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LVS_command_file介绍

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-02-02 03:58
tags:

-

2021年2月2日发(作者:2659)



LVS


command

< br>file


有错误或者需要自行构造一个器件时,我们要对它做适当的修改和


添加。本文档首先会以一个例子来说明


LVS command fi le


的结构,然后再举一个构造器件的


例子。

< br>



一、



LVS command file


的结构



我们以“

< p>
st3400


”工艺的


LVS command file


为例(红色为


command file


执行语句,


语句总体上由上至下的循序进行说明,


说 明文字为黑色字体,


有些部分只作节选,


为说

< br>明问题某些部分并不完全按语句上下循序,而是为了直观,拿到了一起)



#DEFINE metal2_process


//#DEFINE metal3_process



// CSMC 0.50um BCD ST3400


// CALIBRE(r) version 2006.4 LVS file


// ;################################################# ###################


// ; (@) CSMC CALIBRE LVS COMMAND FILE


// 0.5um 5V VGS / 25V VDS DPTM BCDMOS Process Design Rule(version #9E10)


// ; (@)# METAL LAYER PROCESS: THICK TOP METAL( DPDM )


// ;




























NON-THICK TOP METAL( DPSM/DPDM/DPTM )


// ; (@)# DATE: 2010/01/21 wul


// ;################################## ##################################


首先,如 上边红色语句中“


//


”为注释符,意味着在它之后的语句将不 被执行。



最开头的“


#DEFINE


metal2_process



、< /p>



#DEFINE


metal3_pr ocess


”表示定义了



metal 2_process




< p>
metal3_process







< br>如












#IFDEF----#ENDI F


”语句则构成了一个


option


, 即通过“注释”和“非注释”可以选择


开启后边的“


#IFDE F----#ENDIF


”语句。很显然我们现在开启的的是“


metal2_process




对 于“


#IFDEF----#ENDIF


”语句我们在后边会讲 到。



在接下来一大段的被注释掉语句中,我们可以看到上华特 意将这一


command


file


所 适用工艺、版本号等信息列了出来。



//Name










Description














Device Layer Operation







//


// --------



---------------------------------



--------------------------












---- -- //


//






























































//


//



MOS Type:



















































//


//






























































//


//



M(MN)





5v normal NMOS














SN*TO*PC















//


// M(MP)







5v normal PMOS














SP*TO*PC*TB












//


// M(BN)







5v isolation NMOS















SN*TO*PC*BN










//


// LDD(HA)





40v/5v LDNMOSFET





TO*GT*NM*NG*DP*PB











//


//



RESISTOR Type

















































//


//































































//


// R(RW)






Nwell Resistor














TB*RES_NW_mark












//


// R(RN)







N+ Resistor




















SN*TO*RES_mark









//


以上,上华将本


command file

中出现的器件罗列了出来(此处只节选了部分)


,同


样这些 都被注释掉了,只是作为备注信息。



LAYOUT PATH


LAYOUT PRIMARY


LAYOUT SYSTEM GDS2


DRC RESULTS DATABASE


SOURCE PATH


SOURCE PRIMARY


SOURCE SYSTEM SPICE


EXCLUDE CELL fuse_m2 INTVCC_DMY OSC_DMY ea_DMY



PRECISION 1000


RESOLUTION 5


UNIT CAPACITANCE FF


UNIT LENGTH M


TEXT DEPTH PRIMARY


以上定义了版图和电路提取后的路径及文件类型,


同时定义了版图中绘制精度、



小格点及单位。



LVS FILTER UNUSED OPTION YC RE RG AB RC


PORT LAYER TEXT 1001 1006 1011 1050 1053 1056


LVS CHECK PORT NAMES YES


LAYER empty 999



LAYER A1 1000


LAYER MAP 7 DATATYPE 0 1000




LAYER A1SLOT_slot 1002


LAYER MAP 136 DATATYPE 3 1002



LAYER A1_net 1003


LAYER MAP 7 DATATYPE 253 1003



LAYER A1_pin 1004


LAYER MAP 7 DATATYPE 251 1004



LAYER A2 1005


LAYER MAP 9 DATATYPE 0 1005




LAYER A2SLOT_slot 1007


LAYER MAP 137 DATATYPE 3 1007



LAYER A2_net 1008


LAYER MAP 9 DATATYPE 253 1008



LAYER A2_pin 1009


LAYER MAP 9 DATATYPE 251 1009

以上将绘制版图用到的所有


mask


层次、辅助层次及它们 的数据类型、代号都罗列


出来(此处节选)


