
(robot),
Scanner
的
ROBOT
有真空
(VACCUM)
来吸住
WAFER.
TRACK
的
ROBOT
设计独特
,
用边缘
HOLD WAFER.
+ M$$ o( w/ @2 w) U5
w
可否用肉眼直接观察测量
Scann
er
曝光光源输出的光
答：绝对禁止
;
强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有
Scanner
应用
Foundation(
底座
)
答：
Scanner
曝光对稳定性有极高要求
(
减震
)
近代光刻技术分哪几个阶段
?
, {3
@% 3 @) u7 c0 E: P0 m, ~+ u
答：
从
80’S
至今可分
4
阶段
:
它是由曝光光源波长划分的
;
高压水银灯的
G-line(438nm),
I-line(365nm);
excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)
I-line scanner
的工作范围是多少
?
答：
CD >0.35um
以上的图层
(LAYER)
KrF scanner
的工作范围是多少
?
答：
CD >0.13um
以上的图层
(LAYER)
*
v
ArF scanner
的工作范围是多少
?
答：
CD >0.08um
以上的图层
(LAYER)
什幺是
DUV
SCANNER
7 `' k2 F( ^% D1 L, u1 t0
M
答：
DUV
SCANNER
是
指所用光源为Ｄ
eep
Ultra
Voliet,
超紫外线．即现用的
248nm,193nm
Scanner
{8 V- c1 c( m9 R6
Scanner
< br>在曝光中可以达到精确度宏观理解：
4 [. y4 [# o8
}
答：
Scanner
是一个集机，光
，电为一体的高精密机器；为控制
iverlay<40nm,
在曝光
过程中，光罩和
Wafer
的运
动要保持很高的同步性．在
250nm/
秒的扫描曝光时，两者
同步
位置
<10nm
．相当于两架时速
1000
公里／小时的波音
747
飞机前后飞行，相距小于
10
微
米
4 @$$ N4 k1 J N% h* I8 h4 D4
{
光罩的结构如何？
! L5 V p( M;
Z
答：
光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）
．在制造光罩时，用电子
束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）
．在距铬膜
5mm
的地方覆盖一
极薄的透明膜（
叫
pellicle
）
，保护铬膜不受
外界污染
.
5 # W* F
. e,
z+ Q
在超净
室（
cleanroom
）为什幺不能携带普通纸
答
< br>：
普
通
纸
张
是
由
大
量
短
纤
维
压
制
而
成
，
磨
擦
或
撕
割
都
会
产
< br>生
大
量
微
小
尘
埃
（
p
article
）
．进
cleanro
om
要带专用的
Cleanroom
Paper
.
如何做
CD
测量呢
?
答：芯片
(Wafer)
被送进
CD SEM
中
.
电子束扫过光阻图形
(Pattern).
有光阻的地方和无
光阻的地方产生的二次电子数量不同
;
处理此信号可的图像
.
对图像进行测量得
CD.
什幺是
DOF
答：
DOF
也叫
Depth
Of
Focus,
与照相中所说的景深相似
.
光罩上图
形会在透镜的另
一侧的某个平面成像
,
我们称之为像平面
(Image
Plan),
只有将像平面与光阻平面重合
(In
Focus)
才能印出清晰图形
.
当离开一段距离后
,
图像模糊
.
这一可清晰成像的距离叫
DOF
)
T9 j- {5 O1 [, Z! ~
曝光显影后产生的光阻图形（
Pattern
）的作用是什幺？
答：
曝光
显影后产生的光阻图形有两个作用：
一是作刻蚀的模板，
未盖有
光阻的地方与
刻蚀气体反应，
被吃掉．
去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注
入的模板．
$$ m# O/ g, j' T4 6 C) D
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为
I-line
光阻
,KrF
< br>光阻和
ArF
光阻
2 l-
b' l3 Q, o: z% t
光阻层的厚度大约为多少？
答：
光阻
层的厚度与光阻种类有关．
I-line
光阻最厚，
0.7um to 3um. KrF
光阻
0.4-0.9um.
A
rF
光阻
0.2-0.5um.
*
e( ~: v( T0 w. L: @7 {
哪些因素影响光阻厚度？
/ l&
[' C) e8 w/ Z& p
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越
薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
, ?2 S6 |' k/
K/ o' X* H3 j p
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关
，越快越均匀，与旋转加
减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显
影液的ＣＳＤＳ（
Chemical Safety Data Sheet
）
,
把
它提供给医生，以
协助治疗
FAC
6 R7 y&
f& Q+ ]2 L D
根据工艺需求排气分几个系统
?
