-
MOS
管测试方法
V(BR)DSS
：漏
-
源击穿电压
(
破坏电压
)
V(BR)DSS
（有时候叫做
BVD
SS
）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极
电流达到
一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。
< br>V(BR)DSS
是正温度系数，
温度低时
V(BR)DSS
小于
25℃时的漏源电压的最大额
定
值。在
-
50℃,
< br> V(BR)DSS
大约是
25℃时最大漏源额定电压的
90%
。
VGS(th)
，
VGS(off)<
/p>
：阈值电压
VGS(th)
是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，
或关断
M
OSFET
时电流消失时的
电压，测试的条件（漏极电流，漏源
电压，结温）也是有规格的。正常情况下，
所有的
MOS
栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，
VGS(th)
的变化范围是规
定好的。
VGS(th)
是负温度系数，当温度上升时，
MOSFET
将
会在比较低的栅源电
压下开启。
RDS(on)
：导通电阻
RDS(on)
是指在特定的漏电流（通常为
I
D
电流的一半）、栅源电压和
25℃的情
况下测得的漏
-
源电阻。
IDSS
：零栅压漏极电流
IDSS
是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏
电流。既
然泄漏电流随着温度的增加而增大，
IDSS
在室温和高温下都有规定。漏电流造
成的功耗可以用
IDSS
乘以漏源之间的电压计算，
通常这部分功耗可以忽
略不计。
IGSS
―栅源漏电流
IGSS
是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。
VDSS
：栅源短接情况下，测试漏源耐电压
VGS(th)
：漏栅源短接情况下，测试阀值电压
MOS
管（
MOSFET
）的测试方法
:
场效应管
,<
/p>
如果已知型号与管脚
,
用万用电表测
G
（栅极）和
S
（
源极）
之间
,G
与
D
（漏极）之间没有
PN
结电阻<
/p>
,
说明该管子已坏
.
用万用电
表的
R×1k
Ω
档
,
其表棒分别接在场效应管的
S
极和
D
极上
,
然后用手
碰触管子和
G
极
,
若表针不动
,
说明管子不好
;
若表针有较大幅度的摆
动
,
说明管子可用
.
MOS
管测试方法
另外
:1
、
结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别
（
1
）从包装上区分
由于绝
缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏
,
所以管脚之间一般都是<
/p>
短路的或是用金属箔包裹的
;
而结型场效
应管在包装上无特殊要求
.
（
2<
/p>
）用指针式万用表的电阻档测量
用万
用表的“R×lk”档或“R×100”档测
G
、
S
管脚间的阻值
,N
结
的正、反向阻值
,
此管为结型管
.
2
、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚
一般用
R×1k
< br>或
R×100
档进行测量
,
测量时
,
任选两管脚
,
测正、
反向
电阻
< br>,
阻值都相同（均为几千欧）时
,
该两极分别为
D
、
S
极（在使用
时
,
这两极可互换
）
,
余下的一极为
由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏
,
所以不使用此
方法进行管脚
识别
,
一般以查手册为宜
.
简单方法检测
IGBT
模块的好坏：
l
、判断极性首先将万用表拨在
R×1K 。挡，用万用表测量时，
若某一极与其它两极阻值为
无穷大，
调换表笔后该极与其它两极的阻
值仍为无穷大，则判断
此极为栅极（
G
）。其余两极再用万用表测
量，若测得阻值为无穷大，
调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较
小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（
C
）
：黑表笔接的为发
射极（
E
）。