-
附件
7
：
南昌大学本科生毕业设计（论文）书写式样
一、
页面设置：
上
2.54cm,
下
2.54cm
,
左
3.67cm,
右
2.67cm,
页眉
1.5cm,
页脚
1.75cm
，
行间距
1.35
倍。
二、
目录：
“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体，页码数字对齐。
三、页眉和页码：页眉和页码从中文摘要开始，页眉为相应内容的标题，
页码从
中文摘要、
Abstract
、
目录用罗马数字
(I
，
II
，
III
……
)
编排，从正文第一章开
始按照阿拉伯数字（
1<
/p>
，
2
，
3
……
）编排。
四、摘要
1
．中文摘要：标题小二号宋体加粗，
“专业、学号、姓名、指导教师”五号
宋体，
“摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体，
“关键词”三字小
四号宋体加粗，
2
．英文摘要：
标题小二号
Times
New Roman
体加粗，
“
Ab
stract
”
四号
Times
New
Roman
体
；
“
Abstract
”
内
容
小
四
号
Times
New
Roman
体
，
“
Keyword
”小四号
Tim
es New Roman
体加粗。
五、正文：标题四号宋体，正文内容小四号宋体。
六、图表：图表内容五号宋体。
七、
参考文献：
“参考文献”四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英
文用小四号
Times New Roman
体。
八、致谢：
“致谢”两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。
具体书写式样如下：
页面设置：上
2.54cm,
下
2.54cm,
左
3.67cm,
右
2.67cm
，
页眉
1.5cm,
页脚
1.75cm
,1.35
倍行距，应用于整篇文档
宋体，四号，居右
密级：
校名标识（
cm
）
1.88
< br>×
6.59
，居中
NANCHANG
UNIVERSITY
校名外文（大写）
Times
New Roman
，四号，居中
学
士
学
位
论
文
THESIS
OF
BACHELOR
（
20
—
20
年）
校徽
标识（
cm
）
3.33
×
3.33
，居中
宋体，
30
磅，居中
Times New
Roman
，四号，居中
中文：
宋体；
数字：
Times
New
Roman
四号，居中
宋体，三号，居中
题
目
宋体，四号，居中
注意线条长度一致
学
院：
系
专业班级：
学生姓名：
学号：
指导教师：
职称：
起讫日期：
此
页
可
直接
下
南
昌
大
学
学士学位论文原创性申明
本人郑重申
明：
所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的
研究成果。
除了文中特别加以标注引用的内容外，
本论文不包含
任何其他个人或
集体已经发表或撰写的成果。
对本文的研究作出
重要贡献的个人和集体，
均已在
文中以明确方式表明。本人完全
意识到本申明的法律后果由本人承担。
作者签名：
日期：
学位论文版权使用授权书
本学位论文
作者完全了解学校有关保留、
使用学位论文的规定，
同意学校保
留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借
阅。本人授权南昌大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检
索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。
保密□，在
年解密后适用本授权书。
本学位论文属于
不保密□。
（请在以上相应方框内打“√”
）
作者签名：
日期：
导师签名：
日期：
页眉：中文宋体，五号，居中
摘要
III-
Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光
专
业：
学
号：
学生姓名：
指导教师：
宋体，小二号，居中
LED
外延片的
MOCVD
生长和性质研究
宋体，五号，对齐居中
标题：宋体，四号，两端对齐，
1.35
倍行距
内容：
中文宋体，
外文字
符
Times
New
Roman<
/p>
，
小四，
宽禁带
III
－Ⅴ族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光
< br>两端对齐，
1.35
倍行距
<
/p>
关键词：
“关键词”三字加粗，关键词用“；
”分隔
器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有
着广泛的应用前景。自
1994
摘要
年日
本日亚化学工业公司率先在国际上突破了
GaN
基蓝光
LED
外延材料生长技术
以来，美、日等国十余
家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量
或小批量生产
< br>GaN
基
LED
。尽管如此，这
项高技术仍处于高度保密状态，材料生
长的关键思想及核心技术仍未公开，
还无法从参考文献及专利公报中获取最重要
的材料生长信息。
本论文就是在这种情况下立题的，
旨在研究
GaN
基材料生长中
的物理及化学问题，
为生长可
商品化的高亮度
GaN
基
LED
外延材料提供科学依据。
本文在自制常压<
/p>
MOCVD
和英国进口
MOCVD
系统上对
III
－Ⅴ族氮化物的生长
机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，
< br>生长的蓝光
LED
外延片质量达到了目前国际上商品化的
中高档水平。并获得了
如下有创新和有意义的研究结果：
1
．首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上
生长单
晶膜的思想，并在
GaN
外延生
长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了
GaN
外延膜的结
晶性能，使
GaN
基蓝光
LED
器件整体性能大幅度提高，大大降低了
GaN
基蓝光
LED
的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输
出功率。
????
本文得到了国家
863
计划、
国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工
程研究中心项目的资助。
关键词：
氮化物；
MOCVD
；
LED
；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱
I
页眉：外文
Times New
Roman
，五号，居中
Abstract
Study on MOCVD
growth and properties of
III-
Ⅴ
nitrides
and high brightness blue LED wafers
Abstract
GaN
based
Ⅲ
-
Ⅴ
nitrides have potential applications on high
brightness LEDs,
short
wavelength
lasers,
ultraviolet
detectors,
high
temperature
and
high
power
electronic devices. Study on physics
issues and technologies of nitrides open a new
标题：
Times New Roman
，四号，两端对齐，
1.35
倍行距
area of 3th generation semiconductor.
More than ten companies in America and
Japan reported to have developed the
commercialization of GaN based blue LED
in 1994.
In
this
thesis,GaN
and
its
ternary
were
grown
by
a
home-made
atmosphere
pressure metalorganic chemical vapor
deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2”
MOCVD
systems.
High
bright
blue
LED
wafers
were
obtained
by
optimizing
the
nitrides
growth
technology
and
wafer
structure.
Some
encouraging
results
are
following as:
1. We present
the idea of using a buffer layer of deviation from
stoichiometry for
materials
growth
on
large
lattice
mismatch
substrates.
This
idea
was
realized
in
nitrides growth in this
thesis. The epilayer crystalline quality was
improved and the
dislocation
density
was
decreased
by
using
GaN
low
and
high
temperature
buffer
layers of deviation from stoichiometry.
The RBS/channeling spectra exhibited that the
minimum
yield
χ
min
of GaN
layers was
just only
1.5%.
The leak
electric current
of
GaN
based
LED
was
obviously
decreased
and
lower
than
1
μ
A
at
5
volt
reverse
voltage by using
this new buffer
technology.
????
This work
was supported by 863 program in China.
Keyword:
Nitrides
；
MOCVD
；
LED
；
Photoluminescence
；
RBS/channeling
；
Optical
absorption
内容：
Times New Roman
，小四，两端对齐，
1.35
倍行距
关键词：
“
Keyword
”三字加粗，关键词用“；
”分隔
Times
New
Roman
，小二
号，居中
nitrides
growth
technology
since
Nichia
company
in
Japan
first
realized
the
II
目录
目录
宋体，小三号，居中
摘要
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Ⅰ
Abstract ·
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Ⅱ
第一章
GaN
基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”
）
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1
1 .1
III
族氮化物材料及其器件的进展与应用
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1. 2
III
族氮化物的基本结构和性质
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4
1. 3
掺杂和杂质特性
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12
1. 4
氮化物材料的制备
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13
1. 5
氮化物器件
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19
1. 6
GaN
基材料与其它材料的比较
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22
1. 7
本论文工作的内容与安排
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24
第二章
氮化物
MOCVD
生长系统和生长工艺
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31
2. 1
MOCVD
材料生长机理
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31
2. 2
本论文氮化物生长所用的
MO
CVD
设备
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32
????
结论
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136
目录内容：
中
文宋体，
英文和数字
Times
New
Roman
，
参考文献（
References
）
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138
页码编号：
摘要
,Abstract
使用页码
“
I
,II,
?”
；
正
文开始使用页码“
1,2,3,
?”
；小节标题左侧缩进
1
致谢
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150
字符；页码数字居中对齐
小四
III
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