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MIL-
STD-883
仍然是集成电路可靠性升级的最好依据
以前，
MIL-STD-88
3
一直是满足高可靠性应用的通用标准，但是随着
COTS
的推广，
采用军用规范开始减少，
很多军用
和航空项目开始转向用提高商用元器
件等级的方法来满足专用需求。
成功提高
IC
等级
（现在也称做向上筛选）
的关键在于明确应
用的准确需求。
还有一个重要的问题就是，了解预期供货商在元器件级高可靠性方面的传
统情
况，
最好选择一个在其设计和生产过程以
< br>MIL-STD-883
为基础的厂商。
目前很多
IC
厂商都在过程流程中都采用了
MIL-
STD-883
的部分规范。
在评价
IC
供货商时，可靠性历史、可
靠的技术基础和设计实践是理想的选
择出发点。
然后再根据详细
的内容来选择供货商，
如最优的过程技术可用性、
在
复杂数据收集和保持所支持的生产过程中合适的检查和测试技术。
为什么选择
MIL-
STD-883
采购方对对抗环境和任务关键条件下应用的
COTS IC
坚持要求商用等级
IC
产品有更严格的生产
技术、
流程和资格，
从而拉动了为适应军用要求进行的非破
坏性试验，来克服早期半导体中出现失效。
除了非破坏性试验，
其他由
MIL-S
TD-883
引出的试验和程序也在商用实践中
找到了相应的应
用。“类似
883”的试验很快成为商用
IC
< br>生产流程质量审核中
的可靠性检验条款。（见表
1
）。
表<
/p>
1
给出的是向供货商推荐的在认为器件适合升级之前应该对其标准
的
COTS
IC
产品所进行的生产试
验、检查和程序。值得注意的是，这些最好的商业
时间产品流程与
MIL-
STD-883
过程是非常相似的。也就是说，
MIL-STD
-883
仍然
为成功实现升级提供了很好的基础。
表
1
高可靠器件的
MIL-STD-883
组合
/
试验
/
筛选工程流程比较
高可靠器件的
MIL-STD-883
组合
/
试验
/
筛选工程流程比较
芯片外观检查
<
/p>
（二次目测，
TM2010
）
条件
B*
芯片粘着试验
（螺栓牵拉，
TM2027
）
批次合格
*
破坏性引线结合牵拉试验
（
TM2011
，条件
D
）
批次合格
*1
内部检查
（三次目测，
TM2010
）
条件
B*
（
100%
）
抗溶解性
（标记不变性，
TM2015
）
批次合格
*
温度循环
（
TM1010
）
10
个循环，条件
C
恒定加速
（离心机，
TM2001
）
条件
D
粗细检漏
需要
2
室温电试验
（商用试验）
需要
*
动态内燃
（
TM1015
）
80hrs
，150℃
室温下过内燃电试验
需要
允许缺陷百分比
（
< br>PDA
，
TM5004
）
PDA<5%
总体
< br>在
-
55℃和+125℃的最后电试验
< br>
需要
3
室温下
QA
电试验
注
4
外部外观检查
需要
*
器件封装（存储）
需要
*
A
组
（组合特定批次点参数试验）
在注
3
温度下
100%
B
组
（组合特定批次试验）
B
等级
B
组试验
注：
*.
表示大多数厂商对商用产品都会进行的测试；
1.
对
MIL-STD-883
，至少
4
单元
/<
/p>
批次，
10
线路
/
单元；
2.
通常对
QA
样本所做的商用试验；
3.
在室温下进行的商用最后电试验；
4.
商用
-0.1%
AQL
样本试验，
MIL-
STD-883
所需流程；
5.
商用流程中大多数可编程产品做的模型试验。
可靠性是任务关键应用中的关键因素
什么样的选择会使
COTS
成为基于<
/p>
MIL-STD-883
解决方案的可用替代品的可
能性增加呢？采用
COTS
IC
< br>的趋势主要是受到了专用标准发展的推动。
其他推动
力还
包括：
· 改进的生产专
业技能和技术使得
IC
可靠性得到增加；
· 高可靠专业技能和实践向商用
IC
生产的转移；
· 缩短的产品和生产过程寿命周期；
· 再设计费用的增加；
· 专用集成电路（
ASIC
）非循环工程费用极限的提高；
但是，这些推动因素的存在仅仅是作为一个积极的因素，对某些类似于
< br>883
的条款还有待于更深入详细的研究。
无论是
MIL-STD-88
3
还是基于
COTS
升级的解决方案，
最终还是需要供货商
有很好的非间断性可靠性传统。
这种历来的
可靠性传统必须是在相当长的时期内
覆盖生产过程的整个范围经过连续论证的熟练或精通
程度。
而且，
这种传统必须
经过由可获
得的连续可靠性数据流得到的测试结果来验证。
通过图
1
可靠性金字
塔可以看出可靠性要素不间断连续性的重要性。
图
1
可靠性金字塔，为成功获得最佳
升级定义了供货商所需的可靠性要素。
COTS <
/p>
IC
的可靠性对任务成功是非常重要，它是在形成金字塔的几个步
骤的
连续向上的情况下建立起来的。内置
IC
< br>产品可靠性的基础是在能够实施一套连
续设计原则方面的固有技术，
实现具有最小长期漂移的稳定半导体过程。
在此基
础
上建立更高的层次：健全的生产实践。
可靠性金字塔的第三层含有精确、
可追踪可靠性数据的完善数据库，
可以对
过程和实践进行监控。
但是大多数精确详
尽的可靠性数据都无法解决任何下面两
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