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太阳能光伏术语及名词解释
文章出处
：
semi
大半导体产业网
发布时间：
2014/08/12
| 3270
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A
A
,
Ampere
的缩写
,
安培
a-Si
, amorphous
silicon
的缩写
,
含氢的
,
非结晶性硅。
Absorption
,
吸收。
Absorption of
the photons
:
光吸收
;<
/p>
当能量大于禁带宽度的光子入射时，太阳
电池
内的
电子
能量
带，产生电子——空
穴对的作用，称为光吸收。
Absorptionscoefficient
,
吸收系数
,
吸收强度。
AC
,
交流电。
Ah
,
安培小时。
Acceptor
,
接收者
,
在半导体中可以接收一个电子。
*
*
Alternating
current
,
交流电，
简称
“交流
.
一般指大小和方向随时间作周期
性变化的电压或电流
的形式是正弦电流
.
我国交流电供电的标准频率规定为
50
赫兹。交流电随时间
变化的形式可以是
不同变化形式的交流电其应用范围和产生的效果也是不同的。以正弦交
流
电应用最为广泛，且其
电一般都可
以经过数学处理后，化成为正弦交流电的迭加。
AM,
air mass
的缩写
,
空气质量。
直射阳光光束透过大气层
所通过的路程，以直射太阳光束从天顶到达海平面所通过的路程的倍数
当大气压力
P=1.013
巴，天空无云时，海平面处的大气质量为
1
。
amorphous silicon solar cel
l
:
非晶硅太阳电池（
a
—
si
太阳电池）
用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池称为非晶硅太阳电池，亦称无定形硅太阳电池，简称
a
—
* *
Angle of inclination
,
倾斜角，即电池板和水平方向的夹角，
0-90
度之
间。
Anode
,
阳极
,
正极。
B
Back
Surface
Field
,
缩写
BSF,
在晶体太阳能电池板背部附加的电子层
,
来
提高电流值。
band
break
,
在半导体中
,
价带和导带之间的空隙
,
对于半导体的吸收特性有
重要意义。
Becquerel, Alexandre-
Edmond
,
法国物理学家
, <
/p>
在
1839
年发现了电池
板效应。
BSF
,
back
surface
field
的缩写。
Bypas-
Diode
,
与太阳能电池并联的二极管
,
当一个太阳能电池被挡住
,
其他太阳能电池产生的电流可以从它处通过。
* *
C
Cadmium-
Tellurid
,
缩写
CdTe;
位于
II/VI
位的半导体
,
带空隙值为
1,45eV,
有很好的吸收性
,
应用于超薄太阳能电池板
,
或者是连接半导体。
Cathode
,
阴极，
或负极，
是在电池板电解液里的带负电的电极，
是
电池板
电解液里带电粒子和导线里导电电子的过渡点。
C-Si, crystalline-
silicon
的缩写。
Cell
temperature
:
电池温度
。系指太阳电池中
P-n
结的温度。<
/p>
Charge
control
,
充电控制器，在电
池板设备和电池之间联接。它控制并监
控充电的过程。其他的功能如
MPP
（最大功率点跟踪）和保护电池不过多
放电而损坏。
CIGS
, Copper
Indium Gallium Diselenide
的缩写。
CIS
, Copper-Indium-
Diselenide
的缩写。
Concentrator solarcell
,
浓缩电池板，
借助反光镜或是透镜使阳光汇聚在
* *
电池板上，
缺点是要不停地控
制它的焦点一直在电池板上，
因为太阳在不停
地动。
Concentration? ratio
:
聚光率
;
聚光器接收到的阳光光通量与
太阳电池接
收到的光通量之比叫聚光率。
Conductibility
,
当
金属或半导体加上电磁场后，
将会有一个和电磁场成比
例增加的
电流存在，
该电流可以用电流密度来描述，
即单位面积的电流强
度。
该电流强度越大，则说明该物质的导电能力越强，单位是
S
/cm2
。西门子
每平方厘米
