-
A
1.
中文
：暗饱和电流
英文
：
Dark
Saturation Current
解释
：没有光照的条件下，将
PN
结反偏达到饱和时的电
流。降低暗饱和电流利于提高电池品质
在以下的理想二极管公式中，
I
=
流过二极管的总电流
;
I0
=
“暗饱和电流”
,
V
=
加在二极管两端的电压
B
1.
中文
：包装密度
英文
：
Packing
density
解释
：组件中被太
阳能电池覆盖的面积对比于整个组件的面积。它影响了组件的输出功率及工作温度
2.
中文
：背电场
英文
：
Back Surface
Field
解释
：在电池背面由于
重掺杂引起的电场。该电场会排斥少数载流子以使它们远离高复合率的背表面
3.
中文
：背面反射
/
底面反射
英文
：
Rear Surface
Reflection
解释
：穿过
电池而未被吸收的长波光会被电池背面的金属或染料反射回电池，增大吸收概率
4.
中文
：本底掺杂
英文
：
Background
Doping
解释
：电池衬底的掺杂浓度
5.
中文
：表面制绒
英文
：
Surface
Texturing
解释
：用物理
或化学的方法将平滑的硅电池表面变得粗糙，增大光捕获，减小反射
< br>6.
中文
：并网系统
英文
：
Grid-connected
Systems
解释
：并网系统指
由光伏组件供电的，接入公用电网的光伏系统。这类系统无须蓄电池
7.
中文
：
薄膜太阳能电池
英文
：
Thin-film
Solar Cells
解释
：<
/p>
薄膜太阳能电池是通过在衬底上镀光伏材料薄层制成的，
厚度从几
微米到几十微米不等。
成本较低
但效率普
遍较低
8.
中文
：复合
英文
：
Recommbination
解释
：又称为载流子复合，是指半导
体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
9.
中文
：表面复合速率
英文
：
Surface
Recombination Velocity
解释
：当少子在表面消失时，由于浓度梯度，少子会从电池体流向表面。表面复合速度表征表面复
合的强弱。
C
1.
中文
：掺杂
英文
：
Doping
解释
：在本征半导体里加入施主或受
主杂质（通常是磷或硼）使半导体内自由载流子浓度变高并使其具有
p
< br>型或
n
型半
导体的性质
2.
中文
：串联电阻
英文
：
Series
Resistance
解释
：由电
池体、电极接触等产生的分压电阻。电池运作时，部分电压降在电池的串联电阻上，影响了电池输出效率
D
1.
中文
：大气质量
/
大气光学质量
< br>
英文
：
Air Mass
解释
：定义为
1/cos(
太阳与法线夹角）
。表征太阳光到达电池前穿越
的大气厚度。不同的
AM
值还对应不同的太阳光谱
2.
中文
：带隙
英文
：
Band Gap
解释
：半导体导带与价带之间的能级
差。常温下，本征硅的带隙是
1.1eV
< br>3.
中文
：导带
英文
：
Conduction
Band
解释
：又名传导带，是指
半导体或是绝缘体材料中，一个电子所具有能量的范围。这个能量的范围高于价带（
va
lence
band
）
，而所有在导
带中的电子均可经由外在的电场加速而形成电流。
4.
中文
：电池工作温度
英文
：
Cell Operating
Temperature
解释
：<
/p>
太阳能电池在受到光照激发产生电流时的实际温度。
工作温度通常
高于标准测试条件
（
STC)
规定的<
/p>
25
摄氏度，
并
且会影响电池的开路电压
5.
中文
：电池互联
英文
：
Cell
Interconnection
解释
：将电池板串联一起组成电池组件
6.
中文
：电池降格
< br>
英文
：
Cell
Degradation
解释
：电
池降格指组件在户外工作一段时间后，效能降低。对晶硅电池来说原因包括：电极脱落或被腐蚀，电极金属迁
移透过
P-N
节而降低了并联电阻，减反膜
老化，
P
型材料中形成了硼氧化物
等
7.
中文
：电流电压特性
英文
：
Current-
Voltage Charateristic
解释
：
又称为伏安特性，
是电子器件的在外部电压
偏置的情况下电流随外部变压变化的特性，
常用伏安特性曲线来表征。
< br>
8.
中文
：电子空穴对
英文
：
Electron-hole
Pair
解释
：半导体中，吸收了
一个光子能量的电子离开原子束缚，成为自由载流电子，原来的原子则产生了正电荷，等效于
一个孔穴，它们合称电子空穴对
9.
中文
：独立系统
英文
：
Stand-alone
Systems
解释
：不接入公用
电网的独立光伏发电系统，通常需要蓄电池蓄能以备夜间及阴天使用，也常装备柴油发电机作为补充
10.
中文
：短路电流<
/p>
英文
：
Short Circuit
Current (Isc)
解
释
：在光照下将电池短路，此时流过电池的电流为短路电流。表征电池能产生的光电流强
度。
11.
中文
：多晶硅
< br>英文
：
Polycrystalline/Multic
rystalline silicon
解释
：在硅晶体里面，晶向的分布式随机的而不是同一的，相较于单晶硅生产成
本低但材料品质也较差
12.
中文<
/p>
：等离子增强化学气相沉积法
英文
：
Plasma
enhanced, Chemical Vapor Deposition (PECVD)
解释
：一
种镀膜技术。常用于在晶硅电池表面镀氮化硅，二氧化硅，氧化铝等薄膜。
E
1.
中文
：额定功率
英文
：
Rated
Power/Rated Watt
解释：
太阳能电池板在国际通行标准条件下（光谱
AM1.5
，光强
1000W
／平米，温度
25C
）测试出来的输出功率，实际
的输出功率受使用环境影响
F
1.
