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AT89C52
介绍
AT89C52
ATMEL
是一种低功耗，高性能
CMOS
8
位单片机．片内含
8K b
yTES
的可反复擦写的只读程序存储器（
PEROM
< br>）
。器件采用
ATMEL
公司的
高
密度、非易失性存储技术生产，与标准
80C51
指令系统及
80C52
产品引脚
兼容，片内置通用
8
位中央处理器（
< br>CPU
）和
FLASH
由存储
单元，功能强
大
AT89C52
单片适
用于许多较为复杂控制应用场合。
主要性能参数：
与
< br>Mcs-51
产品指令和引脚完全兼容。
8
字节可重擦写
FLASH
闪速存储器
1000
次擦写周期
全静态操作：
0HZ-24MHZ
三级加密程序存储器
256X8
字节内部
RAM
32
个可编程
I/0
口
线
3
个
16
位定时／计数器
8
个中断源
可编程串行
UART
通道
低功耗空闲和掉电模式
AT89C52
提供以下标准功能：
8
字节
FLASH
闪速存储器，
256
字节内部
RAM , 32
个
I/O
口线，
3
个
16
位定时／计数器，
< br>一个
6
向量两级中断结构，
一个
全双工串行通信口，片内振荡器及时钟电路。同时，
AT89c52
可降至零
赫兹的静态逻辑操作，并支持两种软件可选的节电上作模式。空闲方式停<
/p>
止
CPU
的工作，但允许
RAM
，定时／计数器．串行通信口及中断系统继续
工作。掉电方式保存
RAM
中的内容，但振荡器停止工作并禁
止其它所有部
件工作直到下一个硬件复位
.
功能引脚说明：
Vcc:
电源电压
GND:
地
P0
：
P0
口是一组
8
位漏极开路型双向
1/O
口，也即地址
/
数据总线复用口。
作为输出口用时．每位能吸收电流的方式驱动
8
个
TTL
逻辑门电路，对端
口
P0
写“1”时，可作为高阻抗输入端用。
P0
口也可以配置为复低位地址
/
数
据总线和内存数据访问外部程序。
在
这种模式下，
P0
具有内部上拉电阻。
在
FLASH
由编程时，
P0
口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令
字节，校验时，要求外接上
拉电阻。
P1
：
P1
是一个带内部上拉电阻的
8
位双向
I/O
口，
Pl
的
输出缓冲级可驱动
（吸收或输出电流）
4
个
TTL
逻辑门电路。对端口写“1”
，通过内部的上拉
电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口。作输入口使用时，因为内
部存
在上拉电阻某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流
II
L
，此外，
Pl.0
和
P1.1
还可分别作为定时
/
计数器
2
的外部计数输入（
Pl.0/T2
）和输入
（
P1.1/T2EX)
。
P2
：
P2
是一个带有内部上拉电阻的
8
位双向<
/p>
I/O
口，
P2
的输出缓冲级可驱
动（吸收或输出电流）
4
个
TTL
逻辑电路。对端口
P2<
/p>
写“l
上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使
用时，因为内
部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（
llt
）
。
在访问外部程序存储器或
16
位地址的外部数据
存储器（例如执行
MOvx@DP
TR
指令）时，
P2
送出高
8
位地址数据。在访问
8
位地址的外部数据存储<
/p>
器、如执行
MOVX@RI
指令）时，<
/p>
P2
口输出
P2
锁存器的内容。
FLASH
编程或校
验时，
P2
亦接收高位地址和一些控制信号。
< br>
P3
：
P3
口是一组带有内部上拉电阻的
8
位双向
I/O
口。
P3
口输出缓冲级可
驱动
(
吸收
或输出电流）
4
个
TTL
逻辑门电路。对
P3
口写入“1”时，它们
被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的
P3
口将用上
拉电阻输出电流（
IIL) .
