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tapeout
流片
fabout
产出
半导体英语词汇
5. Active
device
：有源器件，如
MOS
FET
（非线性，可以对信号放大）
6. Align
mark(key)
：对位标记
8.
Aluminum
：铝
9.
Ammonia
：氨水
10.
Ammonium fluoride
：
NH4F
11. Ammonium
hydroxide
：
NH4OH
12. Amorphous silicon
：
α
-Si
，非晶硅（不是多晶硅）
< br>
13.
Analog
：模拟的
14. An
gstrom
：
A
（
< br>1E-10m
）埃
15.
Anisotropic
：各向异性（如
POLY
ETCH
）
16.
AQL(Acceptance Quality Level)
：接受质量标准，在一
定采样下，可
以
95%
置信度通过质量
标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)
< br>：抗反射层（用于
METAL
等层的光刻）
18.
Antimony(Sb)
锑
19.
Argon(Ar)
氩
20.
Arsenic(As)
砷
21.
Arsenic trioxide(As2O3)
三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23.
Asher
：去胶机
24.
Aspect ration
：形貌比（
ETCH
中的深度、宽度比）
25.
Autodoping
：自搀杂（外延时
SUB
的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中
后，又回掺到外延层）
26. Back end
：后段（
CONTACT
以后、
PCM
测试前）
27.
Baseline
：标准流程
28.
Benchmark
：基准
32.
Character
window
：
特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性
的一个方形区域。
36.
CIM
：
computer-integrated manu
facturing
的缩写。用计算机控制和
监控制造工艺的一
种综合方式。
37. Circuit design
：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功
能的技术。
38. Cleanroom
：一种在温
度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求
的特定区域。
39. Compensation doping
：补偿掺杂
。向
P
型半导体掺入施主杂质或向
N<
/p>
型掺入受主杂质。
40.
CMOS
：
complementary
metal
oxide
semic
onductor
的缩写。
一种将
PM
OS
和
NMOS
在同一个硅衬底上混合
制造的工艺。
41. Computer-aided de
sign
（
CAD
）：计算机辅助设计
。
42. Conductivity type
：传导类型，由多数载流子决定。在
N
型材料中多
数载流子是电子，在
P
型材料中多数载
流子是空穴。
43. Contact
：孔。在工艺中通常指孔
1
，即连接铝和硅的孔。
44. Control chart
：控制图
。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性
质的曲线图表。
45.
Correlation
：相关性。
46.
Cp
：工艺能力，详见
process
capability
。
47.
Cpk
：工艺能力指数，详见
process
capability index
。
48.
Cycle
time
：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来
衡量流通速
度的快慢。
49.
Damage<
/p>
：损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法
修
复的变形也可以叫做损伤。
50. Defect
density
：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
51. Depletion implant
：耗尽注入。一
种在沟道中注入离子形成耗尽晶体
管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有
电流流过的晶体管。）
52. Depletion lay
er
：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定
电荷密
度的区域。
53. Depletion width
：耗尽宽度。
53
中提到的耗尽层这个区域的
宽度。
54.
Depositio
n
：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生
化
学反应的薄膜的一种方法。
55. Depth of fo
cus
（
DOF
）：焦深。
56.
design
of
experiments
(D
OE)
：为了达到费用最小化、降低试验错误、
以及保证数据结
果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。
57. develop
：显影（通过化学处理除去曝光区域的
光刻胶，形成所需图形
的过程）
58.
developer
：Ⅰ）显影设备；
Ⅱ）显影液
59.
diborane (B2H6)
：乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒的可燃气体，常<
/p>
用来作为半导体生产中的硼源
60.
dichloromethane
(CH2CL2)
：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的液
体。
61.
dichlorosilane
(DSC)
：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在
潮湿环境下易水解的物质，
常用于硅外延或多晶硅的成长，
以及
用在沉积二氧化
硅、氮化硅时的化学气氛中。
62. die
：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单
个芯片以及芯片邻
近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
63.
dielectric
：Ⅰ）介质，一种绝缘材料；
Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装的
表面材料，可以提供电绝缘功能。
64.
diffused
< br>layer
：扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在
临近硅表面的区域形成与衬底材料反型的杂质离子层。
65.
disilane
(Si2
H6)
：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃
烧时
能产生高火焰，
暴露在空气中会自燃。
在生产光电单元时，
乙硅烷常用于沉
积多晶硅薄膜。
66. drive-
in
：推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
67.
dry
etch
：干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受
保护区域的混
合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。
68.
effective layer thickness
：有效层厚，指在外延片制造中
，载流子
密度在规定范围内的硅锭前端的深度。
69.
