-
Aging
操作流程
Rev. 0.1
Revision
0.1
First draft
Description
Date
2005-5-23
Author
Tiger_wen
1
为了
检验主板的稳定性，
必须上
aging
架测试。
从
sample
run
回来一个星期之内要
booking
Aging
架
（因某些原因无法进入
aging
的可以推迟）
，
进行
aging
的主板要满足以下基本条件：
1
，
主板能正常进入
DOS
；
2
，
Clock tuning
已经完成；
3
，
在
aging
前必须先
Load Setup
defaults
然后再更改相应得
BIOS
< br>设置；
4
，
Jumper free
功能可以使用，对于那些量产时不需
要超频的主板，也要请
BIOS
开出
o
ver clock 5%
的选项，只是在最后关闭这个选项；
5
，
每一项
aging
都要进行
default<
/p>
，
同步，
异步
a
ging
。
有一些主板不支持异步模式
则不需要进行异步
aging
，下面是这几种模式的说明：
Default
：
BIOS
里的
Load Setup Defaults
，这时所有的
CLK
都在标准频率；
同步：
CPU
频率
超频
5%
，
AGP
，
PCI
，等相关频率也相应超频；
异步：只有
CPU
频率超频
5%
，其他频率都在标准频率（内存频率除外）
；
6
，
New project
要至少
agi
ng
一个月，
refresh
project
至少半个月；
7
，
每一项
测试以
12
小时为基准，超过
12
小时则
pass
，否则
fail
，无论
pass
还是
fail
都要记录时间。
记录时，
最小单位为
0.5
小时，
超过
15
分钟且不足
45
分钟
的都记为
0.5
小时
，其他的不足
15
分钟则舍去，超过
4
5
分钟则记为
1
小时。
第一项：
DOS
下的
ON/OFF
测试
特别要求：
1
，
DOS
下的
ON/OFF
测试需根据
chipset
选择相应的测试程序
，这些程序可以在
maintek75hdmb1$$projecttoolsRTC<
/p>
下找到，如果有新的
chipset<
/p>
测试程序，请第一个使用
该程序的
RD<
/p>
将程序放入上面的目录。
ON/OFF
测
试程序来源？？？；
2
，测试时，要尽量选择各种型号的
CPU
，内存和显卡。
CPU
，内存和显卡均以组<
/p>
为单位。
每一组
CPU
< br>，
内存，
显卡的详细型号，
由<
/p>
PES
决定。
QT
会根据
PES
让每一组
CPU
，
内存，显卡包含尽可能多的型号；
3
，
内存频率组合：
在
ON/OFF
测试过程中要包含主板所支持的所有的
CPU
和内
存
之间的频率组合，
具体的组合由
RD
根据
PES
列出。
在
aging
时可以用
DDR40
0
内存降频跑，
比如要
aging D
DR266
内存可以用
DDR400
的
内存在
BIOS
里手动设置成
DDR2
66
。
4
，记录测试结果，包括
CPU
，内存，显卡信息以及
pass or fail
，还有一些主板的
相关信息，比如
BIOS
版本，测试日期，记录人员等等，附录为一份
aging report
，可以按这
个表格填写测试结果。
5
，
如果最初的
BIOS
已经测试
pass
，
但是在研发阶段
BIOS
的版本在不断更新，
建
议对最
后即将
release
的
BIOS
再进行一次
ON/OFF
测试。
因为在
BIOS
的升级过程中很可能
还会出现
ON/OFF fail
的情况。如果这时
主板已经退出
aging
架，也可以由
RD
自行
aging
。
同时也要记录测试结果。
Debug
部分：
2
第二项：内存测试
特别要求：
1
，测试
OS
：
pure DOS
，该
DOS
不能加载
2
，测试程序：
memtest86+
和
bmem
。这两个程序都可以在主板一部的
server
上找
到（在主板研发过程中所用到的程序都可以在
maintek75hdmb
1$$projecttools
下找到）
。
3,
对于
DDR
，
内存电压调节功能已经做好。
在测试前确定
DDR333
以下电压为
2.5V
，
DDR400
为
2.6V
;
4,
记录测试结果时，要记下内存厂商，颗粒厂商，还有<
/p>
QT
的编号（统一为
QT
的
内存编号，就是有条码的黄色标签）
，这样做便于<
/p>
debug
。
5
，优先测试六大厂的内存条，
QT
是
按组提供内存的，每一组内存包括六大厂的
内存，每一个厂家又分单面和双面。整个内存
测试至少要
aging
一组，为了以后
QVL
测试能顺利通过，建议大家尽量在内存测试上多花时间；
6
，对于每一种
memory
，要按如下的组合作测试：
表
1
：
Single
Channel
：
Light load
Heavy load
DIMM1
Single side
DIMM2
NA
DIMM3
NA
Single side
Note
适用于
2
条
DIMM
< br>和
3
条
DIMM
适用于
3
条
DIMM
适用于
2
条
DIM
M
和
3
条
DI
MM
Double side
Single side
Double side
Double side
NA
表
2
：
Dua
l Channel
：
Light
Load
Heavy
load
DIMMA1
Single side
Double side
DIMMA2
NA
Double
side
DIMMB1
Single side
DIMMB2
NA
Double
side
Double side
以上只是列出了最有效率
的测试组合如果时间允许，可以测试其他内存组合。
Debug
部分
在
aging
过程中肯定有
fail
的情况，下面列出了一些常用的
solution
：
1
，对于
DDR
内存，可以适当调高电压，
2.5V
可以调到
2.55V
左右，
2.6V
可以调到
2.65V
左右；
2
，
memory driver
strength
调节：
a
，
对于
K8
系列
CP
U
，
memory
直接接在
CPU
上，
memory
的
driver
调节与北桥无关，
K8
CPU
有
2
个
pin
memzn
和
memzp
可以调节
memory
driver
strength
，入图，电阻
R19
3
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
上一篇：史上超全超实用的商务英语词组汇总
下一篇：流氓ONU处理方法总汇编