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CMOS
工艺名词解
saliside
——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物
，
叫难融金属硅化物，
此及
salis
ide
。
siliside
——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种
工艺就叫
s
iliside
。
polisid
e
——也为一种工艺，乃在栅极
poly
上淀积硅化物。
A.M.U
原子质量数
ADI After
develop inspection
显影后检视
AEI
蚀科后检查
Alignment
排成一直线，对平
Alloy
融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值
ARC
：
anti-reflect
coating
防反射层
ASHER:
一种干法刻蚀方式
ASI
光阻去除后检查
Backside
晶片背面
Backside Etch
背面蚀刻
Beam-
Current
电子束电流
BPSG:
含有硼磷的硅玻璃
Break
中断，
stepper<
/p>
机台内中途停止键
Cassette
装晶片的晶舟
CD
：
critical
dimension
关键性尺寸
Chamber
反应室
Chart
图表
Child lot
子批
Chip (die)
晶粒
CMP
化学机械研磨
Coater
光阻覆盖（机台）
Coating
涂布，光阻覆盖
Contact Hole
接触窗
Control Wafer
控片
Critical layer
重要层
CVD
化学气相淀积
Cycle
time
生产周期
Defect
缺陷
DEP: deposit
淀积
Descum
预处理
Developer
显影液；显影（机台）
Development
显影
DG: dual gate
双门
DI water
去离子水
Diffusion
扩散
Doping
掺杂
Dose
剂量
Downgrade
降级
DRC: design rule check
设计规则检查
Dry
Clean
干洗
Due
date
交期
Dummy
wafer
挡片
E/R:
etch rate
蚀刻速率
EE
设备工程师
End Point
蚀刻终点
ESD: electrostatic
discharge/electrostatic damage
静电离子损伤
ET: etch
蚀刻
Exhaust
排气（将管路中的空气排除）
Exposure
曝光
FAB
工厂
FIB: focused ion beam
聚焦离子束
Field
Oxide
场氧化层
Flatness
平坦度
Focus
焦距
Foundry
代工
FSG:
含有氟的硅玻璃
Furnace
炉管
GOI: gate oxide integrity
门氧化层完整性
H.M.D.S
Hexamethyldisilazane,
经去水烘烤的晶
片，
将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力
的化合物，称
H.M.D.S
HCI: hot carrier
injection
热载流子注入
HDP
：
high density
plasma
高密度等离子体
High-Voltage
高压
Hot bake
烘烤
ID
辨认，鉴定
Implant
植入
Layer
层次
LDD: lightly doped drain
轻掺杂漏
Local
defocus
局部失焦因机台或晶片造成之脏污
LOCOS: local oxidation of silicon
局部氧化
Loop
巡路
Lot
批
Mask
(reticle)
光罩
Merge
合并
Metal Via
金属接触窗
MFG
制造部
Mid-Current
中电流
Module
部门
NIT: Si3N4
氮化硅
Non-critical
非重要
NP: n-doped plus(N+)
N
型重掺杂
NW:
n-doped well N
阱
OD: oxide definition
定义氧化层
OM: optic
microscope
光学显微镜
OOC
超出控制界线
OOS
超出规格界线
Over Etch
过蚀刻
Over flow
溢出
Overlay
测量前层与本层之间曝光的准确度
OX: SiO2
二氧化硅
P.R. Photo resisit
光阻
P1: poly
多晶硅
PA;
passivation
钝化层
Parent lot
母批
Particle
含尘量
/
微尘粒子
PE: 1. process
engineer; 2. plasma enhance
1
、工艺工程师
2
、等离子体增强
PH:
photo
黄光或微影
Pilot
实验的
Plasma
电浆
Pod
装晶舟与晶片的盒子
Polymer
聚合物
POR Process of record
PP:
p-doped plus(P+) P
型重掺杂
PR: photo resist
光阻
PVD
物理气相淀积
PW:
p-doped well P
阱
Queue time
等待时间
R/C: runcard
运作卡
Recipe
程式
Release
放行
Resistance
电阻
Reticle
光罩
RF
射频
RM: remove.
消除
Rotation
旋转
RTA: rapid thermal anneal
迅速热退火
RTP:
rapid thermal process
迅速热处理
SA: salicide
硅化金属
SAB: salicide block
硅化金属阻止区
SAC:
sacrifice layer
牺牲层
Scratch
刮伤
Selectivity
选择比
SEM
：
scanning
electron microscope
扫描式电子显微镜
Slot
槽位
Source-Head
离子源
SPC
制程统计管制
Spin
旋转
Spin Dry
旋干
Sputter
溅射
SRO: Si rich oxide
富氧硅
Stocker
仓储
Stress
内应力
STRIP:
一种湿法刻蚀方式
TEOS
–
(CH3CH2O)4Si
四乙
氧基硅烷
/
正硅酸四乙酯，常温下液态。作
LPCVD /PECVD
生长
SiO2
< br>的原料。又指用
TEOS
生长得到的
SiO2
层。
Ti
钛
TiN
氮化钛
TM: top
metal
顶层金属层
TOR
Tool of record
Under Etch
蚀刻不足
USG:
undoped
硅玻璃
W
(Tungsten)
钨
WEE
周边曝光
Yield
良率
FICD: FInal CD
DICD: Development Inspection CD
集成电路词条
1.
