硅片行业术语大全

2021年2月28日发(作者：dumber)

硅片行业术语大全（中英对照）

2010-11-1516:19:00

来源：互联网

Acceptor-A nelement,suchasboron,indium,andgalliumusedtocreate afreeholeinasem

eptoratomsarerequiredtoh aveonelessvalenceelectronthanthese

micon ductor.

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受主

-

一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须 比半导体

元素少一价电子

AlignmentPrecision-Displacementofpatter nsthatoccursduringthephotolithograph

ypr ocess.

pv001·net

套 准精度

-

在光刻工艺中转移图形的精度。

Anisotropic-Aprocessofetchingthathasv erylittleornoundercutting

各向 异性

-

在蚀刻过程中，只做少量或不做侧向凹刻。

AreaContamination-Anyforeignparti clesormaterialthatarefoundonthesurfaceofaw

< br>viewedasdiscoloredorsmudged,anditistheresultofs tains,fingerprint

s,waterspots,etc.

< p>
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沾污区域

< br>-

任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的污染。

中

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Azimuth,inEllipsometry-Theanglemeasured betweentheplaneofincidenceandthemajo

rax isoftheellipse.

椭圆方位角

-

测量入射面和主晶轴之间的角度。

Backside-Thebottomsurfaceofasiliconwafe r.(Note:Thistermisnotpreferred;inste

ad, use‘backsurface’.)

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背面

-

晶圆片的底部表面。（注：不推荐该术语 ，建议使用“背部表面”）

BaseSiliconLayer-Thesiliconwaferthatisl ocatedunderneaththeinsulatorlayer,wh

ich supportsthesiliconfilmontopofthewafer.

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底部硅层

-

< p>
在绝缘层下部的晶圆片，是顶部硅层的基础。

pv001

Bipolar-Transistorsthatareabletouseboth holesandelectronsaschargecarriers.

ww

双极晶体管

-

能够 采用空穴和电子传导电荷的晶体管。

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BondedWafers-Twosiliconwafersthathavebe enbondedtogetherbysilicondioxide,whi

cha ctsasaninsulatinglayer.

绑定晶圆 片

-

两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起，作为绝缘层。

BondingInterface-Theareawhere thebondingoftwowafersoccurs.

绑定面

-

两个晶圆片结合的接触区。

pv001

thesedopan

tsareantimon yandarsenic.

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埋层

-

为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂 剂是锑和砷。

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B uriedOxideLayer(BOX)-Thelayerthatinsulatesbetweent hetwowafers.

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氧化埋层

(BOX)-

在两个晶圆片间的绝缘层。< /p>

pv001·net

Carrier- Valenceholesandconductionelectronsthatarecapableof carryingachargeth

roughasolidsurfaceinas iliconwafer.

pv001·net

载流子

-

晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。

Chemical-MechanicalPolish(CMP )-Aprocessofflatteningandpolishingwafersthatut

edduringthefabricationp

rocess.

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化学

-< /p>

机械抛光

(CMP)-

平整和抛光晶圆片 的工艺，采用化学移除和机械抛光两种方式。

此工艺在前道工艺中使用。

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ChuckMark-Amar kfoundoneithersurfaceofawafer,causedbyeitherarobot icendeffect

or,achuck,orawand.

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卡盘痕迹

-

在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。

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CleavagePlane- Afractureplanethatispreferred.

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解理面

-

破裂面

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Crack-Amarkfoundonaw aferthatisgreaterthan0.25mminlength.

裂纹

-

长度大于

0 .25

毫米的晶圆片表面微痕。

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Crater-Visibleunderdiffusedillumination ,asurfaceimperfectiononawaferthatcan

bed istinguishedindividually.

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< p>

微坑

-

在扩散照明下可 见的，晶圆片表面可区分的缺陷。

Conductivity (electrical)-Ameasurementofhoweasilychargecarriers canflowthroug

houtamaterial.

p v001·net

传导性（电学方面）

-

一种关于载流子通过物质难易度的测量指标

。

pv001·net

C onductivityType-

Thetypeofchargecarriers inawafer,suchas“N

-

type”and“P

-typ

e”.

pv001·net< /p>

导电类型

-

晶 圆片中载流子的类型，

N

型和

P

型。

Contaminant,Parti culate(seelightpointdefect)

pv001

污染微粒

（参见光点缺陷）

ContaminationArea-Anareathatcontainspar ticlesthatcannegativelyaffectthechar

act eristicsofasiliconwafer.

沾污区 域

-

部分晶圆片区域被颗粒沾污，造成不利特性影响。

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ContaminationParticulate-Particlesfound onthesurfaceofasiliconwafer.

pv001·n

et

沾污颗粒

-

晶圆 片表面上的颗粒。

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CrystalDefect-Partsofthecrystalthatcont ainvacanciesanddislocationsthatcanha

vea nimpactonacircuit’selectricalperformance.

