-
电子元件及图形符号
电感
L
电容
C
电位
E
电流
I
电荷
q
电阻
R
晶体二极管
D.
如
D5
表示编号为
5
的二极管
稳压二极管
ZD.
< br>如
ZD5
表示编号为
5
的稳压管
警惕三极管
Q.
< br>如
Q17
表示编号为
17
的三极管
集成快
(IC) U
晶振
Y
保险电阻
F
或
PS
/phpbb2/?f=1&topicdays=0&st
art=1250&sid=c85d
deeb22acc77cb1538565dd
10f2e4
这个上面很齐全
做机器人要先了解电子元器件
这里有一些电子元件的知识给新手：
电子元件（
1
）
<
电阻
>
电阻在电路中用
“R”
加数字表示，
如：
R1
表示编号为
1
的电阻。
电阻在电路中的主要作用为：
分流、限流、分
压、偏置等。＃
1
、参数识别：电阻
的单位为欧姆（
Ω
），倍率单位有：千
欧（
KΩ
），兆欧（
MΩ
）等。换算方法是：
1
兆欧
=1000
千欧
=1000000
欧电
阻的参数标注
方法有
3
种，即直标法、
色标法和数标法。
a
、数标法主要用
于贴片等小体积的电路，如：
472
表示
47×100Ω
（即
4.7K
）
；
104
则表示
100K
b
、
色环标注法使用最多，
现举例如下
：
四色环电阻
五色环电阻（精密电阻）
＃
2
、电阻
的色标位置和倍率关系如下表所示：颜
色有效数字
倍率
允许偏差
（
%
）
银色
/ x0.01 ±
10
金色
/ x0.1
±
5
黑色
0 +0 /
棕色
1 x10
±
1
红色
2 x100
±
2
橙色
3 x1000 /
黄色
4 x10000 /
绿色
5 x100000 ±
0.5
蓝色
6
x1000000 ±
0.2
紫色
7 x10000000
±
0.1
灰色
8 x100000000 /
白色
9 x1000000000 /
电子元件（
2
）
<
电容
>
＃
1
、电容在电路中一般用
“C”
加数字表示（
如
C13
表示编号为
13
的电容）。电容是由两
片金属膜紧靠，
中间用绝缘材
料隔开而组成的元件。
电容的特性主要是隔直流通交流。
电容<
/p>
容量的大小就是表示能贮存电能的大小，
电容对交流信号的阻碍作
用称为容抗，
它与交流信
号的频率和电容量有关。容抗
XC=1/2πf c (f
表示交流信号的频率，
C
表示电容容量
)
电话机
中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。＃
2
、识别方法：电容的识别方法与电阻的识
别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法
3
种。电容的基本
单位用法拉（
F
）表示，其它单位还有：毫法（
mF
）、微法（
uF
）、纳法
（
nF
）、皮法（
pF
）。其中：
1
法拉
=103
毫法
=106
微
法
=109
纳法
=1012
皮法容量大的电
容其容量值在电容上直接标明，如
10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表
示
或数字表示字母表示法：
1m=1000 uF
1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：
一般
用三位数
字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：
102
表示
10×
102P
F=1000PF 224
表示
22×
104PF=0.22 uF
＃
3
、电容容量误差表符
号
F G J K L
M
允许误差
±
1% ±
2%
±
5% ±
10% ±
15%
±
20%
如：一瓷片电容为
104J
表示容量为
0. 1
uF
、误差为
±
5%
。
电子元件（<
/p>
3
）
<
晶体二极
管
>
晶体二极管在电路中常用
“D”
加数字表示，如：
D5
表示编号为
5
的二极管。
＃
1
、作用：
二极管的主要特性是单向导电性，
也就是在正向电压的作用下，
导通电阻很小；
而在反向电
压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，
无绳电话机中常把它用在整
流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调
频调制和静噪等电路中。电话机里使用的晶体二
极管按作用可分为：整流二极管（如
1N4004
）、隔离二极管（如
1N4148
）、肖特基二极
管（如
BAT85
）、发光二极管、稳压二极管等。＃
2
、识别方法：二极管的识别很简单，
小功率二极管的
N
极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈
标出来，有些二极管也用
二极管专用符号来表示
P
极（正极）或
N
极（负极），也有采用符号标志为<
/p>
“P”
、
“N”
来确
定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
＃
3
、
测试
注意事项：
用数字式万用表去测二极管时，
红表笔接二极管的正
极，
黑表笔接二极管的
负极，
此时测得
的阻值才是二极管的正向导通阻值，
这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
＃
4
、常用的
1N4000
系列二极管耐压比较如下：型号
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004
1N4005 1N4006 1N4007
耐压（
V
）
50 100 200 400 600 800 1000
电流（
A
）
均为
1
电子元件（
4
）
<
稳压二极管
>
稳压二极管在电路中常用
“ZD”
加数字表示，如：<
/p>
ZD5
表示编号为
5
的稳压管。
＃
1
、稳压
二极管的稳压原理：
稳压二极管的特点就是击穿后，
其两端的电压基本保持不变。
这
样，
当
把稳压管接入电路以后，
若由于
电源电压发生波动，
或其它原因造成电路中各点电压变动时，
负
载两端的电压将基本保持不变。
＃
2
、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、
短路和稳压值不稳定。在这
3
种故障中，前一种故
障表现出电源电压升高；后
2
种故障表
现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型
号
1N4728 1N4729
1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750
1N4751
1N4761
稳压值
3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V
27V 30V 75V
电子元
件（
5
）
<
电
感
>
电感在电路中常用
“L”
加数字表示，如：
L6
表示编号为
6
的电感。电感线圈是将绝缘的导线
在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。
直流可通过线圈，
直流电阻就是导线本身的电阻，
压降
很小；
当交流信号通过线圈时，
线圈两端将会产生自感电动势，
自感电动势的方向与外加电
压的方向相反，
阻碍交流的通过，
所以电感的特性是通直流阻交流，
频率越高，
< br>线圈阻抗越
大。
电感在电路中可与电容组成振荡电路。<
/p>
电感一般有直标法和色标法，
色标法与电阻类似。
如：棕、黑、金、金表示
1uH
（误差
5%
）的电感。
电感的基本单位为：亨（
H
）
< br>
换算单
位有：
1H=103m
H=106uH
电子元件（
6
）
<
变容二极管
>
变容二极管是根据普通二极管内部
“PN
结
”
的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一
原理专门设计出来的一种特殊二极管。
变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高
频调制电路上，
实现低频信号调制到高频信号上，
并发射出去。
在工作状态，
变容二极管调
制电压一般加到负极上，<
/p>
使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。
变容二
极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：（
1
）发生漏电现象时，高频调制电路将不工
作或调制性能变差。（
2
）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频
信号发送到对方被对方接收后产生失真。
出现上述情况之一时，
就应该更换同型号的变容二
极
电子元件（
7
）
<
晶体三极管
< br>>
晶体三极管在电路中常用
“Q”
加数字表示，如：
Q17
表示编
号为
17
的三极管。＃
1
、特点：
晶体三极管（简称三极管）是内部含有
2<
/p>
个
PN
结，并且具有放大能力的特殊器件
。它分
NPN
型和
PNP
型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓
OTL
电
路中的对管就是由
PNP
型和
NPN
型配对使用。电话机中常用的
PNP
型三极管有：
A92
、
9015
等型号；
NPN
型三极管有：
A42
、
9
014
、
9018
、
< br>9013
、
9012
等型号。＃
2
、晶体三
极管主要用于放大电路中起
放大作用，
在常见电路中有三种接法。
为了便于比较，
将晶体管
三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。名称共发射
极电路
共集电极电路（射
极输出器）
共基极电路输入阻抗
中（几百欧～几千欧）
大（几十千欧以上）
小（几欧～
几十欧）
输出阻抗中
（几千欧～几十千欧）
小
（几欧～几十欧）
大
（几十千欧～几百千欧）
电压放大倍数
大
小
< br>（小于
1
并接近于
1
）
大电流放大倍数
<
/p>
大
（几十）
大
（
几十）
小
（小
于
1
并接近于
1
）功率放大倍数
大（约
30
～
40
分贝）
<
/p>
小（约
10
分贝）
中（约
15
～
20
分贝）
频率特性
高频差
好好续表应用
多级放大器中间级，
