-
半导体制造的常用名词
[
2007-5-9 17:11:00 | By: sexlex ] 1. acceptance
testing
(WAT: wafer acceptance testing
2. acceptor:
受主,如
B
,掺入
Si
中需要接受电子
3.
ACCESS
:一个
EDA
(
Engineering Data
Analysis
)系统
4.
Acid
:酸
5. Active
device
:有源器件,如
MOS
FET
(非线性,可以对信号放大)
6. Align
mark(key
:
对位标记
7.
Alloy
:合金
8.
Aluminum
:铝
9.
Ammonia
:氨水
10. Ammonium
fluoride
:
NH4F 11.
Ammonium hydroxide
:
NH4OH 12.
Amorphous silicon
:
α
-Si
,
非晶硅(不是多晶硅)
13. Analog
:模拟的
14. Angstrom<
/p>
:
A
(
1E-1
0m
)埃
15.
Anisotro
pic
:各向异性(如
POLY
ETCH
)
16. AQL(Acceptance
Quality Level
:接
受质量标准,在一定采样下,
可以
95%
置信度通过质量标准(不同于可靠性,可
靠性要求一定时间后的失效率)
17.
ARC(Antireflective coating
:抗反射层(用于
METAL
等层的光刻)
18.
Antimony(Sb
锑
19.
Argon(Ar
氩
20.
Arsenic(As
砷
21.
Arsenic
trioxide(As2O3
三氧化二砷
22.
Arsine(AsH3 23. Asher
:去胶机
24. Aspect
ration
:形貌比(
ETCH
中的深度、宽度比)
25. Autod
oping
:自搀杂(外延时
SUB
的
浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外延层)
26. Back end<
/p>
:后段
(
CONTACT
以后、
PCM
测试前)
27. Baseline
:标准流程
28.
Benchmark
:基准
29.
Bipolar
:双极
30.
Boat
:扩散用(石英)舟
31.
CD
:
(
Critical Dimension
)临
界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如
POLY
CD
为多晶条宽。
32.
Character window
:特征窗口。用文字或数字
描述的包含工艺所有特性的一个方形
区域。
33.
Chemical-mechanical polish
(
C
MP
):化学机械抛光法。一种去掉圆片
表面某种物质的方法。
34. Chemical vapor deposition
(
CVD
):化学汽相淀积。一
种
通过化学反应生成一层薄膜的工艺。
35.
Chip
:碎片或芯片。
36.
CIM
:
computer-integrated manu
facturing
的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一种综
合方式。
37. Circuit design
:电
路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能
的技术。
38. Cleanroom
:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要<
/p>
求的特定区域。
39. Compensation dopi
ng
:补偿掺杂。向
P
型半导体掺入施
主杂质
或向
N
型掺入受主杂质。
40.
CMOS
:
complementary metal
oxide semiconductor
的
缩写。一种将
p>
PMOS
和
NMOS
在同一个硅衬底上混合制造的工艺。
41.
Computer-
aided design
(
CAD
):计算机辅助设计。
42.
Conductivity type
:传导类型,由多
数载流子决定。在
N
型材料中多数载流子是电子,在
P
型材料中多数载流子
是空
穴。
43. Contact
:
孔。在工艺中通常指孔
1
,即连接铝和硅的孔。
44. Control
chart
:控制图。一
种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45.
Correlation
:相关性
。
46.
Cp
:工艺能力,详见
process
capability
。
47.
Cpk
:工艺能力指数,详见
process
capability index
。
48. Cycle
time
:圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的
时间。通常
用来衡量流通速度的快慢。
49. Damage
:损伤。对
于单晶体来说,有
时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect
density
:
缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant
p>
:耗尽注入。一种
在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。(
耗尽晶体管指在栅压为零的情况
下有电流流过的晶体管。)
52. Depletion layer
:耗尽层。可动载流子密度远低于施
主和受主的固定电荷密度的区域。
53. Depletion wi
dth
:耗尽宽度。
53
中提到的耗<
/p>
尽层这个区域的宽度。
54. Deposition
:淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不
和下面层次发生化学反应的薄
膜的一种方法。
55. Depth of focus
(<
/p>
DOF
):焦深。
56. design of experiments (DOE
:为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数
据结果的统计合理性等目的,所
设计的初始工程批试验计划。
57. develop
:显影
(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶,形成所需图形的过程)
58.
