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IGBT模块技术参数符号术语说明 datasheet名称解释

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-02-17 19:00
tags:

-

2021年2月17日发(作者:词语词典)


IGBT


管、


IGBT


模块



技术参数符号术语说明:



DA


TASHEET


个参数解释


:


IGBT


管、


IGBT


模块



绝对最大额定值(


Absolute Maximum Ratings




术语



集电极一发射极间的电压


(Collector- Emitter voltage)



门极

-


一发射极间的电压


(Gate-Emitter voltage)



V


CES



符号



定义与说明



(条件请参照各种产品的说明书)



在 门极一发射极之间处于短路状态时,集电


极一发射极间能够外加的最大电压



在集电极一发射极间处于短路状态时,门极


V


GES



一发射极间能够外加的最大电压( 通常


±


20V


max.











(Collector


current)



I


c



I


c pulse



-I


c



-I


c pulse



集电极的电极上容许的最大直流电流



集电极的电极上容许的最大脉冲电流



内置二极管上容许的最大直流正向电流



内置二极管上容许的最大脉冲正向电流



每个元件上的


IGBT


所容许的最大功率损耗



使元件能够连续性工作的最大芯片温度(需


最大损耗


(Collector power


dissipation)



结温


(Junction temperature)



P


c



T


j



要设计 成即使在装置中最坏的状态下,也不


超出这个值)



保存温度


(Storage


temperature)



FWD< /p>


一电流二次方时间



(FWD

< p>


I


t)



FWD


一正赂峰值浪涌电



(FWD



IFSM)



2


T


stg



在电极上不附加电负荷的状态下可以保存或


输运的温度范围



在不破坏元件的范围内所允许的过电流焦耳


I


2


t



积 分值。


过电流用商用正弦半波



50< /p>



60Hz



一 周期来规定。



I


FSM



在 不破坏元件的范围内所允许的一周期以上


商用正弦半波(


50< /p>



60Hz


)的电流最大值



在电极全部处于短路状态时,电极与冷却体


绝缘强 度


(Isolation


voltage)



安装


力矩



(Screw


torque)



Mounting



Terminal



V


iSO



的 安装面间所容许的正弦波电压的最大有效








用特定的螺钉将元件和冷却体(散热器)间


夹紧时所用的最大力矩值



用特定的螺钉将端子和外部配线夹紧时所用

< br>的最大力矩值



注:在任何情况下都不能超过所记载的绝对最大额定值。






IGB T


管、


IGBT


模块

< br>


电特性


(


Electrical characteristics)



术语



集电极一发射机


间断路电流


门极


(


下称


G)


一发射极


(下称


E



间处于


I


CES



短路的状态时,


在集电极


(下称


C




E


间外加指定的电压时


C-E


间的漏电流



符号



定义与说明



(条件请参照各种产品的说明书)



(Zero gate


voltae collector


current)



门极


-


一发射极


间的漏电流


(G ate-emitter


leakage


current)



门极


-




< br>极








I


G ES



C-E


间处于短路状态时,在< /p>


G-E


间外加


指定的电压时


G-E


间的漏电流





处于指定


C-E

间的电流(下称集电极电


流)和


C-E

间的电压(下称


V


CE


)之间


V


GE(th)




G-E


间的电压(下称


V

< p>
GE




C-E


间有


微小电流开始流过时的


V

< br>GE


值用于作为


衡量


IGBT< /p>


开始导通时的


V


GE

值的尺度)



在指定的


V


GE


下,额定集电极电流流过


Vc


E(sat)



时的


V


GE


值(通常,


V


GE


=15V


,计算损


耗时重要值)< /p>



(Gate-emitter


threshold


voltage)



集电极一发射极< /p>


间的饱和电压


(Collector- emit


ter saturation


voltage)



输入电容


(Input


capacitance)



输出电容


C


ies



C -E


间交流性短路状态下,


G-E


间和


C-E


间外加指定电压时


G-E


间的电容



G-E


间 交流性短路状态下,


G-E


间和


C-E


间外加指定电压时


C-E


间的电容



(Output






C


oes



capacitance)



反向传输电容


(Reverse


transfer


capacitance)



二极管正 向电压


C


res



E


接地的情况下,


G-E


间外加指定电


压时


C-G

间的电容



在内置二极管中流过指定的正方向电流


V


F



(通常为额定电 流)


时的正方向电压


(与


VCE



SA


T


)相同,也 是计算损耗时的重要


(Forward on


voltage)



开通时间








上升时间



(Raise time)



值)



t


On



IG BT


开通时,


V


GE

< br>上到


0V


后,


V


CE


下降


到最大值的


10%< /p>


时为止的时间



IGBT


开通时,


从集电极电流上升到最大


t

< br>r



值的


10%


时开始,到


V


CE


下降到最大 值



10%


为止的时间



t


r(i)



IGBT


开通时,


从集电极电流上升到最大


值的


10%


时开始,


到 达到


90%


为止的时间



(Turn-on time)


-


-


-


-


-


-


-


-



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