-
晶圆处理工程用语
第五章
D
．
1
编号
基本、共同用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是将被加工对象（
work
）从所定位置取
出之机构
是指发送机（
sender
）与接收机（
receiver
）之总
称。在处理之前后，亦有使用同一匣盒使遮光罩
(mask),
晶圆等基板收纳位置不会变化之单面匣式
（
uni-cassette
）方式。
D1001
unloader
卸载机、卸货机
D1002
Indexer
指针器，索引器
D1003
Wafer automatic transfer system
是指将晶圆每次一片或每次多片，从匣盒自动转
晶圆自动传送系统
移至各处理装置之装置。此一装置是由匣盒载物
台
(cassette
stage)
、
晶圆搬运机器人，以及该接口
所构成，大都与匣盒搬运机械人搭配使用。
D1004
Wafer hoist
晶圆交接升降装置
系指有关晶圆输送
机构之晶圆交接升降机构。大
都与附属在输送机构先端之晶圆承接臂成对搭配
使用，位在交接之制程位置，由晶圆承接部分与
驱动该部分之上下机构所组
成。
系指有关形成薄膜之半导体制造装置，在各种处
理或晶圆输送时，用来保持晶圆之装置部分。
是指可将被加工对象
(work)
加以从横方向移动，
且
可决定其精确位置之机构。
是指记录化学物质之物性、毒性、可燃性，反应
性及处理方法之安全性数据清单
。为确保使用瓦
斯或药品处理装置在操作时之安全为目的，通常
与使用说明书等附加在一起。
D1005
Wafer holder
晶圆保持器
D1006
X-Y stage/X-Y table
从横移动载物台<
/p>
/
从横移动载
物盘
D1007
material safety data
sheet
材料安全数据清单
MSDS
D1008
Orientation
flat
arrange
是指将匣盒内晶圆之定向平面加以摆齐在一个
方
equipment
向之装置。为要检查晶圆转移传送是否
确实，或
晶圆定向平面摆齐装置
为要
使晶圆在各处理装置内之定向决定，能顺利
所使用之装置。
D1009
cassette / magazine
晶圆匣盒
/
晶圆收纳盒
是指将晶圆被加工对象整齐加以收纳之装置。为
使晶圆加
工对象在各制程上能容易进行搭载及卸
在
载为
< br>目的
，所
使用
之匣
盒。
类同
之用
语有
magazine
一语。
系指从供给侧晶圆匣盒，将晶圆每次一片自动加
以取出，输送至处理室处理后，将晶
圆逐片收纳
在收纳侧晶圆匣盒之处理方式。
< br>系指针对计划运输时间，实际可正常运输时间之
比率。
是指成为处理对象之空白遮光罩
(mask
< br>blank),
晶
圆等材料总称
.
D1010
cassette-to-cassette
handling
匣盒间转运处理
D1011
Availability
利用度，利用率
D1012
Substrate
基板
,
基片
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
指为要输送或保管晶圆之容器
.
在制造过程
上务
必保持晶圆不至受到容器排放瓦斯之污染
,
输送
盒材质之鉴定至为重要
.
目前
,
输送盒以使用聚丙
稀
(polypropylene)
树脂及聚碳酸脂
(polycarbonate)
的树脂为主
.
指将不同装置厂家之设备或不同制程之结合
,
或
能将半导体装置制造商独特之制造模块，加以装
配之多加工室（
multichamber
）制造装置。是以
美
国
半
导
体
制
造
装
置
厂
家
为
中
心
之
团
体
MESA(Modular
Equipment
Standard
Architecture)
所提倡者。
是指要使用热处理炉、反应室或瓦斯配
管系统之
前，将纯性瓦斯引进加以净化之操作。
是将半导体制造相关设备之投资，或将营运之经
济性评价基准，以经营位皆加
以模型化者。将制
造装置之寿命周期成本（
life
cycle cost
）
,
以装置
价格、生产性、可靠性及成品率等加以考量，而
算出每一晶圆良品成
本之方法。
是指利用
N
极
S
极之磁性结合力，
将外
旋转驱动
力传达到真空气氛内之旋转机构。是一种非接触
旋转，
因多半在真空与大气间隔着一道墙壁之构
造，其真空密封寿命为无限大，对超高真空性能
之维持很有效。
是指利用磁性反斥力
之非接触性输送机构。是由
控制磁悬浮之控制电磁铁、线性马达及悬浮体等
所构成，例如遮光罩或晶圆等之基片搭载在悬浮
体上来移动。在真空中使用时
，因属非接触，无
振动、无润滑油及全然不产生灰尘，具有可获得
洁净真空等大特点。
是指在真空室内，为要移送基板单体所使用输送
机构之总称。为防止例如
遮光罩，晶圆等基板受
到微粒之污染，采用振动部极低之机构。就其功
< br>能而言，
一般具有直进、
旋转、
上下移动等功能。
是单位时间内所能处理之遮光罩或晶圆等基
板之
工作数量。
是指将真空装置之真
空槽，恢复到大气压之过程
中，经由调节电导阀，可以很小之导入速度缓慢
加以通气。其目的在于防止微粒飞扬。
D1013
Carrier box
运载盒
D1014
Cluster tool
组合设备公具
D1015
Pre-purge
D1016
Cost of ownership
D1017
Magnetic coupled
feedthrough
磁耦合旋转馈通
D1018
Magnetic levitation
transfer
磁悬浮输送
D1019
Robot for using in
vacuum
真空机械人
D1020
Throughput
生产量，工作数
D1021
Slow vent
缓慢通气
Soft vent
软性通气
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指将真空装置从大气压开始真空排气过程中，
经由调节电导阀以很
小之排气速度缓慢加以排
气。其目的在于防止微粒飞扬。类似之用语有软
性排气（
soft
roughing
）
。
是在载物台上设立介电层，对载物台与晶圆间施
加电压，经由发生在两者间之
库伦力，将晶圆加
以吸住之机构。为要保持晶圆及温度控制，可以
在载物台或输送系统等。
是指将收纳处理前之遮光罩或晶圆
等基板之匣
盒，加以搭载并将基板输送至处理装置之机构。
<
/p>
系指将退火装置或真空蒸镀装置之加热对象物，
以不致蒸发之温度
加以维持之时间。
就退火而言，
指维持所希望时间，就真空蒸镀
法而言，指预备
加热温升排气之时间。
旨在横型之热氧化装置，热扩散装置及热
CVD
装置，将搭载
晶元之晶舟，输入或输出制成反应
管之际，不至于接触管内壁，具有可抑制产生微
粒功能之搬运装置。
指具有汽涡轮机形之叶
片，
经由高速旋转之转子，
将与其叶片表面碰撞气体分子给与运
动量，以输
送气体之运动量输送式真空泵。可在分子流领域
有动
作。
指当装置在试运转中，分批处理晶圆时为要凑齐
片数，或为承载效应等对策所使用，指实际没有
形成
IC
图案的晶圆
.
指将用来制作
无源（被动）组件、有源（主动）
组件，或被制成集成电路为前提之半导体或绝缘
物细片。
有时亦可称为
（片状器件）
。
请参阅
cf.
JIS.
请参阅图
E-1002.
指
将工件之完成产品所需要之时间。如何将产品
提早完成，
Q-T
AT(QUICK TAT)
指
作
为
涡
轮
式
分
子
泵
或
低
温
泵
(cryopump)(oil
free)
指出加工，系瓦斯通路不会混入油分之不沾
< br>油泵。通常可从大气压减压至
10
-3
< br>Pa
系指每次可见多数片晶圆加以处理之方式。
系指可在装置内暂时收纳遮光罩或晶圆等基板之
单元。通常可分为使用载运闸盒，或使用专用治
具者。基板之进出有先进先出
(FIFO)
，有后进先
出
(LIFO)
之
2
种方式
。
系指将装置设置在平面时，从正上方加以投影之
总设置面积。
D1022
Slow pumping/slow roughing
缓慢排气
Soft roughmg
软性排气
D1023
Electrostatic chuck
静电夹头，静电夹盘
D1024
Sender
发送机
D1025
Soak time
热炼时间
D1026
Soft landing
软性着陆
D1027
Turbo molecular pump
涡轮式分子泵
D1028
Dummy wafer
仿真晶元，虚设晶圆
D1029
Chip ?die
芯片
/
小芯片
D1030
Turn-around-time
一贯制程所需时间
D1031
Dry vacuum pump
干式真空泵
D1032
Batch processing
分批处理
D1033
Buffer
缓衡容器
D1034
Foot print
脚印
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指具有严格之试料气体防漏机构，将试料流通
路内鼻子残留杂质彻
底加以除去之光散射式粒子
计数器。系用来监视半导体组件制造原料瓦斯，
CVD
或注入粒子装置等减压槽中之浮游粒子数。
是指将遮光罩或晶圆等基板背面，以诸如真空机
械人或磁浮等非
用直接输送带之基板输送机构之
总称。
以采用橡皮输送带或金属
性弹性带之输送，
无法防止来自输送带材质之污染，因此今后均以
无带式输送主流。
是指将晶圆一片一片加以处理之方式。
是指关于布线工程、薄膜形成工程等，经由将各
个不同制程适当加以搭配在一起，且在
一贯之气
氛下加以处理，为提升制程之总功能为目的，所
构成之
多室真空装置。此一真空装置有以输送室
为中心，在其周围将制程室配制成放射状型。以
及以输送室为中央，而将制程室配置在两侧之线
形型等两种。<
/p>
是指利用机械爪具或环形吸盘等，将晶圆外周部
加以机械式保持、安装之机构。
是指搭载处理后之遮
光罩，晶圆等基板之收纳匣
盒，及将基板由处理装置取出之机构。
是指为要进行晶圆制程之处理控制，对制程装置
之制程次序
，及控制参数（温度，压力，瓦斯之
种类及流量，时间等控制目标值）等相关装置个
别之处理程序。
指将加工对象（
work
）放置与所定位置或安装之
机构。
是不得将处理室暴露于大气中，可进行晶圆之装
< br>入与取出为目的之真空室。在处理室之前后或任
一方配置一个阀，经由阀与真空排
气系统动作之
搭配，可以经常保持处理室在真空状态。
是有关热处理，
为提升产量
（
throughput
）
等目的，
将温度作快速上升或下降等操作或制程。
以往都将起当作
另外制程进行之处理，却将其编
入
其
它
制
程
内
，
诸
如
：
in-
situ
cleaning,in-situ
doping,
及
in-situ
monitoring
可分别当作就地清
洁，自然（环境）掺杂，及现场监视等使用。
是属于可收
纳晶圆而在装置间搬运之容器，由可
支持晶圆之部位，与搬运时将容器本体加以把持
之部位，以及由此等支持体所组成，其晶圆收纳
部成为开放状态之晶
圆搬运容器。
D1035
Process induced particle counter
制程感应粒子计数器
D1036
Beltless transfer system
无带式输送系统
D1037
Single wafer processing
单晶圆处理方式
D1038
Multi-chamber vacuum system
多式真空系统
D1039
Mechanical chuck
机械式夹头
D1040
Receiver
接受匣盒
D1041
Recipe
处理程序
D1042
Loader
装载机、装料机
D1043
load-lock chamber
加载互琐真空室
D1044
rapid thermal process
快速热处理
D1045
in-situ
就地，在现场，自然（环境）
D1046
Open cassette
开放式晶圆匣
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
在载物台上配置有位于三角形顶点之三个凸状，
且具有
3
次元曲面之突出头，在各个突出头套上
设在被载物
体之
3
个颠倒
V
字形之嵌合罩，
是用
来进行位置决定之机构。被使用作
300mm
之晶
圆搬运机（
< br>wafer
carrier
）
。具有较大之调准范围
与经由自动求心之较高位置决定精确度为其特
点。
关于半导体等生产启动，从初期阶段起同时将各
装置加以设置，边决定制程条件，边快速提高到
全能生产时能力之快
速生产启动方法。
系指在制程中，晶圆所受到的总热量。是温
度及
暴露于该温度全时间的函数。
是
典型制程温度控制方式之一种。
使用
P
为比例，
1
为积分，
D
为微分等
3
种基本演算，将目标值
与现有值间的差值变换成控制量者。针对
PID
各
参数变更，
可较为容易地预测其控制特性的变化。
为达成高度局部洁净化需要，且降低洁净室的
营运成本为目的，是用作保存及输送如晶圆等被
处理体密闭容器的总称。
经由以下主要构成要素
的选择，可以考量有如下四种组合，容器内部可
< br>保持晶圆的匣盒部分，
与容器为一体构造，
（即匣
盒部分为可拆开式或无法拆开式）
。
其开口部
位在
前面或底面者。
当靠量抑制加工研发的投资结果，在半导体制造
装置内，以一定的条件或环境
下，将多项加工连
续反复加以处理，在同一晶圆上重复加工，可以
提升合格率或生产效率的技术。列如可以列举以
in-situ
将蚀刻或溅射等，施加一连串的处理，
且加以回收之多室装置等。
D1047
Kinematic coupling
运动举上之耦合
D1048
Swift start up system
快速启动系统
D1049
Thermal
budget
热预算
D1050
PID
temperature control
PID
温度控制
D1051
Pod
密闭夹式容器
D1052
Process
integration
加工整合，整合处理
D
．
2
编号
薄膜形成用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指有关半导体制造工程，可形成绝缘膜，电极
布线膜，及半导体膜
之装置总称。有关薄膜之形
成
原
理
可
大
略
分
成
真
空
蒸
镀
装
置
，
< br>溅
镀
(sputtering
)
系
统
等
PVD
(physical
Vapor
<
/p>
Deposition)
系统
,CVD(
Chemical Vapor Deposition)
系统，及磊晶（
epitaxial
）生长系统。
D2001
Thin film
deposition system
薄膜沉积系统
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指诸如
CVD
系统，磊晶生长系统等反映
室内，
注入瓦斯之喷出部。也可称为喷嘴。
D2002
Injector
注入器
nozzle
喷嘴
D2003
Wafer heating mechanism
晶圆加热机构
系指为加热晶圆所护套
加热器，红外线灯加热器
等的总称。随着晶圆之大口径化，需要面内有均
匀加热性能，进年来在发热体与晶圆背面间，使
用
He
或
Ar
等瓦
斯作为热媒体，
此一媒体加热已
成为重要技术。
是指为要层间绝缘膜或平坦化，所使用涂敷有
SOG
（
spin
–
on-glass
）
膜之敷层。
此一敷
层使用将
SiOx
溶解于酒精俗称调味料之药液。
敷层后进行
硬化烘焙（
400-700
℃）使溶剂挥发。因药液之粘
度很高，
有使用喷嘴洗
涤及帽套洗涤机构之必要。
是指有关组件之穿孔（
through hole
）等，其段差
部之纵横比（
aspect
ratio
）较大时，上部段差部
角较下部底面
之膜厚为大，形成如同雨檐突出部
分之膜。
< br>是指位在薄膜形成装置之蒸发源与晶圆间，所设
置之遮断板。薄膜形成中为打开。
是指位在
LSI
等半导体组件薄膜表面上，有微细
段差部之膜覆盖状态。因有段差部之覆盖状态，<
/p>
直接影响到布线之不正常断线，
成为产品合格率，
品质下降之原因。
是指随着布线之多层化，可以将纵
向构造之段差
凹凸情况，加以缓和之技术。就绝缘膜之平坦化
法
而言，有镀膜（
coating
）法，偏溅射（
bias
sputtering
）法，平坦化热处理（
reflow
）法、背
面蚀刻（
etch
back
）法，及剥离（
lift off
）法。就
金属膜之平坦化法而言，
有偏溅射法、
CVD
选择
生长法等。对于
CMP
法所能获得跨于晶圆全面
之平坦化，特别称为全面平坦
化。
当将晶圆加热时铝等金属膜构造将产生变化。此
时，将有压缩应力作用于布线材料膜，为缓和此
一应力过程，将在表面上
产生突起之结晶粒，在
温度下降之过程为要缓和张力，而在结晶粒界所
< br>产生之空隙。
是指为要形成保护膜、层间绝缘膜，所加
以之涂
敷
聚
酸
亚
胺
膜
。
因<
/p>
聚
酸
亚
胺
粘
性
很
高
（
1000-2000cp
）
使
用
挥
发
性
较
低
溶
剂<
/p>
NMP
（
N-methy1
pydolidon
）
。涂敷后，为溶剂之挥发<
/p>
而在
400
℃中进行硬化烘焙。
D2004
Spin on glass
coating
SOG
涂敷
SOG
涂布
D2005
Overhang
突出部分，悬垂物
D2006
Shutter
快门光匣
D2007
Step coverage
阶跃式覆盖率
D2008
Planarization
平坦化
D2009
Void
空隙，空洞
D2010
Polyimide coating
聚酸亚胺涂敷
编号
D2011
< br>用语（英文
/
中文）
Mouse hole
老鼠洞
用
语
说
明
是指在组件图案之段差部形成薄膜之际，由于侧
壁与平面间之膜质之
不同，往后在蚀刻制程中由
部分系在高速蚀刻下进行，
而产生蛀
虫状之洞穴。
D2012
Reflow
是指随着
LSI
组件之积体化，为缓和较复杂之段
圆滑热处理，
平坦化热处理技术
差纵向构造，
经
由高温热处理谋求平坦化为目的，
所使用之技术。将含有磷
8-
12%
（重量百分比）
之
PSG
膜，
以
CVD
法加以
沉积，
经由大约
1000
℃
之高温热处理，
利用
PSG
之流动性将晶圆表面加
以平坦化。为降低玻璃之软化点，亦利用对
PSG
膜掺入硼杂质之
BPSG
膜
。注：
PSG
（
phrase
structure
grammer
）文句构造文法。
D2013
Wafer cooling stage
晶圆冷却夹片台
是指将编排在半导体
制造装置内之高温晶圆，加
以冷却之夹片台。
亦称为冷却站
（
cooling station
）
，
氧化、退火装置或抗蚀刻处理装置，亦有此一设
< br>备。
是指使用与电容器的
PA
T*1
、
、
、
、
BST*2
、
SBT*3
等强电介体薄膜。是由
MOCVD
法，溶液汽化
CVD
法，溅射法，
solgel
法及涂敷法等所形成。
注：
< br>*1
：
pbxZr1
–
xTiO3;
*2
: BaxSr1
–
xTiO3;
*3 : SrBi2Ta2O9 .
