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常用场效应管型号参数管脚识别与检测表

作者:高考题库网
来源:https://www.bjmy2z.cn/gaokao
2021-02-11 06:11
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-

2021年2月11日发(作者:tail)











常用场效应管型号参数管脚识别及检测表








场效应管管脚识别












场效应管的检测和使用








场效应管的检测和使用


< p>
一、用指针式万用表对场效应管进


行判别




1


)用测电阻法判别结型场效应管的电极< /p>



根据场效应管的


PN

< br>结正、反向电阻值不一样的现象,可以


判别出结型场效应管的三个电极。具体方法 :将万用表拨在


R


×


1k


档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。


当某两个电极的正、反向 电阻值相等,且为几千欧姆时,则


该两个电极分别是漏极


D


和源极


S



因为对 结型场效应管而


言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。也可以


将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一

























只表笔依次去接触其余的两个电极 ,测其电阻值。当出现两


次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅


极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均


很大,说明 是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是


N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极; 若两次测出的电阻


值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟

< p>
道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可


以调换黑、红表 笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为


止。




2


)用测电阻法判别场效应管的好坏



测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源


极、栅极与漏极、栅极G


1


与栅极G

< br>2


之间的电阻值同场效


应管手册标明的电阻值是否相符去 判别管的好坏。具体方


法:首先将万用表置于R×10或R×


1 00


档,测量源极S与


漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千 欧范围(在手册中


可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的)

< br>,如果


测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得


阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于R×1


0k档,再测栅极G


1


与G


2


之间 、栅极与源极、栅极与漏


极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明


管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是


坏的。要 注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进

























行检测。




3


)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力



具体方法:用万用表电阻的


R

×


100


档,红表笔接源极S,


黑 表笔接漏极D,给场效应管加上


1.5


V的电源电压,此时


表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应


管的栅极 G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由


于管的放大作用,

漏源电压


VDS


和漏极电流


I


b都要发生变


化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到 表针


有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的


放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表


针不动,说明管是坏的。



根据上述方法,我们用万用表的


R


×


100


档,测结型场效应

< br>管


3DJ2F


。先将管的G极开路,测得漏源电阻


RDS



600


Ω, 用手捏住G极后,表针向左摆动,指示的电阻


RDS



12k


Ω,


表针摆动的幅度较大,


说明该管是好的,


并有较大的


放大能力。

< p>


运用这种方法时要说明几点:首先,在测试场效应管用手捏


住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小)


,也可能

< br>向左摆动(电阻值增加)


。这是由于人体感应的交流电压较


高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同


(或者工作在饱和区或者在不 饱和区)所致,试验表明,多


数管的


RDS

增大,即表针向左摆动;少数管的


RDS


减小,

< p>
























使表针 向右摆动。但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动


幅度较大,就说明管有较大的放大能 力。第二,此方法对


MOS


场效应管也适用。但要注意,


MOS


场效应管的输人电


阻高,栅极G允许的 感应电压不应过高,所以不要直接用手


去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆 去碰触栅


极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿。第

三,每次测量完毕,应当


G-S


极间短路一下。

< p>
这是因为


G-S


结电容上会充有少量电荷,建立起 V


G


S电压,造成再进行


测量时表针可 能不动,只有将


G-S


极间电荷短路放掉才行。




4


)用测电阻法判别无标 志的场效应管



首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚 ,也就是源


极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极


G1


和第二栅极


G2



把先 用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对


调表笔再测量一次,把其测得电阻 值记下来,两次测得阻值


较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为


源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其


管的放大 能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接


的是D极;红表笔所接地是8极,两种 方法检测结果均应一


样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位


置装人电路,一般


G1



G2


也会依次对准位置,这就确定了


两个栅极


G1



G2


的位置,从而就确 定了D、


S



G1


G2


管脚的顺序。



























5


)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小



对VMOS



N沟道增强型场效应管测 量跨导性能时,可用


红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极


之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻


值是很不稳定 的。


将万用表的欧姆档选在


R


×


10k


Ω的高阻档,


此时表内电压较高。当用 手接触栅极G时,会发现管的反向


电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越 高;


如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。



二、


.


场效应管的使用注意事项




1


)为了安全使 用场效应管,在线路的设计中不能超过管


的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最 大电流等参


数的极限值。




2


)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接


人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅


源漏之间是PN结, N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管


栅极不能加负偏压,等等。




3



M OS


场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏


中必须将引 出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应


电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将< /p>


MOS


场效应管放人


塑料盒子内,保存时 最好放在金属盒内,同时也要注意管的


防潮。




4


)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试 仪器、

























工作台 、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊


接时,先焊源极;在连入电路之前, 管的全部引线端保持互


相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取


下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当


然,如果能 采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较


方便的,并且确保安全;在未关断电源时 ,绝对不可以把管


插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时

< p>
必须注意。




5


)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近


发热元件;为了 防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管


脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处 进行,以防止


弯断管脚和引起漏气等。







对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率


型场效应管在 高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,


确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳 定可靠地工作。







总之,确保场效应管安全使用,要 注意的事项是多种多


样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,


特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,


采取切实可行 的办法,安全有效地用好场效应管。











常用场效应管型号参数表型号




























参数





IRF530



NMOS



100V



14A



79W




IRFP9530



PMOS



100V



12A


























75W




IRF540



NMOS



100V



28A



150W




IRFP9540



PMOS



60V



18A


























100W




IRF630



NMOS



200V



9A



75W




IRFP9630



PMOS



200V



6.5A


























75W




IRF640



NMOS



200V



18A



125W




IRF720



NMOS



400V



3.3A


























50W




IRF730



NMOS



400V



5.5A



75W




IRF740



NMOS



400V



10A















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