developer
:
Ⅰ)显影设备;
Ⅱ)显影液
59. diborane (B2H6
:乙硼烷,一种无色、易挥发、有
毒的可燃气体,常用来作为半导体生产
中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2
:二
氯甲,一种无色,不可燃,不可爆的液体。
61. dichlorosilane (DSC
:二氯甲硅烷,
一种可燃,有腐蚀性,无色,在潮湿环境下易水解的物质,常用于硅外延或多晶硅
的
成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die
:硅片中一个很
小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂
直方向上的部分划片
槽区域。
63.
dielectric
:Ⅰ)介质,一种绝缘材料;
Ⅱ)用于陶瓷或塑料封装的表
面材料,可以提供电绝缘功能。
64. diffused layer
:扩散层,即杂质离子通过固态
扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65.
disilane (Si2H6
:乙
硅烷,一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体,燃烧时能产生高
火焰,暴露在空气中会自燃
。在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66. drive-
in
:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67. dry etch
:干
刻,指采用反应气体或电离气体
除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐
蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68. effective layer thickness
:有效
层厚,指在外延片制
造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69. EM
:
electromigration
,电
子迁移,指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自
扩散过程。
70.
epitaxial layer
:外延层。半导体技术中,在决定晶向的基质衬
底上生长一层单晶半导
体材料,这一单晶半导体层即为外延层。
71.
equipment
downtime
:设备状态异常以及不
能完成预定功能的时间。
72. etch
:腐蚀,运用物<
/p>
理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposu
re
:曝光,使感光材料感光或
受其他辐射材料照射的过程。<
/p>
74.
fab
:常指半导体生产的制造工厂。
75.
feature
size
:特征尺寸,指单个图形的最小物理
尺寸。
76. field-effect transistor
< br>(
FET
):
场效应管。包含源
、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏的多子流驱动而工作,多子流
由栅下的横向电场控制。
77.
film
:薄膜,圆片上的一层或多层迭加的物质。
78.
flat
:平边
79.
flatband capacitanse
:平带电容
80. flatband voltage
:平带电压
81.
flow
coefficicent
:流动系数
82. flow
velocity
:流速计
83. flow
volume
:流量计
84.
fl
ux
:单位时间内流过给定面积的颗粒数
85.
forbidden energy gap
:禁带
86.
four-
point
probe
:四点探针台
87. functional
area
:功能区
88. gate
oxide
:栅氧
89. glass
transition
temperature
:玻璃态转换温度
90.
gowning
:净化服
91. gray
area
:灰区
92.
grazing incidence
interferometer
:切线入射干涉仪
93.
hard bake
:后烘
94.
heteroepitaxy
:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
< br> 95. high-current implanter
:
< br>束电流大于
3ma
的注入方式,用于批量生产
96. hign-efficiency particulate air(HEPA p>
filter
:高效率空气颗粒过滤器,去掉
99.97%
的大于
0.3um
的颗
粒
97. host
:主机
98.
hot carriers
:热载流子
99. hydrophilic
:亲水性
100.
hydrophobic
:疏水性
101.
impurity
:杂质
102.
inductive coupled
plasma(ICP
:感应等离子体
103. inert
gas
:惰
性气体
104.
initial oxide
:一氧
105.
insulator
:绝缘
106. isolated
line
:隔离线
107.
implant :
注入
108.
impurity n :
掺杂
109.
junction :
结
110. junction
spiking n :
铝穿刺
111. kerf :
划片槽
112. landing pad n AD 113. lithography n
制版
114. maintainability,
equipment :
设备产能
115. maintenance n :
保养
116.
majority carrier n :
多数载流子
117. masks,
device series of n :
一成套光刻版
118. material n :
原料
119.
matrix n 1 :
矩
阵
120. mean n :
平均值
121.
measured leak rate n :
测得漏率
122. median n :
中间值
123. memory n :
记忆体
124. metal n
:
金属
125. nanometer (nm n
:纳米
126.
nanosecond (ns n
:纳秒
127. nitride etch n
:氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2
n
:
氮
气,一种双原子气体
129.
n-type adj
:
n
型
130. ohms per square
n
:欧姆每平方
:
方
块电阻
131.
orientation n
:
晶向,一组晶列所指的方向
132. overlap n
:
交迭区
133.
oxidation n
:氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的
化学反应
134. phosphorus (P n
:磷
,一种有毒的非金属元素
135. photomask
n
:光刻版,用于光刻的版
136. photomask, negative
n
:反刻
137.