是指在
CVD
装置，为要保护真空泵等，利用等
离子体去除所
反应副生物的装置。
D2014
Ferroelectric thin film
铁电薄膜
强诱电体薄膜
D2015
Plasma trap
离子喷镀系统
2
．
1
编号
真空蒸镀装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指在低于
10
-2
Pa
压力的真空装置内放置蒸发
源
，并在其周围放置晶圆，经由加热蒸发源使材
料
（金属或某种化
合物）
，
在真空中将晶圆加以蒸
镀的装
置，
蒸发源原子
（或分子）
由蒸发源汽化
直接在晶圆基板上沉积凝积。
<
/p>
此一装置可以分类成以
W,Ta,,Mo
等高熔点金属，
所制成加热器或
BN
等
复合材料加以通电，使蒸
发材料直接加热蒸发的直接加热式装置，以及由
坩埚与发热体所构成的间接加热式装置等
2
种。
此一系统的真空蒸镀装置中，构造最简单具备有
能量上最稳定状态的特
点。
D2101
Vacuum
evaporation system
真空蒸镀系统
真空蒸着装置
D2102
Resistance heating evaporation
电阻加热真空蒸镀系统
抵抗加热真空蒸着装置
D2103
Electron
beam
system
电子束蒸镀系统
evaporation
系指将电子束照射于蒸发材料使其加
热
,
有利用
其蒸发击力来蒸镀之装置。
就此一方法而言，坩
埚因置于水中冷却，坩埚材料中之杂质，混入蒸
镀膜之可能性较小，
此法亦使用于高融点物质，
半导体或氧化物之蒸镀。
编号
D2104
用语（英文
/
中文）
Induction
heating
evaporation
system
感应加热蒸镀系统
高周波诱导加热真空蒸着装置
Ion
plating system
离子喷镀系统
用
语
说
明
系指利用蒸发材料本身所感应之高频电流，
作为
加热源之真空蒸镀装置。
此一方法仅对电感应材
料有效，
而不能适用于绝缘体。
此法可利用于
不受荷电粒子损伤之蒸镀装置。
系指将晶圆置于阴极侧，
产生辉光放电，
从蒸
发源将蒸发原子加以电离化或激励，
加速后撞击
在基板上，
且加以堆积之真空蒸镀装置。
经由
此法可以获得密接性很强之被膜。
具有可得膜质
很优良之化合物被膜等特点。
D2105
D2106
Ionized cluster beam evaporation
系指在高真空中，
将
102
～
103
个原子聚集成团
System
加以电离化，
且加速撞击堆积在晶圆
上之装置。
成团离子线束蒸镀系统
以
成团蒸发源作为蒸发源，且将蒸汽容器之蒸汽
出口做成小喷嘴，促使容器内外压力差很大
以便
喷出。此时，蒸汽在断热膨胀之过程下形成一团
一团。成团
之电离化，系利用热电子放射灯丝与
阳极，经由电子撞击来进行。
系指每单位时间内，在晶圆上生成之膜厚。就真
空蒸镀法而
言，称为蒸镀速率，就溅射法而言，
称为溅束镀速率，就
CVD
法而言，可称为沉积
速率。
系指有关真空蒸镀法中，将作为膜材料之蒸发材
料，加以蒸发之加热源。
此一蒸发源以电阻加热
蒸发源，
电子束蒸发源，
感应加热蒸发源为代表。
系指经由蒸发源加热使之蒸
发，
所称为膜之物质。
系指有关蒸镀装置
,
所使用晶圆固定
夹具之一种
.
针对蒸发源配置多数个
(
通常为
3
个
)
圆顶状晶圆
固定夹具
,
在蒸镀中
,
因可进行各圆顶夹具之自
转与公转
,
可得跨于广大面积厚度均一之膜
,
同
时阶跃式覆盖范围具佳
.
。
系指内侧能保持多数晶圆之圆顶状晶圆固定器。
在其中心轴设置蒸发源，
且经由将圆顶加以公转，
可同时对多数之晶圆附着钧一之膜。
系在成膜制程中，
经由厚膜计
（水晶振荡式，
< br>
原
子吸光式及光学式等）
来监
控膜及蒸镀速度，
使
能成为所定膜厚，
或保持一定之蒸镀速度等控
制。
系利用高密度之光子照射，切断蒸发材料表面之
化学结合，
使其蒸发而形成薄膜者。
D2107
Deposition rate
蒸镀速率
D2108
Evaporation source
蒸发源
D2109
Evaporation material
蒸发材料
D2110
Rotary and revolutionary jig
自转公转夹具
D2111
Dome jig
圆顶夹具
Thickness control
膜厚控制
D2112
D2113
Laser ablation
镭射烧蚀
2
．
2
编号
溅镀装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
在真空中引进放电用瓦斯，
若对电极间施加电压，
< br>将产生辉光放电。
此时等离子体
(plasma)
中之正
离子撞袭到阴极之靶表面，而将靶原
子掏出来。
系指利用此一溅射现象，在晶圆上形成薄膜之成
膜装
置。放电瓦斯使用氩气（
Ar
）
。
系指具有由
一对阴极与阳极所成之
2
极冷阴极辉
光
放电管构造之溅镀装置。阴极相当于靶子，而
阳极兼作基板固定器之功能。产生辉光放电
后，
等离子体中之氩正离子撞击到靶子表面，将靶原
子掏出来，
而将设置在阳极之晶圆上，
形成薄膜。
系指具有由一对阴极与阳极所成之
2
极
冷阴极辉
光放电管构造，在电极间施加直流电压，使产生
辉光放
电，在此系指利用位在阴极上靶子之溅射
现象，来进行形成薄膜之溅镀装置。靶子材料只
限于导电体。
指具有一对阴极与阳极
所成之
2
极冷阴极辉光放
电管构造，电
极间主要施加
13.56MHz
之高频电
压，使之产生辉光放电，而利用位在阴极靶子表
面溅射现象，来进行形成薄膜之溅镀装
置。离子
产生效率交直流
2
极方式为优
。除了金属、半导
体外，
当然亦可使用于绝缘体，
因而被广泛使用。
在溅射法中，是指施加于阴极之
电场与成直交之
磁场搭配所构成装置之总称。电子受磁场之作用
开始作摆线运动
（
trochoidal motion
）
,
因要推进很
长之
距离，而与瓦斯分子间之碰撞频度大增，克
维持高离子电流密度放电，
< br>因此可作到高速溅镀。
是指经由磁控管原理施加交叉之
点磁场，使从阴
极产生之电子进行摆线运动，在靶子表面形成高
密度等离子体，可以较低电压来提高溅镀速度之
高功率效率溅镀装置。从与潘宁（
Penning
）冷阴
极放电同一原理，
来进行产生离子潘宁磁控应用，
而称为磁控管溅射法。
D2201
Sputtering
system
溅镀系统
D2202
Diode sputtering system
二极管溅镀系统
D2203
DC diode sputtering system
直流二极管溅镀系统
D2204
RF diode sptuttering system
高频二极管溅镀系统
D2205
Magnetron sputtering system
直接电磁场型溅镀系统
D2206
Magnetron sputtering system
磁控管溅镀系统
D2207
Planar
magnetron
sputtering
是指磁力线由平板状靶子之背面出来，再回到靶
system
子侧之构造，具有此一阴极构造之磁控管型溅镀
平面磁控管溅镀
系统
装置。
磁场在靶上成为环形
（
race track
）
状构造，
电子一旦进入该空间就被封闭在内无法跑出来。
D2208
Coaxial
magnetron
sputtering
是指阴极与阳极具有同轴圆筒状构造之磁控管型
system
溅镀装置。在中心圆筒状之靶子内部，收纳有多
同轴磁控管溅镀系统
数个圆筒状磁铁，经由在靶子
表面产生平行之磁
场，可维持磁控管放电。亦有将阴极与阳极相反
配置之反向同轴磁控管溅射方式。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是针对具有圆锥台状之靶子，在其背后配置磁通
路，而可在靶表面产
生平行磁场之构造，是指具
有此一阴极构造之磁控管型溅镀装置。靶子形状
具有特征，是属于使用效率很优异之靶子。
D2209
Sputter-gun sputtering
system
溅射枪溅镀系统
D2210
Facing
target
sputtering
(FTS)
是指有
2
个互相面对之平板阴极，与沿着其中心
system
轴之磁场，搭配而成磁控管型之溅镀装置。电子
相面对靶子溅镀系统
被封闭在相面对之阴极间，产生高密度之等离子
体。对磁
性体之高速溅镀很有效。
D2211
Thermoionic
assisted
triode
是指利用热阴极放电之溅镀装置。因具有电子供
sputtering system
应灯丝，相面对阳极及
阴极等
3
极，而称为热离
三极管热离子
辅助溅镀系统
子辅助三极管溅射方式。
因热离子产生机构独立，
具有将靶电压在广泛围内，
单独加以
控制之特点。
D2212
Thermoinic
assisted
tetrode
是在三极管热离子辅助溅镀装置中，在灯丝前
侧
sputtering system
附加热电子控制用栅
极，而成为四极管热离子辅
四极管热离子辅助溅镀系统
助溅镀装置。是为提升热离子之控制性，由三极
管热离子辅助溅镀装置
，
进一步加以发展出来者。
D2213
Ion beam sputtering
system
离子束溅镀系统
D2214
Bias sputtering system
偏压溅镀系统
是指针对置于高真空气
氛中之靶子，将从独立离
子源以高能加速引出来之离子加以撞击，可在
< br>10
-2
Pa
以下低瓦丝压力下
，
进行成膜之溅镀装置。
是指以负偏
压施加于晶圆为特点之溅镀装置。离
子之一部将流入基板，
虽然
在成膜过程中晶圆面，
因受到离子之冲击将吸附在膜面之杂志瓦斯驱离
< br>出来，除能进行纯水作用外，其它可当作对阶跃
式覆盖范围
（
step coverage
）
之
改善，
以及膜面平
坦化效应之改善等为目的，加以利用。
是指随着一种化学反应而产生之化合物薄膜（氧
化膜或氮化膜等）
，
可附加在素材之溅镀装置。
除
了氩气外，将活性瓦斯引入溅镀室，列如
,
对素材
如加以溅射金属，可形成金属化合物之薄膜。
是指将
2
种以上具有不同成
分元素指靶，同时加
以溅镀，可独立将个别功率加以控制，能制作经
由此一组成所能控制之膜溅镀装置。可利用于凝
形成由
2
种以上之元素合金或化合物薄膜。
D2215
Reactive sputtering
system
反应性溅镀系统
D2216
Co-sputtering system
共同溅镀系统
D2217
Electron
Coupling
Resonance
是指施加微波与磁场，使之产生电子回旋加速器
(ECR)
sputtering system
共振放电，籍以进行将等离子体（
plasma
）与靶
电子耦合谐振溅镀系统
电位，独立加以控制之溅镀装置。
D2218
Cathode/target
electrode
阴极
/
靶电极
D2219
Collimate sputtering
准直溅镀
在溅镀装置中，是将靶子设置在阴极表面被加以
溅镀。此一型装置之阴极有时亦可称为靶
电极
（
target
electrode
）
。
是指对从横尺寸比（
aspect
r
atio
）较大之接触孔
（
conta
ct
hole
）加以镀膜之际。为使至底部亦能
或充分之膜厚，在靶子与晶圆间插入格子状板，
具有强制地提高垂直成分机构
之建设。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指有关溅镀装置，每单位时间之成膜厚度。
系指针对每一个入射离子或中性粒子，从靶子表
面被掏出来之原子或分子数目之
统计性比例。溅
射二次放射系数，依离子之种类，能量之大小，
离子入射角，靶子材质，靶子结晶构造及面方位
而变化。
系指在溅镀装置中，设置于阴极表面，被离子撞
击成膜之材料物质。
系指针对使用前之靶容积，对消耗容积之比例。
位在磁控管阴极上靶材料之消耗，系被夹在磁极
之特定领域（浸蚀领域）内进
行。此一浸蚀领域
之消耗深度，可以确定靶子之寿命。
系指在溅镀装置中，将靶子固定在阴极时，所用
之靶固定板。利用例如
磁控管溅镀装置这样大电
流密度放电之场合，为防止靶本身之温度上升，
将靶子连接固定在支撑板上，藉以充分冷却支撑
板本身。
系指在溅镀装置中，在晶圆成膜之前，靶子表面
污染层之去
除，或为靶表面之安定为目的，所进
行之预先溅镀处理。通常将快门光闸关闭状态下
进行溅射。
系指溅射法等对覆盖之洞穴进
行
A1
布线之际，
在加热状态下，将靶
与基板间距离离远一点，且
可在低压下安定加以放电之溅射法。
系属于提升根本覆盖范围之一种方法，为仅将溅
射粒子之垂直成
分能到达基板，将靶与基板间距
离离远一点，且可在低压下安定加以放电之溅射
法。
D2220
Sputtering rate
溅镀速率
D2221
Sputtering yield
溅射二次放射系数
D2222
Target
靶子
D2223
Efficiency of target
utilization
靶子利用效率
D2224
Backing plate
支撑板
D2225
Pre_sputtering
D2226
Force fill process
D2227
Long throw sputtering
method
2
．
3
编号
CVD
装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
D2301
Chemical
vapor
system
化学汽相沉积系统
deposition
系指将可构成薄膜材料之元素
,
一种或数种之化
合物瓦斯、单体瓦斯供给晶圆
，经由汽相或在晶
圆表面之化学反应，可形成所希望薄膜之装置。
若拟激励瓦斯，
通常要使用热能或等离子体放电。
最近以光（
雷射光或紫外线等）激励之
CVD
装
置
亦渐接近实用化。
系指以热能作为激励
CVD
反应之装置总称。就
热之发生源而言，电阻加热方式与
红外线灯加热
方式。因受反应室内瓦斯压力，又可分成大气压
C
VD
装置，与低压
CVD
装置。
D2302
Thermal CVD
system
热激励
CVD
系统
热
CVD
装置
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
CVD
系指反应室内压力，为大气压之
CVD
装置。其
特点为沉积速度快，比较上其阶跃式覆盖范围
较
佳。
D2303
Atmospheric
pressure
system
大
气压
CVD
系统
常压
CVD
装置
D2304
Low pressure CVD
system
系指将反应室保持在减压（低压）状态之
CVD
低压
CVD
系统
装置。其特点为可进行晶圆表面之均一反应，比
减压
CVD
装置
/
低压<
/p>
CVD
装置
较
上其阶跃式覆盖范围较佳。为此已下过很多功
夫。
D2305
Vertical
low
pressure
CVD
系指将反应管及加热器，
配置成垂直之低压
CVD
system
装置。与水平型比较设置面积较小，
因负载锁定
垂直型低压
CVD
系统
（
load
locking
）化容易，逐渐成为主流。
纵型减压
CVD
装置
D2306
Metal
organic CVD system
有机金属
CVD
系统
有机金属
C
VD
装置
/MOCVD
装
置
Organo-metallic CVD
system
有机金属
CVD
系统<
/p>
OMCVD
装置
D2307
Plasma enhanced CVD
system
等离子体增强
CVD
系
统
系指在低压下，经反应性瓦斯之等离子体放电分
解，可形成薄膜之
CVD
装置之总称。与热激励<
/p>
CVD
法不同，
具有可在较低温
CVD
反应之特点。
将等离子体之产生能量，若
以频率为主加以分频
时，有高频等离子体，微波等离子体，
EC
R
等离
子体等各种装置。
系指利用有机金属化合物之热分解反应，来制作
化合物半导体膜之
CVD
装置。与经由汽相磊生
成法，所生长化合
物半导体单结晶之
MOVPE
装
置，虽
有所分但装置构成上有很多类同点。
D2308
RF
plasma
enhanced
CVD
系指在低压下，经由反应性瓦斯之高频辉光放电
system
分解，可形成薄膜之
CVD
装置。经由
装置构造，
高频等离子体增强
CVD
系
统
可分频为电容性耦合型及电感性耦合型。
D2309
Capacitive
coupled
plasma
enhanced CVD system
电容性耦等离子体
增强
CVD
系
统
D2310
Multiple
parallel
plate
electrode
plasma enhanced
CVD system
多
平
行
电
极
等
离
子
体
增
强
型
CVD
系统
D2311
Diode
parallel
plate
enhanced
CVD system
< br>二
极
管
平
行
板
等
离
子
增
强
型
CVD
系统
系指对设置在石英反应管之外侧
或内侧相面对电
极间，施加电压产生低压反应瓦斯之等离子体，
经由等离子体分解可在晶圆上，形成薄膜之
CVD
装置。
系指对石英反应管内插入多数平行电极板，在此
电极上设置有多数成垂直之
晶圆，
具有此一构造
之
电容性耦合型等离子体
CVD
装置。在相面对
< br>平行电极板间，施加高频功率产生低压反应瓦斯
之等离子体，而形成薄膜
系指反应室内有
2
片
平行电极板相对，在内建有
加热器之一侧电极板上设置晶圆，在互相面对之
电极间施加高频电压，使之产生低压反应瓦斯之
等离子体，使晶圆上形成薄膜
之电容性耦合型等
离子体
CVD
装置。
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
指对圆筒型外部电极内部，配置同轴状多面体之
晶圆固定电极，此一
电容性耦合等离子体增强型
CVD
装置。
在二电极间施加高频电压，
使之产生
低压反应瓦斯之等离子体
，
而在晶圆上形成薄膜。
系指绕在石
英反应管外侧之线圈施加高频电压，
使之产生低压反应瓦斯之等离子体，使设置在反
应管内之晶圆上，形成薄膜之等离子体
CVD
装
置。
D2312
Coaxial
cylindrical
plasma
enhanced CVD system
同轴圆筒型等离子
增强型
CVD
系统
D2313
Inductive
coupled
plasma
enhanced CVD system
电感性耦等离子体
增强
CVD
系
统
D2314
Microwave
plasma
enhanced
系指具有由微波导波管，与产生等离子体瓦斯导
CVD
system
入口，经由微波激励之等离子体放电室，所构成
微波等离子体增强型
CVD
系统
之等离子体
CVD
装置。在经由微波所产生等离
子流之下游，引进反应瓦
斯，可在内建有加热器
（
susceptor
< br>）内，于低温形成薄膜。
亦有将反应
< br>瓦斯直接引进等离子体放电装置之方法。
D2315
After
glow
microwave
plasma
enhanced CVD system
隔
离
型
微
波
等
离
子
体
增
强
型
CVD
系统
D2316
Electron
Coupling
Resonance
(ECR)
plasma
enhanced
CVD
system
ECR
等离子体增强型
CVD
系统
D2317
Photo assisted CVD
system
光辅助型
CVD
系统<
/p>
光
CVD
装置
D2318
Laser assisted CVD
system
雷射辅助型
CVD
装置
系指将经由微波将等离子体产生室与成膜室加以
隔离，期间以输送通路加以连接之微波等离子体
增强型
CVD
装置。因晶圆没有暴露在等离子体
下，
具有不受等离子体影响之低损害成膜之特点。
是指由
微波导波管连接而在周围设有磁场产生机
构之等离子体室
,
与收纳晶圆之反应室
,
所构成之
CVD
装置
.
