带隙基准

带隙基准电压源实验报告

一、实验名称：

带隙基准电压源

二、实验目的：

1.

熟悉掌握

Orcad captu reCIS

的使用方法以及常见的仿真方法和参数设置。

2.

利用

Orcad captureCIS

设计带隙基准电压源，并完成要求功能。

3.

掌握带隙基准电压源的设计原理及计算方法。

三、实验步骤：

（一）参数设置：

1.

电源电压

VCC=2.7V

，室温下（

T=300K

）时，

IEQ=10uA

。

2.

确定电路结构后， 预选两三极管的发射结面积之比为

8

，则有公式

IEQ=VT*ln(8)/R1

，计算可得

R1=5 .4K

。

3.

且由

Vref=Vbe+

α

VT

，

当α

=17.2

时，

使得

Vref

对温度

T

的偏导数为

0

，

构成一个带隙基准电压源。

而α

=(1+R2/ R1)ln(8),

由

R1=5.4K

计算得

R2=39.3K

。

5.

再由各级电流确定各放大

MOS

MOS

管的宽长比。

6.

进行仿真验证。

（二）步骤及结果：

1

、画出电路结构，按照以上计算的参数设置，电路如图所示：

如上图所示，

R1

< br>取值为

5.4K

时，进行温度扫描，所得结果，如下图所 示：

由图形曲线可以看出，温度偏移了我预想设置的温度，说 明计算存在偏差，我通过改变

R1

的值来调

节，使

Vref

在室温下是一个定值，且达到最大。如下为 参数扫描的曲线，确定

R1:

< /p>

由图形可以看出，在不同的温度下，

Vref

的变化，以及其随

R1

的变化。当

R1=5.6K

时，所有曲线

相交于一点，说明当

R1=5.6K

时，

Vref

在室温时能达到最大值，更改

R1

的值后，所得扫描曲线

Vref

随温度的变化为：

由图所示，当温度在

22~35

度之间，

Vref

为一定值，所得基准电压 比较稳定，结果比较满意。

2

、仿真 验证正温度系数电压，结果如图所示：