-
A
A,
Ampere
的缩写
,
安培
a-Si:H,
amorphe silicon
的缩写
,
含氢的
,
非结晶性硅
.
Absorption,
吸收
.
Absorption of the photons:
光吸
收
;
当能量大于禁带宽度的光子入射时，
太阳电池内的电子能量从价带迁到导带，产生电子
——
空穴对
的作
用，称为光吸收。
Absorptions coefficient,
吸收系数
,
吸收强度
.
AC,
交流电
.
Ah,
安培小时
.
Acceptor,
接收者
,
在半导体中可以接收一个电子
.
Alternating current,
交流电，简称<
/p>
“
交流
.
一般
指大小和方向随时间作
周期性变化的电压或电流
.
它的最基本的形式是正弦电流
.
我国
交流
电供电的标准频率规定为
50
赫兹
。交流电随时间变化的形式可以是
多种多样的。
不同变化形式的
交流电其应用范围和产生的效果也是不
同的。
以正弦交流电应用
最为广泛，
且其他非正弦交流电一般都可以
经过数学处理后，化
成为正弦交流电的迭加。
AM, air
mass
的缩写
,
空气质量
.
直射阳光光束透过大气层
所通过的路程，
以直射太阳光束从天顶到达
海平面所通过的路程
的倍数来表示。
当大气压力
P=1.013
巴，天空无云时，海平面处的大气质量为
1
。
amorphous
silicon solar cell:
非晶硅太阳电池（
a
—
si
太阳电池）
用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，
亦称无
定形硅太阳电池，简称
a
—
si
太阳电池。
Angle of inclination,
倾斜角，即电池板和水平方向的夹角，
0-90
度
之
间。
Anode,
阳极
,
正极
.
cathode
[
cath·ode ||
'k?θ??d
]
n.
阴极
B
Back Surface Field,
缩写
BSF,
在晶体太阳能电池板背
部附加的电子
层
,
来提高电流值
.
Band
break,
在半导体中
,
价带和导带之间的空隙
,
对于半导体的吸
收特性有重要意义<
/p>
.
Becquerel, Alexandre-
Edmond,
法国物理学家
,
在
1839
年发现了电池
板效应
.
BSF, back surface
field
的缩写
.
Bypass-Diode,
与太阳能电池并联的二极管
,
当一个太阳能电池被挡
住
,
其他太阳能电池产生的电流可以从它处通过
.
C
Cadmium-Tellurid,
缩写
CdTe;
位于
II/VI
位的半导体
,
带空隙值为
1,45eV,
有很好的吸收性
,
应用于超薄太阳能电池板
,
或者是连接半
导体
.
Cathode,
阴极，
或负极，<
/p>
是在电池板电解液里的带负电的电极，
是电
池板电解液里带电粒子和导线里导电电子的过渡点。
electrolyte
[
e·lec·tro·lyte ||
?'lektr??la?t
]
n.
电解物
,
电解液
,
电解质
C-Si, crystalline-
silicon
的缩写
.
Cell
temperature:
电池温度
.
系指太阳电池中
P-n
结的温度
.
Charge control,
充电控制器，在电池板设备和电池之间联接。它控制
并监控充电
的过程。其他的功能如
MPP
（最大功率点跟踪）和保护
电池不过多放电而损坏。
CIGS,
Copper Indium Gallium Diselenide
的缩写
.
CIS, Copper-Indium-
Diselenide
的缩写
.