此外，
P3
口还接收一些用于
FLASH
闪速存储器编程和程序校验的控制
信
号。
RST
：
复
位输入。
当振荡器工作时，
RST
引脚
出现两个机器周期以上高电平将
使单片机复位。
ALE/PROG
：
一般情况下，
ALE
仍以时钟振荡频率的
1/6
输出固定的脉冲信号，
因此
< br>它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储
器时将跳
过一个
ALE
脉冲。
对
Flash
存储器编程期间，该引脚还用于输入编程
脉冲
(PROG)
。
如有必要，
可通过对特殊功能寄存器
（
SFR
）
区中的
8EH
单元的
D0
位置位．
可
禁止
ALE
操作。该位置位后，只有
一条
MOVX
和
MOVC
指令才能将
ALE
激活
,<
/p>
此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置
AL
E
禁止位
无效。
PSEN
：
程序储存允许
PSEN
输出是外部程序存储器的读选通信号，当
AT89C52
由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机
器周期两次
PSEN
有效，即
输出两个
脉冲。
在此期间，
当访问外部数据存储器，
将跳过两次
PSEN
信号。
EA/VPP
：
外部访问允许。欲使
CPU
仅访问外
部程序存储器
(
地址为
0000H-F
FFFH
) , EA
端必须保持低电平
(
接地）
．需注怠的是：如果加密位
LBI
被编程，
复位时内部会锁存
E
A
端状态。
如
EA
端为高电平（接
Vcc
端）
。
flash
存储器编程时，该引脚加上<
/p>
+12
V
的编程允许电源
VPP
，当然这必须是该器件是使用
12V
编程电压
VPP
。
XTAL1
：振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输入端．
XTAL1
：振荡器反相放大器的输
出端。
特殊功能寄存器：
并非所有的地址都被定义，还有相当一部分没有定义。对没有定义的
单元
读写将是无效的，读出的数位将不确定，而写入的数据也将丢失。
软件使用者不应将数据
写入未定义的单元，由于这些单元在
将来的
产品中可能赋予新的功能，在这种情况下，复位后这些单元数值总是“0”
。
定时
/
计数器
2
的控制和状态位位于
< br>T2CON
和
T2MOD
，寄
存器对（
RCA
02H
、
RCAP2L
）
是定时器
2
在
16
位捕获方式或
16
位自动重装载方式下的捕
获
/
自动重装载寄存器。
数据存储器
AT89C52
有
256
个字节的内部
RAM , 80H
－
FFH
高
128
个字节与特殊功
能寄存器（
SFR
）地址是重叠的，也就是高
128
字节的
RAM
和殊功能寄存器
< br>的地址是相同的，但物理上它们是分开的。
当一条指令
访问
7FH
以上的内部地址单元时，指令中使用的寻址方式
是不同的，也即寻址方式决定是访问高
128
字节
RAM
还是访问特殊功能寄
存器
。如果指令是直接寻址方式则为访问特殊功能寄存器．
例如
，下面的直接寻址指令访问特殊功能寄存器
0A0H
（即
P2
口）地址
单元。
MOV 0A0H
，
#data
间接寻址指令访问高
128
字节
RAM
，例如下面的间接子址指令中，
R0
的内容为
OAOH
，则访问数据字节地址为
0A0H ,
而不是
P2
口（
0A0H
）
。
MOV @RO
，
#data
堆栈
操作也是间接寻址方式，所以，高
128
位数据
RAM
亦可作为堆栈
区使用。
定时器
O
和定时器
1
AT89C52
的定时器
O<
/p>
和定时器
1
的工作方式与
AT89C51
相同。
定时器
2
定时器
2
是一个
16
位定时计数器。它既
可当定时器使用，也可作为外
部事件计数器使用，其工作方式由特殊功能寄存器
T2CON
的
C/T2
位选择。
定时器
2
有三种工作方式：捕
获方式，自动重装载（向上或向下计数）方
式和波特率发生器方式，工作方式由
T2CON
的控制位来选择
。
定时器
2
由两个
8
位寄存器
TH2
和
TL2
组成，在定时器工
作方式中，