经由
2.45GHz
之微波与
875G
之磁场
,
利用离子源来产生高密度之等离子体
,
将反应性
瓦斯加以分解
< br>,
于低温下在晶圆上形成薄膜
..
是指经由光能将气体分子加以分解
,
于低温在晶
圆片上形成薄膜之
CVD
装置
.
因所使用光源
,
可分
类成雷射
CVD
装置与紫外线灯
< br>CVD
装置
.
是指经由雷射光
能将气体分子加以分解
,
与低温
在晶圆
片上形成薄膜之
CVD
装置
.
因所使用雷射
(
由电子激励
),
与红外线雷射
(
由振动激励<
/p>
)
等
CVD
装置
.
D2319
Ultraviolet
lamp
heating
CVD
是指由紫外
线灯光装置
,
与内建有晶圆片加热器
s
ystem
之反应室
,
所构成之
CVD
装置
.
紫外
线光源要使用
紫外线灯加热型
CVD
系
统
可产生
200nm-300nm<
/p>
之紫外线
,
或
2
00nm
以下之
真空紫外线波长范围之灯泡
.
总之
,
反应分子之光
分解
,
是利用瓦斯分子之位能
(potential
energy)
吸
收紫外线
,
将其提高到电子激励状态
< br>,
然后加以分
解之原理
.
。
D2320
Liquid source delivery system
液体源输送系统
系指将
Si
或金属化合物等液体源，
加以汽化并连
续输送一定量至反应室之装置。
惯用之起泡方法，
系将输送量以汽化瓦斯之流量加以控制之方法
（直接法
)
与以液体之流量加以控制，
然后加以汽
化之
方法已被研发，依反应室之压力条件，或液
体源之蒸汽压，分开使用。
< br>
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指当将
Si
或
G
aAs
等之半导体晶圆加以加热之
际，为要加热搭载此等被加热
体之承受器，在其
近旁所配置之感应线圈。对感应线圈施加高频电
压，由于被加热体属于导体，因受电磁感应而产
生涡电流，而以涡电流所产生之热来加
热被加热
体。
在
CVD
装置中，系利用内建在反应室中来自加
热器，或紫外
线灯泡之放射热或高频加热，将晶
圆加以加热之方法。因反应室之内壁温度不致成
为高温，与热壁相对而称为冷壁。
系指在晶
圆片上每单位时间之生长膜厚。使用于
CVD
成膜方法之场合较
多。
是指将附着在反映室内之反应残渣加以清除之方
法。
就干蚀刻
（
dry
etching
）
法而言，
有利用瓦斯
之化学蚀刻（
chemical
et
ching
）法，与等离子体
清除（
p
lasma cleaning
）法。
是指以属于液体源之
TEOS*
作为反应源，以
O
3
作为氧化剂，在大气
压下形成
SiO
2
膜之
CVD
法。
具有优越之阶跃式覆盖范围，与高生产量
（
through-out
）为期特点
。有时以
B
、
P
作为残杂剂
（
dopant
）
。
*
tertraetylorthosilicate : Si(OCH
2
CH
3
)
4
，冠其头一
字而称为
TEO
S
。
是指在
CVD
装置或磊晶生长装置等热处理装置
中，反应部形状为管状
者。是以高纯度石英管被
用作反应管材。
是指在
CVD
、
磊晶生长装置等所
用之成膜室。
可
以收纳晶圆、晶圆保持架（
wafer holder
）及承授
器
（
susceptor
）
.
特别以高纯度石英制作之管状者，
称为反应管。反应室有时亦称为沉积
室。
是指在
CVD
< br>装置中，经由反应气体离子体之产
生，将附着于反应室内之膜，加以清除之方法。
是指对低压
CVD
< br>之反应室输送
TEOS
作为反应
瓦斯，经由对电极间施加高频电压来产生等离子
体，
而在晶圆片
上形成
SiO2
膜之方法。
有时以
B
、
P
作为掺杂剂
。
是指在蒸镀或沉积前，将晶圆片表面加以清除之
专用处理室。大都使用于多室腔型之装置。
是指
在
CVD
装置中，利用由反应室之外侧加热
器，来进行加热反应器内晶圆之方法。因此反应
室内壁温度为高温，而称为热壁。<
/p>
D2321
Radio
frequency workcoil
高频工作线圈
D2322
Cold wall
冷壁
D2323
Deposition rate
沉积速度
D2324
Chamber cleaning
反应室清除
D2325
TEOS-O
3
atmospheric pressure
CVD
method
TEOS-O
3
大气压
CVD
法
TEOS-O
3
CVD
法
D2326
Reaction tube
反应管
D2327
Reaction
chamber/reactor
反应室
/
< br>反应器
Deposition chamber
沉积室，蒸镀室
D2328
Plasma cleaning
等离子体清除，电浆清除
D2329
Plasma TEOS CVD method
等离子体
TEOS CVD
法
D2330
Pre-cleaning chamber
预先清除室
D2331
Hot wall
热壁
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指利用金属化合物之热分解，来形成金属膜之
CVD
法。
为对应于细微图案之布线、
填坑及平坦
化，可选择
WCVD
、覆盖（
< br>blanket
）
WCVD
已
被实用化。其它作为位障（
barrier
）层之形成或
布线材料，已经研发了好多种金属之成膜方法。
系指可防止在晶圆背面生成薄膜之构造及其方
法。在金属<
/p>
CVD
法中，反应瓦斯会迂回到晶圆
背面
，进行不完全成膜，此法大都为防止因剥离
有时会产生微粒时使用。
系以甲烷等碳素化合物为原料，籍以形成金钢钻
薄膜之<
/p>
CVD
。可以使用等离子体
CVD
法，热灯
丝法，离子束溅射法等，此一金钢钻
CVD
可期
待应用到制作高速、高温动作之半导体组件。
系经由液体原料加以汽化，使之在晶圆表面形成
薄膜之
CVD
。
最近用来形成
BST
、
SBT
等
强电介
体薄膜。
D2332
Metal CVD method
金属
CVD
法
D2333
Excluding backside
deposition
防止背面沉积
D2335
Diamond CVD
金铜钻
CVD
D2337
Vaporized solution source CVD
汽化液体源
CVD
D2338
High
density
plasma
enhanced
系为提升阶跃覆盖范围，与增大附着速度，将等
CVD
离子体密度增强之
CVD
。就等离子体产生源
而
高密度等离子体增强型
CVD
言，
有
ECR
或螺旋波可被使用。
2
．
4
编号
磊晶生长装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指承继晶圆之结晶性，可磊晶生长成单晶层之
装置。受生长之气氛
，可以大略分成分子束磊晶
生长装置，液相磊晶生长装置。从材料面来观察
时，可分类成与晶圆生长同一材料者，称为同质
磊晶（
homoepitaxy
）
,
与晶圆
生长层不同材料者，
称为异质磊晶（
heteroepitax
y
）
。
D2401
Exitaxial growth
system
磊晶生长系统
D2402
Molecular beam
epitaxial growth
是指将凝要生长之材料，
在
10-8-10-9
之超高真空
sy
stem
中，以分子束状迎面奔向相对之晶圆片上，磊晶
分子
束磊晶生长系统
生长成单晶层之装置，具有可在低温制作杂质
或
结晶缺陷少之薄膜等特点。通常在成膜制程现场
可附设，可以
分析组成成分或观察结晶性之附属
功能。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
D2403
Gas
source
molecular
beam
是指
可将有机金属
CVD
装置
（
MOCVD
）
与分子
ep
itaxial growth system
束磊晶装置（
MBE
）两者之优弱点，加以取长补
瓦斯源分子束磊晶生长系统
短之装置。因使用瓦斯源作为薄膜生产材料，除
Metal
organic
molecular
beam
了
有
MBE
之
优
异
结
晶<
/p>
控
制
性
，
也
具
备
有
MOCVD
之可选择生长等特点。此一系统有时
可
epitaxial growth system
有机金属分子束磊晶生长系统
称为有
机金属分子束磊晶生长系统，或化学分子
束磊晶生长系统。
MOMBE
装置
Chemical
beam
epitaxial
growth
system
化学分子束磊晶生长系统
CBE
装置
D2404
Atomic
layer
epitaxial
growth
是指使原子层或分子层，一层一层加以控制使其
system
生长之装置，就原子层之控制方法而言，可分类
原子层磊晶生长
系统
为定时（
timing
）法与饱和吸附法，将化合物半
装置
/ALE<
/p>
装置
导体组件制作成极微细构造，
用来获得量子效果。
D2405
Vapor
phase
epitaxial
growth
是指利用高温汽相中之化学反应，可在晶圆片上
system
生长硅、化合物半导体等单结晶之装置。此一装
气象磊晶生长系统
置可分类为大气压汽相磊晶生长法，有机金属汽
相磊晶生长法，及光汽相磊晶生
长法等装置。
D2406
Atmospheric
pressure
vapor
是指汽相磊晶生长可在大气压下进行之装置。此
phase
epitaxial growth system
一
装
置
通
常
使
用
于
硅
装
置
，
特
别
< br>是
双
载
子
大气压汽相磊晶生长系统
（
bip
olar
）装置等制程上。
D2407
Reduced
pressure
vapor
phase
是指汽相磊晶生长可在减压状态进行之装置。由<
/p>
epitaxial growth system
来自晶圆之
自动掺杂会减低，有可得峻峭之组成
减压汽相磊晶生长系统
分布等等之优点。亦可称为低压汽相磊晶生长系
low
pressure
vapor
phase
统。
epitaxial growth system
低压汽相磊晶生长系统
D2410
Liquid
phase
epitaxial
growth
是指将单结晶之子晶
（
seed
）
，
接触到含有生长材
system
料之过饱和溶液，经由使二者间形成温度坡度，
液相磊晶生长系统
而在晶圆表面生长磊晶层之装置。
D2412
Deposition chamber
沉积室
D2413
Growth rate
生长速率
是指在
CVD
装置，或磊晶生长装置，为形成薄
膜之部分装置。此一称沉积室可收纳有晶圆，晶
圆固定器，承受器（
susceptor
）
及加热器等。
是指每单位时间在晶圆上之生长膜厚度。使用于
磊晶生长法之场合较多。
D
．
3
编号
氧化用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指可在晶圆片上形成氧化膜之装置。依温度，
周围空气，压力以及
装置之形成，可分成大气压
热氧化、
高压热氧化及等离子体阳极
氧化等装置。
为氧化膜厚之调节活为防止膜中之金属污染为目
的
，
有时采取分压氧化，
盐酸添加氧化，
TCA(t ri
ch
lo
ro
－
ethane)
添加氧化，
DCE(di
ch
lo
< br>ro
－
ethylene)
添加
氧化等方法。
是指经由将氧气或水分子，输送到反应室内被加
热之晶圆，使之在高温下经热氧化反应，而在晶
圆面上形成氧化
膜之装置。
D3001
Oxidation system
氧化系统
D3101
Thermal oxidation furnace
热氧化炉
D3102
Atmospheric
thermal
oxidation
是指可在大气压附近形成热氧化膜之装置。氧化
furnace
之方法有干式
（在干燥氧中氧化）
，<
/p>
湿式
（以水蒸
大气压热氧化炉
汽氧化）
，
以氢气来燃
烧等氧化。
就反应管及加热
器之配置方式而言，可分为横型大气
压热氧化，
及纵型大气压热氧化等装置。
D3103
High
pressure
thermal
oxidation
是指可在高压下进行氧化之装置。与通常之热氧
furnace
化比较，可谋求氧化温度之低温化及氧化时间之
高压热氧化炉<
/p>
缩短化。
D3104
Plasma oxidation
system
等离子体氧化系统
D3105
Rapid cooling system
急冷系统
D3106
Oxynitridation in
N
2
O(NO)
酸窒化酸化
Oxynitridation in N2O
（
NO
）
在
N2O
中之氧氮化
D3107
External torch unit
外界火炬装置
是指经由以化学较活性之氧气等离子体与晶圆间
之反应，可形成氧化膜之装置。可在
较热氧化法
为低之温度形成氧化膜。
是指在氧化，扩散及
CVD
装置中，可将炉内温
度作急速冷却之电炉。若晶圆处理温度与晶圆取
出温度不相同时，可能影响产量
之提升。
是指使用
N2O
或
NO
瓦斯，
将晶圆加以氧氮化之
作法。经由本作法所得极薄氧氮化膜，因可由氮
气原子改善接口特性，较以往之热氧化法所得氧
化膜，可以提升电气
特性。
是指使用热氧化装置来进行
水蒸汽氧化时，在反
应炉外燃烧氩气与氧气来产生水蒸汽之装置。水
蒸
气
之
量
是
以
质
量
流<
/p>
控
制
器
（
mass
flow
controller
）
.
