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晶硅太阳电池效率提升方向及影响各电性能参数的因素

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-02-13 22:35
tags:

-

2021年2月13日发(作者:乡长)



提高丝网印刷太阳电池效率的路径



Roadmap to Enhance the Efficiency of a Screen Printed Solar Cell






生产程序概况如下


:



1



初始表面处理与绒面成型


(Etching



Cleaning and Texturing


Surfaces)




2




磷扩散 制


p/n


结与参数测试


(Phosph orus Diffusion and Test)




3




等离子周边刻蚀与表面腐蚀清洗


(Plasma


Etching


and


PSG


Chemical


Etching)




4




减反射 膜淀积,钝化与正面电场


(Si


3


N< /p>


4



Anti-reflection - AR


Coating)




5




丝网印刷电极和烧结背场(


Screen


Printing,


Sintering


and


Back


Surface Field






6



电池性能测试和分类


(Measurement and Sorting)




1970


年代至


2003


年左右,规模化生产太阳能 电池的效率最高


14


%。



低成本、


高效率,


< br>相互联系,


高效率是关键,


现在生产

18







光-电能量转换效率


η


为:



P


max


I


mp


V


mp


I


sc


V


oc


FF



?


?


?


?


P

< br>in


P


in


P

< br>in





在太阳能电池


I-V


特性曲线上作出


R


s




R


sh


(


Δ


V/


Δ


I


=


R


s


,< /p>


Δ


V/


Δ


I


= R


sh


)的图示。作出最大功率点


Pm


及表示


FF


的方框图,写出用


I,V


表示


FF< /p>



Pm


的公式。




I


R


sh


=


Δ


V/


Δ< /p>


I


Isc


I


m



Δ


V


Pm


Δ


I


Rs=


Δ


V/


Δ


I


Δ


V


V


m





Voc


Δ


I


V



FF


?


I


m< /p>


V


m






I


sc


V


oc


P


m


= I


m


V


m


= I


sc


V


oc


FF










p-n


结的品质与


FF


R


s




R


sh


的关系



1




与 能量转换效率


η


相关的参数


(


The Components of Efficiency


)





1



开路电压


V


oc


(


Open circuit voltage V


oc


)



V


oc


?


nkT


I


L


ln(


?


1


)



q


I


o



式中


, I


o


是无光照时电池的反向饱和电流


;q


是电子电荷


;k



玻尔兹曼常数


;T


是绝对温度


;n


是二极管理想因子


.



2


< p>
短路电流密度


J


sc


(< /p>


Short circuit current density J


sc


)








短路电流


I


sc



理想状态下,


应等于光生电流


I


L




< p>
I


sc



I


L







(


short


circuit


current,


I


sc


,


which


ideally


is


equal


to


the


light generated current I


L


)



3



填充因子


FF


(


Fill factor FF


)



填充因子

FF



FF


?

V


mp


I


mp

V


oc


I


sc



实际上是在有光照的


I



V


曲线内最大矩形面积的测量。

< p>


(


Fill


factor


defined


as


the


measure


of


squareness


of


the


illuminated I-V curve or



FF


?



P< /p>


max


I


mp


V


mp


I


sc


V


oc


FF


结果,能量转换效率


?


?




?


?


P


in


P


in


P


in


V


mp


I


mp


V


oc


I


sc


)



(


The energy conversion efficiency Eff.









?


?


P


max


I


mp


V< /p>


mp


I


sc


V< /p>


oc


FF


)


< /p>


?


?


P


in


P


in


P


in


2


.有那些参数影响开路电压


Voc


的呢?


(What parameters affect V


oc


)


材料-光伏有源材料:电阻 率


ρ


,少子寿命


τ

,其它杂质等


(


Material



active material,


ρ

τ



)




表面发射极掺杂层


(


Emitter< /p>


)




背面电场 (


BSF



(


Back surface field


)




漏电流-反向饱和电流



I


o



(


Leakage


currents




reverse


saturation


current


)




理想因子



n (


Ideality factor n


)




并联电阻



R


sh


(


Shunt resistance


)




钝化技术-电池材料的表面和内部的钝化


(


Pa ssivation




surface


and inner


)





3


.有那些参数影响短路电流


I


sc


的呢?


