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第二章 晶体缺陷1

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-03-03 17:06
tags:

-

2021年3月3日发(作者:consensus)


第二章



晶体缺陷








就理想状态的完整晶体而言,即晶体中所有的原子都在各 自的平衡位置,处


于能量最低状态。


然而在实际晶体中原子的排 列不可能这样规则和完整,


而是或


多或少地存在离开理想的区域 ,


出现不完整性。


通常把这种偏离完整性的区域称


为晶体缺陷(


crystal defect; crystalline imperfection)


。缺陷的产生是与


晶体的生成条件 、


晶体中原子的热运动、


对晶体进行的加工过程以及其它因素的


作用等有关。


但必须指出,


缺陷的存在 只是晶体中局部的破坏。


它只是一个很小


的量

< br>(


这指的是通常的情况


)


。例如


20℃时,


Cu


的空位浓度为


3.8×10



17


, 充分


退火后铁中的位错密度为


10


12


/m


2



所以 从占有原子百分数来说,


晶体中的缺陷在


数量上是微不足道的。


但是




在晶 体中缺陷并不是静止地、


稳定不变地存在着,


而是随着各种条件 的改变而不断变动的。


它们可以产生、


发展、

< br>运动和交互作用,


而且能合并消失。


晶体缺陷对晶体的许 多性能有很大的影响,


如电阻上升、


磁矫


顽力增大、扩散速率加快、抗腐蚀性能下降,特别对塑性、强度、扩散等有着决


定性的 作用。



20


世纪初,


X


射线衍射方法的应用为金属研究开辟了新天地,

使我们的认识


深入到原子的水平;到


30

< br>年代中期,泰勒与伯格斯等奠定了晶体位错理论的基


础;


50


年代以后,电子显微镜的使用将显微组织和晶体结构之间的空白区域填


补了起来,


成为研究晶体缺陷和探明金属实际结构的主要手段,


位错得到有力的


实验观测证实;


随即开展了大量的研 究工作,


澄清了金属塑性形变的微观机制和


强化效应的物理本质 。




1



按照晶体缺陷的几何形态以及相对于晶体的尺寸,


或其影响范围 的大小,



将其分为以下几类:



1.


点缺陷


(point defects)




其特征是三个 方向的尺寸都很小,不超过几


个原子间距。如:空位


(vaca ncy)


、间隙原子


(interstitial atom)


和置换原子


(substitutional at om)


。除此以外,还有空位,间隙原子以及这几类缺陷的复


合 体等均属于这一类。


这里所说的间隙原子是指应占据正常阵点的原子跑到点阵

< p>
间隙中。



2.


线缺陷



linear


defects)



其特征是


缺陷在两个方向上尺寸很小


(与点缺陷相似)



而第三方向上的尺寸却很大,


甚者可以贯穿整


个晶体,属于这一类的主要是位错


(dislocation)(


如图所示)。



3.


面缺陷


(interfacial


defects)



其特

< p>
征是缺陷在一个方向上的尺寸很小(同点缺


陷),而其余两个方向上的尺寸 很大。晶体的外表面


(external surfaces)


及各











2


种内界面如:一般晶界


(grain


boundaries)(



3



02


、图


3



03




孪晶界< /p>


(twin boundaries)


、亚晶界(


sub- boundaries


)、相界


(phase boundar ies)



层错


(stacking faults)


等均属于这一类。




一、



点缺陷





晶体中的点缺陷(


point


def ect


)是在晶体晶格结点上或邻近区域偏离其正


常结构的一种 缺陷,


它是最简单的晶体缺陷,


在三维空间各个方向上尺寸都很 小,


范围约为一个或几个原子尺度。


所有点缺陷的存在,


都破坏了原有原子间作用力


的平衡,造成临近原子偏离其平衡位置,发 生晶格畸变


(distortion


of

< br>lattice)



使晶格内能升高。

< br>


(一)



金属晶体中的点缺陷



金属晶体中常见 的点缺陷有空位


(vacancy)


、间隙原子


(interstitial


atom)


、置换原子


(sbustitutional atom)


等。



晶体中位于晶格结点 上的原子并非静止不动的,


而是以其平衡位置为中心作


热运动。 当某一瞬间,某个原子具有足够大的能量,克服周围原子对它的制约,


跳出其所在的位置 ,


使晶格中形成空结点,


称空位



脱位原子进入其他空位或迁


移至晶界或晶体表面所形成的空位叫


肖脱基


(Schottky)


空位



脱位原子挤入晶格


结点的间隙中所形成的空位 叫


弗兰克尔


(Frenkel)


空位< /p>


,挤入间隙的原子叫


间隙


原子

< p>
;占据在原来晶格结点的异类原子叫


置换原子。



1


、空位




3


空位是一种热平衡缺陷


,


即在一定温度下


,


空位有一定的平衡浓度。


空位在晶


体中的位置不是固定不变的


,


而是不断运动变化的。空位是由原子脱离其平衡位


置而形成的,脱离 平衡位置的原子大致有三个去处:



(1)

迁移到晶体表面上


,


这样所产生的空位

叫肖脱基空位;



(2)


迁移到晶 格的间隙中


,


这样所形成的空位叫


弗兰 克尔空位




(3)

< br>迁移到其他空位处


,


这样虽然不产生新的空位

< p>
,


但可以使空位变换位置。



2


、间隙原子



处于晶格间隙中的原子即为间隙原子。在形成弗兰克尔空位的同时


,

< br>也形成


一个间隙原子,另外溶质原子挤入溶剂的晶格间隙中后,也称为间隙原子< /p>


,


他们


都会造成严重的晶体畸变。


间隙原子也是一种热平衡缺陷,


在一定温度下有一平

< br>衡浓度,对于异类间隙原子来说,常将这一平衡浓度称为


固溶度或溶解度。



3


、置换原子


< /p>


占据在原来基体原子平衡位置上的异类原子称为置换原子。


由于原 子大小的


区别也会造成晶格畸变,


置换原子在一定温度下也有一 个平衡浓度值,


一般称之


为固溶度或溶解度,通常它比间隙原子 的固溶度要大的多。




(二)



点缺陷的产生



1

、平衡点缺陷


(


equilibrium point defect


)及其浓度



点缺陷都是 由于原子的热运动产生的,


它们的产生和存在使体系的自由能发


生一定的变化。


点缺陷的形成可处理为等温等容的过程,


因此,


体系自由能


(free


energy )



Δ


F=


Δ


U-T


Δ


S;n


个内能


(internal energy)



u


的缺陷使系统内能


增加总量为

Δ


U=nu


.


由于点缺陷的存在使 体系混乱程度增大,大大增加了系统的


熵值。




4


平衡点缺陷数目:



n


e


/N=C


e


=Aexp(- u/kT)



Ce:


某种类型点缺陷的平衡浓度;



N


:晶体的原子总数;



A


:材料常数,其值常取


1




T


:体系所处的热力学温度;



K


:波尔兹曼常数,约为


8.62


×


10-5ev/K



1.38


×


10-23J/K



U


:该种点缺陷的形成能。



2


、过饱和点缺陷


(supersatura ted point defect)


的产生



在点缺陷的平衡浓度下晶体的自由能最低,


系统最稳定。


当在一定的温度下,


晶体中点缺陷的数目明显超过其平衡浓度时,

这些点缺陷称为过饱和点缺陷,





它的产生方式有三种


:



淬火


(quenching)



冷加工


(cold working)



辐照


(radiation)




1



.

< p>
淬火



高温时晶体中的空位浓度很高,经过淬火后 ,空位来不及通过


扩散达到平衡浓度,在低温下仍保持了较高的空位浓度。




2


< br>.


冷加工



金属在室温下进行压 力加工时,由于位错交割所形成的割阶


发生攀移,从而使金属晶体内空位浓度增加。




5



3



.


辐照



当金属受到高能粒子(中子、质子、氘核、


α


粒子、电子等)


辐照时,


晶体中的原子 将被击出,


挤入晶格间隙中,


由于被击出的原子具有很高


的能量,因此还有可能发生连锁作用,在晶体中形成大量的空位和间隙原子。

< br>


(三)点缺陷对晶体材料性能的影响



一般情形下,点缺陷主要影响晶体的物理性质,如比容


(specific < /p>


volume)



比热容


(specific heat volume)


、电阻率

(resistivity)


、扩散系数、介电常数


等。< /p>



1.


比容


< /p>


形成


Schottky


空位时,


原子迁移到晶体表面上的新位置,


导致晶体


体积 增加。



2.


比热容



形成点缺陷需向晶体提供附加的能量


(


空位生成焓


)


,因而引起附


加比热容。



3.


电阻率



金属的电阻主要来源于离子对传导电子的散射。正常情况下,电


子基本上在均匀电场中运 动,


在有缺陷的晶体中,


晶格的周期性被破坏,


电场急


剧变化,因而对电子产生强烈散射,导致晶体的电阻率增大。

< p>


点缺陷对金属力学性能的影响较小,


它只通过与 位错的交互作用,


阻碍位错


运动而使晶体强化。


但在高能粒子辐照的情形下,


由于形成大量的点缺陷而能引

起晶体显著硬化和脆化(辐照硬化)。





6


二、



晶体中的线缺陷—位错



晶体的线缺陷 表现为各种类型的位错(


dislocation


),其在三维 空间两个


方向上尺寸很小,


另外一个方向上延伸较长。


它不像点缺陷那样容易被人接受和


理解,


人们是 从研究晶体的塑性变形中才认识到晶体中存在着位错。


位错对晶体


的强度与断裂等力学性能起着决定性的作用。


同时,


位错对晶 体的扩散与相变等


过程也有一定的影响。



2.1


位错理论的提出


< p>
位错理论是在对晶体强度作了一系列的理论计算,


发现与实际强度有很大差


别的基础上提出来的。



(1)


从断裂表面能求晶体的强度




假设晶体在拉伸应力下,发生断裂。在断裂时,储藏在固体 中


的弹性能转变为断裂时形成两个新表面的表面能,则




1


?


d


?


2


?


2


d


a


式中


σ

< p>
为断裂时的拉伸应力,


d


为两分子间距

< p>
a


在断裂时所伸长的长


?


?


?


E


?


E< /p>


度,


γ


为表面能。


按虎克定律




E


为弹性摸量)代


入上式得:




?


?


2


?


a


E



7


一般


a


约 为


3


×


10


- 8


cm



E


约 为


10000N/mm2



γ


约为


10


-4


J/cm


2


。计


算结果


σ


---10000N/mm


2


,比实 际强度大


100---1000


倍。



(2)


从晶体的刚性模型计算理论强度




1926



Frenkel


从刚体模型出发,


对晶体的屈服强度进行计


算。首先假设,原子在晶体中的排列是理想的,相邻两层原子稳


定位 置如图


2-1


所示。若它们在切应力的作用下沿


X


方向发生刚


性的相对位移,又假设应力和位移量


X


为正弦波关系。图


2-2



示应力与位移之间的关系和势能与位移之间的关系。





2-1


切应力作用下原子层的位移





8

-


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