-
实验
6 JFET-
CS
放大电路测试报告
班级：
_______
姓
名：
_
_______________
实验目的：
学习了解场效应晶体管放
大电路的基本结构、原理、测试过程。通过实验、
仿
真，了解
JFET
主要参数的获取、电路的静态
工作点、增益等参数的计算和测
试方
法。
实验设备及器件：
笔记本电脑（软件环境：
Multi
sim13.0
、
WaveForms201
< br>）
AD2
口袋仪器
电容：
0.1
卩
F
（独石或瓷片等无极性电容）
10
卩
F
（电解电容）
电阻：
300
Q
、
1k
Q
、
10k
Q
、
100k
Q
FET:
2SK30A
（
或其他
JFET
,
封装为
TO-92
）
面包板、杜邦线
实验内容：
电路如图
6.1
所示。
o
R
3
+5V
图
6.1
实验电路
1.
测量
FET
的主要参数（
V
off
、
I
DSS
）
鉴于
FET
参数非常分散，例如
2SK30A
其后缀为
GR
（
2SK30AG
漏极饱和电流
I
DSS
的范围是
2.6
—
6.5mA
截止电压
V
的范围为
-0.4 ? -5V
（具体手册参数见附
件）。因此本实
验需要先行测试元件的主要参数，所实际测得的参数用于计算电
路静
态工作点及增益等，也用于修改仿真软件模型参数，以便获得相对准确的仿
真结果。
在面包
板上搭建图
6.2
（
a
）电路（栅源为
0
偏压，即
：
V
GS
=0
），测试此时源
极
电阻的电压，进而
得到源极（也是漏极）电流，该电流就是漏极饱和电流
I
DS<
/p>
?
再通过图
6.2
（
< br>b
）电路（静态自给偏压偏置电路）测源极电阻两端电压，从而
< br>
得到此时的栅源
电压及漏极电流，也就是得到一个栅源
的负偏压值
Ma
s
< br>及漏极电
流
I
D
,
利用这两个值并通过漏极电流公式计算出
V
off
。填入表<
/p>
6-1
0
2SK30A
+5V
(b)
图
6.2
FET
参数测试电路
公式
:
表
6
-1
实测
FET
主要参数
参数
1
DSS
（测试得出）
V
Off
（计算得出）
3.3mA
-2.527v
数值
2.
用得到的参数
I
DSS
V
f
修改仿真模型：
在仿真软件中结型场效应晶体管的模
型是
Shichman-Hodges
模型，需要根据测得的参数修改
Multisim
模型中的两<
/p>
个参
数：截止电压
< br>VT0
及跨导系数
BETA
（<
/p>
B
）
。修改后
的模型用于仿真（注
意：跨
导系数不是理论教学中的跨导
g
m
）
o
3.
3.
计算、仿真及测试静态工作点，并填入表
（
1
）通过理论计算计算
I
DQ
Va
se
并填入表
6-2
0
搭建图
6.1
电路，
6-2
:
（
2
）
点并填入表
（
3
）
阻直流电压，获取静态工作点并填入表
使用新建的模型仿真静态工作
6-2
0
通过测试源极电
6-2
表
6-2
FET
电路的主要静态和动态参数
计算值
仿真值
测试值
静态
1
DQ
2.63mA
1.95mA
1.98mA
静态
V
GSQ
「
0.789V
-0.585v
-0.595v
静态
V
DSQ
1.581v
2.465v
2.426v
交流电压增益
Av
3.326
1.094
1.590
4.
< br>理论计算增益，并测试、仿真输入输出波形，仿真和测试时选择输入峰值
50mV
1kHz
正弦信号。屏幕拷贝波形于下方，并通过输入、输出信
号的峰
-
峰值之
比
计算仿真及测试的增益值，将计算、仿真、测试的增益值填入表
6-2
o
6.
7.
(1)
理论计算增益
:
(2
)
仿真输入、输出波形，并贴于下方
:
-
-
-
-
-
-
-
-
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