Conduction band
,
导带，通过许多原子的交换效应，在半导体内部会出
现导带和价带，
之间通过带沟隔开，
电子可以运动到空穴里，
空穴可以运行
到价带里，例如在电磁场的作用下或通过传播，空穴电子对等。
Connection semiconductor
,
连接半导体，指由两个或多个化学元素组
成的半导体，如镓砷，镉碲
，铜铟等。
Copper-
Indium
,
铜铟化合物，因为在薄层电池板里它具有很高
的吸收能
力，
铜的电子价带具有
1.0
电子伏特，
所以该化合物组成的电池板可以达到
15.4%
的效率。
Copper-Indium-Galium
,
铜铟化合物化合物，因为在薄层电池板里它具
有很高的吸收能力，
在掺杂镓的铜的电子价带具有
1.0
到
2.7
电子伏特，
所
以该
化合物组成的电池板可以达到
17.7%
的效率。
Corn border
,
多晶硅每个晶体之间的边界，
阻碍电荷的移动，因此单晶硅
的效率总的来说比多晶硅高。
Crystal
silicon
,
晶体硅
* *
Current
,
电流，电流是指电
荷的定向移动。电流的大小称为电流强度（简
称电流，符号为
I
），是指单位时间内通过导线某一截面的电荷量，每秒通
过一库
仑的电量称为一「安培」（
A
）。安培是国际单位制中所有电性
的基
本单位。
除了
< br>A
，常用的单位有毫安（
mA
）
及微安
(
μ
A)
。
Czochralsky-
Procedure
,
制造单晶体硅的方法
,
从硅中熔炼出来。
D
DC
,
直流电的缩写。
Degradation
,
太阳能电池板的效率会随着光照时间增加而降低。
Diffusion
,
电荷扩散
,
产生一个浓度层。
Diode
,
二极管
,
电流只能朝一个方向流动。
太阳能电
池其实理论上就是一
个大面积
,
被照射的二极管
,
I/U
曲线特性。
Donator
,
捐赠者
,
在半导体中可给出一个电子。
对于硅
,
原则上磷可作为
捐赠者。
* *
Duennschichtsolarzelle
,
一种不用
晶片
,
而是才用超薄技术生产出来的超
薄太阳能电池板
,
其材料为
a-Si:H, CdTe, CIS,
GaAs
。
Duennschichttechnik
,
生产超薄太阳能电池板的技术
,
直接从便宜的基
层材料制作
,
比如玻璃
,
金属层
,
塑料层。
优点是省材料
,
能源
,
可制作大
面积的太阳能电池板。
使用金属为
a-Si:H, CdTe, CIS,
GaAs
。
E
Efficiency
,
效率
,
指一个光伏单元产生的电能除以它所受的光照强度。
EFG-Procedure
, Edgedefined
Film Growth
的缩写。
用
这个方法可以从
硅中熔炼出
8
角形的管
子
,
棱长
10
厘米
,
总长可以到
5
米
,
可以切割成
10x10
厘米晶片。优点是切割损耗少。
EG-Si
, Elecronic Grade
Silizium
的缩写
,
用于芯片制作的高纯度硅。
Electrolyte
,
电解质。
Elektron
,
电子。
Elektronen-
Loch-Paar
,
电子空穴对
,
半导体吸收一个光子
,
释放出一个
电子和一个空穴。
* *
Enclosure
,
包装，防风雨模块的保护。
例如玻璃，等材料。
EVA
, Ethylen-Venyl-
Acetat
的缩写。
封装太阳能电池板的薄膜。
F
Fresnel lens
:
菲涅尔透镜
;
用微
分切割原理制成的薄板式透镜。
FZ
, float-zone-
procedure
的缩写。
G
GaAs
, Galllium
Arsenid
的缩写。半导体
,
被用于太阳能电池板时
,
效率可
达
22%
。
Geometrical concentrator ratio
:
几何聚光率
;
聚光器面积与太阳
电池面
积之比叫几何聚光率。
Grid
,
太阳能电池板上的金属导
线。
电阻
越小越好
,
这样能量损失少。
*
*
H
Hole
saw
,
空穴锯，空穴锯是一个非常薄的金属片，就像耳膜一
样薄，这
个薄片在正中央有一个洞，
它的边缘使用金刚石刀。<
/p>
使用该薄片切割使损耗
在
0.2
到
0.3
微米之间。
Hole
,
空穴，正的带电体，在半
导体接收光照后，和电子同时出现的带电
体，一般成为空穴电子对。
Hot Spot
,
热点，在