对氩气及氧气作精密之调整控制。
其
燃烧部亦可以称为高温装置。
是指
在利用各种加热源来加热似料之装置中，为
避免加热源参差不齐之温度传入试料中，在加
热
源与试料间插入，
籍以使加热温度均匀化之容器。
通常都使用管状容器。
D3108
Linear tube
线性温度加热管，均热管
编号
D3112
< br>用语（英文
/
中文）
Radial temperature uniformity
径向温度均一性
用
语
说
明
是指在热氧化、热扩散及
CVD
等装置中，
位于
炉之任意横断面，其温度分布之均一性。径向量
度之均一性
因与晶圆之面内温度有直接关联，例
如，对于
CVD
膜生长是一很重要之因素。
是指具有将温度分布
控制在控制在规定之温度偏
差以内之领域长度。
是指对预先加热反应管之均热部部分，从插入晶
圆算起至获得插入晶圆前之均
热状态所需时间。
是指位于晶圆筒形加热器反应管内部长方形
方向
之温度分布，是表示炉内温度与距离间关系之图
案。
是之为将放置试料之晶舟，送进抑或退出之自动
搭载机。关于速度与停止位置之再现性，需要进
行告精度之控制。
< br>经由将推进棒
(pusher)
拔出或插
进反应管，来进行试料晶舟之插入或拔出。
指将晶圆
插入反应管或从反应管拔出时所用之冶
金工具。通常是以高纯度之石英或加工
SIC
来制
作之。在此一晶舟之槽沟上可设置大约
25
－
200
片左右之芯片，来进行反应处理。
是将多数之垂直型反应管排
成一列，从自动化装
置之一端。将晶舟沿着反应管列输送，针对着设
置在各反应管内之晶舟处理机
（
boat handler
）
，
将
晶舟加
以交接之装置。
是使用于晶舟输送装置之一种，
将晶舟对上下
（垂
直）方向输送，针对各反应管将晶
舟加以交接之
装置。
是使用与晶舟输
送之处理装置，是位在晶舟升降
机与晶舟输送机间，将晶舟作垂直交接之装置。
主要使用于垂直型反应炉。
是指将多数之垂直
型反应管排成一列，从自动化
装置之一端，将晶圆匣盒沿着反应管输送，针对
设置于各反应管内晶圆自动移载装置，将晶圆
是
指当晶圆送入热处理炉内后，依某一决定速度
将温度倾斜上升至处理温度之谓。
亦是每单位时间之温度上升。相反，对某一决定
速度将温度降下来者，称为冷却（
cool
down
）
.
是使用热氧化装置来进
行水蒸气氧化时，将氢气
与氧气送入加工处理管
(proces
s
tube)
内，加以燃
烧之水蒸气
产生装置。
是指有助于氧化反应之原子，分子及离子等物质<
/p>
之总称。
D3113
D3114
D3115
Flat
zone length
热平坦区长度
Temperature recovery time
温度复原时间
Temperature profile
温度断面图
Boat loader
晶舟搭载机
D3116
D3118
Boat
晶舟
D3119
Boat transfer
晶舟输送机
D3120
Boat elevator
晶舟升降机
D3121
Boat handler
晶舟处理机
D3122
Cassette transfer
晶舟匣盒传送机
D3125
Ramp up
倾斜升温，
每单位时间之温度上
升
D3127
Internal torch unit
内部火炬装置
D3129
Oxidation seed
氧化种子
酸化种
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是有关热处理装置，直接将高纯度瓦斯引进其内
部，藉以将晶圆加以
处理之管状反应器之总称。
该管难以使用高纯度石英玻璃为主，就高温加工
处理用而言，大都使用碳化硅（Ｓ
i
Ｃ）
D3130
Process tube
加工处理管，管壮反应器
D
．
4
编号
掺杂（
doping
）用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指为将Ｐ型或Ｎ型杂质原子，添加于晶圆片上
之掺杂装置。
有关杂质掺杂方法有热扩散
(thermal
diffusion)
法，
雷射掺杂
(laser doping)
法，
等离子体
< br>掺
杂
(plasma
dopi
ng)
法
及
离
子
注
入
(ion
implantation)
法。
D4001
Doping system
掺杂系统
4
．
1
编号
热扩散装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是能经由控制温度与流量，可将
p
型或
n
型杂质
热扩散到晶圆片中之装置。由于反
应管及加热器
之配置方法，可分为横卧式热扩散，与竖立式热
扩
散等装置。
D4101
Thermal diffusion furnace
热扩散炉
热扩散装置
4
．
2
编号
雷射参杂装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指将紫外领域波长之雷射光照射于晶圆上，经
由光化学反应将掺杂
物（
dopant
）瓦斯加以分解，
同
时将照射部分局部加以溶解，可对此一部分进
行掺杂（
dopi
ng
）杂质之装置。与离子注入法有
所不同，缺陷之形成被加以
抑制，因而为活性化
之退火（
annealing
）处理可弃之不用。就雷射而
言，主要使用具有短波长之准分子雷射（
excimer
laser
）
。
D4201
Laser doping system
雷射掺杂系统
4
．
3
编号
离子直入装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指对具有运动能量之离子加以照射，为能将试
料之物性加以控制之
装置。
此一装置是由离子源，
提取电极系统，
< br>质量分析系统，
注入室等所构成。
是指离子能量（
1
价离子）之最大值，在
< br>10Kev
以下之离子注入装置。
D4401
Ion implanter
离子注入机
D4402
Low energy ion implanter
低能量离子注入机
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指离子能量
（
1
价离子）
之最大值，
超过
10Kev<
/p>
而在
250Kev
以下之离子注入装置。
是指线束电流量之最大值，
未超过<
/p>
0.5mA
之离子
注入装置。
是指线束电流量之最大值，
在
< br>0.5mA ~ 5mA
之离
子注入装置。
系指线速电流的最大值，
在
5Ma
以上的离子植入
装置。
系指
离子能量
（
1
价离子）
的最大值，
超过
250Kev
的离子植入装置。
系形成各种元素等离子体的部分。因放电种
类的
不同，有直流型、高频波型以及微波型，目前最
适用者为弗
里曼型，
系属于直流型。
此一离子源，
系利用由磁场中的灯丝所放出的热电子，来形成
离子。
系指将被加速离子植入半导体基片的方法。通常
利用硼（
B
）
，磷
(P)
，砷
(As)
等离子，作为引进用
杂质。其控制性与再现性相当优异，被广泛用作
取代以往的热扩散法，作为半导
体基片的杂质导
入法。
系指将无秩序
状态的离子，加以控制而获得有方
向性且步调一致的离子流。中性的原子或分子，
当失去电子而被离子化状态下，各个离子系未具
有方向性，且有无秩序
的举动。
系指在质量分析系统中，能将质量数很接近的
2
种以上的离子，加以分离的能力限度。质量分解
力可以质谱上线速电流量的半值宽，与其离子质
量数之比来表示
系在同一植入条件下，对多数晶圆片进行植入离
子，经算
出每一片晶圆的平均面电阻系数，根据
此一电阻系数求得各晶圆片的偏差值者。亦称为<
/p>
再现性，同为重要的评价项目。
系将晶
圆片上置于晶缘固定板
(platen)
上时，由基
准位置将主定向平面
(orientation
flat)
，以晶圆面
中心点为轴，加以旋转一定角度。此一角
度称为
扭转角
(twist
angle)
。
系指为能使晶圆可以
分批处理，能将其数片
~
十
数片，加以
装填的圆盘。为要确保离子注入的均
质性，与为避免因热损及晶圆，可以使其高速旋
转又可同时作业并进运动。
系指当进行离
子注入之际，将晶圆加以倾斜者。
由晶圆中心竖立的法线达到晶圆中心的线速所成
角度，称为倾斜角。
D4403
Medium energy ion implanter
中能量离子注入机
D4404
Low current ion implanter
小电流离子注入机
D4405
Medium current ion implanter
中电流离子注入机
D4406
High current ion implanter
大电流离子植入机
D4407
High energy ion implanter
高能量离子植入机
D4410
Ion source
离子源
D4411
Ion implantation
离子植入，离子移植
D4412
Ion beam
离子束
D4413
Mass resolution
质量分解力
D4414
Wafer-to-wafer dose uniformity
晶圆间离子植入的均质型
D4415
Wafer twist
晶圆扭转
D4416
Wafer disk
晶圆圆盘
D4417
Wafer tilt
晶圆倾斜
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指当晶圆被注入杂质的离子时，为表示晶圆内
究竟注入何种程度均
质性的指针。就其评价方法
而言，通常在退火后，经由
4
探针法，在晶圆面
内进行数十点的面电阻系数分布测试，经由统计
处理求得偏差值。
D4418
Wafer dose uniformity
晶源离子注入均质性
D4419
Wave guide
系指在质量
分析系统中，为时离子波束中通过
,
离子波束引导管（腔）
，导波管
所设置的真空腔
(vacuum chamber)
。
为防止有不必
要波束的碰撞削去其内壁，设置有
内衬保护板
Analyzing chamber
(liner)
者为数不多。有时亦称为分析管
(
腔
)
。
分析管（腔）
D4420
Energy contamination
能量污染，杂质能量
系指离子能量位
在可作目标值以外的离子能量总
称。因离子与残留气体（中性粒子）的碰撞，经
电荷交换所产生离子，或分之离子的分解所产生
离子，变成非目标能量而
植入晶圆者。
系指当将离子植入靶子的过程中，将与各种电极
或孔径相碰撞。籍电场或磁场将该时产生二次电
子，不至于从产
生地点泄漏到外界的机构。为要
抑制产生二次电子所加的称为偏压。
系指对晶圆植入离子时，为防止在晶圆片上产生
正电荷<
/p>
(charge
up)
，可对晶圆提供
低能量电子，
籍以中和的机构。
有时亦称为电子
(electron show)
流枪，或电子障壁。
D4421
Electron suppressor
电子抑制器
Base
偏压
D4422
Electron
flood gun
淹没式电子枪，电子流枪
D4424
Orientation
flat
aligner
/
flat
系指将晶圆搭载于晶圆固定板之际，将晶圆的定
orientor
向平面
(orient
ation)
，或将缺口
(notch)
加以对准所
定向平面对准器
定位位
置的机构。由此对准器可以决定离子植入
时的扭转角
(twis
t
angle)
，与晶圆倾斜
(wa
fer
tilt)
共同决定离子植入晶圆时的入射角度。
D4425
Rotational
implant
旋转式（离子）植入
系指将晶圆依其
经晶圆面中心点为轴，作为旋转
进行的离子植入。
有时离子植入
中晶圆并不旋转，
植入一定量后加以旋转一定角度，然后再继续植
入者，称为步进旋转植入法。
系指经由加速方式，设置在分
析系统先后，可给
与离子能量的管子，系由绝缘物与电极所构成，
通常是属多段构造。对各电极施加以分割的加速
电压，由形成在电极间之电场来加速离
子。
系指为能对经由提取电压所加速的离子，给予一
定离子能量，对加速管所施加的电压。离子能量
可加速电压与提取电压的
总和，及离子价数来决
定。
D4428
Acceleration tube
加速管
D4429
Acceleration voltage
加速电压
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指经由离子注入装置构成材料的污染。是由晶
圆保持夹以及晶圆附
近的金属制品等，受到离子
波束的溅射，而引进晶圆内部的污染者。在同一
装置内一连串不同制程间，各个制程所使用瓦斯
或生成物，污染到其它制程环
境者。随着组合设
备工具
(cluster tool )
的普及，
此一用语的使用日益
增多。
系指在质量分析系统之前，将以
20-40
Kev
之低
加速能量给予离子波束，
而在质量分析系统之后，
加速至所需要能量的方式，后段加速方式可以小
型的质量分析磁铁，可实现较高能量的
离子注
入。
系指要产生之际，可搭配与离子源而被用作固试
料的蒸发源。试料在真空中被加热器加热
至数百
度
oC,
变成蒸汽而被引进等离
子形成室。主要从
安全性的观点，此一固体蒸发大都用作替代有毒
瓦斯。
系指关于晶圆中的注入量，经由
SIMS,
原子吸光
分析等之定量分析，可利用下述数式来
计算。污
染量
[
%
，
ppm
]
=
混进离子的注入量（
atoms/cm
3
< br>）
所盼离子的注入量
(
atoms/cm
3
)
就离子注入
装置而言，有时也可用混进离子波束
电流，与所分离子波束电流的比值来表之。
D4439
Deionized
water cooling
去离子水冷却
系指对离子注入装置的
高电压端内，及终端站系
统的去离子水冷却，去离子水冷却因具有绝缘性
甚佳为由被用来替代氟氯烷
(freon),
而被普遍
使
用。若考量耐电压或波量测错误有必要将去离子
水之比电阻作
适当之管理。
系指以离子波束加以扫描，使其注入晶圆时之波
束电流值。以离子波束加以扫描时，离子波束因
受离子注入装置
遮光罩之限制，仅被限制领域之
离子到达晶圆，成为较点状
(s
pot )
照射为少之电
流值。
<
/p>
系指从离子源被提取之离子波束，在质量分析系
之前，给予必要之
加速能量，经质量分析后，对
靶子注入离子之方式。
系指以协助原子，分子之电离为目的，而对离子
源施加磁场之磁铁。大都被当作正交电磁场或不
均一磁场（镜面磁场）来使用
。其磁场之强度以
离子源之种类而定。
D4431
Cross contamination
交互污染
D4433
Post acceleration system
后段加速系统
D4435
Solid vaporizer
固体蒸发源
D4436
Contamination level
污染量
D4440
Scanned beam current
扫描波束电流
D4442
Preacceleration system
前置加速系统
D4443
Ion source magnet
离子源磁铁
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
D4444
Tandem electrostatic
accelerator
将置于大地电位之离子源，所产生
的负离子，经
串接静电加速器
由静电场加速后面向正电位之高压部，又被设在
该部之电荷变换器换
成正离子，然后再面向大地
电位，进一步被静电场加速，而获得所需要能量
离子加速方式之离子植入装置。系为形成高能离
子时使用。
< br>
D4445
Channeling
穿隧效应
/
沟道效应
若沿着结晶轴或结晶面，将离子加以照射时，大
多数离子不会与结晶中
之原子核或电子碰撞，而
侵入到结晶内部。
< br>此一过程称为穿隧效应（
channeling
）
。离子沿着
结晶轴侵入者，称为轴穿隧效应，离子沿着结晶
面侵入者，称为面
穿隧效应。
系指注入离子中，晶圆片
上之绝缘物会带电之情
况。为此组件在离子植入中，有时会劣化甚至被
< br>破坏。为防止这一情形发生，大都设有淹没式电
子枪（
electron flood
gun
）
.