答：分为一般排气（
General
）
、酸性排气（
Scrubbers<
/p>
）
、碱性排气（
Ammonia
）和有机
排气（
Solvent
）四个系统。
2 l* l4 J, `' S1 P;
n
高架
地板分有孔和无孔作用
?
5 n6
q8 n; J7 u
答：使循环空气能流通
，不起尘，保证洁净房内的洁净度
;
防静电；便于
HOOK-
UP
。
离子发射系统作用
! ~2 O' O6 B% }8 N$$
Z$$ S
答：离子发射系统，防止静电
SMIC
洁净等级区域划分
& J'
I0 j3 q( ?! R2 Z
答：
Mask Shop
class 1 & 100Fab1 & Fab2 Photo and process area:
Class 100Cu-line
Al-Line OS1 L3 OS1 L4
testing Class 1000
什幺是制程工艺真空系统
(PV)
;
O+ i; H( [# O3 i# o5 e7 t* F
,
c
答：
是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空
;
如真空吸笔、光
阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力
(
真空度大于
80 <
/p>
kpa)
和流量，
每天
< br>24
小时运行
+ G* @' g+ j1 ?-
h
什幺是
MAU(Make Up Air
Unit),
新风空调机组作用
% i9 v#
q
答：
提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压
和湿度
要求。
& N3 x; T; z+ Y
. n2 v/
h
House Vacuum System
作用
9 e% K1 R2 n1 w( l.
z
答：
HV(House Vacuum)
系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，
其真空度较低。
使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，
打
开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
2 p%
_. |) [7 U- e
Filter Fan Unit
System(FFU)
作用
1 C7 x5 x8 J0
N. {! G6 Z5
答：
FFU
系统保证洁净室内一定的风速和
洁净度，
由
Fan
和
< br>Filter(ULPA)
组成。
: y d8 }8
s3
_
什幺是
Clean Room
洁净室系统
4 P G. J) n c& n5
Y
答：
洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等
环境要
求。
Clean room
spec:
标准
答：
Temperature 23
°C ±
1°C(Photo:23 °C ±
0.5°C)Humidity 45%±
5%(Photo:45%±
3% )Class
100Overpressure +15paAir velocity 0.4m/s
±
0.08m/s
; q- ~ e/ F9 q( A1
M
Fab
内的
safety
shower
的日常维护及使用监督由谁来负责
& H' M4
T# g1 v# ^8 a& B
答：
Fab
内的
Area Owner
（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（
19105
< br>）协助）
工程师在正常跑货用纯水做
rinse
或做机台维护时
，
要注意不能有酸或有机溶剂
（如
IP
A
等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致
conductivity(
导电率
)
升高，有机溶剂会导致
TOC
升高。两者均会影响并
降低纯水回收率。
若在
Fab
内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做<
/p>
PM
所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（
12222
）
9
~7 L5 p
g* K! T8 p0 B
<
/p>
机台若因做
PM
或其它异常，而要大量排
放废溶剂或废酸等应首先如何通报
5 I5 r3 u H) I,
^
答：通知厂务主系统水课的值班（
19105
）
0 A' ?. / P' j$$ p
废水排放管路中酸碱废水
/
浓硫酸
/
废溶剂等使
用何种材质的管路
?
3 B
答：
酸碱
废水
/
高密度聚乙烯
(HDPE)
浓硫酸
/
钢管内衬铁福龙
< br>(CS-PTFE)
废溶剂
/
不
琇钢管
(SUS)
若机台内的
drain
管有接错或排放成分分类有误
，
将会导致后端的主系统出现什幺问题
?
)
c5 M7 W2 ^+ f' v5 t
答：
将会
导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，
从而可能导致公司排放口超标排
放的事故。
, |/ p) @7 p& e
公司做水回收的意义如何
?
答：
(1)
节约用水，降低成本。重在环保。
(2)
符合
ISO
< br>可持续发展的精神和公司环
境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气
(Specialty
Gas)?
) } c9 h. g1 Y: c
答：
SiH2Cl2
, G% I9
y) N6 U
何种气体由
VMB
Stick
点供到机台
?
答：
H2
何种气体有自燃性
?
答：
SiH4
何种气体具有腐蚀性
?