Concentrator solar cell,
浓缩电
池板，
借助反光镜或是透镜使阳光汇聚
在电池板上，
缺点是要不停地控制它的焦点一直在电池板上，
因为太
阳在不停地动。
Concentration rati
o:
聚光率
;
聚光器接收到的阳光光通
量与太阳电池接
收到的光通量之比叫聚光率。
Conductibility,
当金属或半导体加上电磁场后，将会有一个和电磁场
成比例增加的电流存在，
该电流可以用电流密度来描述，
即单位面积
的电流
强度。该电流强度越大，则说明该物质的导电能力越强，单位
是
S/cm2
。西门子每平方厘米
Conduction band,
导带，通过许多原子的交
换效应，在半导体内部会
出现导带和价带，之间通过带沟隔开，电子可以运动到空穴里，
空穴
可以运行到价带里，
例如在电磁
场的作用下或通过传播，
空穴电子对
等。
Connection semiconductor,
连接半导体，指由两个或多个化学元素组
成的半导体，如镓砷，镉碲，铜铟等。
Copper-Indium
,
铜铟化合物，因为在薄层电池板里它具有很高的吸
收能力，铜的电子价带具
有
1.0
电子伏特，所以该化合物组成的电池
< br>板可以达到
15.4%
的效率。
valence band
价带
Copper-Indium-Gallium,
铜铟镓化合物，因为在薄层电池板里它具有
很高的吸收能力，
在掺杂镓的铜的电子价带具有
1.0
到
2.7
电子伏特，
所以该化合物组成的电池板可以
达到
17.7%
的效率。
Corn border,
多晶硅每个晶体之间的边界，阻碍
电荷的移动，因此单
晶硅的效率总的来说比多晶硅高。
Crystal silicon,
晶体硅
Current,
电流，电流是指电荷的定向移动。电流的大小称为电流强度
（简称电流，
符号为
I
），是指单位时间内通过导线某一截面的电荷
量，每秒通过一库仑的电量称为一「安培」（
A
）。安培是国际单位
制中所有电性的基本单位。
除了
A
，常用的单位有毫安（
mA
）及微
安
(μA)
。
Czochralsky-Procedure,
制造单晶体硅的方法
,
从硅中熔炼出来
.
D
DC,
直流电的缩写
.
Degradation,
太阳能电池板的效率会随着光照时间增加而降低
.
Diffusion,
电荷扩散
,
产生一个浓度层
.
Diode,
二极管
,
电流只能朝一个方向流动
.
太阳能电
池其实理论上
就是一个大面积
,
被照射的二极管
,
I/U
曲线特性
.
Donator,
捐赠者
,
在半导体中可给出一个电子
.
对于硅
,
原则上磷可
作为捐赠者
.
Duennschichtsolarzelle,
一种不用晶片
,
而是才用超薄技术生
产出来
的超薄太阳能电池板
,
其材料为
a-Si:H, CdTe, CIS, GaAs.
Duennschichttechnik,
生产超薄太阳能电池板的技术
,
直接从便宜的
基层材料制作
,
比如玻璃
,
金属层
,
塑料层
.
优点是省材料
,
能源
,
可
制作大面积的太阳能电池板
.
使用金属为
a-Si:H, CdTe, CIS,
GaAs.
E
Efficiency,
效率
, <
/p>
指一个光伏单元产生的电能除以它所受的光照强
度
.
EFG-Procedure, Edgedefined Film
Growth
的缩写
.
用这个方法可
以从
硅中熔炼出
8
角形的管子
,
棱长
10
厘米
,
总长可以到
5
米
,
可以切割
成
10x10
厘米晶片
.
优点是切割损
耗少
.
EG-Si, Elecronic Grade
Silizium
的缩写
,
用于芯片制作的高纯度硅
.
Electrolyte,
电解质
.
Elektron,
电子
.
Elektronen-Loch-Paar,
电子空穴对
,
半导体吸收一个光子
,
释放出一
个电子和一个空穴
.
Enclosure,
包装，防风雨模块的保护。
例如玻璃，等材料。
EVA,
Ethylen-Venyl-Acetat
的缩写
.
封装太阳能电池板的薄膜
.
F
Fresnel lens:
菲涅
尔透镜
;
用微分切割原理制成的薄板式透镜。
< br>
FZ, float-zone-
procedure
的缩写
.
GaAs, Galllium Arsenid
的缩写
.
半导体
,
被用于太阳能电池板
时
,
效率可达
22%.
Geometrical concentrator ratio:
< br>几何聚光率
;
聚光器面积与太阳电池面
< br>积之比叫几何聚光率。
Grid,
太阳能电池板上的金属导线
.
电阻越小越好
,
这样能量损失少
.