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晶体缺陷

-

部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。

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CrystalIndices(seeMillerindices)

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晶体指数

pv001

（参见米勒指数）

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DepletionLayer-Aregiononawaferthatconta insanelectricalfieldthatsweepsoutcha

rge carriers.

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耗尽层

-

晶圆片上的电场区域，此区域排除载流子。

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Dimple-Aconcav edepressionfoundonthesurfaceofawaferthatisvisiblet otheeyeunde

rthecorrectlightingcondition s.

表面起伏

-

在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。

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Donor-

Acontaminatethathasdonatedext ra“free”electrons,thusmakingawafer“N

-

Type”.

pv001

施主

< p>
-

可提供“自由”电子的搀杂物，使晶圆片呈现为

N

型。

Dopant-Anelem entthatcontributesanelectronoraholetotheconduction process,thus

sforsiliconwafersarefoundin GroupsIIIandVofthe

PeriodicTableoftheEle ments.

搀杂剂

-

可以为传导过程提供电子或空穴的元素，此元素可以改变传导特性。晶圆片搀

杂

剂可以在元素周期表的

III

和

V

族元素中发现。

Doping-Theprocessofthedonationofanele ctronorholetotheconductionprocessbyado

p ant.

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掺杂

-

把搀杂剂掺入半导体，通常通过扩散或离子注入工艺实现。

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EdgeChipandIndent-Anedge imperfectionthatisgreaterthan0.25mm.

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芯片边缘和缩进

-

< br>晶片中不完整的边缘部分超过

0.25

毫米。

< p>
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EdgeExclusionArea- Thearealocatedbetweenthefixedqualityareaandtheperi pheryof

awafer.(Thisvariesaccordingtothe dimensionsofthewafer.)

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边缘排除区域

-

位于质量保证区和晶圆 片外围之间的区域。（根据晶圆片的尺寸不同而

有所不同。）

EdgeExclusion,Nominal(EE)-Thedistancebe tweenthefixedqualityareaandtheperiph

ery ofawafer.

名义上边缘排除

(EE)-

质量保证区和晶圆片外围之间的距离。

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EdgeProfile-Theedgesoftw obondedwafersthathavebeenshapedeitherchemicallyorm e

chanically.

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边缘轮廓

-

通过化学或机械方法 连接起来的两个晶圆片边缘。

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pv001

Etch-Aprocessofchemica lreactionsorphysicalremovaltoridthewaferofexcessma ter

ials.

蚀刻

-

通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。

pv001

FixedQualityArea(FQA)-Theareathat ismostcentralonawafersurface.

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质量保证区

(FQ A)-

晶圆片表面中央的大部分。

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Flat-Asectionoftheperimeterofawaferthat hasbeenremovedforwaferorientationpur

pos es.

pv001

平边

-

< p>
晶圆片圆周上的一个小平面，作为晶向定位的依据。

FlatDiameter-Themeasurementfromthecente roftheflatthroughthecenterofthewafer

tot heoppositeedgeofthewafer.(Perpendiculartotheflat)< /p>

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平口直径

-

由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。

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Four- PointProbe-Testequipmentusedtotestresistivityofwaf ers.

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四探针

-

测量半导体晶片表面电阻的设备。

FurnaceandThermalProcesses-Equipmentwit hatemperaturegaugeusedforprocessingw

ant temperatureisrequiredfortheprocess.

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炉管和热处理

-

温度测量的工艺设备，具有恒定的处理温度。

FrontSide-Thetopsideofasiliconwafer.(Th istermisnotpreferred;usefrontsurface

ins tead.)

正面

-

晶圆片的顶部表面（此术语不推荐，建议使用“前部表面”）。

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Goniometer- Aninstrumentusedinmeasuringangles.

角度计

-

用来测量角度的设备。

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Gradient,Resistivity(notprefe rred;seeresistivityvariation)

pv001·net< /p>

电阻梯度

pv001·net

（不推荐使用，参见“电阻变化”）

Groove-Ascratchthatwasnotcompletelypoli shedout.

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凹槽

-

没有被完全清除的擦伤。

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HandScribeMark-Amarkingthatishandsc ratchedontothebacksurfaceofawaferforiden

tificationpurposes.

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手工印记

-

为区分不同的晶圆片而手工 在背面做出的标记。

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Haze-Amassconcentrationofsurfaceimperfe ctions,oftengivingahazyappearancetot

hew afer.

pv001·net

雾度

-

晶圆片表面大量的缺陷，常常表现为晶圆片表面呈雾状。

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Hole-Simi lartoapositivecharge,thisiscausedbytheabsenceofava lenceelectron.

pv

空穴

-

和正电荷类似，是由缺少价电子引起的。

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Ingot-Acylindricalso lidmadeofpolycrystallineorsinglecrystalsiliconfrom which

wafersarecut.

pv001

晶锭

-

由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此 切割而成。