系指对晶圆进行离子植入
的处理室。当植入离子
时，为避免室内某瓦斯原子与离子加速，因碰撞
< br>所产生中性粒子，被打进晶圆内而产生离子植入
量有维持高真空的必要。为达成高
生产量（
high
throughput
< br>）
,
亦准备真空预备室或
2
套离子植入
室的设备。有时亦可称为处理室或打靶室。
系指植入离子之际，对一片晶圆将倾斜角多次边
变
换边进行离子植入者。再离子植入中倾斜角系
被固定，植入一定量后，再移至下一个倾斜
角继
续进行注入。
通常在植入中。
晶圆
系连续在旋转。
系指装置所能处理
的晶圆尺寸。因受到终端站机
构等限制，可进行注入处理的晶圆大小，就受到
限制。通常，可处理晶圆的直径以被称呼之直径
表之。
系指植入试料或被植入每单位面积之离子数目。
系指可将波束扫描
（静电扫描，
磁铁扫描）<
/p>
，
与机
械式扫描加以搭配，可得离子植入
很均匀之扫描
方式。例如
X
方向之扫描
，系将晶圆盘高速加以
旋转，同时利用电场或磁场，将离子波束就
Y
方
向加以扫描。
基本上系与晶圆间之注入均质性（再现性）同一
意义。以批处理进行注入离子之
场合，每一批搭
载有评价用晶圆，与晶圆间均质性之场合同样，
可以求得各批次间之偏差。
D4446
Charge up
充电，使绝缘物带电
D4447
Implant chamber
离子植入室
Process
chamber
处理室
Target chamber
打靶室
D4448
Muliple tilt angle implantation
多倾斜角植入
D4449
Acceptable wafer size
适用晶圆尺寸
D4450
Dose
剂量
D4451
Hybrid scan
混合式扫描
D4452
Batch-to-batch dose uniformity
批次间之注入均质性
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指将离子波束加以扫描植入时，对晶圆表面之
入射角，系属于相同
之离子波束。此一离子波束
可分为两次元平行化加以扫描的方式，与一次元
平行化之混合方式。
系指在产生离子波束之状态下
，表示装置安定性
之指针。当操作人员没有操作装置的状态下，在
一定时间内以波束电流之变动量表之。
系指构成离子波束，
其离子本身所具有之能量。
特别关于靶极，系指离子波束所具有运动能之情
形较多。
此时，
离子系以波束能量被注入试料中。<
/p>
系为要聚焦离子波束，具有透镜作用之部分装置
总称。此一波束聚焦系统，有静电电极透镜，静
电
4<
/p>
重极透镜，磁场透镜，及磁场
4
重极透镜
等
等。
系指将离子波束之量，以离子
在单位时间搬运之
电荷量，亦即以电流来表示者。特别关于靶极，
系指照射于试料之离子波束量。由多价离子所构
成离子波束之场合，有以电流量本身来
表示之场
合，与以其离子之价数除以电流量之商值来表示
的场合
，分别以
eA(electri
campere)
及
pA(particle
ampere)
表之。
关于植入多价离子时，为去除因离子波束与残余
瓦斯间的碰撞，而产生低能量
成分，所增设适当
位障
（
potent
ail barrier )
之机构。
多价离子之植入，
系在有必要对装置注入最大加速电压以上之能量
时使用。
< br>为要提取在离子源所产生的离子，是指在离子源
与提取电极的系统间，所施加的电
压，经此一电
压，可决定从离子源所提取的离子能量。
是指与
电弧室缝隙相面对为要将离子
源所产生
的离子，加以提取出来的电极。为要使离子波束
具有聚
焦作用，通常是由
2
片电极所构成。
是指由连接到抑制电极及电流积分器的法拉第帽
极，及靶极等所
构成，可以用来将入射靶极的离
子波束电流量，加以检测出来的装置。因二次放
射电子经电子抑制器，又会回到法拉第帽极，电
流量测试不致产生误差。
是指单片晶圆处理的
终端站，
将被送到达的晶圆
加以保持住，且将晶圆设
定到晶圆台，通常圆晶
圆固定台有冷媒循环，将晶圆加以冷却。此外，
< br>固定晶圆的
固定台，
在离子注
入时，
将成为法拉
第系统的一部分，而发挥其功能。
D4453
Parallel beam
平行波束
D4454
Beam stability
波束安定性
D4455
Beam energy
波束能量
Ion energy
离子能量
D4456
Beam focusing system
D4457
Beam
current
波束电流
Ion current
离子能量
D4458
Beam filter
波束滤波器
D4459
extraction voltage
提取电压
D4460
Extraction electrodes
提取电极
D4461
Faraday system
法拉第系统
D4462
Platen
晶圆固定台
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指位于分析磁铁的焦点位置，是为挑选所离子
种类的
缝隙。
缝隙的大小成为质量分析上，
可决
定分解能力的重要因素。
是指从包含有各种离子波束中，仅可将必要的离
子中加以提取出来的磁铁。
不同离子中在磁场内，
各个依从其运动量而描述不同的轨道。利用此一<
/p>
特性，经由调整分析磁铁的磁场强度，仅可将所
要的目标离子挑选
出来。
是指当以
< br>扫描离子波束植入离子时，
为要决定植
入领域，配置在法
拉第系前的孔径。其孔径尺寸
可选取其扫描领域能覆盖包含晶圆周围数
< br>mm
即
可。
< br>是将离子波束加以固定，将装填多数片晶圆的圆
盘，对
X
,Y
方向作机械式扫描，可获得注入很均
匀的扫描方式。就一般
而言，将旋转圆盘作上下
或左右并进运动。
D4463
Resolving aperture
鉴别孔隙
D4464
Anylyzing magnet
分析磁铁
D4465
Mask
孔板，障板
D4466
Mechanical scan
机械式扫描
D4467
Radio frequency linac accelerator
系将离子源引出之离子，利用高频所加速方式之
高频线性加速器
离子注入装置。在大地电位之短小线束中，较低
之电压经由高频（
RF
）
，反复多数次将离子加以
Radio
frequency
quadrapole
加速，可以形成
MeV
位阶之高能离子。此一加
速器有将多数
RF
线性加速方式，与以单一四
重
accelerator
极将离子反复加以加速与聚焦
RFQ
型加速方式。
高频四重极加速器
D4468
Plasma flood gun
淹没式等离子枪
系指具有与淹没式电
子枪
（
electron flood gun
）
同
样之目的，能对产生在晶圆上之正电荷加以中和<
/p>
之机构。系利用等离子体仅将低能量之电子，加
以引进晶圆上。与
淹没式电子枪比较，较不容易
产生过剩之电子。
系指仅将作为目的能量之离子束，加以一定角度
偏向之磁铁。其原理数以分析
磁铁同样，此一目
的系为去除能量污染（
energy
contamination
）而
设。
D4469
Final engry
magnet
终极能量磁铁
D
．
5
编号
退火处理（
annealing
）用语
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
系利用各种加热源，来进行试料之热处理。因为
加热源种类之不同，
可以分类为激光退火处理、
热放射退火处理、电子波束退火处理、闪光灯退
火处理、及电炉退火处理等装置。
D5001
Anneal
退火处理
5
．
1
编号
退火处理装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系以激光光照射晶圆表面，
，
或将形成在晶
圆片上
之薄膜，在局部且短时间内，进行退火处理之装
置。因激
光光照射方式之不同，可分为脉冲激光
退火处理、
CW
激光退火处理等装置。
系指使用红宝石，
YAG
,
准分子激光（
excimer
7
laser
）
等，将脉冲时间
20
∽
50ms,
功率密度
10
∽
8
10
w/cm2
之脉冲振荡激光光，照
射到晶圆片上，
在
1us
以内之短时间
内，
可进行退火处理之装置。
此一装置所能退火处理之面积较大
，杂质之活性
率有偏高之特点。
)laser
系指使用氩（
Ar
）
、氪（
Kr
）<
/p>
CO
2
以及
Y<
/p>
AG
激光
等，将功率密度
10
6
W/CM
2
之连续振荡激光光，
照射于晶圆片上，在
ms
等级之短时间内进行退
火处理之装置。此一装置因不易产生杂质之再
分
布，具有可形成较浅接合之特点。
系指经由高能电子波束之照射，将晶圆表面，或
形成在晶圆片上之薄膜，作局部且在短时
间内，
可进行退火处理之装置。经由电子线之照射放射
方式，可
分成脉冲电子波束退火处理，即
CW
电
子波束退火处理等装置。
系指使用百热线或百热灯，将所产生
放射光照射
于晶圆片上，可在短时间内进行加热处理
(Rapi
d
Thermal Processing;RTP)
之装置
。
经由放射光照射
之处理不同方式，可分为卤素灯退火处理、弧
光
灯退火处理、石墨加热器退火处理等。
系指使用路数等作为加热源之退火处理装置。此
一
装
置
对
< br>加
热
退
火
处
理
（
Rapid
Thermal
Anneal;RTA
）
系使用氙气闪光灯，将功率密度
10
4
10
5
W/CM
2
之高能光照射于今片上，在数十
um
∽
ms
之短时
间内，可进行退火处理之装置。此
一装置具有一
次可在大面积上退火处理，及杂质再分布较少之
特
点。
∽
D5101
Laser annealer
镭射退火处理机
D5102
Pulse laser annealer
脉冲镭射退火处理机
D5103
CW(continuous
wave
annealer
连续波镭射退火处理机
D5104
Electron beam annealer
电子波束退火处理机
D5105
Infrared annealer
红外线退火处理机
D5106
Halogen lamp annealer
卤素灯退火处理机
D5107
Flash lamp annealer
闪光灯退火处理机
D5108
Arc lamp annealer
弧光灯退火处理机
D5109
Graphite heater annealer
石墨加热器退火处理机
D5110
Furnace annealer
电热炉退火处理机
系指使用弧光灯作
加热源之退火处理装置。可再
ms
极短时间内进行退火处理。<
/p>
系指将石墨加以烧结，且利用其当作加热源，可
作为短时间内作退火处理之装置。
系利用百热线等加
热气，
作为所希望之温度气氛，
经由此一热传导加热晶圆片，籍
以进行退火处理
之装置。由于电热炉构造之不同，可分为横卧与
竖立型电热炉退火装置。
编号
D5111
用语（英文
/
中文）
Annealing chamber
退火处理室
Annealing
temperature
退火处理温度
用
语
说
明
系指构成退火处理装置之要素中，为加热对象物
所设置空间或构成品
。此一构成品有石英制及金
属制。
系
将试料做作加热处理时，可是该物质构造或物
性安定化之处理温度。就晶圆制程而言，系
指为
进行非晶质层之单结晶化，热压结（
sintering<
/p>
）
，
接口之特性提升。恢复变形等之热处
理温度。
D5112
D5113
Temperature up and down profile
系指将晶圆等作热处理时，可显示其升降温度，
，
温度升降剖面图
与处理
时间间关系之图案。为提升热处理之再现
性，
为防止产生晶圆片
之扭曲、
变形、
，
有时对升
降温度图案进行程控。
Ramp rate <
/p>
升降温速度
/
斜坡率
Sinter
热压法
/
烧结
系指在退火处理之加热装置中，将对象物加热之
所希望温度之际
，其温度之上升与下降速度。
系指为要获得欧姆接触，所进行
之热处理。多半
使用于
A1
电极之处理
。
可再
100
-
500
℃之非活性
瓦斯，及氢气之气氛中进行十～数十分钟之
热处
理
.
系指可将准分子镭射
(excimer
laser
)
等高斯分布
(Gaussian d
istribution)
指波束剖面，
跨于广泛围变
成均匀波束强度分布之光学装置。经由光学可变
焦距透镜（
zoom
lens
）
，可
获得任何长方形而均
一波束，因此，可搭配在镭射退火处理装置内。
系指为要获得所希望之温度或膜厚，将施加于加
热源之电
流或电压，加以调整控制。经由控制电
路之构造，
使用变压器或
SCR
来调节所供应之功
率
.
系指经由退火处理，所产生晶圆面内或晶圆面间
之温度偏差。
对于使用于热电偶来直接测试晶圆，
火车试离子
注入后之退火处理均匀性，可经由测
试薄层电阻（
sheet
resistance
）来求得之。
系指在退火处理室内，对所要处理之晶圆，连续
施加多循环之退火处理。此法可经由切换
温度或
空气中之瓦斯种来实行，可用来控制扩散层或薄
膜之构成
。
条件
1
条件
2
温度
时间
D5114
D5115
D5116
Laser homogenizer
镭射波束均匀化机
D5117
Lamp power control
照射灯功率控制
D5118
Annealing uniformity
退火处理之均匀性
D5119
Multi cycle annealing
多循环退火处理
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指在退火处理中，将温度改变之处理方法。此
法可以将扩散层或金
属膜中的扩散种类的分与结
合，导入所希望的状态。
温
度
时间
<
/p>
系指为要冷却退火后的晶圆到所指温度的载物
台。此法有使用石英
的水冷却板或直接将空气吹
上去的方法。
就灯泡加热装置而言，虽然使用以棒状、球状等
形状的灯泡作为光源，
在此是指为实现处理性能，
其所采用种种灯泡的排列方法。
< br>
系以辐射温度计测试晶圆之际，经由对测试值成
为误差
的原因，而将测试之表面状态（薄膜或粗
糙镀等）
，就发射率的
变动加以补偿校正的结构。
氧气浓度属于制程参数的一种，在
此，是指测试
反应室内氧气浓度的构造。可用来调查残留在加
热
空气中的氧气浓度，或在所期望氧气浓度进行
热处理。
D5120
Multi step annealing
多步骤退火处理
D5121
Cooling stage
冷却阶段载物台
D5122
Lamp arrangement
灯泡系列
D5123
Emissivity correction
发射率校正
D5124
Oxygen concentration monitor
氧气浓度监控器
D
．
6
编号
抗蚀刻处理用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指为要在晶圆处理制程中，将晶圆加以涂敷抗
蚀剂，相应或烘烤等
装置之总称。这一装置可分
类为涂敷、显影及烘烤等装置。
D6001
Resist processing
equipment
抗蚀剂处理设备
6
．
1
编号
涂敷装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
当晶圆表面端部与每一制程的位置确定部接触
时，因抗蚀剂的缺角而
产生灰尘。为避免灰尘的
产生，将晶圆周边的抗蚀剂，须以溶剂加以除去
之。通常之涂敷抗蚀剂完成后随即加以进行。
系指可
进行上下方向之传送、可调整输送高度的
单元。经由此一单元，可将涂敷显影装置与曝光
装置加以连接起来，
使涂敷
-
曝光显影制程成为连
贯性。
D6103
Edge bead removal
/E.B.R
边缘球状物去处
D6104
Elevator unit
升降机单元
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
D6105
Automatic
damper
/
exhaust
for
系指在抗蚀剂的涂敷与显影时依从制程程序
coater
（
process sequence
）
，
可自动将碗盘内的排气量加
自动风
门
/
涂料气排气
以控制的机构。此一机构从单纯将排气口加以开
闭的机械方式，直到最近的数字式控
制方式都有
Exhaust for developer
被使用。此一数字式控制也称为时序风门。
显影剂排放
Sequential
damper
时序风门，时序排气器
D6106
Chemically amplified
resist
化学放大型抗蚀剂
系
指当作抗蚀剂中的感光剂，因含有酸发生剂，
经由曝光所产生的酸，对往后的热处理（<
/p>
PEB
）
将感应触媒反应，可促进对显影
液之不熔化（负
性型）或可溶性（正性型）的抗蚀剂。针对
De
ep
UV
，准分子
(excimer
)
，
X
线及电子线曝光等，将
各光源亮度的不足，拟以抗蚀剂的高灵敏度化来
加以对应者。
D6107
Bowl
temperature
and
humidity
系指当涂敷抗蚀剂之际，
< br>为提升晶圆间的均一性，
control
宜将属于膜厚变动因素的温度，确保在一定。
碗盘温度与湿度控制
D6108
Bowl rinse
碗盘冲洗
D6109
Comet appearance
彗星状模样
D6110
D6111
Suck back
吸回
Optical edge
bead removal
晶圆边缘曝光球状物去除
Striation
辉纹
Rotation speed
自旋马达之回转数
系指当涂敷之际，
为保持碗盘内的清洁，或使保
养简单化，
喷出少量溶剂，
可简单的加以洗涤者。
系指对晶圆涂敷的抗
蚀剂后，在晶圆表面上显现
彗星状模样者。此以情形系因抗蚀剂中的气泡或
杂物所产生。
系指在抗蚀剂涂敷装置中，为防止抗
蚀剂从喷嘴
口垂直滴落，
将滴落及喷嘴的抗蚀剂加以吸取者。<
/p>
系指将附着在晶圆边缘的抗蚀剂，加以去除的一
种方法，为能使显影时将边缘部位的抗蚀剂加以
去除，而对晶圆边缘加以曝光。
与利用药液
系指在晶圆面上涂敷抗蚀剂时，
< br>因膜厚之不均匀，
在面向晶圆之周边产生放射状之不均一线状模
< br>样。
关于自旋涂敷机
（
spin coat
er
）
及自旋显影机
（
spin
developer
）
，是指将晶圆加以旋转之马达回转数，
通常以
r.p.m
或
rad/sec
表之。
自旋涂敷时之抗蚀
剂膜厚系依存于回转数，
因此，
回转数之安定性，
对膜厚之均质性与再现性而言，是一重要因子
。
系指在涂敷抗蚀剂中
,
从晶圆表面飞溅出去的剩
余抗蚀剂
,
再度溅射
(splash)
附着在晶圆面上者
.
