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PI检测的过程

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-02-13 02:21
tags:

-

2021年2月13日发(作者:扑灭)





淮南职业技术职业学院




毕业实践(论文、设计)报告









目:


PI


检测的过程





别:信息与电气工程系





业:电气自动化


1




制:



三年制



学生姓名:



路遥



指导教师:



戴杨









二〇一三年三月一日





PI


检测的过程



路遥



(淮南职业技术学院



信息与电气工程系



专业班级,


1001003






摘要:


本文主要讨论了液晶显示器第 一步


ARRAYA(


阵列


)

< p>
的生产工艺中的


PI


检测的基本原理


及具体操作事项,及其对检测结果的判断



从而得出 对岗位职责的认识与感想。
























































































关键词



ARRAYA(


阵列


)


工艺;


PI


检测原理;操作应用;检测结果




PI



Pattern

< p>
Inspection


,是利用光学性方法检查


TFT


Glass


上存在的异


物或< /p>


Pattern


在工艺过程中产生不良的情况。

< br>对于工艺不良的情况会对相应的设


备进行检修,对良品率的提高起到辅助和监督的 作用。主要针对


Array


工艺中


Th inFilm



Photo



Etch


各段工艺设备的监控,



Array


中可分为


TF


PI,DI


PI,FI


PI


测试。以下先对液晶显示器的生产工艺有个大致的了解,然后将详细介绍


Array


工艺


PI


检测的具体内容 。




1


.< /p>


液晶显示器的特点:



优点:






1


、体积小及轻量化,适于便携式应用



2


、低功耗低电压,与大规模集成电路相匹配



3


、信息含量大:可实现大容量高清晰度显示



4


、被动发光显示



5


、无辐射




缺点




1


、工作范围窄:-


20< /p>



60


摄氏度



2


、视角狭窄



3


、响应速度慢,毫秒量级




2


.



LCD


相关性能指标




1



分辨率:












1


分辨率




亮度:



亮度的定义是指显示器在白色画面之下明亮的程度


,


单位


200cd/




对比度:







对比度的


d


定义就是屏幕的纯白色亮度和纯黑色亮度的比值




响应速度:




响应速度是指像素由亮转暗并由暗转亮所需的时间,


单位是毫秒。


反应速度


分为两个部份:


Rising


(上升)和


Falling


(下降)


;而表示时以两者之和为准。




可视角度:



可视角度就是指刚好可以看到对比度为


10


以上的画面的时候 视线与垂直屏


幕的平面的夹角。




3


.



TFT


的等效电路





2


TFT


的等效电路




2



4.



Array


工艺










TFT-LCD


的制作工艺主要分为


Array



Cell



Module3


个工艺流程。其中


Array


工艺主要 负责为


Cell


工艺提供阵列基板。



Array


就是从一张玻璃基板开始,不断经过成膜、 曝光和刻蚀三个工序的循


环,最终在玻璃基板上做出我们所需要的


TFT


阵列的图形来。







3


Array


工艺



4.1




Sputter


工艺



Sputter



PECVD



Array



5Mask

< p>
工艺中,共同承担



了各个


Mask


的第


一步主要工序


---< /p>


成膜。





3



4.2




Photo


工艺







光刻就是以光刻胶为材料在玻璃基板表面形成


TFT pattern


,这个


TFT


pat tern


的作用就是保护在它下面的金属或者其他的薄膜,


使其 在下一道刻蚀工


序中不被刻蚀掉,从而最终形成我们所需要的


T FT pattern





4.3





Etch


工艺








利用真空气体和


RF Power


生成的


Gas Plasma


反应产生 原子和原子团,该


原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质。

< p>
利用该原理可进行干


法刻蚀。




第一节:


PI


测试的内容



PI


测试目的



PI


测试目的



PI


测试目的




第二节:


PI


测试机的测试基本原理< /p>




测试的原理



2.


影响测量的主要因素:



第三节:


Main PC


介绍和基本操作



1.


测试设备操作界面介绍




设备


Offline



Local


,状态下的操作方法







#05


主要工作内容内容



第四节:测试结果的处理



1. PI 05


所测工序的


flow


基准



2. Etch & Stri p


工艺后的


PI


指导书及其他重要不良 实例



Result NG


处理流程




第五节


:


测试注意事项



1.



PI


测试内容



主要针对


Array


工艺中


Thi nFilm



Photo


< p>
Etch


各段工艺设备的监控,即


Array


中可分为


TF PI,DI PI,FI PI


测试。




1.1 TF PI


测试:指


Thin Film PI


测试,即:对于


ThinFilm Dep


工艺中


Pattern


不良的测试,如果产生严重不良 而没有及时发现,


Glass Dep


过程中有



4



可能会持续发生不良,


若是如此造成 品质事故的发生同时影响了


Glass


良品率的


提高。



1.2 DI PI


测试:指


Devope Inspection PI


测试,即:对于


Photo


曝光


显影工艺的测试,


Lot


涂胶并曝光显 影后得出想要的掩膜板分别对五种膜层进行


选择性保护,测试


P I


主要是观察图形是否有不良或


P/T


,要第一时间发现不良;