。这是最基本的版图 层次信息,我们将以它们为基础,一步步构建出


一个个器件。



// A1SLOT_slot_drc=A1SLOT_slot andnot DCTY_mark


A1SLOT_slot_drc=NOT A1SLOT_slot DCTY_mark



// A2SLOT_slot_drc=A2SLOT_slot andnot DCTY_mark


A2SLOT_slot_drc=NOT A2SLOT_slot DCTY_mark



// A3SLOT_slot_drc=A3SLOT_slot andnot DCTY_mark


A3SLOT_slot_drc=NOT A3SLOT_slot DCTY_mark



// BA_drc=BA andnot DCTY_mark


BA_drc=NOT BA DCTY_mark



// BN_drc=BN andnot DCTY_mark


BN_drc=NOT BN DCTY_mark



// DP_drc=DP andnot DCTY_mark


DP_drc=NOT DP DCTY_mark



// GT_drc=GT andnot DCTY_mark


GT_drc=NOT GT DCTY_mark


以上的“


DCTY_mark

< p>
”表示不检查


LVS



m ark


层,



NOT A B


”的逻辑为“


A


与上


B


的非”


,所以“


*_drc

< p>
”表示“


*


”与上“


DC TY_mark


”的非。



// bn_innerHole=innerHoles BN_drc


bn_innerHole=HOLES BN_drc INNER



// nw_innerHole=innerHoles TB_drc


nw_innerHole=HOLES TB_drc INNER



// this rule checks the completness of BN for full isolation


//


wrong_bn=(BN_drc


enclose


DP_drc)


enclose


(bn_innerHole


notInteract


nw_innerHole)


L38129=ENCLOSE BN_drc DP_drc


L12582=NOT INTERACT bn_innerHole nw_innerHole


wrong_bn=ENCLOSE L38129 L12582



// mnbn_rec=(pcngate andnot mn_rec) andnot wrong_bn


L29776=NOT pcngate mn_rec


mnbn_rec=NOT L29776 wrong_bn


以上语句是为了形成完全隔离,而要求埋层中间不能出现空洞,即将


isub



psub

< br>隔离开。



mnbn_rec




mnbn


管的识别层,


加上适当的尺寸命令就可以定义器件的


L



W


(后边会介绍)




HOLES A INNER



的逻辑 为


“中间有空洞的


A


层次”

< p>



ENCLOSE A B


的逻辑为“将


B


围起来的


A


层次”




NOT INTERACT A B


”的逻辑为“不与


B


相关联的


A


层次”


,相关联的意思是相交或


space=0



因此,



wrong_bn


”意为“中间有空洞,而让


DP


psub


相通的


BN


层,且


BN


层不与中间有空洞的


TB


相联系”




// nw_hole=holes TB_drc


L68433=HOLES TB_drc


nw_hole=NOT L68433 TB_drc



// rec layer for dnwpwbn


// dnwpwbn=(pdiff and DIODE_mark) and nw_hole and BN_drc


L61121=AND DIODE_mark pdiff


L81992=AND L61121 nw_hole


dnwpwbn=AND BN_drc L81992

< p>
以上语句中,



dnwpwbn

< br>”为


dnwpwbn


管的识别层,加上适当的周长、面积 命令


就可以定义器件的周长、面积(后边会介绍)


< p>


HOLES A


”的逻辑为“

< br>A


层次里的空洞”