答：
ClF3
; X. @9
{
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器
?
答：
PH3
* Z6 c. w'
L9 } [5 q4 Q8 C
名词解释
GC, VMB, VMP
答：
GC- Gas Cabinet
气瓶柜
VMB- Valve Manifold Box
阀箱，
适用于危险性气体。
VMP-
Valve Manifold Panel
阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少
时人体会感觉不适？
答：
21%
* b/ };
V
. O; |0 9 c
什幺是气体的
LEL? H2
的
LEL
为多少？
答：
LEL- Low Explosive Level
气体爆炸下限
H2 LEL- 4%.
当
FAB
内气体发生泄漏二级警报
（既
Leak
HiHi
）
，
气体警报灯
（
LAU
）
会如何动作？<
/p>
FAB
内工作人员应如何应变？
答：
LA
U
红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从
ERC
广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何
?
2 o;
K, I- F% A
答：
(1) Acid/Caustic
酸性
/
腐蚀性
(2)
Solvent
有机溶剂
(3)
Slurry
研磨液
4 O+ T
}
l- b. a
有机溶剂柜的安用保护装置为何
?
,
% _, H8 p8 F5 _; a
答：
(1) Gas/Temp. detector;
气体
/
温度侦测器
(
2) CO2 extinguisher;
二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液
(slurry)
系统
?
答：
(1) Oxide
(SiO2) (2) Tungsten (W)
鵭
$$ f1
h% `, v/ p+ a' C+ z1 u
设备机台总电源是几伏特
?
答：
208V OR 380V
欲从
事生产
/
测试
/
维护时
,
如无法就近取得电源供给
,
可以无限制使用延长线吗
?
) r5
X2 p% l.
A
答：不可以
如何选用电器器材
?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
) v6 D8
]! u! d3 D# a
机台
开关可以任意分
/
合吗
?
答：未经确认不可随意分
/
合任何机台开关
,
以免造成生产损失及人员伤害
.
3 O1 N8 Z3 i t! G;
g& F
欲从事生产
/
测试
/
维护时
,
如无法就近取得电源供
给
,
也不能无限制使用延长线
,
对吗
?
答：对
假设断路器启断容量为
16
安培导线线
径
2.5mm2,
电源供应电压单相
2
20
伏特
,
若使用
单相
5000W
电器设备会产生何种情况
< br>?
- }! ]3 ^8 R2 e V+ [
答：断路器跳闸
当供电局供电中断时
,
人员仍可安心待在
FAB
中吗
?
; h# H3 |# X- j
答：当供电局供电中断时
,
本厂因有紧急发电机设备
,
< br>配合各相关监视系统
,
仍然能保持
FAB
之
Safety,
所以人员仍
可安心待在
FAB
中
.
% i
/ W5 u) C- ^#
b: R. T1 T0 a, e
WET
在半导体程制中
< br>,
湿制程
(wet
processing)
分那二大頪
?
答：
(1)
晶圆洗净
(wafer cleaning) (2)
湿蚀刻
(wet etching).
晶圆洗净
(wafer
cleaning)
的设备有那几种
?
答：
(1)
Batch
type(immersion
type):
a)
carrier
type
b)Cassetteless
type
(2)
Single
wafer
type(spray type)
1 [8 4 P$$ d! }0 j. ?/
g
晶圆洗净
(wafer
cleaning)
的目的为何
?
,
K
答：
去除金属杂质
,
有机物污染及微尘
.<
/p>
2 h* O- P3 I9 z0 {8 B
半导体制程有那些污染源
?
答：
(1)
微粒子
(2)
金属
(3)
有机物
(4)
微粗糙
(5)
天生的氧化物
- e. j& q& O) y:
w
RCA
清洗制程目的为何
?
答：于微影照像后
,
去除光阻
,
清洗晶圆
,
并做到酸碱中和
,
使晶圆可进行下一个制程
.
洗净溶液
APM(SC-1)-->
NH4OH:H2O2:H2O
的目的为何
?
答：去除微粒子及有机物
洗净溶液
SPM--> H2SO4:H2O2:H2O
的目的为何
?
% t$$ B
答：去除有机物
& e, M:
W& e/ N- ~4 i
洗净溶液
HPM(SC-2)-->
HCL:H2O2:H2O
的目的为何
?
答：去除金属
洗净溶液
DHF-->
HF:H2O(1:100~1:500)
的目的为何
?
