-
常
用
场
p>
效
应
管
型
号
参
数
管
脚
识
别
及
< br>检
测
表
公司内部编号:(
GOOD-TMMT-MMUT-
UUPTY-UUYY-DTTI-
常用场效应管型号参数管脚识别及检测表
场效应管管脚识别
场效应管的检测和使用
场效应管的检测和使用
一、用指针式万用表对场效应管进行判别
(
1
)用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的
PN
结正、
反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管
的三个电极。具体方法:将万用表拨
在
R
×
1k
档
上,任选两个电极,分别测出其
正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,
且为几千欧姆时,则该
两个电极分别是漏极
D
< br>和源极
S
。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互<
/p>
换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接
触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次
测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏
极和
源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电
阻,可以判定是
N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均
很小,说明是正向PN结
,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的
也是栅极。若不出现上述情况,可
以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到
判别出栅极为止。
(
2
)用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极
、栅极与漏极、栅
极G
1
与栅极G
p>
2
之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管
p>
的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×
100
档,测量源极S与漏
极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的
管,
其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触
不良;如果测
得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k
档,再测栅极G
1
与G
2
之间、栅极
与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得
其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的
;若测得上述各阻值太小或为通
路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,
可用元件代换法进行检
测。
(
3
)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法:用万用表电阻的
R
×<
/p>
100
档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给
场效应管加上V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏
住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的
放大作用
,漏源电压
VDS
和漏极电流
I
b都要发生变化,也就是漏源极间电阻发
生了变化,由此可以观察到表
针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较
小,说明管的放大能力较差;表针摆动较
大,表明管的放大能力大;若表针不
动,说明管是坏的。
p>
根据上述方法,我们用万用表的
R
×
100
档,测结型场效应管
3DJ2F
。先将管的G
极开路,测得漏源电阻
RDS<
/p>
为
600
Ω,用手捏住G极后,表针向左
摆动,指示的
电阻
RDS
为
12k
Ω,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能
p>
力。
运用这种方法时要说明几点:首先,
在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针
可能向右摆动(电阻值减小),也可能向左摆
动(电阻值增加)。这是由于人体
感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量
时的工作点可能不同(或
者工作在
饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明,多数管的
RDS
增大
,即表针
向左摆动;少数管的
RDS
减
小,使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只
要表针摆动幅度较大,就说明管有较
大的放大能力。第二,此方法对
MOS
场效应
< br>管也适用。但要注意,
MOS
场效应管的输人电阻高,栅
极G允许的感应电压不应
过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄
,用金属杆去碰
触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第三,每次
测量完
毕,应当
G-S
极间短路一下。
这是因为
G-S
结电容上会充有少量电荷,建立起V
G
S电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将
G-S
极间电荷短路放掉才
行。
<
/p>
(
4
)用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极
S和漏极D,余下
两个脚为第一栅极
G1
和第二栅极
G2
。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的<
/p>
电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较
大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判
别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力
大的
黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。
当确定了漏极
D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般
G1
、
G2
也会依次对准位置,这就确定了两个栅极
G1
、
G2
的位置,从而就确
定了D、
S
、
G1
、
G2
管脚的顺序。
(
5
)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
p>
对VMOS
N
沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑
表笔接漏极D,这就相当
于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路
p>
的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在
R
×
10k
Ω的高阻档,
此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变
化,其变
化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,
反向阻值变化不大
。
二、
.
场
效应管的使用注意事项
(
1
)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏
源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
(
p>
2
)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,
要遵守场
效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加
正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。
(
3
)
MOS
场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,
要用金属
屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将
MOS
场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。
(
4
)为了防止场效应管栅极感应击穿
,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、
线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,
先焊源极;在连入电路之前,管
的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料
去掉;从元器件架上取
下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如
果能采用先进
的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电
源
时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时
必须注意。
<
/p>
(
5
)在安装场效应管时,注意安装的位
置要尽量避免靠近发热元件;为了防管
件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯
曲时,应当大于根部尺寸5毫
米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管,要有良好的散热条件
。因为功率型场效应管在高负荷
条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超
过额定值,使器件长期
稳定可靠地工作。
总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多
样,采取的安全措施
也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都
要根据自己
的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管。
常用场效应管型号参数表型号
参数
IRF530
NMOS
100V
14A
79W
IRFP9530
PMOS
100V
12A
75W
IRF540
NMOS
100V
28A
150W
IRFP9540
PMOS
60V
18A
100W
IRF630
NMOS
200V
9A
75W
IRFP9630
PMOS
200V
75W
IRF640
NMOS
200V
18A
125W
IRF720
NMOS
400V
50W
IRF730
NMOS
400V
75W
IRF740
NMOS
400V
10A
125W
IRF830
NMOS
500V
75W
IRF840
NMOS
500V
8A
125W
场效应管分类型号耐压电流
封装
DISCRETE
MOS FET 2N7000 60V,
TO-92
DISCRETE
MOS FET 2N7002 60V,
SOT-23
DISCRETE
MOS FET IRF510A 100V,
TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF520A 100V,
TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF530A 100V,14A
TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF540A 100V,28A
TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF610A 200V,
TO-220
DISCRETE
MOS FET IRF620A 200V,5A
TO-220
DISCRETE
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