(注意与


HO LES A INNER


的区别)




INSIDE A B


”的逻辑为“包含在

B


内部的


A


层次”




// dzpnw=((ZP_drc and DIODE_mark) inside TB_drc) interact TO_drc


L99810=AND DIODE_mark ZP_drc


L82411=INSIDE L99810 TB_drc


dzpnw=INTERACT L82411 TO_drc



// pdifcon=pdiff andnot GT_drc andnot PC_drc andnot allRes


L95826=NOT pdiff GT_drc


L91409=NOT L95826 PC_drc


pdifcon=NOT L91409 allRes



// pdiff_dzpnw=pdifcon and ZP_drc


pdiff_dzpnw=AND ZP_drc pdifcon



// anode_dzpnw=pdiff_dzpnw notInteract RES_mark size 0.8


L5206=NOT INTERACT pdiff_dzpnw RES_mark


anode_dzpnw=SIZE L5206 BY 0.8



// anode_dzpnw_con=pdifcon and anode_dzpnw


anode_dzpnw_con=AND anode_dzpnw pdifcon


以上语句中,


“< /p>


dzpnw


”为


dzpnw


管的识别层,加上适当的周长、面积命令就可以


定义器件的周长、面积(后边 会介绍)




INTERACT A B


”的逻辑为“与


B


相联系的


A



次”


,相关联的意 思是相交或


space=0



(在


dzpnw


实际版图中


TB>ZP>TO> DIODE


,因此


dzpnw


的大小为


DIODE


所定义。




SIZE A 0.8


”的逻辑为“将


A


的尺寸在


X


< p>
Y


轴方向增



0.8



,同理可得:



SIZE A -0.5


”的逻辑为“将


A

的尺寸在


X



Y

< br>轴方向缩小


0.5





// pcngate=PC_drc and ndiff


pcngate=AND PC_drc ndiff



// mn_rec=pcngate andnot BN_drc


mn_rec=NOT pcngate BN_drc



// pdiff=TO_drc and SP_drc


pdiff=AND SP_drc TO_drc



// pcpgate=PC_drc and pdiff


pcpgate=AND PC_drc pdiff



// mp_rec=pcpgate overlap BN_drc


mp_rec=NOT OUTSIDE pcpgate BN_drc

< p>
以上语句中,



mn_rec




mp_rec


”分别为


mn



mp


的识别层,加上适当的尺寸命


令就可以定义器件的

L



W


(后边会介绍)

< p>



AND A B


”< /p>


的逻辑为



A



B





NOT OUTSIDE


A B


”的逻辑 为“不在


B


外边的


A

< br>层次,即


B overlap A





//


HeRec=((( GT_drc


and


BN_drc


)


interact


((SIZE GT_drc


by 0.5)overlap


==1


PB_drc))


