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红外焦平面阵列简介
自从赫
谢尔利第一次发现了红外辐射以来，
人们就开始不断运用各种方法对红外辐射进
行检测，并根据红外光的特点而加以应用，相继制成了各种红外探测器。进入
20
世纪后，
红外探测器技术取得了惊人的进展，
特别是冷战时期，
军备竞赛各方投入巨资进行研究，
突
破了诸多难题，使红外探测器技术从
30
年代单一的
PbS
器件发展到现在的多个品种，从单<
/p>
元器件发展到目前焦平面信号处理的大型红外焦平面阵列。
红外焦
平面阵列技术作为红外探
测技术发展的一个里程碑，
正在急速地
拓展新的应用领域和市场，
渗透到工业监测探测、
执
法、安全、医疗、遥感、设备等商业用领域，改变了其长期以来主要用于军用领域的状况。
红外焦平面阵列是红外系统及热成像器件的关键部件，是置于红外光学
系统焦平面上，
可使整个视场内景物的每一个像元与一个敏感元相对应的多元平面阵列红
外探测器件，
在军
事领域得到了广泛应用，
拥有巨大的市场潜力和应用前景。
目前许多国家，
尤其是美
国等西
方军事发达国家，
都花费大量的人力、
< br>物力和财力进行此方面的研究与开发，
并获得了成功。
下面依
次介绍其原工作原理、分类以及读出电路，并简述国内外发展情况以及展望其发
展方向。
一、红外焦平面阵列原理
焦平面探测器的焦平面上排列着感光元件阵列，从无限远处发射的红外线经过光学系统
成像在系统焦平面的这些感光元件上，探测器将接受到光信号转换为电信号并进行积分放
大、采样保持，通过输出缓冲和多路传输系统，最终送达监视系统形成图像。
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二、红外焦平面阵列分类
1
、根据制冷方式划分
根据制冷方式，红外焦平面阵列可分为制冷型和非制冷型。制冷型红外焦平面目前主要
采用杜瓦瓶快速起动节流致冷器集成体和杜瓦瓶斯特林循环致冷器集成体
[5]
。由于背景温
度与探测温度之间的对比度将决定探测器
的理想分辨率，
所以为了提高探测仪的精度就必须
大幅度的降低
背景温度。当前制冷型的探测器其
探测率达到～
1011cmHz12W-1
，而非制冷
型的探测器
为～
109cmHz12W-1
，相差为两个数量级。不仅如此
，它们的其他性能也有很大
的差别，前者的响应速度是微秒级而后者是毫秒级。
2
、依照光辐射与
物质相互作用原理划分
依此条件，红外探测器可分为光子
探测器与热探测器两大类。光子探测器是基于光子与
物质相互作用所引起的光电效应为原
理的一类探测器，
包括光电子发射探测器和半导体光电
探测器，
其特点是探测灵敏度高、响应速度快、对波长的探测选择性敏感，
但光子探测器一
般工作在较低的环境温度下，需要致冷器件。
热探测器是基于光辐射作用的热效应原理的
一类探测器，
包括
利用温差电效应制成的测辐射热电偶或热电堆，
利用物体体电阻对温度的
敏感性制成的测辐射热敏电阻探测器和以热电晶体的热释电效应为根据的热释电探测器。
这
类探测器的共同特点是：无选择性探测（对所有波长光辐射有大致相同的探测
灵敏度）
，但
它们多数工作在室温条件下。
3
、按照结构形式划分
红外焦平面阵列器件由红外探测器阵列部分和读出电路部分组成。因此，按照结构形式
分类，
红外焦平面阵列可分为单片式和混成式两种。其中，单片式集成
在一个硅衬底上，即
读出电路和探测器都使用相同的材料。混成式是指红外探测器和读出
电路分别选用两种材
料，
如红外探测器使用
HgCdTe
，
读出电路使用
Si
。
混成式主要分为倒装式和
Z
平面式两种。
4
、按成像方式划分
红外焦平面阵列分为扫描型和凝视型两种，其区别在于扫描型一般采用时间延迟积分技
术，
采用串行方式对电信号进行读取；
凝视型
式则利用了二维形成一张图像，
无需延迟积分，
采用并行方式对
电信号进行读取。
