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场
效
应
管
的
分
类
Document number
：
NOCG-YUNOO-
BUYTT-UU986-1986UT
场效应管的分类
场效应管（
FET
）是一种电压控制电流器件。其特点是输入
电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因而特别使
用于高灵敏度、低噪声电路中
。
场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：结型场效应<
/p>
管（
JFET
）和绝缘栅型场效应管（<
/p>
IGFET
）
.
结型场效应管
又分为
N
沟道和
P
沟道两种。绝缘栅场效应管主要指金属
--<
/p>
氧化物
--
半导体场效应管（
MOS
管）。
MOS
管又
分为“耗尽
型”和“增强型”两种，而每一种又分为
N
沟道和
P
沟道。结
型场
效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流
的，输入电阻（
105
～
1015
）之间；
绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从
而控制电流的大小，其输入阻抗很高
(
栅极与其它
电极互相
绝缘
)
。它在硅片上的集成度
高，因此在大规模集成电路中
占有极其重要的地位。
场效应管的型号命名方法
现行场效应管有两种命名方
法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母
J
代表结
型场效应管，
O
代表绝
缘栅场效应管。第二位字母代表材
料，
D
是
P
型硅，反型层是
N
沟道；
C
是
N
型硅
P
沟道。
例如
,3DJ6D
< br>是结型
N
沟道场效应三极管，
3
DO6C
是绝缘栅
型
N
沟道场效应三极管。
<
/p>
第二种命名方法是
CS
××
#
，
CS
代表场效应管，×
×以
数字代表型号的序号，
#
用字母代
表同一型号中的不同规
格。例如
CS14A
、
CS45G
等。
场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，
收编了美国、日本及
欧洲等近百家半导体厂家生产的结型
场效应晶体管（
JFET<
/p>
）、金属氧化物半导体场次晶体管
（
MO
SFET
）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（
SB
）、
金属半导体场效应晶体管（
MES
）、高电子迁移率晶体管
（
HEMT
）、静电感应晶体管（
SIT
）、绝缘栅双极晶体管
（
IGBT
）等属于场效应晶体管系列
的单管、对管及组件
等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出
其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与
主要特性参数。同
时还在备注栏列出世界各国可供代换的
场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号
。
1
．<
/p>
型号
栏
表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母
和阿拉伯数
字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于
同一格子内，不用细线分开。
2
．
厂家
栏
为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写
的形式表示。）
所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：
ADV
美国先进半导体公司
AEG
美国
AEG
公司
AEI
英国联合电子工业公司
AEL
英、德半导体器件股份公司
<
/p>
ALE
美国
ALEGROMICRO
公司
ALP
美国
ALPHAINDNSTRLES
公司
AME
挪威微电子技术公司
AMP
美国安派克斯电子公司
AMS
美国微系统公司
APT
美国先进功率技术公司
ATE
意大利米兰
ATES
< br>公司
ATT
美国电话电报公司
AVA
美、德先进技术公司
BEN
美国本迪克斯有限公司
BHA
印度
BHARAT
电子有限公司
CAL
美国
CALOGIC
公司
CDI
印度大陆器件公司
CEN
美国中央半导体公司
CLV
美国
CLEVITE
晶体管公司
COL
美国
COLLMER
公
司
CRI
美国克里姆森半导体公司
CTR
美国通信晶体管公司
CSA
美国
CSA
工业
公司
DIC
美国狄克逊电子公司
DIO
美国二极管公司
DIR
美国
DIRECTEDENERGR
公司
LUC
英、德<
/p>
LUCCAS
电气股份公司
MAC
美国
M/A
康姆半
导体产品公司
MAR
英国马可尼电子器件公司
MAL
美国
MALLORY
国际公司
MAT
日本松下公司
MCR
美国
MCRWVETECH
公司
MIC
中国香港微电子股份公司
MIS
德、意
MISTRAL
公司
MIT
日本三菱公司
MOT
美国莫托罗拉半导体公司
MUL
英国马德拉有限公司
NAS
美、德北美半导体电子公司
NEW
英国新市场晶体管有限公司
NIP
日本日电公司
NJR
日本新日本无线电股份有公司
NSC
美国国家半导体公司
NUC
美国核电子产品公司
OKI
日本冲电气工业公司
OMN
美国
OMNIREL
公司
OPT
美国
OPTEK
公司
ORG
日本欧里井电气公司
PHI
荷兰飞利浦公司
POL
美国
PORYFET
公司
POW
美国何雷克斯公司
PIS
美国普利西产品公司
PTC
美国功率晶体管公司
RAY
美、德雷声半导体公司
REC
美国无线电公司
RET
美国雷蒂肯公司
RFG
美国射频增益公司
RTC
法、德
RTC
无线
电技术公司
SAK
日本三肯公司
SAM
韩国三星公司
SAN
日本三舍公司
SEL
英国塞米特朗公司
DIT
德国
DITRATHERM
公司
ETC
美国电子晶体管公司
FCH
美国范恰得公司
FER
英、德费兰蒂有限公司
FJD
日本富士电机公司
FRE
美国
FEDERICK
公司
FUI
日本富士通公司
FUM
美国富士通微电子公司
GEC
美国詹特朗公司
GEN
美国通用电气公司
GEU
加拿大
GENNUM
公司
GPD
美国锗功率器件公司
HAR
美国哈里斯半导体公司
HFO
德国
VHB
联
合企业
HIT
日本日立公司
HSC
美国
HELLOS
半导
体公司
IDI
美国国际器件公司
INJ
日本国际器件公司
INR
美、德国际整流器件公司
INT
美国
INTERFET
公司
IPR
罗、德
IPRSBANEASA
公司
ISI
英国英特锡尔公司
ITT
德国楞茨标准电气公司
IXY
美国电报公司半导体体部
KOR
韩国电子公司
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