and TO_drc overlap==1 SP_drc ) notInteract DP_drc


L8776=AND BN_drc GT_drc


L3487=SIZE GT_drc BY 0.5


L34866=INTERACT L3487 PB_drc ==1


L09245=INTERACT L8776 L34866


L32360=AND L09245 TO_drc


L75166=SIZE SP_drc BY -0.002


L75767=INTERACT L32360 L75166 ==1


HeRec=NOT INTERACT L75767 DP_drc



L34676=NOT TO_drc GT_drc


L31160=INTERACT L34676 PB_drc ==1


// HeD=(L31160 interact HeRec ) andnot GT_drc not overlap ndiff


L3768=INTERACT L31160 HeRec


L1580=NOT L3768 GT_drc


L26711=INTERACT L1580 ndiff


HeD= NOT L1580 L26711



// mp20vt_Dcon=pdifcon and HeD


mp20vt_Dcon=AND HeD pdifcon



// HeS=( pdifcon notInteract PB_drc) buttOnly HeRec


L3022=NOT INTERACT pdifcon PB_drc


HeS=TOUCH L3022 HeRec



// mp20vt_Scon=pdifcon and HeS


mp20vt_Scon=AND HeS pdifcon


以上语句中“


HeRec


”为“


mp20vt


”管子的识别层。



A =SIZE B 0.5



&



INTERACT C


A ==1


”的逻辑 为“


B



X



Y


轴方向增大


0.5

< br>后的层次为


A



&


“如果


C


层次与


A


层次相


关联为真,则返回


C



(此处的“


INTERACT C A ==1


”的逻辑跟“


INTERACT C A


”一样,


只是前者的


C


A


事先经过


< br>SIZE



命令增大或缩小,


所 以要采用



INTERACT C A ==1





TOUCH A B


”的逻辑为“与


B

紧挨的


A


部分,即


space=0




下图为“


mp20vt


”管。




// nw_bjt=TB_drc and BJT_mark


nw_bjt=AND BJT_mark TB_drc



// nwBjt_hole=holes nw_bjt


L96477=HOLES nw_bjt


nwBjt_hole=NOT L96477 nw_bjt



// nw_hole=holes TB_drc


L68433=HOLES TB_drc


nw_hole=NOT L68433 TB_drc



// nwHole_qlp=(nwBjt_hole enclose pbBjt_hole) and BN_drc and NX_drc


L16040=ENCLOSE nwBjt_hole pbBjt_hole


L67856=AND BN_drc L16040


nwHole_qlp=AND L67856 NX_drc



// pb_qlp=pb_bjt and nwHole_qlp


pb_qlp=AND nwHole_qlp pb_bjt



// qlp_e=(to_nx and pb_qlp) vertex==4


L83841=AND pb_qlp to_nx


qlp_e=VERTEX L83841 ==4



// qlp1d2x1d2bd rec layer


// laRec=qlp_e area ==1.44


laRec=AREA qlp_e ==1.44



// qlp1d2x2d2bd rec layer


// lbRec=qlp_e area ==2.64


lbRec=AREA qlp_e ==2.64



// qlpE_con=pdiff_bjt and qlp_e


qlpE_con=AND pdiff_bjt qlp_e



// qlp_c=(pb_bjt or pbBjt_hole)



andnot qlp_e


L26589=OR pbBjt_hole pb_bjt


qlp_c=NOT L26589 qlp_e



// qlpC_con=qlp_c and pdiff_bjt


qlpC_con=AND pdiff_bjt qlp_c



// pb_con=(PB_drc notInteract RES_mark) notInteract (BJT_mark or SW_drc)


L7155=NOT INTERACT PB_drc RES_mark


L78467=OR BJT_mark SW_drc


pb_con=NOT INTERACT L7155 L78467


以上语句中



laRec





lbRec





qlp1d2x1d2bd< /p>





qlp1 d2x2d2bd



的识别层。



VERTEX


A ==4


”的逻辑为“顶 角有


4


个的


A


层次”




AREA A


”的逻辑为“计算


A


层次的面积”

