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IGBT
管、
IGBT
模块
技术参数符号术语说明:
DA
TASHEET
个参数解释
:
IGBT
管、
IGBT
模块
绝对最大额定值(
Absolute
Maximum Ratings
)
术语
集电极一发射极间的电压
(Collector-
Emitter voltage)
门极
-
一发射极间的电压
(Gate-Emitter
voltage)
V
CES
符号
定义与说明
(条件请参照各种产品的说明书)
在
门极一发射极之间处于短路状态时,集电
极一发射极间能够外加的最大电压
在集电极一发射极间处于短路状态时,门极
V
p>
GES
一发射极间能够外加的最大电压(
通常
±
20V
max.
)
集
电
极
p>
电
流
(Collector
current)
I
c
I
c pulse
-I
c
-I
c pulse
集电极的电极上容许的最大直流电流
集电极的电极上容许的最大脉冲电流
内置二极管上容许的最大直流正向电流
内置二极管上容许的最大脉冲正向电流
每个元件上的
IGBT
所容许的最大功率损耗
使元件能够连续性工作的最大芯片温度(需
最大损耗
(Collector power
dissipation)
结温
(Junction
temperature)
P
c
T
j
要设计
成即使在装置中最坏的状态下,也不
超出这个值)
保存温度
(Storage
temperature)
FWD<
/p>
一电流二次方时间
积
(FWD
一
I
t)
FWD
一正赂峰值浪涌电
流
(FWD
一
IFSM)
2
T
stg
在电极上不附加电负荷的状态下可以保存或
输运的温度范围
p>
在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳
I
2
t
积
分值。
过电流用商用正弦半波
(
50<
/p>
、
60Hz
)
一
周期来规定。
I
FSM
在
不破坏元件的范围内所允许的一周期以上
商用正弦半波(
50<
/p>
、
60Hz
)的电流最大值
在电极全部处于短路状态时,电极与冷却体
绝缘强
度
(Isolation
voltage)
安装
力矩
(Screw
torque)
Mounting
Terminal
V
iSO
的
安装面间所容许的正弦波电压的最大有效
值
p>
用特定的螺钉将元件和冷却体(散热器)间
夹紧时所用的最大力矩值
用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用
< br>的最大力矩值
注:在任何情况下都不能超过所记载的绝对最大额定值。
IGB
T
管、
IGBT
模块
< br>
电特性
(
Electrical
characteristics)
术语
集电极一发射机
间断路电流
门极
(
下称
G)
一发射极
(下称
E
)
间处于
I
CES
短路的状态时,
在集电极
p>
(下称
C
)
一
p>
E
间外加指定的电压时
C-E
间的漏电流
符号
定义与说明
(条件请参照各种产品的说明书)
(Zero gate
voltae collector
current)
门极
-
一发射极
间的漏电流
(G
ate-emitter
leakage
current)
门极
-
一
发
射
< br>极
间
的
阀
值
电
压
I
G
ES
C-E
间处于短路状态时,在<
/p>
G-E
间外加
指定的电压时
G-E
间的漏电流
处于指定
C-E
间的电流(下称集电极电
流)和
C-E
间的电压(下称
V
CE
)之间
p>
V
GE(th)
的
G-E
间的电压(下称
V
GE
)
(
C-E
间有
微小电流开始流过时的
V
< br>GE
值用于作为
衡量
IGBT<
/p>
开始导通时的
V
GE
值的尺度)
在指定的
V
GE
下,额定集电极电流流过
Vc
E(sat)
时的
V
p>
GE
值(通常,
V
GE
=15V
,计算损
耗时重要值)<
/p>
(Gate-emitter
threshold
voltage)
集电极一发射极<
/p>
间的饱和电压
(Collector-
emit
ter saturation
voltage)
输入电容
(Input
capacitance)
输出电容
C
ies
C
-E
间交流性短路状态下,
G-E
间和
C-E
间外加指定电压时
G-E
间的电容
G-E
间
交流性短路状态下,
G-E
间和
C-E
间外加指定电压时
C-E
间的电容
p>
(Output
静
态
特
性
C
oes
capacitance)
反向传输电容
(Reverse
transfer
capacitance)
二极管正
向电压
C
res
在
E
接地的情况下,
G-E
间外加指定电
压时
C-G
间的电容
在内置二极管中流过指定的正方向电流
V
F
(通常为额定电
流)
时的正方向电压
(与
VCE
(
SA
T
)相同,也
是计算损耗时的重要
(Forward on
voltage)
开通时间
动
态
特
性
上升时间
(Raise
time)
值)
t
On
IG
BT
开通时,
V
GE
< br>上到
0V
后,
V
CE
下降
到最大值的
10%<
/p>
时为止的时间
IGBT
开通时,
从集电极电流上升到最大
t
< br>r
值的
10%
时开始,到
V
CE
下降到最大
值
的
10%
为止的时间
t
r(i)
IGBT
开通时,
从集电极电流上升到最大
值的
10%
时开始,
到
达到
90%
为止的时间
(Turn-on time)
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