-
第一章
OrCAD
Captuer
的使用
1.1
启动
Capture
环境
打开路径:
开始菜单
程序
OrCAD
Unison
Suite
点击其联级菜单中的
Capyure
图标。
1.2
创建新电路图文件
打开
Capture
的基本操作界面
,
打开路径:
FileNewProject
完成
New
Project
对话框。
1
在下拉菜单中选择确定的画板后就出现工作窗口:
第二章
电路图绘制技巧与实例
2.1
各种图形实例:
实验目的:如何使用
Cpture
绘图编辑程序绘制简单的电路图
绘制总线:
直线:
折线:
直角矩形:
椭圆与圆:
弧线:
2
第三章
PSpice
电路特性基本分析
3.1
偏压点分析
(Bias Point Detail)
1
p>
、实验目的:
(
1
)内个节点的电压之值于各分支的电流值。
(
2
)
某一电
路在直流电压源或电流源的作用下,
是否正常工作。
5.000V
5V
Vi
100
RL
I
0V
0
偏压点文字分析:
**** 05/20/08 15:46:55 ********* PSpice
9.2 (Mar 2000) ******** ID# 1 ********
** Profile:
[ E: ]
****
CIRCUIT DESCRIPTION
**********************************************
********************************
** Creating circuit file
** WARNING: THIS
AUTOMATICALL
Y GENERATED FILE MAY BE
OVERWRITTEN BY
SUBSEQUENT SIMULATIONS
*Libraries:
* Local Libraries :
* From
[PSPICE NETLIST] section of C:Program file:
.lib
*Analysis directives:
.PROBE V(*) I(*) W(*) D(*) NOISE(*)
.INC
3
**** INCLUDING ch1-SCHEMA
****
* source CH1
V_Vi
N00570 0 5v
R_RL
0
N00570
100
**** RESUMING
ch1-SCHEMA
****
.END
**** 05/20/08 15:46:55
********* PSpice 9.2 (Mar 2000) ******** ID# 1
********
**
Profile:
[ E: ]
****
SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION
TEMPERATURE =
27.000 DEG C
***
**************************************************
*************************
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
(N00570)
5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME
CURRENT
V_Vi
-5.000E-02
TOTAL
POWER DISSIPA
TION
2.50E-01
WA
TTS
分析:节点的偏压点电压为
5v
p>
,流出电压源的电流时
0.05A
,消耗的
电功率为
0.25W
,
其
中
V_Vi
-5.000E-02
,是因为软件
中将电压源电流的定义是流出为负,流入如正。
与我们平时的定义相反。
3.2
直流扫描分析(
DC
Sweep
)
1
、实验目的:
(
1
)如何设置直流
参数。
(
2
)当参数变化时观察直流特性曲线。
直流扫描分析图如下
:
4
分析
:有图象可知,流过电阻的电流和电阻两端的电压成正比,符合欧姆定律。
3.3
交流扫描分析(
AC
SWEP
)
1
、实验目的:
(
1
)计算电路的交流
小信号频率响应特性。
(
2
)计算电路因信号频率改变所作的频域分析。
5
增加一条
y
轴坐标以显示相位频谱图
分析:
3.4
瞬态分析(
Transient
Analysis
)
1
、实验目的:
(
1
)如何求电路的时域响应。
6
3.5
噪声分析(
Noise
Analysis
)
1
、实验目的:
(
1
)如何认
识噪声信号。
(
2
)将噪声信号对输出信号的影响给以数值化,评价电路
性能。
10
.00
< br>V
Rb
3.000
V
Rc
1k
Vo
10V
p>
Vdc
VSRC
DC =
3V
AC = 1V
100k
68
p>
1.1
mV
Q1
5
.898
V
0V
Q2N22
22
0V
0V
0
0
0
V(INOISE)
与
V(ONOISE)
输出波形如下
SNR
输出波形如下:
文本输出结果:
7
输出波形如下:
3.6
温度分析(
Temperature
Analysis
)
p>
1
、实验目的:
(
1
)了解温度对电子元件的影响。
(
2
)依据输出波形理解温度系数效应
R1
10
V1 =
0V
V2 = 5V
TD =
1us
TR = 1us
TF =
1us
PW = 1us
PER = 4us
< br>0V
Vpulse
Rbreak
0V
C2
1n
Cbreak
Vo
0V
0
8
步骤二:设置瞬态分析和温度分析参数
选择
PSpice/New Simulation Prof
ile
功能选项进入参数设
置对话框,点击“确定”结束对话框
。在
Analysis
页的
Analy
sis
type
的下拉
菜单中选择
Time
Domaun
选项来设置瞬态扫描分析。将
Run To
Time
栏设为
6us,Max step size
p>
栏设为
6ns
。回到
Cpture
窗口,设置温度分析参数。用
PSpiceEd
itSimulation
Setting
功能选项打开
Simulation Sett
ing
对话框,
将
Options
p>
栏内的
Temperature(Sweeep)
< br>选项打勾,
将对话框右边的
Repeat
the
Simulation for each of
Temperature
选项打勾,在选项的下方的空白栏内增
加仿真温度为
20 30 40 50
四各数值。
步骤三:存档并执行
p>
PSpice
仿真
按“Ctrl+s”存
档,
点击
PSpiceRun
功能选项
启动
PSpice
程序仿真。按“Insert”打开
Add
Traces
对话框,输入
V(VO)
,观察输出波形。
输出信号波形:
温度分析结果如图:
9
****
TEMPERATURE-ADJUSTED
V
ALUES
TEMPERA
TURE
=
35.000
DEG
C
***********
**************************************************
*****************
****
CAPACITORS
C_C1
C
3.800E-09
**** RESISTORS
R_R1
R
3.720E+01
**** 05/21/08 13:52:22
********* PSpice 9.2 (Mar 2000) ******** ID# 1
********
**
Profile:
[ E: ]
****
INITIAL
TRANSIENT SOLUTION
TEMPERA
TURE =
35.000 DEG C
p>
*****************************************
*************************************
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
NODE
VOLTAGE
(
VO)
0.0000
(N00910)
0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME
CURRENT
V_V1
0.000E+00
TOTAL POWER DISSIPATION
0.00E+00
WA
TTS
**** 05/21/08 13:52:22 ********* PSpice
9.2 (Mar 2000) ******** ID# 1 ********
** Profile:
[ E: ]
****
TEMPERATURE-ADJUSTED
V
ALUES
TEMPERA
TURE
=
40.000
DEG
C
10
*************************
**************************************************
***
**** CAPACITORS
C_C1
C
8.150E-09
**** RESISTORS
R_R1
R
8.020E+01
**** 05/21/08 13:52:22 ********* PSpice
9.2 (Mar 2000) ******** ID# 1 ********
** Profile:
[ E:
]
****
INITIAL
TRANSIENT SOLUTION
TEMPERA
TURE =
40.000 DEG C
第四章
电路分析例题
实验目的:学会用
p>
Pspice
来仿真各种电路习题。
p>
实验步骤:
(
1
)
分析原始电路图,确定各个电子元件。
<
/p>
(
2
)运用
CA
D
画出电路图。
(
3
)用
Ps
pice
进行仿真,观察仿真结果。
例一:含
VCVS
受控源的电路如图所
示,求电路中控制量
U1
和
U
。
R1
1k
2.000V
20.00V
< br>R2
10k
200.0V
E1<
/p>
+
-
E
+
-
2V
V1
0V
p>
0
11
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