(Wh at


parameters


affect


the


short circuit currents)



绒面结构


(


Surface Texture


);



正面减反射膜


(


AR coating


)




表面发射极掺杂层-高或低的磷浓度


(


Emitter




high


or


low


surface phosphorus concentration


)




减少遮光损失


(


Reduce shading loss


)






串连电阻


R


s


(


Series resistance


);


背面反射


(


Back surface reflectance


)




钝化技术-电池材料的表面和内部的钝化


(


P assivation



surface


and inner


)





4



有那些 参数影响填充因子


FF


的呢?


(Wha t parameters affect the FF)



表面发射极掺杂层-高或低的磷浓度


(


Emitter




high


or


low


surface phosphorus concentration


)



< /p>



除周边


pn


结 和




硅玻



(


Remove


edge


junction


and


phosphorus silicon glass


)



串连电阻


R


s


(

< br>电极接触、金属指条宽度和纵横比大小


)(



Series


resistance (contact, finger etc)


);



正面减反射膜


(


AR coating


)




金属电极接触的烧结


(


Firing

< br>)




并联电阻



R


sh


(


Shunt resistance


)





5



有那些 参数影响填充因子


FF


的呢?


(Wha t parameters affect the FF)



等效电路


(Equivalent Circuit)







(在光照下的太阳电池)


(Illuminated Solar Cell)





电池结构(损失的成分)


Cell Structure (Loss Components)




Bus bar


Gridline


Co ntact


n


+


-Si


Shunting/


Leakage


Sheet


Bulk


Contact


S

< br>i


-


p


o


c



k


t


c


a


n


t


c


a


b










?


?


q


?


V


?


JR


s


?


?

< p>
?


?


?


q


?


V


?


JR

< br>s


?


?


?


?


V


?


JR


s


?


J


?


J< /p>


L


?


J


01


?


exp


?


.


?


n


kT


?


?


?


1


?

< p>
?


J


02


?


exp


?


?


n


kT


?


?


?


1


?


?


R

1


2


sh


?


?


?


?


?


?


?


?




6


.为了提高丝网印刷(


SP


)填充因子


FF


,必须解决下列问题:





(To improve SP fill factors, the following must be determined):




(< /p>


1



金属电极接触的烧结对总串连电阻< /p>


R


s


(特别是对


r


c


)的影响;






(effect of contact firing on the overall


R


series


(especially on r


c


))

< br>(


2



金属电极接触的烧结对< /p>


pn


结质量(并联电阻



R


sh



J

< br>02


)的影


响;



(impact of contact firing on junction quality (


R


shunt


and


J


o2


))





What parameters affect the FF


Cell Structure


(Loss


Components)


Equivalent Circuit


(Illuminated Solar Cell)


R


series


Bus b ar


Gridline


Contact


J


V


n


+


-S i


Shunting/


Leakage


Sheet


Bulk


Contact


J


sc


J


o1


J


o2


R


shunt

S


i


p


-


t


a


o


n


c< /p>



k


c


t


c


b


a


?

< p>
?


q


?


V


?


JR


s


?

< br>?


?


?


?


q


?


V


?


J R


s


?


?


?< /p>


?


V


?


JR


s


?


?


?


?


?


?


?


?


?


?


?

< br>V


J


?


J


L


?


?


J


0 1


?


?


exp


?


1


?


J


ex p


.


?


q


?< /p>


V


?


JR


q


V


?


?


?


1


JR


?


?

< p>
?


?


s


?


?


n


s


kT

< br>?


J


02


?

?


exp


02


?

< br>JR


s


?


?

?


?


?


?


J


?


J


L


?< /p>


J


01


?


exp


?


?


1


?


?


1


?


.


?


?


n


kT

< p>
R


1


?


sh


?


?


?


?

< br>n


kT


?


?

2


?


R


?


?


?


?


2


sh


?


?


?


?


n


1


kT


?


?


?


?


