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CMOS
应用一，计算机领域
CMOS
（
Complementary Metal Oxide Semiconducto
r
，本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规
模应用于集成
电路芯片制造的原料）是
微机
主板上的一块可读写的
ROM
芯片，用来保存当前系统的硬件
配置和用户
对某些参数的设定。
CMOS
可由主板的电池供电，即使系统掉
电，信息也不会丢失。
CMOS ROM
本身只是一块存储器，
只有数据保存功能，而对
CMOS
中各项参数的设定要通过专门
的程序。
早期的
CMOS
设置程序驻留在软盘上的
(
如
IBM
的
PC/AT
机型
)
，使用很不方便
。现在多数厂家将
CMO
S
设置程序做
到了
BIOS
芯片
< br>中，在开机时通过按下某个特定键就可进入
CMOS
设置
程序而非常方便地对
系统进行设置，因此这种
CMOS
设置又通常被叫做
BIOS
设置。
CMOS
由
PMOS
管
和
NMOS
管共同构成，
它的特点是低功耗。
由于
CMOS
中一对
MOS
组成的门电路在瞬间
要么
PM
OS
导通、要么
NMOS
导通、要么都
截至，比线性的三极管
(BJT)
效率要高得多，因此功耗很低
，因
此，计算机里一个
纽扣电池
就可以
给它长时间地提供电力。
在
计算机
领域，
CM
OS
常指保存计算机基本启动信息
(
如
日期、时间、启动设置等
)
的芯片。有时人们
< br>会把
CMOS
和
BIOS
混称，其实
CMOS
是
ＣＰＵ
中的一块只读的
ROM
芯片，
是用来保存
BIOS
的硬件配置和
用户
对某些参数的设定。
CMOS
可由主板的电池供电，即使系统掉
电，信息也不会丢失。
早期的
CMOS
是一块单独的芯片
MC146818A(DIP
封装
)
，共有
64
个字节存放系统信息。
386
以后的微
机一般将
MC1
46818A
芯片集成到其它的
IC
芯
片中
(
如
82C206
，
PQFP
封装
)
，
586
以后主板上更是将
CMOS
与系统实时时钟和后备电池集成到一块叫做
DALL
DA DS1287
的芯片中。随着微机的发展、可设置参数的
增多，现在的
CMOS RAM
一般都有
128
字节及至
256
字节的容量。
为保持兼容性，各
BIOS
厂商都将自己
的
BIOS
中关于
CMOS ROM
的前
64
字节内容的设置统一与
MC146818A
的
CMOS ROM
格式一致，而在扩展出
来的部分加入自己的特殊设置，所以不同厂家
的
BIOS
芯片一般不能互换，即使是能互换的，互换后也要<
/p>
对
CMOS
信息重新设置以确保系统正常
运行。
CMOS
的设置内容
大致都包含如下可设置的内容：
rd CMOS Setup
：标准
参数设置，包括日期，时间和软、硬盘参数等。
Features
Setup
：设置一些系统选项。
t Features
Setup
：主板芯片参数设置。
Management
Setup
：电源管理设置。
/PCI Configuration Setup
：即插即用及
PCI
插件参数设置。
ated
Peripherals
：整合外设的设置。
7.