答：去除自然氧化膜及金属
+ p. Z$$ b!
r
洗净溶液
FPM--> HF:H2
O2:H2O
的目的为何
?
8 W(
e, S3 k! w2 A6 @
答：去除自然氧化膜及金属
3 E E9 J2 O# [2
q1 y6 S
洗净溶液
BHF(BOE)-->
HF:NH4F
的目的为何
?
/ S%
P1 }- v8 / T3 u
答：氧化膜湿式蚀刻
洗净溶液
热磷酸
-->
H3PO4
的目的为何
?
* q9
p* ~1 C' [+ O; o y6 Z
答：氮化膜湿式蚀刻
0.25
微米逻辑组件有那五种标准清洗方法
?
%
N) N) U+ V! ?5 C# K- |
答：
(1)
扩散前清洗
(2)
蚀刻后清洗
(3)
植入后清洗
(4)
沉积前洗清
(5)
CMP
后清洗
% @'
V0 }3
i! S9 H. X6 B
超音波刷洗
(ultrasonic
scrubbing)
目的为何
?
答：去除不溶性的微粒子污染
4
w' K7 U8 v1 S+ Z/ W
何谓晶圆盒
(POD)
清洗
?
答：利用去离子水和界面活性剂
(surfactant),
除去晶圆盒表面的污染
.
高压喷洒
(high pressure spray)
或刷洗去微粒子在那些制程之后
?
5 v5
y; q7 K, f+ z) D. F
答：
(1)
锯晶圆
(wafer saw) (2)
晶圆磨薄
(wafer lapping) (3)
晶圆拋光
(wafer polishing)
(4)
化学机械研磨
晶圆湿洗净设备有那几种
?
答：
(1)
多槽全自动洗净设备
(2)
单槽清洗设备
(3)
单晶圆清洗设备
.
7 _# f4
M( B! j6 G7 @&
B* m
单槽清洗设备的优点
?
$$ N `/
}5 D: O0 u, D
答：
(1)
较佳的环境制程与微粒控制能力
. (2)
化学品与纯水用量少
. (3)
设备调整弹性
度高
.
单槽清洗设备的缺点
?
答：
(1)
产能较低
. (2)
晶圆间仍有互相污染
单晶圆清洗设备未来有那些须要突破的地方
< br>?
0 s' N& z0 N( u8 m8 h2 ?* k4 Y7
q
答：产能低与设备成熟度
( V0 @: u! o; |: T* z1 h/ a
1 Active Area
主动区（工作区）
主动晶体管（
ACTIVE TRANSISTOR
）被制造的区域
即所谓的主动区（
ACTIVE
AREA
）
。在标准之
MOS
制造过程中
ACTIVE AREA
是由一层氮
化
硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步
骤，
所以
ACTIVE
AREA
会受到鸟嘴（
BIRD’S
BEAK
）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区
域来的小，以长
0.6UM
之场区氧化而言，大概
会有
0.5UM
之
BIRD’S
BEAK
存在，也就是说
ACTIVE AREA
比原在之氮化硅光罩所定义的区域小
0.5UM
。<
/p>
2
ACTONE
丙酮
1.
丙酮是有机溶剂的一种，分子式为
CH3COCH3
。
2.
性质为无色，
具刺激性及
薄荷臭味之液体。
3.
在
FAB
内之用途，
主要在于黄光室内正光阻之清洗、
擦拭。
4.
对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒
性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量
之丙酮蒸汽会刺激鼻、
眼
结膜及咽喉黏膜，
甚至引起头痛、
恶心、
呕吐、
目眩、
意识不明等。
5. <
/p>
允许浓度
1000PPM
。
3 V* g% G+ U+ r( y: @9 w
3 ADI
显影后检查
1.
定义：
After
Developing
Inspection
之缩写
2.
目的：检查黄光室
制程；光阻覆盖→对准
→曝光→显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良
…
等即予修
改，
以维护产品良率、品质。
3.
方法
：利用目检、显微镜为之。
6 G9 G( j3 b) K2 a; q'
b
4
AEI
蚀刻后检查
1.
定义：
AEI
即
Aft
er Etching Inspection
，在蚀刻制程光阻去除前
及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.
目的：
2-1
提高产品良率，避免不良品
外流。
2-2
达到品质的一致性和制程之重复性。
2-3
显示制程能力之指针
2-4
阻止异常扩大，
节省成本
3.
