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AM29F040
4
兆位（
524,288 x 8
位）的
CMOS5.0
伏特，扇区擦除闪存
。
特色鲜明
■
5.0 V
的±
10
％的读取和写入操作
—
降低系统级功率要求
■
符合
JEDEC
标准兼容
—
引脚和软件兼容的单电源闪存
—
高级无意写保护
■提供闪存
—
高级无意写保护
■
封装选项
—
32
引脚
PLCC
—
32
引脚
TSOP
—
32
引脚
PDIP
■
最小
100,000
次写
/<
/p>
擦除周期保证
■
高性能
—
55
ns
的最大访问时间
■
扇区擦除架构
—
统一部门，每个
< br>64K
字节
—
可擦除任何部门结合。还支持整片擦除。
■
扇区保护
—
硬件的方法，禁止任何扇区，写或擦除操作的组合
■
嵌入式擦除算法
—
自动预方案和擦除芯片或任何扇区
■
嵌入式程序算法
—
自动程序和数据验证在指定地址
■
编程或擦除周期完成检测数据查询和触发位功能
■
擦除暂停
/
恢复
—
支持从没有被抹去扇区读取数据
■
低功耗
—
最大
20
mA
读取电流
—
30 mA
最大编程
/
擦除电流
一般说明
AM29F040
是
4
兆位，只有
5.0
V
的闪存，是一个
512K
×
8bit
大小。
AM29F040
被一个
32
位的引脚封装提供。
芯片被设计为在系统编程并且是标准体系的
5.0
V
VCC
电源提供。一个
12.0 V<
/p>
的
VPP
是不需要提供写或擦除操作。该
装置还可以
在标准
EPROM
编程器重
新编程。
标准
AM29F040
提供
55
ns
和
150
ns
的存取时间，允许高速微处理器的运作，没
有等待状态。
为了消除总线争用，
设备具有独立的芯片使能
< br>（
CE
）
，
写使能
（
WE
）
< br>和输出使能（
OE
）来控制。
AM2
9F040
是设置与
JEDEC
单电源
闪存完全标准兼容的命令。命令写入命令寄存
器使用标准微处理器写时序。
寄存器的内容作为输入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。
写周期内部也锁存地址和编程和擦除操作所需的数据。
读取数据的设
备是类似于从
12.0
伏读
Flash
或
EPROM
设备。
AM29F040
被编程执行程序命令序列。这将调用的嵌入式程序算法，这是一个内
部算法，
自动时间程序脉冲宽度和验证适当的电源保证。
通常情况下，
每个扇区
都可以进行编程，
并在不到一秒的验证
。
执行擦除命令序列完成擦除。
这将调用
的嵌入式擦除算法，
这是一个内部的算法，
自动
preprograms
数组，
如果它尚未
被编程执行擦除操作前的嵌入式擦除算法。
在擦除时，
< br>设备会自动擦除脉冲宽度，
并提供适当的电源保证。
任何个别扇区通常被擦除，并在
1.
5
秒内验证（如果已经完全预先设定）。
该装置还设有部门擦除架构。
该部门
的模式允许内存
64K
字节块，
不影响
其他块
被擦除和重新编程。
AM29F040
< br>出厂时已经被擦除。
该芯片具有单个
5.0
V
电源操作的读取和写入功能。
内部产生和调节电压提供程
< br>序和擦除操作。
低
VCC
检测器
自动抑制写操作上的功率损耗。
编程或者擦除是通
过数据位
DQ7
或者通过触发位
DQ6
。一旦编程或擦除周期结束时已经完成，内部
设备重置只读模式。
AMD
的闪存技术，
结合多年的
EPROM
和
E2PROM
的经验，生产的质量，可靠性和
成本效益最高。
AM29F040
内存电擦除整个芯片或者是擦除一个扇区内所有位时
是通过福勒
-Nordhiem
隧道技术。
灵活扇区擦除架构
■八个
64K
字节扇区
■个别扇区，多个部门，或批量擦除能力
■单个或多个扇区的保护，是可以被用户自定义的
连接图
引脚
地址
DQ0-DQ7
CE
OE
WE
表
29
F040
引脚配置
功能
输入
A0-A18
< br>数据的输入
/
输出
启用使能
输出使能
写使能
器件接地
设备电源供应器（
5.0
伏±
10
％或±
5
％）
VSS
VCC
订购信息
标准产品
AMD
标准的产品，
可以在几个包和经营范围。
组合形成的顺序号码
（有效
组合）
：
AM29F040
-75
J
C
B
可选的加工
Blank=
标准的进程
B = Burn-In
温度范围
C =
商用（
0
°
C
至
+70
°
C
）
I
=
工业级（
-40
°
< br>C
至
+85
°
< br>C
）
E =
< br>扩展级（
-55
°
C
至
+125
℃）
速度选项
请参阅产品选择指南
有效组合
器件编号
< br>/
说
明
AM29F0404
兆位（
524,288
x
8
位）
C
MOS5.0
伏特，扇区擦除
快闪存
封装类型
P
=32
引脚塑封
< br>DIP
（
PD
的
032
）
J
=32
引脚矩形塑料有引线
芯片
载波（特等
032
）
=32
引脚薄型小尺寸封装
有效组合
AM29F040-55
AM29F040-70
AM29F040-75
AM29F040-90
AM29F040-120
AM29F040-150
JC,
EC, FC
JC, EC, FC,
JI, EI, FI
PC,
PI, JC, JI, PCB,
PIB, JCB, JIB, PE,
PEB, JE, JEB, EC,
EI, FC,
FI, EE, EEB,
FE, FEB
有效组合
有效组合列表配置计划，
以支持在该设备的体积。
请咨询当地的
AMD
销售办公室，
以确认具体的有效
组合的可用性和检查对新发布组合。
表
29F040
用户总线操作
操作
CE
OE
WE
A0
A1
A6
A9
I/O
自动选择的制造商代码
（
1
）
L
L
H
L
L
L
VID
Code
自动选择设备代码（
1
）
L
L
H
H
L
L
VID
Code
阅读（
4
）
L
L
H
A0
A1
A6
A9
DOUT
待机
H
X
X
X
X
X
X
HIGH Z
输出禁用
L
H
H
X
X
X
X
HIGH Z
写
L
H
L
A0
A1
A6
A9
DIN(2)
验证部门保护（
3
）
L
L
H
L
H
L
VID
Code
自动选择设备撤消代码
L
L
H
H
H
L
VID
Code
图例：
L
为
逻辑
0
，
H
=
逻辑
1
，
X
=
不关心。电压等级的直流特性。
注释：
1.
制造商和设备代码，也可以通过命令寄存器写入序列访问。请参阅表
3
< br>和
4
。
2.
写操作过程中，请参阅表
4
为有
效的
DIN
。
3.
扇区保护，请参阅第。
4.
WE
端可以置成
V
IL
如果
OE
是
VIH
，
OE
在
VIH
上启动写操作。
读模式
的的
AM29F040
有两个控制必须满足，为了获得在输出数据的功能。
< br>
CE
是功
率控制和设备选型应
使用。使能
OE
端为输出控制，如果被选中的设备，应采用
门数据输出引脚。
地址存取时间（
TACC
）等于从稳定的地址到有效数据输
出的延迟。芯片使能存
取时间（
TCE
）是从稳定地址的延迟和稳定的
CE
使能端输出引脚的有效数据
。