或
者系显影剂喷出来时的微细滴液
,
干后再附着在
晶圆面上者
.
多半成为灯丝状的残渣
,
可以显
微镜
观察它
,
或利用激光光的盘面检查
加以观察
.
类同
的用语有碗盘内雾状<
/p>
.
D6112
D6115
D6117
Splash back
溅射回来
Mist in bowl
碗盘内雾状
编号
D6118
< br>用语（英文
/
中文）
Centering
对准中心，定心
用
语
说
明
系指将晶圆的中心对准自旋转夹头上的位置
.
晶
圆中心的偏移
,
将影响到自旋涂敷
机对抗蚀剂膜
厚均质性的主要之一
.
对晶圆的抗蚀剂涂敷及显影
,
税经由旋转来进行
.
此时对晶圆使用过量而滴下的药液自然成为废
液
,
在涂敷或显影部的直接下方加以回收的容器
者
.
因使用有机药品需要具备有局部排气功能
.
有
时废液不在设备下方回收
,
而采用排出到工厂设
备或个别回收容器
(
装置外
)
的自动排放方式
系指能喷出抗蚀剂或显影液的先端部分
.
有不锈
钢或特弗龙树脂。
系指在涂敷抗蚀剂时
,
将迂回而附着在晶圆背面
的抗蚀剂
,
以冲洗夜将抗蚀剂加以去除的方法
。
.
系指具有吸收或衰减紫外线
（<
/p>
UV
）
光的特性，
为
减少在曝光时产生驻波或晕光作用（
halation
）
，
在抗蚀剂膜的上面或下面位置，所涂敷
之膜。有
时简置于抗蚀剂的上面者，称为
TOP
ARC
，而
置于抗蚀剂下面者，称为
BOTTOM-ARC
。
系指有关自旋式处理装置
,
在对晶圆涂敷显影液、
抗蚀剂等药液之前，事先将配管中的药液排出，
更换新装药液的
动作。类似的用语有假配药及原
始配药。
D6120
Drain box
废液回收箱
D6121
Nozzle
喷嘴
D6123
Backside rinse
背面冲洗
D6124
Anti- reflection coating
防反射涂膜
D6125
Pre-dispense
预先配药
Dummy dispense
假配药
Prime
dispense
原始配药
D6126
Micro bubble
微细气泡
D6127
Adhesion
promoter
coat
/
vapor
primer
黏着力促
进膜涂敷
/
气相底层涂
料
D6128
Chemical cabinet
化学药剂储存室
系指混进在抗蚀剂或
显影液的微细气泡。系由溶
入药液的加压流体，因压力变化而气化者。此一
微细气泡将成为涂敷偏差，或不良显影的原因。
系
为提升抗蚀剂与晶圆的黏着力为目的，所施加
的处理。
特别是正
性型的抗蚀剂与氧化膜的场合，
其
效
果
最
为
明
显
。
通
常
将
HMDS*(CH
3
)
3
SiNHSi(CH
3
)
3
变成蒸汽状来涂敷的。
系指为供应抗蚀剂涂敷、显影等装置所使用药液
（诸如，<
/p>
抗蚀剂、
显影液、
冲洗液等）
，将此等药
液集中储存在装置内或附近的储存室。因该室有
收藏有机药品，大多有安装系器排气阀。
系指在涂敷
抗蚀剂之际，为提升均质性，将抗蚀
剂的温度加以控制者。起设定温度，依周围空气
温度与晶圆温度，以及抗蚀剂中的溶剂特性，采
用最妥当温度。
系指表示涂敷在晶圆上的抗蚀剂膜厚的偏差。
D6129
Resist temperature
control
抗蚀剂温度控制
D6130
Resist thickness
uniformity
抗蚀剂膜厚均质性
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系进行
X ,Y , Z
方向的输送
，可以调整输送位阶
之单元。经由涂敷显影装置及曝光装置连接，可
以将涂敷（
coating
）
，保
管显影制程加以一贯化。
D6131
Interface unit
接口单元
6
．
2
编号
显影装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
在抗蚀剂处理装置中，系指对晶圆上涂敷的抗蚀
剂，作图案曝光后、
为能将其显影的装置。依处
理的方式可分为自旋（
spin
）式，浸渍（
dip
）式，
喷涂
(spray)
式。
<
/p>
系指经由将晶圆加以旋转，
来进行抗蚀剂的显影、
洗涤及干燥的装置。依晶圆的旋转状况可分为旋
转型与静止型，这一装置由药液
供应系统，自旋
马达与碗盘的搭配所构成。有时因使用溶剂或苛
性水溶液的不同，形式也随之而异。
系指将抗蚀剂加以曝光后
显影之际，将显影液以
泵加压，由药液供应管先端的喷嘴，可对晶圆表
< br>面喷出雾状液的装置。经常有新药液供应到抗蚀
剂的表面，因而可缩短显影时间。
系指将抗蚀剂加以显影之际，为提
升喷涂的均质
性，将显影液的温度加以控制者。其设定温度依
抗
蚀剂与显影液的特性，作最妥当的选定。
系指显影结果的均质
性。就评价方法而言，有线
宽均质性（
CD
）均质性。何谓
CD
均质性，通常
先决定临界尺寸（
critical
dimension <
/p>
；
CD
）
，可<
/p>
表示期线宽再显影后到底偏差多少？何谓膜减薄
之均质性，系表示
不经由图案形成（
patterning
）
曝光而直接进行显影时，
抗蚀剂膜厚之减少偏差。
虽然系指显影速度，因依显影液浓度，抗蚀剂的
灵敏度及曝光量而异，
通常先以一定的抗蚀剂，
曝光量，
显影液种及浓度，
来决定基准显影速度，
作为显影液劣化的判断基准。
系指在显影后，
残留在晶圆开口不的抗蚀剂浮渣。
此一浮渣可分为单独残留在晶圆上者，于附随而
残留在抗蚀剂底部者。<
/p>
系在曝光时，对抗蚀剂的入射光，与来自晶圆的
反射光，互相干涉而产生驻波。系指经由此一影
响，而伴生抗蚀剂膜厚的变动，
导致线宽变动现
象。此一现象也称为驻波效应或摆动效应。
D6201
Developer
显影机
D6202
Spin developer
自旋显影机
D6204
Spray developer
喷涂显影机
D6205
Developer temperature
control
显
影液温度控制
D6206
Developing uniformity
显影均质性
C D uniformity
C D
均质性
D6207
Developing rate
显影速率
D6208
Scum
浮渣
D6209
Multiple interference effect
多重干涉效应
Standing
wave effect
驻波效应
Swing curve effect
摆动曲线效应
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系抗蚀剂显影的一种手法，利用显影液的表面张
力，在晶圆上盛满显
影液，将晶圆处于状态下，
进行大约
30~60
的显影者。
系在喷涂显影或浸渍式显影之前，以水或
稀薄的
显影液喷洒晶圆表面数秒，使抗蚀剂的表面状态
能适应显
影液。
系利用干式蚀刻法，来形成抗蚀剂图案的方法。
与湿式显影方式比较，
可以避免底子反射等问题。
此一干式显影有如同甲硅烷基化（
silylizaton
）
系指有关使用化学放大型抗蚀剂的制程中，为避
免受空气中的盐基成分（特别指气）导致解像度
不良为目的的空气洁净用过
滤器。就其吸附方法
而言，有使用与酸间的综合反应，或离子交换反
应者。
D6210
Puddle developing
浸置式显影
D6211
Pre-wet
预先沾湿
D6213
Dry developing
干式显影
D6214
Chemical filter
化学吸附过滤器
6
．
3
编号
烘烤装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
经由对晶圆加热
,
为能将晶圆表面之水分加
以去
除
,
对晶圆表面所喷涂之抗蚀剂<
/p>
,
在涂敷制程或显
影制程之前后
,
所作加热处理之装置
.
因加热方式
之不同
,
分类成电阻加
热、红外线加热及热风加
热等方式。
为要作为加热源，
系以配置红外线加热器或红外
线灯，来进行加
热之装置。
系指在经过表面处理之平坦金属板上，
可将晶圆
加以加热之装置。通常在金属板下安装有加热
器，而周边设有排气孔。
系指在烘烤时烘烤温度之钧质性。其计算式请
参阅
D6130
。
是指在晶圆热处理后，用作冷却用之平坦金属
板。
平板经由循环之冷却水来冷却之。
最近已有
利用珀耳帖效应之
电子冷却装置上市。
D6301
Baking
unit oven
烘烤炉
D6302
IR oven
红外线烤炉
D6303
Hot plate oven
热平板烘烤炉
D6304
Baking temperature uniformity
烘烤温度均质性
D6305
Chill plate
急冷板
D6306
Post
exposure
pre
development
系指为减轻晶圆经单一波长曝光后经由驻波效
bake
应，
导致抗蚀剂图案之变形，
在曝光后显影前
所
曝光后显影前的烘烤处理
进行之烘烤处理。
D6307
Dehydration bake
脱水烘烤
D6308
Pre-bake
预先烘烤处理
Soft
–
bake
软性烘烤处理
作为抗蚀剂处理之先前
处理，系为加强抗蚀剂与
晶圆之黏着性，将水分加以去除之烘烤处理。
< br>
在晶圆上涂敷抗蚀剂后，为蒸发掉喷涂膜中之残
留溶剂
，及强化喷涂膜与晶圆之粘着性，所实施
之热处理。此一处理因在曝光后进行，宜在聚合
体不致重合下，或添加物不致热分解之温度下进
行。有时亦称为
软性烘烤处
+
理。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
有关晶圆之热处理，非将晶圆吸附在平板上，而
系将晶圆与平板间经
由衬垫，隔离
0.1~1.5mm
之
间
隙
,
靠放射热来加热之方式
.
经由显影形成抗蚀剂图案后，为要蒸发掉残留在
抗蚀剂膜中或晶圆表面
的显影液，冲洗液，或强
化抗蚀剂之硬化与晶圆间之黏着性，所进行的热
处理。处理温度，时间亦设定在抗蚀剂图案的形
状不致软化变形的范围。有时亦
可称为硬性烘烤
处理。
系为要将显影
后之抗蚀剂图案形状，能维持到更
高温度的装置。在显影后经由加热，紫外线照射
或两者并用的安定化处理。
系在晶元上形成
抗蚀剂图案时，其图案之断面形
状对往后所加的热，可否维持至初期状态之何种
程度，所能展示之程度。总之，所谓好耐热性，
高耐热性，是指可保持图
案形状至更高温度。
D6309
Proximity bake
临近烘烤处理
D6310
Post-back/after-back
事后烘烤处理
Hard-back
硬性烘烤处理
Hard-back
硬性烘烤处理
D6311
Resist curing system
抗蚀剂熟化系统
D6312
Resist thermal stability
抗蚀剂热稳定性
6
．
4
编号
蚀刻剂剥离装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系将成为不要之抗蚀剂膜，从晶元上加以去除的
装置。
系将完成蚀刻（
etching
< br>）的晶元片，浸在装有抗
蚀剂剥离液的槽内，是晶元片上的抗蚀剂，加以
剥离去除的装置。
系指关于细微加工制程中，
完成蚀刻后，将晶元
上不再需要的抗蚀剂，加以剥离去除之溶液。此
一溶液大致上可分为，将抗蚀剂氧化后加以去除
之无机系剥离液。
< br>
系可将晶元片上之抗蚀剂，在气相中加以灰化去
除的装
置。
系将高浓度的臭氧，引进灰化处理，使臭氧与抗
蚀剂引起化学反应，籍以
进行灰化的装置。
使产生反应性瓦斯的等离子体，利用该等离子体
将抗蚀剂加以去除的装置。通常
，此法系使用氧
气等离子气体。
D6401
Resist stripping
system
抗蚀剂剥离系统
D6402
Wet type resist
stripping system
湿式抗蚀剂剥离系统
D6403
Resist stripper
抗蚀剂剥离液
D6404
Resist ashing system
抗蚀剂灰化系统
D6405
Resist ozone asher
抗蚀剂臭氧灰化机
D6406
Resist plasma ashing system
等离子体抗蚀剂灰化系统
D6407
Down
flow
asher
/down
stream
系将晶元
处理室与瓦斯激励室
（等离子体放电室）
asher
加以分开，仅对除去荷电粒子之反应种
(radical),
下游灰化机
进行灰化之装置。
D6408
Barrel asher
圆筒型灰化机
系指批次（
batch
）处理型灰化
装置。将反应瓦
斯引进圆筒型之石英室内，
且经由施加高频功率
，
来进行灰化之装置。其电极形状有面对型与同轴
型。
编号
用语（英文<
/p>
/
中文）
用
语
说
明
系将反应性瓦斯引进灰化室中，以紫外线等光照
射到瓦斯或晶元片上
，边促进反应性瓦斯与抗蚀
剂间之化学反应，边进行灰化之装置。
D6409
Photo excited
ashering system
光激励灰化系统
D
．
7
编号
曝光用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指将涂敷在晶元上之抗蚀剂，形成电路图案之
过程。通常针对上一
制程说星辰所形成的电路图
案加以对准位置，形成次一制程的电路图案本过
程通常都在柔和的黄光气氛环境下进行，因此俗
称为黄光制程。
D7001
Exposure
曝光
7
．
1
编号
曝光装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系从对光抗蚀剂有灵敏度的可视光挑选紫外线，
来进行对准曝光之装
置，就光源而言，系使用超
压水银灯（
g
线：
436nm,h
线：
405nm
,I:365nm
）
或准分子雷射
(excimer
laser
)(
XeCL:308nm,KrF:248nm,ArF:193nm)
通常
波长愈短，解像力愈高。
系指可以
1
台装置选择性地，将遮光罩与晶元加
以密接或近接对
准之曝光装置。有时为区别对可
密接曝光之装
置，称为近接对准曝光器。
系为要将
扫描在标线片（
riticle
）之图案，对准投
影与晶元且使其曝光，所采用之光学投影系统之
曝光装置。
< br>
系经由光学投影系统，将遮光罩图案对准投影到
晶元，
与光学投影系统相对，将遮光罩或晶元加
以同步扫描，使遮光罩图案全部曝光在晶元的曝
光装置。
系指光学投影系统主要以镜
面所构成之对准曝光
装置。
系扫描式镜面投影对准曝光装置之统称。
系指针遮光罩（制版片图案）之投影像反复将晶
圆加以布进曝光之投影对准曝光器。
系布进式投影对准曝光装置之统称。
D7101
Optical
光对准曝光器
D7102
Contact-proximity aligner
密接
-
近接对准曝光器
D7103
Projection aligner
投影对准曝光器
D7104
Scanning projection aligner
扫描型投影对准曝光器
D7105
Mirror projection
aligner
镜面投影对曝光器
D7106
Projection aligner
投影对准曝光器
D7107
Stepping projection aligner
布进投影对准曝光器
D7108
Stepper
步进机
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指光学投影系统由折射系统所构成曝光装置。
对光学投影系统采用
光学缩小系统者，称为透镜
对准缩小投影曝光器。而光学投影系统采用等倍
之光学投影系统者，称为透镜对准等倍投影曝光
器。
系指光学投影系统，由反射及折射系统构成之曝
光装置。此一装
置有使用等倍之光学投系统只镜
面透镜等倍投影对准曝光器。与使用光学缩小投
影系统的镜面透镜缩小投影对准曝光器。
<
/p>
系与扫描式对准投影曝光器同样之同步扫描方
式，对各个镜头进行
曝光，且以布进反复在同一
极板上，进行多数镜头曝光之投影对准曝光器。
指采用以
365nm
之光
（统称
I
线）作为曝光光源
之布进式投
影对准曝光器。就对应用语而言，请
参阅
D7148
系利用使准分子机雷射当作曝光光源之布进式投
影对准曝光器。
系使用
SR(synchrotron
radiation
)
放射线来曝光之
对准曝光器。
系指使用软性
X
线来曝光之对准曝光器。
系指以曝光一次来处理一片晶圆之
X
线对准曝
光器。
系指反复将晶圆片加以布进曝光之
X
线对准曝
光器。
系指以电子波束来曝光之曝光器。此一波束之扫
描方式可分为光栅扫描
(raster
scan
)
式电子波束
曝光器，与向量扫描
( vector scan )
式电
子波束
曝光器，
对晶圆直接以电子波束加以描画之装置，
有时称为电子波束直接描画器
系指对半导体
基板上既有图案，与下一个制程之
设计图案，对准于最适当相对位置关系操作。
系指晶圆上数处对准标记位误差之平均值，与正
规位置之误差。
系指可同时对晶圆上对准标记，
与标线片
(reticle )
上对准标记之相距
两点加以计测，且可观察晶圆
与标线片
XY
方向之误差，与旋转误差之双眼显
微镜。
系指针对基板上既有图案，对准于下一个制程设
计图案之相对位置精确度，特别指对准标记
(alignment
mark)
间的位置精确度。
D7109
Lens projection
aligner
透镜投影对准曝光器
D7110
Mirror lens projection
aligner
镜面透镜投影对曝光器
D7111
Step and scan
projection aligner
布进扫描投影对准曝光器
I_line stepper
I
线布进机
Excimer laser stepper
准分子雷射步进机
Synchrotron radiation aligner
同步加速器放射线对准曝光器
X-ray aligner
X
线对准曝光器
X-ray full wafer aligner
X
线整晶圆对准曝光器
Stepping X-ray aligner
布进式
X
线对准曝光器
Electron
beam exposure system
电子波束曝光系统
D7112
D7113
D7114
D7115
D7116
D7117
D7118
D7121
Alignment
对准
D7122
Alignment offset
对准偏移
D7123
Alignment scope
对准用双眼显微镜
D7124
Alignment accuracy
位置对准精确度
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指形成在遮光罩、
标线片
(reticle )
或晶圆等上，
作
为对准用的标记。标记的形成依标记的检测方
法而议，也可成为对准标的
( alignment target ).