通常
AEI
检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去
氧化层或重长氧
化层可能造成组件特性改变可靠性变差、
缺点密度增加，
生产成本增高，
以及良率降低之缺
点。
0 g9 t- g4 o9 W/ k9 B5 r
5
AIR
SHOWER
空气洗尘室进
入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无
尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前
，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6 ALIGNMENT
对准
1.
定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对
准键
合对为之。
2.
目的：在
IC
的制造过程中，必须经过
6~10
次左右的对准、曝光来定义电路
图案，对准就是要将层层图案精确地定
义显像在芯片上面。
3.
方法：
A.
人眼对准
B.
用光、
< br>电组合代替人眼，即机械式对准。
, V
7
ALLOY/SINTER
熔合
<
/p>
Alloy
之目的在使铝与硅基
(Sil
icon
Substrate)
之接触有
Ohmic
特性，即电压与电流成线性关系。
Alloy<
/p>
也可降低接触的阻值。
8
AL/SI
铝
/
硅
靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用
Ar
游离的离子，让
其撞击此靶的表面，把
Al/Si<
/p>
的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为
Al/S
i
(1%)
，将此当作组件与外界导线连接。
9 AL/SI/CU
铝
/
硅
/
铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为
TARGET
，其成分为
0.5
﹪
铜，
1
﹪硅及
98.5
﹪铝，一般制程通常是使用
99
﹪铝
< br>1
﹪硅，后来为了金属电荷迁移
现象（
< br>ELEC TROMIGRATION
）故渗加
0.5<
/p>
﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10
ALUMINUN
铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用
Ar
游离的离子，让其
撞击此种材料做成的靶表面，把
Al
的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与
外界导线之连
接。
% J- e5 C- L. w! @$$ ^
11 ANGLE
LAPPING
角度研磨
Angle Lapping
的目的是为了测量
Junction
的深度，所
作的芯片前处理，这种
采用光线干涉测量的方法就称之
Angle
Lapping
。公式为
Xj=λ/2
NF
即
Junction
深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。
但渐渐的随着
VLSI
组件的缩
小，准确度及精密度都无法因应。
如
SRP(Spreading
Resistance
Prqbing)
也是应用
Angle
Lapping
的方法作前处理，
采用
的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出
Junction
的
深度，精确度远超过入射光干涉法。
/ w( V5
P
. r
, w. c2 ?( g
12 ANGSTRON
埃是一个长度单位，
其大小为
1
公尺的百亿分之一，
约为人的头发宽度
之五十万分之
一。此单位常用于
IC
制程上，表示其层（如
< br>SiO2
，
Poly
，
SiN….
）厚度时用。
13
A
PCVD
（
ATMOSPRESSURE
）
常压化学气相沉积
APCVD
为
Atmosphere(
大气
)
，
Pressur
e(
压力
)
，
Chemical(
化学
)
，
Vapor(
气相
)
及
Deposition(
沉积
)
的缩写，也就是说，反
应气体（如
SiH4(
g)
，
B2H6(g)
，和
O2(g)
）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物
（如
BPSG
）于芯片上。
14 AS75
砷自然界元素之一；由
33
个质子，
< br>42
个中子即
75
个电子所组成
。半导体工
业用的砷离子（
As
＋）可
由
AsH3
气体分解得到。砷是
N-T
YPE
DOPANT
常用作
N-<
/p>
场区、
空乏区及
S/D
< br>植入。
15
ASHING
，
STRIPPING
电浆光阻去除
1.
电浆预处理，系利用电浆方式（
Plasma
）
，
将芯片表面之光阻加以去除。
2.
电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由
基（
Radical
）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气
体，再由帮浦抽走，
达到光阻去除的目的。
3.
