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微机电系统论文——
电子束刻蚀技术现状与进展
学院名称:
机械工程学院
专业班级:
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机械电子工程
0901
班
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学生姓名:
杨道
教师姓名:
杨平
教师职称:
讲
师
2011
年
12
月
电子束刻蚀技术现状与进展
摘要:随着纳米加工技术的发展
,
纳米结构器
件必将成为未来集成电路的基础。
纳米光刻技术是制作纳米结构的基础
< br>,
具有重要的应用前景。电子束光刻技术是
推动微米电子
学和微纳米加工发展的关键技术
,
尤其在纳米制造领域中起着不
可
替代的作用文章介绍了一种极有潜力的下一代纳米光刻技术:
电子束光刻技术的
新途径、发展现状和关键问题
,
最后讨论了纳米光刻技术的应用前景
1
引言
随着中国纳米技术和纳米电子学
的蓬勃发展
,
纳米加工技术的研究越来越重
要
,
而电子束光刻技术将是纳米结构图形加工中非常重要的
手段。
电子束刻蚀是近十年来发展起来的一项新的微细加工技
术,
它是在计算机控
制下,利用荷能电子束对抗蚀剂的作用而形
成的一套全新的高分辨率刻蚀技术。
它所加工出的图形分辨高、
线条边缘陡直电子束刻蚀不仅已广泛用于制造光刻蚀
复制用的掩膜,而且还可以直接在晶
片上加工芯片图形,实现了以“无掩膜”曝
光技术来制造集成电路和器件,
当前已成为加工低微米和亚微米尺寸微电子器件
的重要手段。
2
电子束刻蚀技术现状
<
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电子束曝光技术是在计算机控制下,
按照加工要求的图形,
利用聚焦后的电
子束对基片上的抗蚀剂进行曝光,
在抗蚀剂中产生具有不同溶解性能的区域,
根
据不同区域的
溶解特性,
利用具有选择性的显影剂进行显影,
溶解性强的抗蚀
剂
部分被去除,
溶解性差或不溶的部分保留下来,
就可以得到所需要的抗蚀剂图形。
电子束光刻中使
用的曝光机一般有两种类型
:
直写式与投影式。直写式就是
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直接将会聚的电子束斑打在表面涂有光刻胶的衬底上
,
不需要光学光刻工艺中最
昂贵和制备费时的掩膜
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投影式则是通过高精度的透镜系统将电子束通过掩膜图
形平行地缩
小投影到表面涂有光刻胶的衬底上。
一般直写式曝光机主要使用的是
热场发射源
(
表面镀
ZrO
的钨金属针尖
),
工作温度在
1800K,
和冷场发射源相比可
以有效地防止针尖的
污染并提供稳定的光源。
电子源发射出来的电子束的聚焦和
偏转
是在镜筒中完成的。镜筒通常包含有光阑、电子透镜、挡板、像散校正器和
法拉第电流测
量筒等装置。光阑的作用主要是设定电子束的会聚角和电子束电
流。
电子透镜的作用是通过静电力或是磁力改变电子束的运动。
电子透镜类似光
学透镜
,
也存在球差和色差
(
当外圈电子会聚比内圈电子强时就形成了球差
,
而当
能量有微小差异的电子聚焦在不同平面上时就形成了色差
),
从而限制了束斑的
大小和会聚角的范围。
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像散校正器可以补偿不同方位角电子束的像差。
挡板的作
用是开启或关闭电子束。结合刻蚀和沉积工艺
,
利
用直写式曝光技术可以制备
20nm
甚至更细的图形
,
最小尺寸达
10nm
的
原理型纳米电子器件也已经制备出来。
由于直写式曝光技术所具有的超高分辨率
,
无需昂贵的投影光学系统和费时的掩
膜制备过
程
,
它在微纳加工方面有着巨大的优势。但由于直写式的曝光过
程是将
电子束斑在表面逐点扫描
,
每一
个图形的像素点上需要停留一定的时间
,
这限制