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AEC-Q200
試驗條件：
說明：
AEC-Q200
的環境試驗條件，主要是依據
MIL-STD-202
與
JEDEC
22A-104
規範來制定的，
不同
零件的試驗溫度除了不一樣之外，其施加電源
(
電壓、電流、負
載
)
要求也會有所不同，
高溫儲存屬於不施加偏壓與負載，但是在高溫工作壽命就需要，溫度循環與溫度衝擊，其試驗目的與 手法不一樣，
在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率，溫衝擊
則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗，
而濕度抵抗就是濕冷凍試驗
試驗條件注意事項：
1000h
試驗過程需在
250h
、
500h
< br>進行間隔量測
高溫儲存
(MIL-STD-202-108)
：
[
適用設備：
THS]
薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容
、可變電阻、陶瓷共鳴器、
EMI
干擾抑制器、
EMI
干擾過濾器：85℃/1000h
電感、變壓器、電阻：125℃/1000h
變阻器：150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度
/1000h
高溫工作壽命
(MIL-STD-202-108)
：
[
適用設備：
THS]
網路低通濾波器、網路電阻：85℃/1000h
EMI
干擾抑制器、
EMI
干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定
IL
鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度
/1000h/ (2/3)
負載
/
額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h
薄膜電容：1000h/(85℃
/125%
額
定電壓、105℃&125℃
/100%
額定電壓
)
自恢復保險絲：125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓
可變電阻：125℃/1000h/額定功率
變阻器：125℃/1000h/額定電壓
85
％
+ma
電流
陶瓷
共鳴器：85℃/1000h/額定
VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之
間有
2X
的晶體
CL
< br>電容
石英震盪器：125℃/1000h/額定
VDD+1MΩ，並聯逆變器，在每個晶體腳和地之間有
2X
的晶體
CL
電容
溫度循環
(JEDEC22A-104)
：
[
適用設備：
TSR
< br>、
ESS]
薄膜電容、可變
電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、
EMI
干擾抑制器、
EMI
干擾過濾器：
-
55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/10
00cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻：
-
55℃(30min)←→125℃(30min)
/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電
解電容：
-
40℃(30min)←→105℃(30min)
/RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感
、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲：
-
40℃(3
0min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網路低通濾波器、網路電阻：
-
55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles