器件 名词翻译

在表面处的）沟道掺杂分布

：

具有逆向

（峰值不

salicide

scaling limit

：自对准金属硅化物工艺

self- aligned

：按比例缩小的极限

SEM

microscope

：

扫

：自对准

瞄

式

电

子

显

微

镜

（

scannin g

series resistance

）

electron

sheet- resistance

：串联电阻

short-channel effects

：薄层电阻，方块电阻

short-channel effects

：短沟道效应；

silicide

SIMOX (separation by implantation of oxygen

：金属硅化物

：短沟效应

隔离

）

：< /p>

single-crystal ingot

注氧

single-crystalline silicon

：单晶锭

SOI ( Silicon On Insulator):

：单晶硅；

S ource

space charge region

：源（区）

绝缘层上的硅

Spacer

：空间电荷区

Specification :

：侧墙

Sputtering

stepper :

Substrate

专用步进曝光机

：溅射

规格，规范

Subthreshold

：衬底

subthreshold swing

：亚阈值

subthreshold swing

：亚阈摆幅

Surface scattering

：亚阈值摆动；

Technology

：

表面散射

thermal equilibrium

：技术，工艺

thermal oxidation process

：热平衡

Threshold voltage

tunnel

：阈值电压

：热氧化工艺

ULSI

：遂穿

ultraviolet light:

：甚大规模集成电路

Vacuum level

vertical furnace

：真空能级

紫外光

VLSI

：

井式炉

Volume charge

：超大规模集成电路

wafer

：体电荷

Work function

：晶片

：功函数

abrupt junction

Accumulation

：突变结；

Aging

：积累

alignment

：老化

Anneal

avalanche breakdown

：退火

：校准

back- gate

ballistic transport

：背栅

：雪崩击穿

body Effect

：弹道输运；

Bond ing

breakdown

：键合

：体 效应，衬底偏置效应，衬偏效应

Buried channels

：击穿

c

：埋沟

channel length modulation

at’s whisker detector

：触须式检波器

chip:

：沟道长度调制；

computer-aided design (CAD)

芯片

CVD (chemical vapor deposition)

：计算机辅助设计

Dangling bond:

：化学气相淀积

dangling silicon bond

悬挂键

deep submicrometer

：悬挂键；

degradation

：深亚微米；

Degrade

dehydration

：退化

：退化；

Depletion-mode

：脱水

deposited uniformly

：

耗尽型器件

deposited uniformly

：均匀淀积

development

：均匀淀积；

DIBL

低效应；

(drain-induced

：显影

barrier

：漏至势垒降

die:

dielectric constant

裸片

dielectric constant

：介电常数

Dielectric

：介电常数；

Diffusion

：电介质

DMOS (double-diffused MOS)

：扩散

dopant

：双扩散

MOS

doping fluctuations

：掺杂剂

Drain

Electrode

：漏（区）

：掺杂工艺的波动

Electron affinity

：电极

electron beam lithographic

：电子亲和能

Energy-bands

Enhancement- mode

：

能带图

：电子束光刻

EOT

epitaxial

（

equivalent oxide thickness

：增强型

< br>）

：

等效氧化层厚度；

epitaxially grown

：外延；

etch stencil

外延生长；

etch

Field oxide

：刻蚀

：刻蚀模板

Field oxide

：场氧化层

Flat-Band V

：场氧化层

Flat-Band V

oltage

：平带电压

floating body

oltage

平带电压

gate dielectric

：体区浮置

gate stack

GIDL

：栅叠层

：栅介质

应；

gradual-channel approximation

(gate-induced

drain

leakage)

：栅感 应漏电效

Hot Carriers Effect

：渐近沟道近似

hot-carrier effects:

：热载流子效应

impact ionization

热载流子效应；

induced electric field

：碰撞电离；

Inter connection

：感生电场

interface state

：互联

interface states

：表面态；

intrinsic Fermi level

：界面态

inversion layer

Ion Implantat ion

：反型层

：本征费米能级

kinetic energy

：离子注入

latch-up

latch- up

：

闩锁；

：动能；

lattice vibration

：闩锁

LDD

（

lightly doped drain

：晶格振动；

）

：轻掺杂漏 ；

leakage current

lithographic mask

：泄漏电流

LOCOS

：光刻版；

Mask

（

Local Oxidation of Silicon

）

：

硅的局部氧化

Metallization

：掩模

Metallurgical junction

：金属化

momentum

：冶金结

MOSFET

：动量；

Transistor)

(Metal-Oxide- Semiconductor

Field-Effect

nano-scale

：场效应晶体管

nonvolatile devices

：纳米级；

nonvolatile devices

：非挥发性器件

oxidation furnace

：非挥发性器件

Oxidation

：氧化炉

oxide charges

：氧化

Pattern:

phonons

样 式，图形，集成电路设计中指版图

：氧化层电荷

photolithography

：声子；

Photomasks

：光刻

photoresist strip

：光学掩模

Photoresist

Pinched-off

：光刻胶，光致抗蚀剂

：剥离光刻胶

planar technology

：夹断

plasma etch

：平面工艺

Plasma

：等离子刻蚀

Polysilicon

：等离子

Process

punch-through :

：工艺（过程）

：多晶硅

PVD (physical vapor deposition)

穿通

quantum confinement effect

retrograde channel doping profile

：量子限制效应；

：

金属物理气相淀积

retrograde channel doping profile

：