To improve SP fill factors,


the following must be determined:


?


effect of contact firing on the overall


R

< p>
series


(especially on


r< /p>


c


)


?


impa ct of contact firing on junction quality (


R


shunt


and


J


o2


)




*


减少遮光损失,提升了短路电流< /p>


J


sc


,从而提高了能量转换效率


η



*Reduce shading loss, improve J


sc


and increase


η



Final finger width


最后的金属指条宽




(


μ


m)


Shading


遮光所占的面




(%)


J


sc



Efficiency


Efficiency


Solarfun Std


短路电流


J


sc



能量转换效率


(mA/cm


2


)


η



能量转换效率


η


(%)


(林洋的标准)



(%)



150


120


100







6.3


5.0


4.2


34.4


34.8


35.3


16.7


16.9


17.2


17.3


17.5


17.8




附录


1< /p>


:太阳能电池能量转换效率


η



太阳能电池能量转换效率


η


式表示为

< p>
:




,



是最大输出电功率与相应的输入光功率之比


,



?


?


P

max


I


mp


V

< br>mp


I


sc


V

< br>oc


FF



?

< br>?


P


in


P

in


P


in


式中

< br>P


in


是太阳电池整个面积的总输入光功率


.


对于陆地上的应用


,


标准测试条


件是


:


一个太阳


, AM1.5G, 1000W/m


2


(



100mW/cm


2


), 25


o


C.




因此


,


太阳电池的三个参数


V


oc


,


I


sc





FF


就能确定太阳电池的效率


.


为了


获得高的效率


,


这三个参数应该尽可能高


.



(a)


为了获得高的开路电压



V


oc


,


< /p>


电池必须有低的正向暗电流


I


o


,


高的并联


电阻


R< /p>


sh


.


(b)


为了获得高的光电流


(


短路电流


I< /p>


sc


)


,


电池 材料和结构应该在紫光


,


可见光


和近红 外光谱范围有高的


,


宽的和平坦的光谱响应


,


内量子效率接近于


1.


(c)


为了获得高的填充因子


FF,


电池必 须有低的正向暗电流


I


o


,


理想因子



n




接近于


1,


串联电阻必须低


(


< 1

< p>
?


),


并联电阻


R


sh


必须大


(


> 10


2


?


·


cm


2


).



附录


2



太阳能电池的能量转换效率


?


与有源材料的带隙宽度


E

< p>
g


和反向饱和电



I


o


的直接关系



有 电流


I


通过外电路负载并跨过负载的电压为

V



,


光电流

< br>I


L



I


sc


= I


L,



那么


,


I


?


I


L


?


I


o


(


e


qV


nkT


?


1


)


?


I


sc


?


I


0


(


e


qV


(


e


nkT

< p>
qV


nkT


?


1


)



这时


,

< p>
电池的功率输出


P



:


P


?


IV


?< /p>


[


I


sc


?


I


o


?


1


)]


V



















式中


, I


o


是无光照时电池的反向饱和电流


;q


是电子电荷


;k


是玻尔兹


曼常数


;T


是绝对温度


;n


是二极管理想因子


.







dP



= 0,



即太阳电池最大的功率输出


P


max




:


dV


(


1


?


qV


mp


nkT


qV


mp


)


e


nkT


?


1


?


I


sc























I


o


式中


,


V


mp



是相应于最大功率输出点的电压


.


由 这个方程可以得到


I


sc


,


并代


入前面一式


,

< br>相应于最大功率输出点的电流


I


mp

可得到为


:



I

< br>mp


?


qV


mp


nkT


qV


mp


I

< p>
o


e


nkT











qV


mp


式中


,


e


nkT



可以从前面一式得到


,


代入再上一式


,


再从上面的效率公式


?


,



:



?


?


2


qV


mp


nkT


(


1


?


I


o


qV


mp


nkT


(


1


?


)


P


in


I


sc


)






I


o




I


o



与材料 带隙


E


g


相关


,


由经验公式给出


:


I


o


?


Ce


?


E


g


nkT


























式中


,


C is


是个常数


.


把它代入上面公式< /p>


,


可以看出


效率


?


,


直接与反向饱和电



I


o


相关


,


也就是直接与材料带隙


E


g


相 关


.


