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CP
、
FT
、
WAT
CP
是把坏的
Die
挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道
Wafer
的良率。
FT
是把坏的<
/p>
chip
挑出来；检验封装的良率。
<
/p>
现在对于一般的
wafer
工艺，很多公
司多把
CP
给省了；减少成本。
CP
对整片
Wafer
的每个
Die
来测试
而
FT
则对封装好的
Ch
ip
来测试。
CP
Pass
才会去封装。然后
FT
，确保封装后也
Pass
。
WAT
是
Wafer
Acceptance
Test
，对专门的测试图形（
test key
）的测试，通过电参数来监控各
步工艺是否正常和稳定；
CP
是
wafer
level
的
chip probing
，
是整个
wafer
工艺，
包括
backgrinding
和
backmetal
（
if need
）
，
对一些基本器件参数的测试，
< br>如
vt
（
阈值电压）
，
Rdson
（导通电阻）
，
BVdss
（
源漏击穿电压）
，
Igss
（栅源漏电流）
，
Idss
（漏源漏电流）等，一般测试机台的电压和
功率不会很高；
FT
是
packaged chip
level
的
Final
Test
，主要是对于这个
（
CP p
assed
）
IC
或
< br>Device
芯片应用方
面的测试，有些甚至是待机测试
；
Pass
FP
还不够，还需要做
process qual
和
product qual
CP
测试对
Memory
来说还有一个非常
重要的作用，那就是通过
MRA
计算出
chip
level
的
Repair
address
，通过
Laser Repair
将
CP
测试中的
Repai
rable die
修补回来，这样保证了
yield
和
reliability
两方面的提升。<
/p>
CP
是对
wa
fer
进行测试，检查
fab
厂制造的
工艺水平
FT
是对
< br>package
进行测试，检查封装厂制造的工艺水平
对于测试项来说，
有些测试项在
CP<
/p>
时会进行测试，
在
FT
< br>时就不用再次进行测试了，
节省了
FT
< br>测试时间；但是有些测试项必须在
FT
时才进行测试（不
同的设计公司会有不同的要求）
一般来说，
< br>CP
测试的项目比较多，比较全；
FT
< br>测的项目比较少，但都是关键项目，条件严
格。但也有很多公司只做
FT
不做
CP
（如果
FT
和封装
yield
高的话，
CP
就失去意义了）
。
在测试方面，
CP
比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。
FT
相对来
说简单一点。
还有一点，
memory
测试的
CP
会更难，因为要做
redu
ndancy analysis
，写程序很麻烦。
CP
在整个制程中算是半成品测试，
目的有
2
个，
1
个是监控前道工艺良率，另一个是降低
后道成本（避免封装过多的坏芯片）
，其能够测试的项比
FT
要少些。最简单的一个例
子，碰
到大电流测试项
CP
肯定是不测
的（探针容许的电流有限）
，这项只能在封装后的
FT
测。不
过许多项
CP
测
试后
FT
的时候就可以免掉不测了
（可
以提高效率）
，
所以有时会觉得
FT<
/p>
的测
试项比
CP
少很多。
应该说
WAT
的测试项和
CP/FT
是不同的。
< br>CP
不是制造（
FAB
）测的！
而
CP
的项
目是从属于
FT
的（也就是说
CP
测的只会比
FT
少）
，项目完全一样的；不同的是
卡的
SPEC
< br>而已；
因为封装都会导致参数漂移，
所以
CP
测试
SPEC
收的要比<
/p>
FT
更紧以确保最
终成品
FT
良率。
还有相当多的
DH
把
wafer
做成几个系列通用的
die
，
在
CP<
/p>
是通过
trimming
来定向确定做成
其系列中的某一款，
这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案；
所以除非你
公司的
wafer
封装成<
/p>
device
是唯一的，且
WAT
良率在
99%
左右，才会盲封的。
据我所知盲封的
DH
很
少很少，风险实在太大，不容易受控。
WAT
：
wafer level
的管芯或结构测试
CP
：
wafer level
的电路测试含功能
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