电池板部分被阴影遮挡时，被遮挡的单元不能发电同
时有很大的电阻，
< br>对于串联的电路会有很大的热损耗，
甚至烧坏该点的电池
板。
为了避免此情况的发生，旁路二极管与各自的单元并联。
从而便免欧
姆的热损失。
* *
I
I
：电流的缩写，国际单位为安培
Indium-Zinn-Oxid
：
缩写（
ITO)
，
铟锌氧化物，透明的半导体，并具
有很高的导电性，
作为透明接触层应用于对很薄的电池板单元或是彩色物质
单元。
Ingo
:
从多晶硅或是单晶硅提炼出的块状物。
Integrated serial switching
：
集成的串联技术，在生产大面积的电池板
时应用于薄膜技术。
在生产过程中大面积的电池板单元被激光束裁成单个
的薄片，<
/p>
但是这个薄片的上表面要和邻居薄片的下表面组成串联。
集成的串
联技术是除了节省材料外的一个重要优点的薄膜技术。
Intensity
：
光照强度，
物理测量的单位面积的光
照功率，单位是瓦特每
平方米。
In
trinsic
：描述一个没有掺杂的半导体和一个掺杂半导体的对比。
* *
Inverter
：逆变器，将变化的
MPP
由太阳能电
池板提供的直流电转化为电
网交流电的
变频
器。
Ion
：
离
子，分正和负的原子或者分子，离子在电解液里起到导电的作用。
ISC
：短路电流。
Island system
：孤岛系统，是不和大电网联网，
只是供自己使用的光伏系
统，例如只是在山里或是小岛上的光伏发电系统。
ITO
：是铟锑氧化物的缩写。
I-U-characteristic
curve
：
电池板
I-U
特征曲线，代表太阳能电池的典
型特征。
在这里太阳能电池板的输出的电压和电流的关系。
从
I-U-
曲线
里可以看
出该电池板以下的特征：
电池板最大利用率，
短路电流，
开路电压，
电池板效率等。
K
kT
,
热学能量
(k=
Boltzmann
常数
, 1.381x10-23
J/K, T =
Kelvin
绝对温
度
)
kWh
：千瓦时，能量的单位。
1kW=1000
瓦，是一千瓦的灯泡亮一个小时
锁消耗的能量。
kWp, peak
：指的是最大的功率点，单位是
千瓦，一般
太阳能逆变器
的功率就
是指
的是最大功率。
*
*
L
La
minate
：一种薄片材料，来保护电池板芯片，例如
EVA
或
Tedlar
。
通
过该物质将电池板芯片整个用透明的物质密封起来，一
方面保护电池板芯
片，另外一方面还要保持阳光的穿透力。
Light trapping
：
<
/p>
光的增透，在光完全被电池板吸收前，进入电池板的光
通过反射和
内表面的阻碍，
光的增透对薄层电池板有着非常特别的意义，
表
面处理技术起着重要的作用。
M
* *
Majority
charge carrier
：多子，描述半导体里的带电体，通常决定于掺
杂的类型，例如在
p
型多子是空穴，
n
型多子则是电子。
Marginal cost payment
time
：
接收太阳能发电，向电网
传输所获的收
益，
因此到一定的是将将收回太阳能设备的投资成
本，
这段时间叫做成本收
回时间。
Metal-Insolator-Silicon
：缩写
MIS
，金属绝缘硅，这种电池板类型包含
与传统电池板的不同是没有
PN
结，
这
个电荷分离功能满足这里从打入铯原
子的氧化硅里出来的电子反转层。
< br>优点是简化生产过程，
不需要高温来掺杂。
Minority charge carrier
：少子，描
述半导体里的带电体，通常决定于掺
杂的类型，例如在
n
型多子是空穴，
p
型多子则是电子。
Module
effinciency
：电池板模块的效率。
Module rated power
：额定功率，电池板最
大可能的输出功率，当太阳
垂直照在电池板上时，单位为瓦特。
Module
：电池板模块，将很多的太阳能发电单元联接，然
后封闭后的电池
板单元。之后可以灵活串联并联。
Mono crystal
silicon
：
单晶硅
Mono crystal
Silicon
：单晶硅，纯净的晶体硅
MPP
（
max power point
）
：最大功率点，在这个点上更具
I-U
曲线，电
池板可以提供最大的功率，
通过
MPP
的跟踪和控制可以在各种情况下找到
最大功率点从而使电池板的发电效率提高。
N
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