如果产生严重不良而没有及时发现,


G lass


在曝光显影过程中有可能会持续发生


不良,若是如此造 成发生品质事故的发生同时会影响


Glass


良品率的提高。< /p>



1.3 FI PI


测试:指


Final Inspection PI

< p>
测试,即:对于


Etch



Strip


工艺的测试,如果产生严重不良而没有及时发现,


Glass



Etch



Strip


设备


运行中有可能持续发生不良,若是如 此造成品质事故的发生同时会影响


Glass


良品率的提高。< /p>



所以监控每一阶段的工艺运行情况作业员要留心观察、细心测试 ,并严格


按作业指示书测试,尽量减少漏检的可能性。第一时间发现不良,处理不良,减


少持续不良的发生。检出原理:要检查的


PXL


跟周围


6



PXL

< p>
挨个比较,经过


4


种情况中所有结果都超过基准是 来判为不良。如下图所示




相邻


PXL(1)


相邻


PXL(2)


相邻


PXL


(4)


相邻


PXL


(6)


检查对象



相邻


PXL


(7)


相邻


PXL


(2)


不良



相邻


PXL


(3)


相邻


PXL


(5)


相邻


PXL


(8)


相邻


PXL


(1)


相邻


PXL


(4)


相邻


PXL


(6)


检查对象



相邻


PXL


(7)


相邻


PXL


(3)


相邻


PXL


(5)


相邻


PXL


(8)


相邻


PXL


(1)


相邻


PXL


(4)


相邻


PXL


(6)


相邻


PXL


(2)


检查对象



相邻


PXL


(8)


相邻


PXL


(3)


相邻


PXL


(5)


隔壁


PXL(8)


4


检出原理图




5



我们使用的方法



< br>周围


8PXL


中只选择对称的


6



PXL


挨个比较,

< br>这种情况



4


种,当

< p>
4


种结果都超过基准值时,判为不良。




2.1



影响测量的主要因素:



此设备主要为


Etch


用监控


LOT


使用,



ThinFilm



Photo


主要测试


STRIP3


工艺之后产生的不良。其测试原理同一般


PI


测试设备,不同的功能是不用对测


试不良点逐步分类,发现不良完全向工程师确认后< /p>


Flow





检测标准


:


PI05


采取


OPERATOR


判定


D EFECT,


检测出异常时通知工程师的检测方式。




2.1.1



光强度



主要是指反射光的强度


,< /p>


影响反射光强度的因素有


:


入射光强度< /p>


,


光栅通过光


的颜色

,Pixel


表面材料等


.


理论 上是光强度越大检测精度越高


,


但是过高会导

< br>致虚假


Defect


产生


. < /p>


2.1.2



对比度


提高对比度就是提高各


Pattern

< br>的反射光强度


,


有利于各层不良的检出

< br>.


2.1.3


、变动幅



主要是指工程特性和外部环境所引起的变动


,


变动越小


,


检出精度越高


.


3


.


Main PC


介绍和基本操作




OIC


PROGRAM

< p>
中,


确认设备状态


(RUN/DOWN/IDLE /PM/E-TIME),


显示应该与


1


.PI#5


设备构成:




1




OIC


系统



设备实际状态一致;




OIC PROGRAM


中,确认设 备


PORT


口上的


LOT


状态,显示应该与


LOT


实际状态

< br>一致。




2

< br>)



PI SYSTEM


确认


CIM


中设备状态为


REMOTE


(正常模式下)


/LOCAL(


加测模式下


)


,确认


设备显示的玻璃状态,


位置应与实际玻璃状态位置一致,


确认


PI< /p>


主程序无报警。



1) Main PC Monitor : Main PC


属于检测操作界面。







6


















































5


检测操作界面




3



4
















1


2



5



Glass

< br>到检测台上首先对


Glass


整体进行扫描;

< p>


Panel


数量,


不良 数目;



②显示扫描的不良点;



③显示


Port



Lot


信息和检测情况;分两个


Port


口;


Port



1

< br>和


2




④显示扫描出的不良图像;


旁边的按钮可对图像的大小进行缩小和放大的测

< p>


试;



⑤作业员根据作业指示书对不良进行分类存放;




(二)


PI


设备操作介绍





7






6


设备操作界面




(一)


登录



(a)


PI


Host

< p>
PC



(即


UI


界面,


控制


EQ


检测)



Host


PC

桌面上点击



Aerie



图标,弹出对话框后输入帐户和密码,再点“


OK

”即可登录。



(b)


PI


CIM


PC



(控制通讯相关,传送


Glass


)在


CIM


PC


桌面上点击“


CIM< /p>



图标,弹出对话框后输入帐户和密码,再点“

< br>OK


”即可登录。




(二)


初始化



(A) Host PC


初始化(两种情况)




(a) EQ


上无


Glass


:点击


Functions


,选择进入


Initialize


模式,点击


< p>
Initialize


”作初始化。



(b)


EQ


上有

Glass


:先进入


Functions

< br>里的


Initialize


模式,点击“


Clamp



夹住


Glass


,再在


Initialize


模式里点 击“


Initialize


”作初始化。



(B) CIM PC


初始化



(a)



CIM

PC


登录时会自动作初始化,包括


CIM


PC



Indexer



Robot


均作


初始化。

< br>


(b)


如果运行过程中出现问题需做初始化,在软件 界面上点


Maintenance



I ndexer






8

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