我们可以得出下面几点结论


:



(i)


材料带隙

E


g


越宽


,


吸收的光子数越少


,


导致电池的光电流


I


L


越低


,


短路电流


I


sc



,


则效率


?

越低


;


但是


,


带隙


E


g


越宽


,


导致电池的反向饱和电流


I


o


越小


,


因而


开路电压


V


oc


越大


,


则效率


?


越高

< p>
;



(ii)



材料带隙


E


g


越窄< /p>


,


电池的反向饱和电流


I


o


越大


,


因而开路电压< /p>


V


oc


越小


,



效率


?


越低


;


吸收了高能光子激发电子


-


空穴对后


,


能量的一部份转化为晶格


振动的热能


,


浪费了光的能量


;


但是


,


材料带隙


E


g


越窄


,


可被吸收的光子数


越多


,

< p>
因而光电流


I


L


越大


,


短路电流



I


sc


越大


,


则效率


?


越高


;



(iii)


最高的效率是处在材 料带隙


E


g


?



1.4


eV.


能量转换效率


?


与材料带隙


E


g< /p>


的关


系已经有图像曲线表证


.






附录


3



太阳能电 池的反向饱和电流


I


o


可表示为





qD


e


n


2


qD

< p>
h


n


2


i


i


I


o


?

A


(


*


F


p


?


*


F


n< /p>


)



L


e


N


A


L


h

< p>
N


D



式中,

< p>
A


为太阳能电池的横断面积;在括号内,第一项是对


p


形材料


的,第二项是对


n


形材料的;


q


是电子电荷量,


n


i



是本征浓度,在任何确


定的半导体材料,平衡态下


n


2


np



n


是负电荷载流子浓度 ,


p


是正电荷载


i

=


流子浓度;在


p


形材料中,


p


?


N


A




n


?


n< /p>


2


i


N


A



? p, 式中


N


A


是受主杂质


浓度;而在


n


形材料中,


n


?


N


D




p


?


n


2


i


N


D


? n, 式中


N


D


是施主杂质浓


?


?


度;离化了 的受主


N


A


带有净负电荷,

< p>
N


A


?



N


A



,和离 化了的施主


N


?


D

带有


净正电荷,


N


?


D


?


N


D


. F


p




p< /p>


形材料一边的背面复合因子和


F


n



n


形材料


一边的正 面复合因子。




从这个公式可知, 要降低太阳能电池的饱和电流


I


o


(


也就是提高开路


电压


V


oc


),


就需要提高掺杂的杂质浓度


N


A



N


D


。但这样做 也有反作用,杂


质浓度不能太高。当掺杂的杂质浓度


N


A



N


D

< p>
增加时,少数载流子寿命


τ


少数载流子扩散长度


L


和载流子迁移率

μ


都会减少。


高掺杂的杂质浓度


N


A



N


D< /p>


趋于降低饱和电流


I


o

< br>而提高开路电压


V


oc



硅片越薄,


越会降低体内复合,


降低饱和电流


I


o


提高


V< /p>


oc


。但是光吸收减少了,导致短路电流下降了,这就

< p>
需要引进光陷技术来补偿。





附录


4


:< /p>


影响电池性能


V


oc


I


sc



FF


的因素


:




V


oc


:



(Si)


基片性质

< br>(


晶向


,p


< br>/n



,


电阻率


,


少子寿命等


),p/n


结掺 杂浓度


,


电池结构形式


,


并联电阻等


;


I


sc


:


硅 基片性质


(


少子寿命等


),

< p>
表面反射


,


光陷作用


,


硅片对光不全吸



,p/n

< p>
结对载流子不全收集和收集面积等


;


FF


:



( Si)


基片性质


(


电阻率


,


少子寿命等


),


电池结构


,


电极接触


,


串联电


阻,并联电阻等


.



目的


:


提高


V


oc


, I


sc


,



FF,


要有高效率,同时也要降低成本


(

采用便宜的材


料与工艺方法


).



措施


:


衬底材料质量,


绒面


,


前场


,


浅结


,


细密栅和高纵横比


,


减反射膜


,

-


-


-


-


-


-


-


-



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