EM
：
electromigration
，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝<
/p>
条连线进行的自扩散过程。
70.
epitaxial layer
：外延层。半导体技术中，在决定晶向的基质衬底上<
/p>
生长一层单晶半导体材料，这一单晶半导体层即为外延层。
71. equipment downtime
：设备状态异
常以及不能完成预定功能的时间。
72. etch
：腐蚀，运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
73. exposure
：曝光，使感光材料感光或受其他辐
射材料照射的过程。
74.
fab
：常指半导体生产的制造工厂。
75. feature
size
：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。
76.
field-effect
transistor
（
FET
）：场
效应管。包含源、漏、栅、衬四
端，由源经栅到漏的多子流驱动而工作，多子流由栅下的
横向电场控制。
77.
film
：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质。
78. flat
：平边
79. flatband
capacitanse
：平带电容
80. flatband
voltage
：平带电压
81.
flow coefficicent
：流动系数
82. flow
velocity
：流速计
83.
flow volume
：流量计
84.
flux
：单位时间内流过给定面积的颗粒数
85. forbidden energy
gap
：禁带
86. four-
point probe
：四点探针台
87. functional
area
：功能区
88. gate
oxide
：栅氧
89.
glass transition
temperature
：玻璃态转换温度
90. gowning
：净化服
91. gray area
：灰区
92.
grazing incidence
interferometer
：切线入射干涉仪
93. hard bake
：后烘
94. heteroepitaxy
：单晶长在不同材料的衬
底上的外延方法
95.
high-
current
implanter
：束电流大于
3ma
的注入方式，用于批量生产
96. hign-efficiency particulate
air(HEPA) filter
：高效率空气颗粒过
滤器，
去掉
99.97%
的大于
0.3um<
/p>
的颗粒
97.
host
：主机
98. hot
carriers
：热载流子
99.
hydrophilic
：亲水性
100.
hydrophobic
：疏水性
101. impurity
：杂质
102. inductive coupled
plasma(ICP)
：感应等离子体
103. inert
gas
：惰性气体
104.
initial oxide
：一氧
105. insulator
：绝缘
106. isolated
line
：隔离线
107.
implant :
注入
108.
impurity n :
掺杂
109. junction :
结
110. junction spiking n
:
铝穿刺
111. kerf
:
划片槽
112. landing
pad n AD
113. lithography n
制版
114.
maintainability, equipment :
设备产能
115.
maintenance n :
保养
116. majority carrier n
:
多数载流子
117.
masks, device series of n :
一成套光刻版
118.
material n :
原料
119. matrix n 1
:
矩阵
120. mean n :
平均值
121. measured
leak rate n :
测得漏率
122. median n
:
中间值
123. memory
n :
记忆体
124.
metal n :
金属
125.
nanometer (nm) n
：纳米
126. nanosecond (ns) n
：纳秒
127. nitride
etch n
：氮化物刻蚀
128. nitrogen (N2 )
n
：
氮气，一种双原子气体
129.
n-type adj
：
n
型
130. ohms per square
n
：欧姆每平方
:
方块电阻
131.
orientation n
：
晶向，一组晶列所指的方向
132.
overlap n
：
交迭区
133.
oxidation n
：氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
134. phosphorus (P) n
：磷
，一种有毒的非金属元素
135.
photomask n
：光刻版，用于光刻的版
136. photomask, negative
n
：反刻
137.
images
：去掉图形区域的版
138. photomask, positive
n
：正刻
139. pilot n
：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子
140. plasma n
：等离子体，用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
141. plasma-enhanced chemical vapor
deposition (PECVD) n
：等离子体
化学气
相淀积，低温条件下的等离子淀积工艺
142.
plasma-enhanced TEOS oxide deposition n
：
TEOS
淀积，淀积
TEOS
的一种工艺
143. pn
junction
n
：
pn
结
144. pocked bead n
：麻点，在
20X
下观察到的吸附在低压表面的水珠
145. polarization
n
：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语
146. polycide
n
：多晶硅
/
金属硅化物，
解决高阻的复合栅结构
147.
polycrystalline silicon (poly) n
：多晶硅，高浓
度掺杂（
>5E19
）
的硅，能导电。
148. polymorphism n
< br>：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的
形态结晶的现象
149. prober n :
探针。在集成电
路的电流测试中使用的一种设备，用以连
接圆片和检测设备。
150. process control n :
过程控制
。半导体制造过程中，对设备或产品规
范的控制能力。
151. proximity X-ray n :
近
X
射线：一种光刻技术，用
X
射线照射置于光
刻胶上方的掩膜版，从而使对应的光刻胶暴光。
152. pure water n :
纯水。半导体生产中所用之水。
153. quantum device n :
量子设备。
一种电子设备结构，其特性源于电子
的波动性。
154. quartz carrier n
:
石英舟。
155. random
access memory (RAM) n
:
随机存储器。
156.
random logic device n
:
随机逻辑器件。
157.
rapid thermal processing (RTP) n :
快速热处理
(RTP)
。
158. reactive ion etch (RIE) n :
反应离子刻蚀
(RIE)
。
159. reactor n
:
反应腔。反应进行的密封隔离腔。
160. recipe n
:
菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
161. resist n
:
光刻胶。
162.
scanning electron microscope (SEM) n :
电
子显微镜
(SEM)
。
163. scheduled downtime n : (
设备
)
预定停工时间。
164. Schottky barrier diodes n
:
肖特基二极管。
165.
scribe line n :
划片槽。
166. sacrificial etchback n
:
牺牲腐蚀。
167.
semiconductor n
:
半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
168. sheet resistance (Rs) (or per
square) n :
薄层电阻。一般用以衡
量半导体表面杂
质掺杂水平。
169. side load:
边缘载荷，被弯曲后产生的应力。
170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial
wafer:
外延是蓝宝石衬底硅的
原片
171. small scale integration(SSI):
小规模综合，在单一模块上由
2
到
10
个图案的布局。
172. source code:
原代码，机器代码编译者
使用的，输入到程序设计语言
里或编码器的代码。
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