系指使用离子束光源之曝光方
法。此一方法有使
用宽广的波束与遮光罩包括在内的离子束微影
术，与使用聚焦；离子的直接描述法。与电子线
比较质量较大，可将储蓄能量密度取大一
点的优
点。
系指将晶圆加以微动调整
来对准，或对固定在装
置的基准，与晶圆位置的调整。
系指对附着在晶圆表面上的外物大小及形状等检
查。
< br>
系将晶圆移动至曝光位置的位置决定机构。此一
机构包
括，可进行
XY
平面内的移动与位置决定
的
XY
载物台，与
Z
方向的位置决定
（聚焦）
，
Z
轴周围的旋转位置决定（晶圆
θ
角
）以及
包括
可进行决定
X
轴与
Y
轴周围的旋转位置（倾斜）
的微动载物台等
2
个载物台的机构。
系指对曝光时能的尖锐影像的平面，
称为结像面，
微要将此一
投影透镜的结像面，与晶圆上加以平
行之功能。兹将其一个范围列展示与图
D_7130
。
系指对镜面
（图案
< br>形成前）
晶圆表面伤痕的大小，
形状，或表面介质等之检
查。
系指在曝光时因晶圆之旋转，所产生对准旋转方
向之误差。
系指将光罩标线片图案，对晶圆上
加以曝光描画
后，有关显影所得抗蚀剂图案断面形状之侧面倾
斜
角。
此一倾斜角，
亦可称为过肩角，
或
锥度角。
D7125
Alignment mark
对准标记
D7126
Ion beam lithography
离子束微影术
D7127
Wafer alignment
晶圆对准
D7128
Inspection of dust particle on
晶圆表面灰尘检查
D7129
Wafer stage
晶圆载物台
D7130
Wafer titling
晶圆倾斜转动
Wafer
leveling
晶圆调平
D7131
Wafer surface
inspection
晶圆表面检查
D7132
Wafer rotation error
晶圆对准旋转误差
D7133
Wall angle
墙壁角
Shoulder angle
过肩角
Taper angle
锥度角
D7135
Numerical
数值孔径
系指与光学系之明亮度或解像能相关量之一种。
位于折射率
n
之媒质光轴上之物点，若入射眼
睛之半径等与估计角
a
时，
即数值孔径
NA
为
n sin
a
。
系对与曝光位置不同之位置，
配置对准光学系统，
< br>以便进行对准
X
方向，
Y
方向，
θ
方向等位置之
方法
.
此一方法其生产量
(
through-put)
较高。
系专指对准
,
聚焦等之偏置调整。
D7136
Off-axis
alignment
轴外对准
D7137
Offset control
偏置控制
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指与曝光位置在同一位置所进行的对准
.
生产
量
(through-put)
较
轴外对准为低
.
此一对准方法
,
可
用于消除轴外对准误差
.
系指在基板上行成线宽
,
间隔相同之线状抗蚀剂
图案时
,
可付之实用之最小线宽
,
可以下记数表
之
.
k
1
λ
分辨率
(R) =
在此
,
k
1
系数
,
λ
:
波长
NA
NA:
数值孔径。通常
k
1
虽以
0.5
作为分辨率界
限来
处理，
在生产线即使用
k
1
,
而研究层级即使用
k
1
=0.6
系指在基板上形成
图案
，舆下一制程进一步形
成图案时之相对位置精确度。就完成图案形成制
程的基板而言，图案时之
相对位置精确度，与重
叠精确度对应，
称为全部重叠精确度
（
total overlay
accu
racy
）
.
类似的用语有重合精密度
。
系指一次曝光之最大有效曝光范围。主要使用于
不京师于步进式投影曝光器
。
系在步
进式投影对准曝光器中，
根据对由位置信
息之推断计算，将晶圆
载物台（
wafer
stage
）移
至曝光位置之曝光位置对准方式。
系
指进行包括晶圆全部在内的晶圆倾斜转动。主
要作为清除晶圆全部之锥度成分为目的。类
似的
用语有全晶圆调平。
系指可维持
一定聚像性能的聚焦范围者，亦可简
称为
DOF,
若将聚焦深度以数式可表示如下。
K
2
λ
聚焦深度（
Z
）
=
N A
2
在此，
K
2
：<
/p>
系数，
λ
：波长
NA:
数值孔径。
系指在画面尺寸内放射照度之不均一性
.
系指将曝光光束投于遮光罩
(
标线片
)
之装置
.
系指每次之曝光照射<
/p>
.
此外
,
亦指该
次的曝光所照
射到之领域
.
系指步进
式投影对准曝光器
,
每一次曝光移动量
.
系指将线图案
(line
pat
tern)
曝光且描画在晶圆上
后
,<
/p>
显影所得抗蚀剂像之线宽尺寸精确度
.
D7138
On-axis alignment
轴上对准
D7139
Resolution
分辨率
,
析像清晰度
D7140
Overlay accuracy
重叠精确度
Registration accuracy
重合精确度
D7141
Image field
影像图场
D7142
Global alignment
全晶圆对准
D7143
Global tilting
全晶圆倾斜转动
Global
leveling
全晶圆调平
D7144
Depth of focus
聚焦深度
D7145
Illumination uniformity error
照度均一误差
D7146
Illumination system
照明系统
D7147
Shot
每次之曝光照射
D7149
Step pitch
步进节距
D7150
Line width accuracy
线宽精确度
.
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
D7151
Illumination
intensity
at
image
系有关曝光装置之曝光位置照明强度
.
plane
影像面照明强度
..
D7152
Die-by-die alignment
芯片间对准
D7153
Die-by-die tilting
芯片间倾斜转动
Die-by-
die leveling
芯片间调平
D7154
Multilayer mirror
optics
多层镜面光学
系指在步进式投影对准曝光器中
,
对每一芯
片按
步所进行之调整
.
是指在步进式
投影对准暴光器中，对每一芯片按
步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局
部难度成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
是将二种物质互相妥予对准，所堆积之多镜面所
成之光学系统。
在
X
线领域可得较高反射率，
可
使
用
于
缩
小
投
影
术
。
在
波
长
13nm
，
经
由
钼
（
Mo:molybdenum
）
与
Si
之多层镜面系统，<
/p>
可以
形成
50nm
之
L&S
图案。
是经由涂敷，形成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂
表面加以平坦化，籍以减少来自
抗蚀剂层内部或
基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以
便提升分辨率之方法。
是指在步进式投影对准暴光器中，对每
一芯片按
步所进行之晶圆倾斜转动。主要以清除晶圆之局
部难度
成分为目的。类似之用语有芯片间调平。
是将二种物质互相妥
予对准，所堆积之多镜面所
成之光学系统。
在
< br>X
线领域可得较高反射率，
可
使
用
于
缩
小<
/p>
投
影
术
。
在
波
长
13nm
，
经
由
钼
（
Mo:molybdenum
）
与
Si
之多层镜面系统，
可
以
形成
50nm
之
< br>L&S
图案。
是经由涂敷，形
成多层之多种抗蚀济，将抗蚀剂
表面加以平坦化，籍以减少来自抗蚀剂层内部或
基板表面之光、电之线之反射，或散射效应，以
便提升分辨率之方法。<
/p>
是介由标线片
（
reticle
）
遮光罩，
对晶圆上
之对准
标记，同时进行量测之对准。
是介由投影光学系，对晶圆上之对准标记加以量
测之对准。有能将投影光学系之误差加以
去处之
优点。
是介由投影光学系，所
进行之自动聚焦。有能将
投影光学系结像位置之变化，加以去除之优点。
是指为要将标线片或遮光罩上之圆案，以等倍或
加以
缩小，投影在晶圆上之光学系统。
是指完成所有晶圆之制程处
理后，最后在晶圆上
所形成全部图案间之重叠总精确度。
D7155
Multiplayer resist method
多层抗蚀剂法
D7153
Die-by-die tilting
芯片间倾斜转动
Die-by-
die leveling
芯片间调平
D7154
Multilayer mirror
optics
多层镜面光学
D7155
Multiplayer resist
method
多层抗蚀剂法
D7158
Through-the-reticle
alignment
经由标线片对准
D7159
Through-the-lens
alignment
经由透镜对准
D7160
Through-the-lens auto
focusing
经由透镜自动焦距
D7161
Projection optical
system
投影光学系统
D7162
Total overlay accuracy
总重叠精确度
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指将毫米
(nm)
领域之线宽图案，加以
描画之微
影术
是使用
KrF
之准分子雷射
(excimer laser)
所代表间
歇发光雷射光源之曝光法。为要与使用高压水银
灯之
i
线，
g
线等连续发光光源所使用曝光方式，
有所区别之用语。
D7163
Nanometric
lithography
毫微米微影术
D7164
Pulse laser exposure
method
脉冲雷射曝光法
D7165
Optical
detector
of
particle
on
是可将晶圆
上微粒数与分布加以测试之仪器。从
surfaces
晶圆上
方以雷射光加以照射，由另一角度检测来
表面微粒光学探测器
自晶圆上微粒之散射光，把它变成电气信号，同
表面付着离子测
定器
时可显示微粒位置之信息。有时也可称为表面缺
陷扫描仪。
Surface scanner
表面缺陷扫描仪
D7168
Platen
标准片保持台
D7169
Pre-alignment
预先调准
D7171
Base line
基线
D7172
Masking blade
遮光板，掩蔽片
Reticle
blind
标线片遮掩
D7173
mix-and-match/M&M
混合与匹配、
M&M
D7174
Line and space/L&S
线与间隙、
L&S
是为了交接将输送
到之标线片
（
reticle
）
加以保持，
然后将该标线片设定到光学系所指定位置之保持
工具。
是在对准之前，将调准标记移进到对准捕
捉范围
内之操作。
是经由轴外调准机（
off-axis alignment
scope
）所
规定之对准基线，亦是该基线对准位置与暴光位
置之距离。
是指针对覆盖标线片图案
之暴光范围外之遮光
板。有时亦可称为标线片遮廉。
是指针对一个半导体装置之多数暴光制程，随着
制程分开使用不同种类之
暴光装置。
有宽度之直线状图案称为线，线与线并列时，线<
/p>
与线之间隔称为间隙
（
space
）
,
将线与线间隙等宽
状态投影到晶圆上之像，称为线与间隙。通常，
将此一图案用作显示解像性能之标准。
使用二对对准标记来对准时，因遮光罩与晶圆倍
率之差，当对准其中一对时，对另一对所产生之
对准误差，或该对准之误差。
在平板印刷中作为石版术为语源，在半导体领域
是指对基板上形成抗蚀剂图案之技术。
是指将标线
片加以微调整之对准，或对准与固定
在暴光器基准之标线片位置调准。
< br>
是指将标线片加以微调，籍以决定暴光位置之机
构，同
时，可将遮光罩移位至暴光位置之机构，
可称为遮光罩载物台。
D7175
Run out
产生误差
D7176
Lithography
微影术，石版应刷术
D7177
Reticle alignment
标线片对准
D7178
Reticle stage
标线片载物台
Mask stage
遮光罩载物台
编号
用语
（英文
/
中文）
用
语
说
明
是指针对晶圆或光学系，为要将标线片或遮光罩
维持在被指定位置之
固定器。
D7179
Reticle holder
标线片固定器
Mask
holder
遮光罩固定器
D7180
Reticle loader
标线片搭载器
Mask
loader/mask changer
遮光罩搭载器、遮光罩更换器
D7181
Reticle rotation error
标线旋转误差
D7182
Active damper
有源阻尼奇
是指可保管多数片标线片
，且来回移动至曝光位
置之机构。同样可保管多数片遮光罩，且来回移
< br>动至曝光位置之机构者，称为遮光罩搭载器或遮
光罩更换器。
是指针线对准之旋转方向误差。
有关半导体曝光装置，为防止底座振动等外来干
扰之避震装置，在此，特别指为控制振
动之驱动
器（
actuator
）
，传感器（
sensor
）及其具有控制系
统之避震装置。
是指对应气压之变化
（利用空气折射率之变化）
，
将其受变化投影透镜之放大率（<
/p>
magnification
）
，
加以补偿之机构。
是将多数小型透镜配置成
二次元（如同苍蝇之复
眼）之透镜组合。将光源配置在经由椭圆镜等聚
< br>光之位置，可将光源像加以分割，并在标线片
（
reti
cle
）
上重叠，
可以将照度不匀加以
消除之透
镜。
是指入射瞳孔与出射瞳
孔都位在无限远之光学
系，
所有之主光线下不管在物体空间或影
像空间，
均与光轴平行，是可减轻对物体面或影像面之位
置误差
，及放大倍率误差影响之透镜。
D7183
Magnification correction
大气压对因应投影透镜放大率
校正系统
D7184
Light integrator
光线积分器
D7185
Double telecentric lens
双重远心透镜
D
．
8
编号
蚀刻用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是将晶圆或形成在晶圆表面上之薄膜全部，或特
定处所蚀刻至必要厚
度之装置。
D8001
Etching system
蚀刻系统
8
．
1
编号
湿式蚀刻装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是可在液相中将晶圆等加以蚀刻之装置总称。
是将被蚀刻物浸渍在盛装蚀刻溶液之槽中，藉以
进行蚀刻之装置。
是为去除化学蚀刻所产生氢气泡沫，将蚀刻槽加
以
密封同时将槽内空气加以排气之湿式蚀刻系
统。
D8101
Wet etching system
湿式蚀刻系统
D8102
Immersion wet etching system
浸渍式蚀刻系统
D8103
Evacuated wet etching system
减压抽气浸渍式蚀刻系统
8
．
2
编号
干式蚀刻装置用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是可在汽相中将晶圆等加以蚀刻装置之总称。大
性瓦斯等离子来蚀刻
者。
是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，
该晶圆之电位顶多只能达到浮游电位之蚀刻装
置。主要是以中性活性种之
作用，来进行蚀刻。
是指将等离子体产生室与蚀刻室加以分开
，而将
等离子体产生之较长寿中性活性种，输送至蚀刻
室将晶圆
加以蚀刻之等离子体蚀刻装置。
D8201
Dry etching system
干式蚀刻系统
D8202
Plasma etching system
等离子体蚀刻系统
D8203
Down stream plasma etching
分离型等离子体蚀刻系统
D8204
Barrel
type
plasma
etching
是在圆筒型蚀刻室之外围装设电极，经由蚀刻室
system
内等离子体所产生中性活性种，将室内之晶圆加
圆筒型等离子体
蚀刻系统
以蚀刻之等离子体蚀刻装置。亦有在蚀刻室内置
入金属制隧道，及藉以控制核电粒子入射到晶圆
之方法。
D8205
Reactive
ion
etching
system/RIE
是指利用反应性瓦斯等离子体之干式蚀刻装置，
system
是将晶圆放置于设置在蚀刻室内之电极上，加以