< br>。



//;; define connection section


#IFDEF metal2_process







CONNECT a2_conn a1_conn BY W2






CONNECT a1_conn ndifcon BY w1_and_nsd






CONNECT a1_conn pdifcon BY w1_and_psd






CONNECT a1_conn gt_con BY w1_gt_not_pc






CONNECT a1_conn pc_con BY w1_and_pc






CONNECT a1_conn pc_cap BY w1_and_pc






CONNECT a1_conn pbHole_dswhnw BY pbHole_and_A1







SCONNECT ndifcon nx_conn BY nx_ntap






LVS SOFTCHK nx_conn CONTACT







SCONNECT ndifcon nwelcon BY tb_ntap






LVS SOFTCHK nwelcon CONTACT







SCONNECT ndifcon MaSD BY MaSDcon






LVS SOFTCHK MaSD CONTACT



SCONNECT ndifcon cathode_dbahnw BY cathode_dbahnw_con






LVS SOFTCHK cathode_dbahnw CONTACT







SCONNECT ndifcon JaD BY JaDcon






LVS SOFTCHK JaD CONTACT







SCONNECT ndifcon JbD BY JbDcon






LVS SOFTCHK JbD CONTACT







SCONNECT nx_conn bn_nx BY bn_nxtap






LVS SOFTCHK bn_nx CONTACT







SCONNECT nx_conn bn_nx_nw BY bnNxNw_tap






LVS SOFTCHK bn_nx_nw CONTACT







SCONNECT nwelcon bn_nw BY bn_tbtap






LVS SOFTCHK bn_nw CONTACT







SCONNECT nwelcon nwellRes_term BY nwResTerm_con






LVS SOFTCHK nwellRes_term CONTACT







SCONNECT nwelcon HdSD BY HdSDcon






LVS SOFTCHK HdSD CONTACT







SCONNECT pdifcon qlp_c BY qlpC_con






LVS SOFTCHK qlp_c CONTACT







SCONNECT pdifcon qlp_e BY qlpE_con






LVS SOFTCHK qlp_e CONTACT







SCONNECT pdifcon qvn_b BY qvnB_con






LVS SOFTCHK qvn_b CONTACT







SCONNECT pdifcon qvnba_b BY qvnbaB_con






LVS SOFTCHK qvnba_b CONTACT







SCONNECT pdifcon qvp_e BY qvpE_con






LVS SOFTCHK qvp_e CONTACT







SCONNECT pdifcon DP_drc BY dp_ptap






LVS SOFTCHK DP_drc CONTACT







SCONNECT pdifcon pb_con BY psd_and_pb






LVS SOFTCHK pb_con CONTACT







SCONNECT pdifcon to_ovl_pb BY psd_and_pb






LVS SOFTCHK to_ovl_pb CONTACT







SCONNECT pdifcon psub BY ptap






LVS SOFTCHK psub CONTACT







SCONNECT pdifcon anode_dzpnw BY anode_dzpnw_con






LVS SOFTCHK anode_dzpnw CONTACT







SCONNECT pdifcon resPbase_term BY resPbaseTerm_con






LVS SOFTCHK resPbase_term CONTACT







SCONNECT pdifcon resPbody_term BY resPbodyTerm_con






LVS SOFTCHK resPbody_term CONTACT



LAYER A2_text 1006






LAYER MAP 122 TEXTTYPE 0 1006






TEXT LAYER A2_text







LAYER A1_text 1001






LAYER MAP 121 TEXTTYPE 0 1001






TEXT LAYER A1_text







ATTACH A2_text a2_conn






ATTACH A1_text a1_conn



#ENDIF


以上语句(节选)



#IFDEF < /p>


metal2_process----#ENDIF


”定义了层 次间的连接关系,


与前边提到的



#D EFINE metal2_process



构成一个


option



即当



#DEFINE metal2_process



为非注释时,后边的“


#IFDEF metal2_process- ---#ENDIF


”被开启;反之,则不会开启。







DEV M(MN) mn_rec pc_con(G) ndifcon(S) ndifcon(D) psub(B) (S D)






NETLIST MODEL






[PROPERTY w,fw,simW,l,m






width=PERIMETER_COINCIDE(mn_rec, ndifcon)/2






length=PERIMETER_OUTSIDE(mn_rec, ndifcon)/2






w=width*1e-6






fw=width*1e-6






simW=width*1e-6






l=length*1e-6






m=length- length+1


]







DEV M(BN) mnbn_rec pc_con(G) ndifcon(S) ndifcon(D) psub(B) (S D)






NETLIST MODEL






[PROPERTY w,fw,simW,l,m






width=PERIMETER_COINCIDE(mnbn_rec, ndifcon)/2






length=PERIMETER_OUTSIDE(mnbn_rec, ndifcon)/2






w=width*1e-6

-


-


-


-


-


-


-


-



本文更新与2021-02-02 03:58,由作者提供,不代表本网站立场,转载请注明出处:https://www.bjmy2z.cn/gaokao/596976.html

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