凝视型成像速度比扫描型成像速度快，
但是其
需要的成本
高，电路也很复杂。
5
、根据波长划分
由于运用卫星及其它空间工具，
通过
大气层对地球表面目标进行探测，
只有穿过大气层
的红外线才会
被探测到。
人们发现了三个重要的大气窗口：
1mm
～
3mm
的短波红外、
3
mm
～
5mm
的中波红外、
8mm
～
14mm
的长波
红外，由此产生三种不同波长的探测器。
三、读出电路
读出电路是红外焦平面阵列当中的十分重要的环节。
对于周围物体的
黑体辐射，
被测物
体的辐射信号相当微小，
电流大小为纳安或者是皮安级，
要把这么小的信号读出可不是一件
< br>容易的事，
尤其这种小信号很易受到其它噪声的干扰，
因
此，
选择和设计电路就成为特别重
要的方面。
< br>
1
、自积分型读出电路
在所有读出电路结构中，自积分（
S
I
）电路最为简单，仅有一个
MOS
开关元件，其象
元面积可以做得很小。在
SI
电路中，光生电流（或电荷）直接在与探测器并联的
电容上积
分，然后通过多路传输器输出积分信号。此读出电路的输出信号通常是取其电荷
而非电压，
其后接电荷放大器，
在每帧结束时需由象元外的电路
对积分电容进行复位。
积分电容主要为
探测器自身的电容，
但也包括与之相连的一些杂散电容。
在某些探测器中，
此电容可能是非
线性的（如光电二极管的结电容）
，
随积分电荷的增加，其会造成探测器的偏置发生变化，
可能引起输出信号的非线性。
该电路的另一个缺点是无信号增益，
易受多路传输器和列放大
器的噪声干扰。
2
、源随器型读出电路（
SFD
ROIC
）
为了给多路传输器提供电压信号，
并增加驱动能力，
往往在
SI
后加缓冲放大器。
实现
此功能的通常方法是
在每个探测器后接一
MOSFET
源随器
（
SFD
）
，
即构成源随器型读出电
路。
源随器型读出电路是一种直接积
分的高阻抗放大器，
探测器偏压由复位电平决定，
故不
存在探测器偏压初值不均匀的问题，
但偏压会随积分时间和积分电流变化
，
引起探测器偏置
变化。
SFD
电路在很低背景下具有较满意的信噪比，但在中、高背景下，与
SI
读出电路一
样，
其也有严重的输出信号非线性问题。
复位
MOS
开关会带来
KTC
噪声，
而源随器
MOS
管的
1f
噪声和沟道热噪声也是主要的噪声源。
3
、直接注入读出电路（
DI
ROIC
）
直接注入（
DI
）电路是第二代探测器（即
探测器阵列）使用最早的读出前置放大器之
一。它首先用于
CCD
红外焦平面阵列，现也用于
CMOS
红外焦平面阵列。在此电路中，
探测器电流通过注入管向积分电容充电，
实现电流到电压的转换，
< br>电压增益的大小主要与积
分电容的大小有关，
当然也受电
源电压的限制。此电路在中、
高背景辐射下，注入管的跨导
（<
/p>
gm
）较大，这主要是因积分电流较大的缘故。此时，读出电路输
入阻抗较低，光生电流
的注入效率相对较高。在低背景下，
因注
入管的跨导减小，使读出电路的输入阻抗增大，会
降低光生电流的注入效率。在一定的范
围内，
DI
电路的响应基本上是线性的。但因各象元
注入管阈值电压的不均匀性，
会在焦平面阵列输出信号中引入空间噪声，
因而抑制焦平面阵
列的空间噪声是一个非常棘手的问题。
4
、反馈增强直
接注入读出电路（
FEDI
ROIC
）
反馈增强直接注入电路（
FEDI
）以
DI
读出电路为基础，在注入管栅极和
探测器间跨
接一反相放大器，
其目的是在低背景下，
进一步降低读出电路的输入阻抗，
从而提高注入效
率和改善频率响应。
视反馈放大器的增益不同，
FEDI
的最小工作光子通量范围可以比
DI
低
一个或几个数量级，响应的线性范围也比
DI
的更宽。但象元的功耗和面积也随之增加了，
面积的增加对现在日益发展的光刻技术并非什么大问题，但功耗的增大就很不利。
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