中文
：反偏
英文
：
Reverse Bias
解释
：对于
p-n
节来说
,
指
n-type
接高电势，
p-type
接低电势
2.
中文
：方块电阻率
/
薄层电阻率
英文
：
Sheet
Resistivity
解释
：通
常表征发射极掺杂浓度的高低。高掺杂则电阻率低但削弱蓝光响应。可通过四点探针测量
3.
中文
：非晶硅
/
无定形硅
英文
：
Amorphous
Silicon
解释
：硅的一种同
素异形体，它的原子间的晶格网络呈无序排列，不存在晶体硅的延展性晶格结构。无定形硅中的部分
原子含有悬空键
(dangling bond)
，
虽然可以被氢所填充，但在光的照射下，氢化无定形硅的导电性能将会显着衰退。
4.
中文
：
分布式光伏系统
英文
：
Distributed PV
Systems
解释
：小型模块化
、分散式、布置在用户附近的，依靠光伏组件发电的电力系统。
5.
中文
：分流电阻
/
并联电阻
英文
：
Shunt
Resistance
解释
：在太
阳能电池等效电路中，并联于电池两端的漏电阻。该电阻会分流掉部分光电流，因此并联电阻越大越好
6.
中文
：封装
英文
：
Encapsulation
解释
：指将已互联的电池通过层压密
封到电池组件里。封装可以实现电池组件防水，防潮，并且增强电池的机械性能。
7.
中文
：峰瓦
英文
：
Peak Watts
解释
：组件在理想的标准测试条件下
的输出功率，
该功率值也是组件的额定功率。
8.
中文
：峰值日照小时数
英文
：
Peak Sun Hours
解释
：这是一个等效概念，表征一天
中太阳的辐射总能量。数值上等于一天中太阳的总辐射能量
(
千
瓦时
/
平方米
)
除以
1
千瓦
/
平方米
9.
中文
：伏安特性曲线
英文
：
I-V Curve
解释
：用来表征电子器件的在外部电
压偏置的情况下电流随外部变压变化的特性曲线。
10.
中文
：复合
英文
：
Recommbination
解释
：又
称为载流子复合，是指半导体中的载流子（电子和空穴）成对消失的过程。
11.
中文
：复合损失
英文
：
Recombination
Loss
解释
：在被电极收集之前
电子与空穴的复合使电能流失。
12
.
中文
：副栅线
英文
：
Fingers
解释
：<
/p>
太阳能电池的电极的一部分，
用于收集积累于电池表面的电荷从而
形成外电路电流。
副栅线通常由丝网印刷金属
浆料或者电镀金属
形成，宽度小于
130
微米，与主栅（
bus bar
）相连。
G
1.
中文
：跟踪
英文
：
Tracking
解释
：在电池组件上安装智能的制动
系统使组件始终朝向太阳以获得最大辐射量
2.
中文
：光捕获
/
光陷阱
英文
：
Light Trapping
解释
：通过散射与折射使光进入电池
后就被限制在电池内部传播直至大部分被完全吸收
3.
中文
：光伏效应
英文
：
Photovoltaic
Effect
解释
：指在光照激发
下的半导体或半导体与金属组合的部位间产生电势差的现象。由于材料内部的参杂不均匀，在内建
电场的作用下，受到激励的电子和失去电子的空穴向相反方向移动，而形成了正负两级。此效应最早于<
/p>
1839
年由法国物
理学家亚历山大·埃
德蒙·贝克勒尔发现。
4.
中文
：光谱响应
英文
：
Spectral
Response
解释
：指电池对
不同波长的单色光的响应。
通常以量子效率来呈现这种响应。
5
.
中文
：光学损失
英文
：
Optical Loss
解释
：入射光由于受到电池的表面反
射，电极遮挡等因素影响而无法在电池中激发载流子形成的损失。通过光陷阱的设
计和对
电极遮挡的优化可以有效减少光学损失。
6.
中文
：光照强度
英文
：
Light
Intensity
解释
：单位面
积接收到的光照功率，单位是
瓦
/
平方米
7.
中文
：光子
英文
：
Photon
解释
：是传递电磁相互作用的基本粒
子，也是电磁辐射的载体。光子具有波利二象性：既能表现经典波的折射、干涉和
衍射等
性质，作为粒子性的光子只能传递量子化的能量，即：
E=h
v
，其中
h
是普朗克常数，
v
是光波的频率。
8.
中文
：光伏建筑一体化
英文
：
Building
Integrated PV (BIPV)
解释
：是使用太阳能光伏材料取代传统建筑材的一种应用方式，通常利用天窗和外墙是作为最大的接光
面，使建筑物本
身能够为自身提供能源，
可以部分或全部供应建
筑用电，
而不必用外加方式加装太阳能板。
由于在建筑设计阶段
提前规划，
所以发电率和成本比值最佳。
H
1.
中文
：耗尽区
/
耗尽层
英文
：
Depletion
Region
解释：
指在
P-N
节中
P
型与
N
型的交界面周围的区域，通常有几个微米宽。由于该区域内建电场
的存在，多数载流子
被排斥而形成耗尽区。
J
1.
中文
：激光刻槽埋栅太阳能电池
英文
：
Laser
Ｇ
rooved, Buried
Ｃ
ontact
Ｓ
olar Cells
解释：
由新南威尔士大学研究中心开发的电极设计。激光刻槽使副栅线深
埋入电池，在减少电极遮光的同时保持良好的
导电。
2.
中文
：寄生电阻
英文
：
Parasitic
Resistance
解释：
电池
串联电阻与并联电阻的总称。
3.
中
文
：价带