低频放大
输入级、
输出级或作
阻抗匹配用
高频或宽频带电路及恒流源电路
电子元件（
8
）
<
场效应晶体管放大器
>
＃
1
、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备
中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。＃
2
、
场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理
都是一样的。＃
3
、场效应管与晶体管的
比较（
1
）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元
件。在只允许从信号源取较少
电流的情况下，
应选用场效应管；
而在信号电压较低，
又允许从信号源取较多电流的条件下，
应选用晶体管。（
2
）场效应管是利用多数
载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管
是即有多数载流子，也利用少数载流子导
电。被称之为双极型器件。（
3
）有些场效应管的
源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（
4
）场效应管能在很小
电流和很低电压的条件下工作，
< br>而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块
硅片上，因此场效应管
在大规模集成电路中得到了广泛
电子元件（
9
）
<
单片机
>*1
单片机硬件系统设计原则
(
转贴
) zt()
一个单片机应用系统的硬件电路设计包含
两部
分内容：一是系统扩展，即单片机内部的功能单元，如
ROM
、
RAM
、
I/O
、定时器
/
计
数器、
中断系统等不能满足应用系统的要求时，
必须在片外进行扩展，
选择适当的芯片，
设
计相应的电路。二是系统的配置，
即按照系统功能要求配置外围设备，如键盘、显示器、打
印机、
A/D
、
D/A
转换器等，
要设计合适的接口电路。
系统的扩展和配置应遵循以下原则：
＃
1
、尽可
能选择典型电路，并符合单片机常规用法。为硬件系统的标准化、模块化打下
良好的基础
。
＃
2<
/p>
、系统扩展与外围设备的配置水平应充分满足应用系统的功能要求，并
留有适当余地，以便进行二次开发。
＃
3
、硬件
结构应结合应用软件方案一并考虑。硬件
结构与软件方案会产生相互影响，
考虑原则是：
软件能实现的功能尽可能由软件实殃，
以简
化硬件结构。但必须注意，由软件实现的硬件功能，一般响应时间比硬件实现长，且
占用
CPU
时间。
＃
< br>
4
、
系统中的相关器件要尽可
能做到性能匹配。
如选用
CMOS
芯片
单片机构
成低功耗系统时，系统中所有芯片都应尽可能选择低功耗产品。＃
5
、可靠性及抗干扰设
计
是硬件设计必不可少的一部分，它包括芯片、器件选择、去耦滤波、印刷电路板布线、通
道隔离等。
＃
6
、单片机外围电路较多时，必须考虑其驱动能力。驱动能力不足时，系统
工作不可靠，可通过增设线驱动器增强驱动能力或减少芯片功耗来降低总线负载。
＃
7
、
尽量朝
“
单片
< br>”
方向设计硬件系统。系统器件越多，器件之间相互干扰也越强，功耗也增大，<
/p>
也不可避免地降低了系统的稳定性。
随着单片机片内集成的功能越
来越强，
真正的片上系统
SoC
已经可
以实现，
如
ST
公司新近推出的
μPSD32××
系列产品在一块芯片上集成了
80C32
核、大容量
FLASH
存
储器、
SRAM
、
< br>A/D
、
I/O
、两个串口、看
门狗、上电复位电路等等。
单片机系统硬件抗干扰常用方法实
践影响单片机系统可靠安全运行的主要因素主要来自系
统内部和外部的各种电气干扰，并
受系统结构设计、元器件选择、安装、制造工艺影响。这
些都构成单片机系统的干扰因素
，
常会导致单片机系统运行失常，
轻则影响产品质量和产量，<
/p>
重则会导致事故，造成重大经济损失。
形成干扰的基本要素有三个：
（
1
）干扰源。指产生干扰的元件、设备或信号，用数学语
言描述如下：
du/dt
，
di/dt
大的地方就是干扰源。如：雷电、继电器、可控
硅、电机、高频
时钟等都可
能成为干
扰源。（
2
）传播路径。指干扰从干扰源传播到敏感器件的通路
或媒
介。典型的干扰传
播路径是通过
导线的传导和空间的辐射。（
3
）敏感器件。指容易被干
扰的对象。如：
A/D
、
D/A
变换器，单片机，数字
IC
，
弱信号放大器等。
干扰的分类
1
干扰的分类干扰的分类有好多种，
通常可以按照噪声产生的原因、
传导方式、
波形特性等等
进行不同的分类。按产生的原因分
：可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。
按传
导方式分：可分为共模噪声和串模噪声。
按
波形分：可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲
序列等等。
2
干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通
道才对测控系统