images
:去掉图
形区域的版
138. photomask, positive
n
:正刻
139. pilot n
:先行批,用以验证该工
艺是否符合规格的片子
140.
plasma n
:等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积的电离
气体
141. plasma-enhanced chemical vapor
deposition (PECVD n
:
等离子体化学气相
淀积,低温条件下的等离子淀积工艺
142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition
n
:
TEOS
淀积,淀积
p>
TEOS
的一种工艺
143. pn
junction
n
:
pn
结
144. pocked bead
n
:麻点,在
20X
下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization n
:偏振,描
述电磁波
下电场矢量方向的术语
146. polycide
n
:多晶硅
/
金属硅化物,
解决高阻
的复合栅结构
147.
polycrystalline silicon (poly n
:多晶硅,高浓度
掺杂(
>5E19
)的
硅,能导电。<
/p>
148. polymorphism n
:多态现象,多晶形
成一种化合物以至少两种不
同的形态结晶的现象
149.
prober n :
探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设
备,用以连接圆片和检测设备。
150. process control n
:
过程控制。半导体制造过程
中,对设备或产品规范的控制能力
。
151. proximity X-ray n :
近<
/p>
X
射线:一种光刻
技术,用
X
射线照射置于光刻胶上方的掩
膜版,从而使对应的光刻胶暴光。
152.
pure water n :
纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum
device n :
量子设备。一
种电子设备结构,其特性源
于电子的波动性。
154. quartz carrier n
:
石英舟。
155.
random
access memory (RAM n :
随机存储器。
156. random logic device n
:
随机逻辑
器件。
157.
rapid thermal processing (RTP n :
快速热处理<
/p>
(RTP
。
158.
reactive ion etch
(RIE n :
反
应离子刻蚀
(RIE
。
159.
reactor n :
反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160.
recipe n
:
菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161.
resist n :
光刻胶。
162. scanning electron
microscope (SEM n :
电子显微镜
(SEM
。
163. scheduled
downtime n :
(
设备预定停工时间。
164. Schottky
barrier diodes n :
肖特基二极管。
165. scribe line n
:
划片槽。
166. sacrificial
etchback n :
牺牲腐蚀。
167.
semiconductor
n
:
半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168.
sheet resistance (Rs (or per
square n
:
薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。
169. side load:
边缘
载荷,被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOSepitaxial wafer:
外延是蓝
宝石衬底硅的原片
171. small
scale integration(SSI:
小规模综合,在单一模块上由
2
到
10
个图案的布局
。
172. source code:
原代码,机器代码编
译者使用的,输入到程
序设计语言里或编码器的代码。
173. spectral line:
光谱线,光谱
镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。
174.
spin webbing:
旋转
带,在旋转过程中在下表面
形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch:
< br>溅射刻蚀,
从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176.
stacking fault:
堆垛层错,原子普通堆积规律
的背离产生的
2
次空间错误。
177. steam bath:
蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或
其他温度热源的暴光。
178. step response time:
瞬态特性时间,大多数流量控制器实
验中,普通变化时段到气流
刚
到达特定地带的那个时刻之间的时间。
179.
stepper:
步进光刻机(按
BLOCK
来曝光)
180. stress test:
应
力测试,包括特定的电压、温
度、湿度条件。
181.
surface profile:
表面轮廓,指与原片表面垂直的平面的轮廓
(没有特指的情况下)。
182. symptom:
征兆,人员感觉到在一定条件下产生变化
的弊病的主观认识。
< br> 183. tack weld:
间断焊,通常在角落上寻找预先有的地点进行
的点焊(用于连接盖子)。
184. Taylor
tray:
泰勒盘,褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:
温度周
期变化,测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186.
testability:
易测性,对于一个已给电路来说,哪些测试是适用它的。
p>
187.
thermal deposition:
热沉积,在超过
950
度的高温下,硅片引入化学
掺杂物的过程。
188. thin film:
超薄薄膜,堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189.
titanium(Ti:
钛。
190. toluene(C6H5CH3:
甲苯。有毒、无色易燃的液体,它不溶
于
水但溶于酒精和大气。
191.
1,1,1-trichloroethane(TCA(CL3CCH3:
有毒、不
易燃、
有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。
192.
tungsten(W:
钨。
193. tungsten
hexafluoride(WF6:
氟化钨。无色无味的气体或者是淡
-
-
-
-
-
-
-
-
-
上一篇:materials studio计算分析
下一篇:PCD参数设置