其他
：硬盘自动检测，系统口令，加载缺省设置，退出等
微电子学中的
CMOS
概念：
CMOS
，全称
Complementary
Metal Oxide Semiconductor
，即互补金属氧化物半导体，是
一种大规模
应用于集成电路芯片制造的原料。
采用
CMOS
技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管
< br>（
MOSFET
）
集成在一块硅
片上。该技术通常用于生产
RAM
和交换应用系统，在计算机领
域里通常指保存计算机基本
启动信息
(
如日期、时间、启动设置等
)
的
ROM
芯片。
CMOS
由
PMOS
< br>管和
NMOS
管共同构成，
它的
特点是低功耗。
由于
CMOS
中一对<
/p>
MOS
组成的门电路在瞬间
要么
PMOS
导通、要么
NMOS
< br>导通、要么都截至，比线性的三极管
(BJT)
效率要高
得多，因此功耗很低。
二，数码相机领域
1
CM
OS
制造工艺也被应用于制作数码影像器材的
感光元件
（常见的有
TTL
和
C
MOS
），尤其是片幅规格
较大的
单反
数码相机
。虽然在用途上与过去
CMOS
电路主要作为固件或计算工具的用途非常不同，但基本
上它仍然是采取
CMOS
的工艺，只是将纯粹逻辑运算的功能转变成接收外界光线后转化为电能
，再透过芯
片上的模
-
数转换器（
ADC
）将获得的影像讯号转变为数字信号输出。
< br>
相对于其他逻辑系列
,
CMOS
逻辑电路
具有一下优点
:
1
、允许的电源电压范围宽
,
方便电源电路的设计
2
、逻辑摆幅大
,
使电
路抗干扰能力强
3
、静态功耗低
4
、隔离
栅结构使
CMOS
期间的输入电阻极大
,
从而使
CMOS
期间驱动同类逻辑门
的能力比其他系列强
得多
三，媒介研究方法，
CMOS
跨媒体优化研究
(Cross Media
Optimization Study)
美国
IAB
互动广告署
(Internet Advertising
Bureau)
于
2003
年起联合
知名品牌广告主、媒体、
媒介代理等参与方，共同推动
XMOS
跨媒体优化研究
(Cross Media
Optimization Study)
，吸引多芬、
麦当劳
、福特、
ING
等众多品牌参与，以及
Google, Yahoo, AOL
、
MSN
、
cnet
等媒体。
IAB
在英国、欧洲、澳大利亚等互联网广告较为成熟的国家同步推进，对于提高广告投放
RO
I
形成
了非常有效的指导和帮助
调研公司
Dynamic Logic
等也在美国市场推动跨媒体研究，包含电视、互联网、平媒
、户外等媒介
评估
，帮助广告主优化媒介、营销方法。
四、
CM
OS
集成电路介绍
自
1958
年美国德克萨斯仪器公司
(TI)
发明集成电路（
IC
）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六
十年
代先后发明了双极型和
MOS
型两种重要的集成电路，它标志着
由电子管和晶体管制造电子整机的时
代发生了量和质的飞跃。
CMOS
是
:
金属
-
氧
化物
-
半导体
(Metal-
Oxide-Semiconductor)
结构的晶体管简称
MOS
晶体管，有
P
型
MOS
管和
N
型
MOS
管之分。由
MOS
管构成的集成电路称为
MOS
集成电路，而由
< br>PMOS
管和
NMOS
管共同构
成的互补型
MOS
集成电路即为
CMOS-IC
（
Complementary MOS Integrated
Circuit
）。
目前数字集成电路按导电类型可分为
双极型集成电路
（主要为
TTL
）和单
极型集成电路（
CMOS
、
NMO
S
、
PMOS
等）
。
CMOS
电路的单门静态功耗在毫微瓦（
nw
）数量级。
CMOS
发展比
TTL
晚，但是以其较高的优越性在很多场合逐渐取代了
T
TL
。
以下比较两者性能，大家就知道其原因了。
是场效应
管构成，
TTL
为双极晶体管构成
的
逻辑电平
范围比较大（
5
～
15V
），
TTL
只能在
5V
下工作
的高低电
平之间相差比较大、抗干扰性强，
TTL
则相差小，抗干扰能力
差
<
/p>
功耗很小，
TTL
功耗较大（
1
～
5mA/
门）
的工作频率较
TTL
略低，但是高速
CMOS
速度与
TTL
差不
多相当。
集成电路中详细信息：
1,TTL
电平：
输出高电平
>2.4V,
输出低电平
<0.4V
。在室温下，一般输出高电平是
3.5V
，输出低电平是
0.2V
。最
小输入高电平和低电平：输入高
电平
>=2.0V
，输入低电平
<=0
.8V
，噪声容限是
0.4V
。
2
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