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CP
是把坏的
Die
挑
出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道
Wafer
的良率。
FT
是把坏的
chip
挑出来；检验封装的良率。
现在对于一般
的
wafer
工艺，很多公司多吧
CP
给省了；减少成本。
8 %
ＣＰ
对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试
而ＦＴ
则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。
ＣＰ
Ｐａｓｓ
才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。
WAT
是
Wafer
Acceptance
Test
，对专门的测试图形（
test key
）的测试，通过电参数来监
控各步工艺是否正常和稳定；
CP
是
wafer
level
的
chip probing
，是整个
wafer
工艺，包括
ba
ckgrinding
和
backmetal
< br>（
if
needed
），对一
些基本器件参数的测试，如
vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss
等，一般测试
机台的电压和功率不会很高；
FT
是
packaged chip
level
的
Final
Test
，主要是对于这个（
CP passed
）
IC
或
Device
芯
片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；
Pass
FT
还不够，还需要作
process
qual
和
product qual
CP
测试对
Memory
来说还有一
个非常重要的作用，
那就是通过
MRA
计算出
chip
level
的
Repair
address
，通过
Laser R
epair
将
CP
测试中的
Repairable die
修补回来，这样保证了
yield
和
reliability
两方面的提升。
CP
是对
wafer
进行测试
,
检查
fab
厂制造的工艺水平
FT
是对
pac
kage
进行测试
,
检查封装厂制造的
工艺水平
对于测试项来说
,
有些测试项在
CP
时会进行测试
,
在
FT
时就不用再次进行测
试了
,
节省了
FT
测试时间
;
但是有些测试项必须在
FT
时才进行测试
(
不同的设计公司会
有不同的要求
)
一般来说，
CP
测试的项目比较多，比较全；
FT
测的项目
比较少，但都是关键项目，条件严
格。但也有很多公司只做
FT
不做
CP(
如果
FT
和封装
yield
高的话，
CP
就失去意义了
)
。
在测试方面，
CP
比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。
FT
相对来说简单一点。
还有一点，
memory
测试的
CP
会更难，因为要做
redundancy analysis,
写程序很麻烦。
CP
在整个制程中算是半成品测试，
目的有
2
个，
1
个是监控前道工艺良率，
另
1
个是降低后
道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比
FT
要少些。最简单的一个例子，碰
到大电
流测试项
CP
肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能
在封装后的
FT
测。
不过许多项
CP
测试后
FT<
/p>
的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得
FT
的测试项比
CP
少很多。
应该说
WAT
的测试项目和
CP/FT
是不同的。
CP
不是制造（
FAB
）
测的
!
而
CP
的项目是从属于
FT
的（也就是说
CP
测的只会比
FT
少）
< br>，项目是完全一样的；不同的
是卡的
SPEC
而已；
因为封装都会导致参数漂移，
所以
CP
测试
SPEC
收的
要比
FT
更紧以确保
% Q)
`8
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