集成电路
随着电子技术的发展及各种电器的普及，集成电路的应用越来
越广，大到飞入太空的“神州
五号”
，小到我们身边的电子手表
，里面都有我们下面将要说到的集成电路。
我们将各种电子元器件以相互联系的状态集成到半导体材料（主要是硅）或者绝缘体材料薄
层片子上，再用一个管壳将其封装起来，构成一个完整的、具有一定功能的电路或系统。这
种有一定功能的电路或系统就是集成电路了。就像人体由不同器官组成，各个器官各司其能
而又相辅相成，少掉任何一部分都不能完整地工作一样。任何一个集成电路要工作就必须具<
/p>
有接收信号的输入端口、发送信号的输出端口以及对信号进行处理的控制电路。输入、输出
（
I/O
）
端
口简单的说就是我们经常看到的插口或者插头，
而控制电路是看不到的，
这是集成
电路制造厂在净化间里制造出来的。
如果将集成电路按集成度高低分类，可以分为小规模（
SSI
）
、中规模（
MSI
）
、大规模（
LSI
）
和超大规模（
VLSI
）
。近年来出现的特大规模集成电路（
UISI
）
，以小于
1um
为最小的设
计尺
寸，这样将在每个片子上有一千万到一亿个元件。
2.
系统芯片（
SOC
）
不知道大家有没有看过美国大片
《终结者》
，
在看电影的时候，
有没有想过，
机器人为什么能
够像人一样分析各种问题，作出各种动作，好像他也有大脑，也有记忆一样。其实他里面
就
是有个系统芯片（
SOC
）在工作。
当然，那个是科幻片，科技还没有发展到那个水平。但是
SOC
已成为集成电路设计学领域里的一大热点。在不久的未来，它就可以像“终结者”一样
进
行工作了。
系统芯片是采用低
于
0.6um
工艺尺寸的电路，
包含一
个或者多个微处理器
（大脑）
，
并且有
相
当容量的存储器
（用来记忆）
，
在一块芯片上实现多种电路，
能够自主地工作，
这里的多种电
路就是对信号进行操作的各种电路，就像我们的手、脚，各有各的功能
。这种集成电路可以
重复使用原来就已经设计好的功能复杂的电路模块，这就给设计者节
省了大量时间。
SOC
技术被广泛认同的根本原因，并不在于它拥有什么非常特别的功能，而在于它可以在较
短的时间内被设计出来。
SOC
的主要价值是可
以有效地降低电子信息系统产品的开发成本，
缩短产品的上市周期，增强产品的市场竞争
力。
3.
集成电路设计
对于“设计”这个词，大家肯定不会感到陌生。在修建三峡水
电站之前，我们首先要根据地
理位置、水流缓急等情况把它在电脑上设计出来。制造集成
电路同样也要根据所需要电路的
功能把它在电脑上设计出来。
集成电路设计简单的说就是设计硬件电路。我们在做任何事情
之前都会仔细地思考究竟怎么
样才能更好地完成这件事以达到我们预期的目的。我们需要
一个安排、一个思路。设计集成
电路时，设计者首先根据对电路性能和功能的要求提出设
计构思。然后将这样一个构思逐步
细化，利用电子设计自动化软件实现具有这些性能和功
能的集成电路。假如我们现在需要一
个火警电路，当室内的温度高于
50
℃就报警。设计者将按照我们的要求构思，在计算机上利
用软件完成设计版图并模拟测试。
如果模拟测试成功，
就可以
说已经实现了我们所要的电路。
集成电路设计一般可分为层次化设计和结构化设计。层次化设计就是把复杂的系统简化，分
为一层一层的，这样有利于发现并纠正错误；结构化设计则是把复杂的系统分为可操作的几
< br>个部分，允许一个设计者只设计其中一部分或更多，这样其他设计者就可以利用他已经设计
好的部分，达到资源共享。
4.
硅片制造
我们知道许多电器中都有一些薄片，这些薄片在电器中发挥着
重要的作用，它们都是以硅片
为原材料制造出来的。硅片制造为芯片的生产提供了所需的
硅片。那么硅片又是怎样制造出
来的呢？
硅片是从大块的硅晶体上切割下来的，而这些大块的硅晶体是
由普通硅沙拉制提炼而成的。
可能我们有这样的经历，块糖在温度高的时候就会熔化，要
是粘到手上就会拉出一条细丝，
而当细丝拉到离那颗糖较远的地方时就会变硬。其实我们
这儿制造硅片，首先就是利用这个
原理，将普通的硅熔化，拉制出大块的硅晶体。然后将
头部和尾部切掉，再用机械对其进行
修整至合适直径。这时看到的就是有合适直径和一定
长度的“硅棒”
。再把“硅棒”切成一片
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