反应性离子蚀刻
系统
/RIE
系统
< br>进行蚀刻之装置。晶圆是藉以中性活性种与反应
性瓦斯离子之相乘效应来进行蚀刻
。
Reactive sputter etching
system
反应性溅镀蚀刻系统
D8206
Parallel plate
reactive ion etching
是在蚀刻室内备有一对之平行板型电极，将高频
system
电压施加于电极一侧，另一侧电极连接到接地电
平行板反应性离
子蚀刻系统
位，且将晶圆放置于任何一侧电极上，藉以进行<
/p>
蚀刻之反应离子蚀刻装置。
D8207
Hexode type reactive ion etching
是指将六角柱状高频电极装设于蚀刻室内，且在
system
这些电极上固定晶圆，以便进行蚀刻之反应性离
六角柱型反应性
离子蚀刻系统
子蚀刻装置。
D8208
Narrow
gap
reactive
ion
etching
是指电极间隙较狭窄（
5
～
10mm
）之平行板型反
system
应性离子蚀刻装置。因在较高高压领域进行瓦斯
狭窄间隙反应性离子蚀刻系统
放电，可获得高离子电流。
D8209
Triode
reactive
ion
etching
是在蚀刻室内设置，可放置晶圆之一对电极外之
system
第
3
电极，将此一第
< br>3
电极之电极之电位加以独
三极型反应性离子蚀刻系统<
/p>
立控制，可做到控制蚀刻特性之反应性离子蚀刻
装置。有时可将第
3
电极定为浮游电位之场合，
与施加直流电压或高频电压之场合。
D8210
Magnetron enhanced
reactive ion
etching system
磁控管增强型反应性离子蚀刻
系统
D8211
是指备有产生磁场领域，因利用在晶圆表面上所<
/p>
形成直交电磁场，来进行磁控管放电而产生等离
子体
（
plasma
）
，
以便进行蚀刻之反应性离子蚀刻
装置。
Reactive
ion
beam
etching
是指经由反应性瓦斯以离子源产生等离子体，
然
system/RIBE system
后将反应性瓦斯离
子及中性活性种，照射在与离
反应性离子束蚀刻系统
子源独立载物台上之晶圆，
以便进行蚀刻之装置。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
D8212
Magneto-microwave
plasma
是使用经由微波与磁场所产生高密度等离子体为
etching
system
离子源，生成反应性瓦斯离子与中性种，且将其
磁场微波型等离子体蚀刻系统
照射到晶圆加以蚀刻之反应性离子束蚀刻装置。
有磁场
D8213
Electron
cyclotron
resonance
是利用电子回旋加速器（
ECR
）共振，来蚀刻晶
etching
system
圆之磁场微波蚀刻装置。
电子回旋加速器共振蚀刻系统
D8214
Helicon etching system
螺旋波蚀刻系统
是经由沿着磁场传播
而属于一种磁场波之螺旋
波，
与电子之与互相作用
（随机衰减）
，
而利用该
无
规则衰减所生成等离子体，以便进行蚀刻之等
离子体蚀刻装置。
是以感应耦合型天线耦合到围绕在螺旋状电介体
等离子体生长室
周围线圈之感应耦合型等离子体
蚀刻装置。
D8215
Helical etching system
螺旋型蚀刻系统
D8216
Inductively
coupled
plasma
是经由高频感应磁场所产生感应电场来加速电
etching
system
子，
利用此一加速电子所生成等离子体
（
plasma
）
感应
耦合型等离子体蚀刻系统
之等离子体蚀刻装置。感应耦合天线
之形状有螺
旋状线圈与平板状线圈。
D8217
Ion beam etching
system
离子束蚀刻系统
Ion milling system
离子铣削系统
D8218
Photo excited etching system
光激励蚀刻系统
D8219
Aspect ratio
纵横尺寸比
D8220
Post-treatment chamber
后端处理室
D8221
After-corrosion
后端腐蚀
D8222
Under-etching
蚀刻不足
D8223
Undercut
切割不足，蚀刻不足
side etching
侧面蚀刻
是将离子源保持在电位状态，利用
非活性瓦斯来
产生等离子体，再由离子源引出非活性瓦斯离子
照
射在晶圆，以便加以蚀刻之装置。此一装置有
时亦可称为离子铣削机。
< br>
是指反应性瓦斯引进蚀刻室内，经由紫外线或可
视光照
射瓦斯或晶圆，藉所产生活性种离子，来
进行蚀刻之装置。
<
/p>
系指被显影之抗蚀剂膜，或蚀刻在晶圆上所形成
之图案，其深度与
宽度之比值。
纵横尺寸比＝
b/a
是指位在同一装置内，在主蚀刻制程后之晶圆处
理室。后端腐蚀
对策之处理室即系此一范例。
系指蚀刻时附着在晶圆之氯气或
反应生成物，与
大气中之水分反应，因而在蚀刻后会对
AI
配线，
产生腐蚀之现象。
系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止蚀刻或已停
止之状态。
系指当被蚀刻材料正进行蚀刻时，系从蚀刻这光
罩之端部
向侧面方向进行，
被蚀刻材料之图案宽，
较蚀刻遮光罩宽减少之
状态。
此一蚀刻不足现象，
特别在溶液蚀刻或以基为主体之等离
子体蚀刻时
最为显著。对微细图案之形成而言，要作到减少
蚀刻
不足系一件重要技术。
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系指深度方向之蚀刻速度，较水平方向之蚀刻速
度为大之场合，亦就
是蚀刻速度具有方向依存性
者。
系指
在一对之电极中，对设置有晶圆之电极施加
高频电压，而另一电极接到接地电位。
为要能形成于晶圆上凹凸，加以掩埋涂上一层薄
膜，再经过将此薄膜加以全面腐蚀，使晶圆表面
平坦化之方法。此一回蚀可使用于层
内绝缘膜之
平坦化或接点之掩埋等。
系被蚀刻面积与晶圆全面积之比率。
系指被蚀刻材料蚀刻速度之参差不齐。对晶圆内
之均质性而言，通常如图
D-8228
所示，从包括
晶圆中心等
n
个测试点相关之蚀刻速度，利用其
最大值，最小值或
偏差求得次式之均质性。
系指残留在被蚀刻晶圆上之物质。就
其生成原因
而言，系以等离子体聚合物等低挥发性之反应生
成物
，溅射分解物，或被蚀刻材料中之低挥发性
物质等为核所生成者。这些残渣不仅成为污染
或
腐蚀之原因，有时亦会给予组件电气特性不良影
响。
是指处理蚀刻之真空室。一般而言，亦可称为处
理室，反应室或处理腔。
系指可自动检测蚀刻之终点
..
其检测方法有下列
方法。
(1)
光分析法
(2)
光学反射法
< br>(
雷射干涉法
)
(3)
质量分析法
(4)
阻抗监控法
(5)
压力监控法
(6)
探针法
(7)
红外光吸收法
系制被蚀刻材料之蚀刻
速度
,
与蚀刻遮光罩材料
及底子材料之
蚀刻速度间之比值。
蚀刻选择比
=a/b
a:
被蚀刻材料之蚀刻速度。
b:
蚀刻遮光罩材料与底子材料之蚀刻速度。
系指被蚀刻材料之厚度或深度
,
以时间
除之商。
系指蚀刻较被蚀刻材料之期望膜厚为多者，或在
其状态者。
D8224
anisotopic etching
各向异性蚀刻，费等向性蚀刻
D8225
Cathode coupling
阴极耦合
D8226
Etch back
回蚀
D8227
Exposed area ratio
蚀刻面积率，曝光面积率
D8228
Etch uniformity
蚀刻均质性
D8229
Etch residue
蚀刻残余物
D8230
Etching chamber
蚀刻处理室
D8231
Etching end point detection
蚀刻终点检测
D8232
Etch selectivity raito
蚀刻选择比
,
蚀刻选择性
D8233
Etch rate
蚀刻速率
D8234
Over-etching
过分蚀刻
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
系吸收光或热能后被激励至高能状态，较易引起
化学反应状态之原子
或分子。请参考
cf.14 JIS
。
若对蚀刻瓦斯施加高频波或微波时，将在等离子
体中产生活性种
，
此等活性种经与被蚀刻膜反应，
而进行蚀刻，有时称为基
(radical),
或游离基。
为防止基片温度之上升，将载物台以冷却水等媒
体加以冷却，使放置与
载物台之基片被冷却之机
构。为要提升冷却效率，对基片背面流通氦气等
瓦斯，或为使基片与载物台间之紧密性增高，有
时以机械式或电气式加以钳子。
为要产生等离子体
(plasma)
.
系指需要施加高频电
压之电极，一般而言，系指阴极。
系指当作等离子体放电之激励电源。其最常用之
谐振频率为
13.56MHz
。通常与耦合组件配合使
用。
是在蚀刻室之清净或更换零件后，为
要稳定制程
条件，使用仿真（
dummy
）
晶圆进行数次之蚀
刻循环。
是指将处之压力置于自动控者。目前最普遍使用
者，是将处理之瓦斯流量
保持一定，压力控制置
于回授，而排气系统之电导（
condu
ctance
）通常
置于自动调整之方法。较简易之方法，是将
排气
系统之电导保持不变，而改变瓦斯流量以便控制
处理室之压
力。
是指蚀刻洽到被蚀刻材料厚度等量者，或在其状
态者。
是指在蚀刻途中，将操作条件作阶段性
改变来处
理者。
是指经由非活性瓦斯
之溅射效应之蚀刻。此一方
法大都使用于金属沉积之前站处理，或凹凸部之
平坦化处理。
如图Ｄ－８２４４所示，从蚀刻前之
蚀刻遮光罩
线宽Ｗ１，减去已完成被蚀刻材料之线宽Ｗ２或
Ｗ<
/p>
'
２之值，可由下式求得之。
图形偏移＝Ｗ１－Ｗ２
Ｗ１－Ｗ
'
２
是指高频波电极相对称所设置之电极。
一般而言。
是指阳极谓之。
是指抗蚀剂之分解物或反应生成物
所生成，用来
防止对侧壁之侧边蚀刻薄膜层。
是对配线图案或电极等断面形状进行具有倾斜状
之蚀刻作用，或具有该状态者。
D8235
Activated
species
活性种
Radical
基
D8236
Substrate cooing
mechanism
基片冷却机构
D8237
RF electrode
高频施加电极
D8238
RF generator
高频产生器
D8239
Seasoning
陈化处理
D8240
Automatic pressure
control
自动压力控制
D8241
Just etching
适量蚀刻
D8242
Step etching
阶段性蚀刻
D8243
Sputter etching
溅射蚀刻
D8244
Pattern shift
图案偏移
Critical
dimension loss
临界尺寸损失
D8245
Ground etctrode
接地电极
D8247
Sidewall protection layer
侧壁保层
D8248
Taper etcing
锥角蚀刻
编号
<
/p>
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
为要获得垂直图案形状与高选择，是一比较通常
之干式蚀刻处理温度
为低（
0
。
C
以下）
，加以处
理之蚀刻。
是指水平方向与深度方向之蚀刻速度，几乎相同
之蚀刻作用。
是指能在晶圆表面形成微细沟渠之蚀刻。此法通
常可用来形成件分离层及电容器膜。
是指在等离子体中所引起
之污染，对其污染物之
生成原因，不仅仅具有与蚀刻同样之残渣，甚至
< br>包括从构成装置材料之重金属，
Na+
等碱离子。
此一污染可分为对晶圆表面之沉积，于混进晶圆
内部二种。
是受到等离子体照射之损伤。此等损伤大致可分
成下述
3
种类。
（
1
）被产生在电极附近之离子层（
ion
sheath
）
所加速之电
子，碰撞到晶圆片所形成对被蚀
刻表面之结合破坏。
（
2
）
随着放电所产生
等离子体中，
因特定波长照
射到晶圆，所引起之所谓照射损伤。
（
3
）
因等离子体中荷电粒之储蓄，
对绝缘膜
（闸
极氧化膜等）之静电破坏。
是指对硅
晶施行沟渠蚀刻中，由于侧面方向之蚀
刻在进行时，在侧壁形成内凹状态者。此一沟壁<
/p>
内凹对下一制程由
CVD
法来掩埋，将产
生下良
影响。
是指随着洞穴口径或沟
糟宽度变小
,
蚀刻速度亦
跟着下降之现
象
.
在很多之场合
,
< br>用语栏之日文两
语虽当作同意语使用
,
< br>若同一尺寸之图案有不同
密度存在时
,
< br>蚀刻速度有差异之现象
,
有时可称为
微型加载效应
.
是由当作空腔谐振器动作之圆筒状阳极<
/p>
,
与在该
中心轴上设置有微细阴极所构成
,
经由阳极中心
轴方向之静磁场
,
与反应作用空间内电子间之互
相作用
,
可以产生微波谐振之真空管
,
而称为磁控
管
.
是指位于
真空中之正交电磁场中，电子在阴极上
经由作余摆线（
troc
hoid
）运动，而在阴极附近空
间产生高密度等离子体之谓。
是随着等离子体状态之变化
.
放电中之阻抗亦会
随之变动
,
因此设置有调谐电路
,
使针对所施加高
频波输出
,
藉以调整阻抗使反射波抑压在最小值
之阻抗匹配单元通常都配置在高频波电极附近。
有时称为匹配箱，或匹
配网络。
D8249
Low
temperature etching
低温蚀刻
D8251
Isotropic etching
各向同性蚀刻，等向性蚀刻等
D8252
Trench etching
沟渠蚀刻
D8253
Plasma contamination
等离子体污染
D8254
Plasma damage
等离子体损伤
D8255
Bowing trench
沟壁内凹
D8256
microloading effect
微型加载效应
D8257
magnetron
磁控管
D8258
magnetron discharge
磁控管放电
D8259
matching unit
匹配单元
matching box / matching network
匹配箱
/
匹配网络
编号
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
在成对之电极中，将设置有晶圆之电极接到接地
电位，而另一电极即
施加高频电源，称为阳极耦
合。
是指
蚀刻速度显示有蚀刻面积依存性者，一般而
言，
蚀刻面积越增加
，
蚀刻速度会越低落之现象。
是指经
由感应在等离子体表面上之表面波，所生
成等离子体区之等离子体。其典型者，是沿玻璃
管所生长尺寸之等离子体。最近，对于大面积等
离子区之生长，
正尝试能适用于表面波等离子体。
此外，经由可传波在电介体线
路表面波之漏泄电
场，所生成等离子体，有时可称为表面波等离子
体。
是指有关
MOS
装置构造，在蚀刻中露出在等离
子区之布线，
其荷电
粒子所流入部分之总面积
S
，
与连接到
此一布线闸极电极之面积
Sg
之比
S/
Sg
，
所表示之无次元量。此一天线比，可作为评价闸
极氧化膜因储蓄电荷
(charge
up)<
/p>
而导致可靠性劣
化时之指针。
是利用针对氧化膜所能实现高选择比之停止器
（
stopper
）绝缘膜，对布线层能自我对准将接触
孔（
contact
hole
）加以开口之技
术。即使有对准
偏差或抗蚀剂加工时之参差不齐，可确保接触面
积之稳定。
是指将等离子体之产生，或偏压功率之
ON/OFF
等，以从微秒（
us
）至毫秒（
ms
）之等级，藉调
制时间来蚀刻之方法。
针对离子之垂直入射，
电子可以倾斜入射，
因此，
在抗蚀剂图案之侧壁储蓄
电荷成负性，而在较密
图案部受此一负电荷之排斥，较低速之电子无法
< br>进入图案底部之现象。
是指在高纵横尺寸比（
aspect
ratio
）图案之底部
或异种材料间之接口对横方向所产生之
局部蚀刻
异常形状。
D8260
anode coupling
阳极耦合
D8261
loading effect
加载效应
D8262
surface wave plasma
表面波等离子体
D8263
antenna ratio
天线比
D8264
Self-aligned contact
etching
自我对准接触孔蚀刻
D8265
Time modulation
etching
时间调制蚀刻
D8266
Electron shading
effect
电子遮掩效应
D8267
Notch
凹口
,
凹槽
D
．
9
编号
洗涤用语
用语（英文
/
中文）
用
语
说
明
是将位在晶圆表面之粒子，有机物或金属表面杂
质等污渍，以液体或
气体洗涤剂之化学作用，与
各种物理能量合并使用，藉以去除污渍之装置。
，
D9001
Cleaning equipment
洗涤装置