电压基准源选型

就是一个这样的电路。负载电流在

10

0?

A

至

50mA

范围 变化时，具有

1.5%

(

最大

)

的初始精度。此类

IC

的典型应用如图

1

所示。

图

1.

选择合适的并联电阻

所有的并联结构基准都需要一个与其串联的限流电阻。可以按照下式选择电阻：

(VIN(max)-VSHUNT(min))

/

(ISHUNT(max)+

ILOAD(min))

<

RS

<

(VIN(min)

-VSHUNT(max))

/

(ISHUNT(min)

+

ILOAD(max))

其中：

VIN

是输入电压

VSHUNT

是调节后的电压

ILOAD

是输出电流

ISHUNT

是最小并联工作电流。

注意，无论是否加有负载，并联电路消耗的电流都是

ILOAD (max)

+

ISHUNT

。

选择合适的

RS

，相同的并联基准源可以用于

10Vin

或

100Vin

。为

RS

的最大 标称阻值对应于最小的电流消耗。注意，要保证一个满足电阻误差容

限最差时的安全余量 。利用下式，可确保电阻有足够的额定功率：

PR

=

IIN(VIN(max)

-

VSHUNT)

=

I2INRS

=

(VIN(max)

-

VSHUNT)2/RS

带隙基准源和串联模式拓扑

并联基准源和串联基准源的最大不同是三端串联模式电压基准 不需要外部电阻，并且静态功耗要小得多。最常见的是带隙基准源。

带隙基准

带隙基准源提供两个电压：一个具有正温度系数、另一个具有负温度系数。两者配合使输出温度系数为零。

正温度系数是由于运行在不同电流水平上 两个

Vbe

的差异产生的；负温度系数来自于

< br>Vbe

电压本身的负值温度系数

(

见图

2)

。

在实际应用中，两个温度系数之和并不精确为零。这依赖于很 多设计细节，如

IC

电路设计、封装和制造测试等，这些器件通 常可以实现每摄氏度

5

至

100ppm

的

Vout

温度系数。

图

2.

带隙电压基准源

< br>采用并联还是串联结构一般由应用和希望达到的性能决定。表

1

< br>是并联结构的齐纳基准与串联结构的带隙基准的对照表。

表

1.

电压基准对照表