-
单晶生长棱线
+
A& `*
r% X-
单晶生长棱线的数目与单晶取向有关
。
根据硅单晶柱面上的生长棱线的数目及其对称性，可以判定单晶的取向
< br>。
. X& n9 K
C*
G
单晶体表面的棱线是由倾斜
{111}
密排面所引起的
。
2 k/ C* C%
L
& X Q
) H# c
' F!
Z
对〈
100
〉取向的硅单晶，
由于有四个
{111}
面和圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形
成四条对称分布的生长棱线。
对〈
111
〉取向
的硅单晶，
由于有三个
{111}
面和
圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形
成三条对称分布的生长棱线。
) V9 ~+ D& b/
s- M'
G4
[&
对〈
110
< br>〉取向的硅单晶，
由于有二个
{111}
面和圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形
成二条对称分布的生长棱线。<
/p>
[100
]
晶向的硅单晶有四条对称的棱线，
如果断棱就不是单晶了，<
/p>
而
[100]
晶向无位错硅单晶，
不仅要有四条对称的棱线，而且四条棱线还要突出挺直，否则就是有位错硅单晶了。
点缺陷：空位
( u% x! P7
x9
O$$ I:
线缺陷：位错
2 M4 w! R
面缺陷：孪晶
体缺陷：旋涡条纹
硅中几种晶格缺陷：
7 E! I# m; [7 B$$
p- c;
硅中的空位和填隙原子；
晶体原生颗
粒缺陷
(COP)
；
激光散射层析缺陷
(LSTD)
；
: O, {5 D.
I/ b-
< br>流动图形缺陷
(FPD)
；
;
Z9 Y3 y- n!
W3 h
k(
p+
f
& V) q4
L
q4 `9
体微缺陷——微氧沉淀
(BMD)
；
氧化诱生层错
(OSF)
。
太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命。
少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可
能到达
P
N
结，受
PN
结电场分离后对外产生光
电流，同样由于暗电流的降低可增加太阳电
池的开路电压，
所以
大部分生产商都在生产前检验始材料的一些关键性参数，
光伏工业生产
< br>中最常见的测试就是少子寿命的测试，通过对原始材料的寿命测量预测成品阳电池的效率。
Lifetime
受
bulk met
al
與
defect
的影響
.
適用單多晶
.
多晶的
grain boundary
多
,lifetime
一定比單晶低
(
同以純原料生產相比
)
6 ~(
R8 `6 })
e2 }/
G
defect
有
stacking
fault,precipitate,dislocation,...etc.
<
/p>
Boron
的氧含量高時
,
經過高溫製程將產生
BMD(
氧析出物
),
這是
defect
的一
種
,lifetime
會下降
.
. Q; +
u+ o) h/
[* y
n& F6 {1 G6 s5 g K7 S&
p+
在
800degC
以上開始凝核
,
到
1050degC
時會開始析出
,1150
以上時變成
< br>OISF,1260degC
以上時
又溶解
.
Boron
的氧含量要控制在一定的範圍
,
不像
As,Sb,Ph
是愈高愈好
.
太陽能
cell
廠喜歡用
lifetime
來看
(IQC),
算有道理也算沒道理
.
bulk metal
高時
lifetime
會下降
,
但
defect
多時也下降
,
轉換效率也下降
,
這時會向晶片生產廠客
訴
,
所以純以
bulk m
etal
來找問題會找不到
,
變成無頭
公案
,
那就換貨了事
.
) s) j' j' k2 } F3 ?9 c5
z! T
! n; c4 m'
@( d! f4 l4
W& L+
以下相關順序
:
bulk metal
與
lifeti
me
相關
defect
與
lifetime
相關
lifetime
與
bulk met
al
+
defect
相關
+ B& l9 _8 b, g6 k, i3 k
8 & N4 O8
C% t0 l$$ w; ^
# [, h) A3
关于
少子
寿命测试若干问题的讨论鉴于目前
Semilab
少子
寿命测试已在中
国拥有众多的用
户，
并得到广大用户的一致认可。
现就
少子
寿命测试中，
用户
反映的一些问题做出如下说明，
供您在工作中参考：
1
、
Semilabμ
-PCD
微波光电导
少子
寿命的原理
微波光电导衰退法
(Microwave photoconductivity de
cay)
测试
少子
寿命，主要包括激光
注入产生电子
-
空穴对和微
波探测信号
的变化这两个过程。
904nm
的激光注入（对于硅，注入深
度大约为
30um
）产生
电子
-
空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间
指数衰减，这
一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，
从而通过
微波探测电导率随时间变化的趋势就可以
得到少数载流子的寿命。
少子
寿命主要反映的是材料重金属沾污及缺陷的情况。
Semilab
μ
-PCD
符合
ASTM
国际标准
F 1535
–
00 2
、
少子
寿命测试的几种方法通常少数载流子寿命是
用实验方法测
量的，
各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。
< br>最常用
的注入方法是光注入和电注入，
而检测非平衡载流
子的方法很多，
如探测电导率的变化，
探
测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法。近
30
年来发展了
数十种测量寿命的方法，主要有：直流光电导衰退法；高
频光电导衰退法；表面光电压法；
少子
脉冲漂移法；微波光电导
衰减法等。
对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因
为
不同的注入方法，
表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。
因此，
少子
寿命测试没有
绝对的精度概
念，也没有国际认定的标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。对于同
一样品，<
/p>
不同测试方法之间需要作比对试验。
但对于同是
< br>Semilab
的设备，
不论是
WT-2000
还是
WT-1000
，测试结果是一致的。
μ
-PCD
法相对于其他方法，有如下特点：
-
无接触、
无损伤、快速测试
-
能够测试较低寿命
-
能够测试低电阻率的样品（最低可以测
0.01ohmcm
的样品）
-
既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片，电池
-
样品没有经过钝
化处理就可以直接测试
-
既可以测试
P
型材料，也可以测试
N
型材料
-
对测试样品的厚
度没有严格的要求
-
该方法是最受市场接受的
少子
寿命测试方法
3
、表面处理和钝化的原
因
μ
-PCD
测试的是
少子
有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。测试的
少子
寿
命可由下式表示施美乐博公司上海办事处上海浦
东新区商城路
738
号胜康廖氏大厦
906A
（邮编：<
/p>
200120
）
Rm.906A,Suncome Liauw's Plaza, No.738,
Shangcheng Road, Pudong,Shanghai
200120, China Tel: +86-21-58362889 Fax:
+86-21-
58362887 1 1 1 meas bulk diff
surf τ τ τ τ = + +
(3-01)
其中
2 2 , diff n p
d D τ π = surf 2 d S τ = τdiff
为
少子
从样品体内扩散到表面所需时间。
τsurf
为由于样品表面复合产生的表面寿命，
τmeas
为样品的测试寿命，
d
为样品厚度，
Dn
，
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