电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过
离子植入或电
浆蚀刻后，
表面之光阻或发生碳化或石墨化等化学作用，
整个表
面之光阻均已
变质，
若以硫酸吃光阻，
无法将表面已变质之光阻加以去除，
故均必须先以电浆光阻去除之
方式来做。
( w8 S2 t3 o: j+ A: J
16 ASSEMBLY
晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝
环境污染的目的，
而此一连串的加工过程，
即称为晶粒封装
（
Assembly
）
。
封装的材料不同，
其封装的作法亦不同，
本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，
制程包括：
芯片切割→晶
粒目检→晶粒上「架」
（导线架，即
Lead frame
）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物
性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。以树酯为材料之
IC<
/p>
，通常用于消费性
产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料
之
IC
，属于高性赖度之组件，通常用于飞
弹、火箭等较精密的产品上。
, @+ L$$ ~8 x&
O
17
BACK GRINDING
晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重
的是厚
度均匀度及背面之干净度。一般
6
吋芯片之厚度约
20mil
～
30
mil
左右，为了便于晶粒封装
打线，故需将芯片厚度磨薄至<
/p>
10 mil
～
15mil
左右。
18 BAKE,
SOFT
BAKE,HARD
BAKE
烘烤
，软烤，预烤烘烤（
Bake
）
：在集
成电路芯片
上的制造过程中，将芯片至于稍高温（
60
℃～
250
℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤
，随
其目的的不同，可区分微软烤（
Soft
bake
）与预烤（
Hard
bake
）
。软烤（
Soft bak
e
）
：其使
用时机是在上完光阻后，<
/p>
主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，
并且可增加光阻与芯片
之附着力。预烤（
Hard bake
）
：又称为蚀刻前烘烤（
pre-etch bake
）
，主要目的为去除水气，
增加光阻附着性，<
/p>
尤其在湿蚀刻
（
wet etching
）
更为重要，
预烤不全长会造成过蚀刻
。
4 b/ Z1
m. t0 ?!
f
19
BF2
二氟化硼
< br>·
一种供做离子植入用之离子。
·
BF2
＋是由
BF3
＋气体晶灯
丝加热
分解成：
B10
、
B11
、
F19
、
B10F2
、
B11F2
。经
Extract
拉出及质谱磁场分析后而得到。
·
是
一种
P-typ
e
离子，通常用作
VT
植入（闸层）
及
S/D
植入。
8 + i: c+
[. f, ~
20 BOAT
晶舟
Boat
原意是单木舟，在半导体
IC
制造过程中，常需要用一种工具作芯
片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工
具，我们称之为
Boat
。一般
Boa
t
有两种材质，一
是石英、另一是铁氟龙。石英
Boat
用在温度较高（大于
300
< br>℃）的场合。而铁氟龙
Boat
则用在传送或酸处理的场
合。
21 B.O.E
缓冲蚀刻液
BOE
是
HF
与<
/p>
NH4F
依不同比例混合而成。
6:1
BOE
蚀刻即表示
HF
：
NH4F=1
：
6
的成分混
合而成。
HF
为主要的蚀刻液，
NH4
F
则作为缓冲剂使用。利用
NH4F
固
定〔
H
＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。
< br>HF
会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，
对皮肤有强烈的腐
蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
# U0 _8 }! R; t( e8
y4 ]+ `
22
BONDING
PAD
焊垫焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装
（
Assembly
）的制程中，有一个步骤是作
―
焊线
‖
，即是用金线（塑料包装体
）或铝线（陶瓷
包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（
< br>Bonding Diagram
）连接在一起，如
此一
来，
晶粒的功能才能有效地应用。
由于晶粒上的金属线路的宽度
即间隙都非常窄小，
（目
前
SIMC<
/p>
所致的产品约是微米左右的线宽或间隙）
，而用来连接用的金线或
铝线其线径目前
由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，祇能做到
1.0
～
1.3mil
（
25.4
～
33j
< br>微米）
左右，
在此情况下，
要把
二、
三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有
3
微米
的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端
皆设计成一个约
4mil
见方的金属层，
此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上
（以粒封
装时的焊线作业）
，其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以
资辨识。焊垫因
为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到
―
开窗线
‖
。而晶粒上
有时亦
可看到大块的金属层，
位于晶粒内部而非四周，
其上也看不到开窗线，
是为电容。
0 R8
s3 g7 u
v m
23 BORON
硼自然元素之一
。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是
11
。另外
有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是
10
（
B10
）
。自然界中这
两种同位素之
比例是
4
：
1
，可由磁场质谱分析中看出，是一种
P-type
的离子（
B
11
＋）
，用来作场区、
井区、
VT<
/p>
及
S/D
植入。
+ k t. H% Z+ o4 Y6 x% g) m
24
BPSG
含硼及磷的硅化物
BPSG
乃介于
Poly
之上、
Metal
之下，可做为上下两层绝
缘之用，加硼、磷主要目的
在使回流后的
Step
较平缓，以防止
Metal
line
溅镀上去后，造