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微星
AMD
主板的
BI
OS
设置详解
本设置讲解，以
785GTM-E65
为蓝本，其他
AMD<
/p>
主板也可参考。
不同型号
AMD
主板只是
BIOS
设
置项目有多有少，
只要是有的项目，
设置方式和内容基本相同。
一、
BIOS
主菜单
1
、
Standard CMOS
Features
标准
CMOS
属性
2
、
Advanced BIOS
Features
高级
BIOS
属性
3
、
Integrated
Peripherals
整合周边设备
4
、
Power
Management
电源管理
5
、
H/W Monitor
硬件监测
6
、
Green Power
绿色节能
7
、
BIOS Setting
Password
开机密码设置
8
、
Cell Menu
核心菜单
9
、
M-Flash
U
盘刷新
BIOS
10
、
User Settings
用户设置项
11
、
Load Fail-Safe
Defaults
加载安全缺省值
12
、
Load Optimized
Defaults
加载优化值
13
、
Save & Exit
Setup
保存设置并退出
14
、
Exit Without
Saving
退出而不保存
二、
Cell Menu
核心菜单设置
1
、
CPU
相关设置
CPU
相关设置有
9
项
1-1
、
CPU Specifica
tions
：这是查看
CPU
的规格和
参数，也可以随时按
F4
查看。
1
1-2
、
AND Cool `n`
Quiet
：
AMD CPU
的节能技
术，也叫“凉又静”。依据
CPU
负载改变
CPU
的倍频和电压。
当
CPU<
/p>
空闲时，
核心电压降到最低，
倍频也降到
最低。
如果主板有微星的
APS
功能，
请开启这个选项。该选项的设置是
Enabled
和
Disabled
。
1-3
、
Adjust CPU
FSB Frequency
（
MHz
）：调整
CPU
的前端总线频率。默认的频率是
CPU
的
标准
FSB
频率，用户可以自己调整，就是超频。在这里直接键入频率数值，比如
220
。
1-4
、
Adjust CPU Ra
tio
：调整
CPU
的倍频。
AMD
的
CPU
一般是
锁定最高倍频的，只能降低倍
频。有个别不锁倍频的
CPU
才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是
Auto
。敲回车，弹
出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。
< br>
1-5
、
Adjust CPU-NB
Ratio
：调整
CPU
内北桥（内存
控制器）的倍率。
AMD CPU
整合了内存
< br>控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，
一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。
1-6
、
EC
Firmware
：
EC
固件设置。
这是
AMD
SB710
芯片组新开的
一个设置项，用于开启被
AMD
关闭核心（有部分是不能正常运
作的）。这项的默认设置是
Normal
。敲回车，弹出选项菜
单供用户选择。
< br>Normal
是普通模式，就是不开启关闭的核心。
Sp
ecial
是特殊模式，开启被关闭的核心。注
意这个选项要配
合下面的
Advanced Clock
Calibration
设置。
1-7
、
Advanced
Clock Calibration
：高级时钟校准。这是
S
B750
开始有的有的功能。用于
校准
CPU
的时钟频率，同时支持
AMD
的
CPU
超频软件
AMD Over D
rive
。
SB710
继承了这项功能
，
还可以配合
EC Firmware
开启关闭的核心。默认设置是
Disabled
。敲回车弹出选
项菜单：
Auto
是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为
Auto
。
All Cores
是对所有核心都
进行相同的高级时钟校准。选择了
All
Core
后，菜单会多出一个
选项。
就是要求选择校准的百分比。在
Va
lue
上敲回车会弹出百分比选择菜单。
Per
Core
可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择
Per
Core
后，菜单会多出一个选
2
项：
也是
要求选择校准的百分比。在每一个
Value
敲回车都会弹出百
分比选择菜单。
请注意，
Value
的个数与
CPU
的核心数相匹配，比如
2
核的就有
2
个
Value
选项。
1-8
、
Auto
Over Clock Technology
：微星独有的一种自动超频技术，默认是
Disabled
，可
以设置为
Max
FSB
。就是系统自动侦测
CPU
可能超频的最大
FSB
< br>值。设置该项后，系统可能重
复启动多次，最后找到最大
FSB
启动。由于
FSB
涉及内存的频
率，可能会因为内存缘故而出
现在最大
FSB
< br>情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。
1-9
、
Multistep OC
Booster
：这是微星独有的超频辅助技术，当
CPU
因超频较高，不能启
动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低
的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。
该选项默认是
Disabled
，
有
Mode1
和
Mode2
选项。
Mode1
是以低于原频率
90%
的频率启动。
Mode2
< br>是以低于原频率
80%
的频率启动。
2
、内存相关设置
< br>内存设置有
3
项：
2-1
、
MEMORY-Z
：这是查看内存的
S
PD
参数。也可以随时按
F5
查看
插
2
条内存，弹出
2
条内存的
SPD
信息，如果插
4
条，就会有<
/p>
4
条
SPD
信息
。回车就可以查看
1
条
内存的
SPD
：
2-2
、
Advance DRAM
Configuration
：高级
DRAM
< br>配置。就是用户自己配置内存时序参数。回
车进入高级
D
RAM
配置：
3
2-2-1
、
DRAM Timing
Mode
：
DRAM
时序模式。有
4
项设置：
Auto
、
DCT0
、
DCT1
、
Both
。
Auto
就是按内存条的
SPD
设置内存时序参数。
DCT0
是设置通道
A
，
DCT1<
/p>
是设置通道
B
，
Both
是
设置
2
个通道。默认设置是
Auto
。
这是
DCT0
的时序参数设置：
内存时序参数最主要的有
4
个。
CL-tRCD-tRP-tRAS
，这
4
个参数也是在内存条上常常看到的，
比如
8-8-8-24
，就是这
4
个参数。
附注：内存时序参数知识
1
、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（
Row
）地址和列（
Column
）地址标
识一个内存单元。
2
、内
存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要
经过
地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。
3
、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数
据。读写前要先对选定的存储单元预充电（
Pre
charge
）。
4
、对内存的存储单元读写前要先发出激活（
Active
）命令，然后才是读写命令。
5
、
CL
就是
CAS Latency
，
CAS
（列地址选通）潜伏时间，实际上
也是延迟。指的是
CPU
发出
读命令到
获得内存输出数据的时间间隔。
6
、
tRCD
是
RAS-to-CAS <
/p>
Delay
，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活
命令和
读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。
7
、
tRP
是
Row-Pre charge Delay
，
行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之
间的时间间隔。在这段时间内对激
活的行充电。
8
、
< br>tRAS
是
Row-active
Delay
，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的
时间间隔。
9
、
上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值
ns
，
也可用相对时间—周期。
一般多用周期表达。
< br>周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。
内存时序参数标准由
JEDEC
制定。下面列出
DDR3
的时序参数规格，供参考。
标准的时序参数有
7-7-7/8-
8-8/9-9-9
三种，其中
7-7-7
的最好。还有非标准的
7-8-8/8-9-9
4