产生作用的。因此，我有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。
干扰的耦合方式，
无非是通过导线、空间、公共线等等，细分下来，主要有以下几种：<
/p>
（
1
）直接耦
合：这
是最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵
入系统。
对于这种形式，最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。（
2
）公共阻抗耦合：
这也是常见的耦合方式，<
/p>
这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。
为了防止这
种耦合，通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。
（
3
）电
容耦合：
又称电场耦合或静电耦合
。是由于分布电容的存在而产生的耦合。
（
4
）电磁
感应耦合：又称磁场耦
合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。
（
< br>5
）漏电耦合：
这种耦
合是纯电阻性的，在绝缘不好时就会发生。
常用硬件抗干扰技术针对形成干扰的三要素，
采取的抗干扰主要有以下手段。
1
抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干
扰源的
du/dt
，
di/dt
。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。
减小干扰源的
du/dt
主要是通过在干扰源两端并联
电容来实现。减小干扰源的
di/dt
则是在
< br>干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
形成干扰的基本要素有三个：
（
1
）干扰源。指产生干扰的元件、设备或
信号，用数学语
言描述如下：
du/dt
，
di/dt
大的地方就是干扰源
。如：雷电、继电器、可控硅、电机、高频
时钟等都可
能成为干扰源。（
2
）传播路径。指干扰从干
扰源传播到敏感器件的通路或媒
介。典型的干扰传
播路径是通过导线的传导和空间的辐射。（
3
）敏
感器件。指容易被干
扰的对象。如：
A/D
、
D/A
变换器，单片机，数字
I
C
，
弱信号放大器等。
干扰的分类
1
干扰的分类干扰的分类有好多种，
通常可以按照噪声产生的原因、
传导方式、
波形特性等等
进行不同的分类。按产生的原因分
：可分为放电噪声音、高频振荡噪声、浪涌噪声。
按传
导方式分：可分为共模噪声和串模噪声。
按
波形分：可分为持续正弦波、脉冲电压、脉冲
序列等等。
2
干扰的耦合方式干扰源产生的干扰信号是通过一定的耦合通
道才对测控系统
产生作用的。因此，我有必要看看干扰源和被干扰对象之间的传递方式。
干扰的耦合方式，
无非是通过导线、空间、公共线等等，细分下来，主要有以下几种：<
/p>
（
1
）直接耦
合：这
是最直接的方式，也是系统中存在最普遍的一种方式。比如干扰信号通过电源线侵
入系统。
对于这种形式，最有效的方法就是加入去耦电路。从而很好的抑制。（
2
）公共阻抗耦合：
这也是常见的耦合方式，<
/p>
这种形式常常发生在两个电路电流有共同通路的情况。
为了防止这
种耦合，通常在电路设计上就要考虑。使干扰源和被干扰对象间没有公共阻抗。
（
3
）电
容耦合：
又称电场耦合或静电耦合
。是由于分布电容的存在而产生的耦合。
（
4
）电磁
感应耦合：又称磁场耦
合。是由于分布电磁感应而产生的耦合。
（
< br>5
）漏电耦合：
这种耦
合是纯电阻性的，在绝缘不好时就会发生。
常用硬件抗干扰技术针对形成干扰的三要素，
采取的抗干扰主要有以下手段。
1
抑制干扰源抑制干扰源就是尽可能的减小干
扰源的
du/dt
，
di/dt
。这是抗干扰设计中最优先考虑和最重要的原则，常常会起到事半功倍的效果。
减小干扰源的
du/dt
主要是通过在干扰源两端并联
电容来实现。减小干扰源的
di/dt
则是在
< br>干扰源回路串联电感或电阻以及增加续流二极管来实现。
电子元件（
10
）
<
晶体管的选用经验
>
晶体管的品种繁多，
不同的电子设备与不同的电子电路，
对晶体管各项性能指标
的要求是不同的。
所以，
应根据应用电路的具体要求来选择不同
用途，
不同类型
的晶体管。
＃
1
．
一般高频晶体管的选用一般小信号处理（
例如图像中放、
伴音
中放、缓
冲放大<
/p>
等）
电路中
使用的
高频晶
体管，
可以
选用特
征频率
范围在
30~300MHZ
的高频晶体管，
例如
3DG6
、
3DG8
、
3CG21
、
2SA1015
、
2S
A673
、
2SA733
、
S9011
、
S9012
、
S9014
、
S9015
、
2N5551
、
2N5
401
、
BC337
、
BC338
、
BC548
、
BC558
等型号的小功率晶体管，
可
根据电路的要求选择晶体管的材料与极性，
还要考虑
被选晶体管
的耗散功率、
集电极最大电流、
最大反向电压、
电流放大系数等参数
及外地人形尺寸等是否符合应用电路的要求。
＃
2
．
末级视放输出管的
选用彩色
电视机中使用的末级视放输出管，应选用特征频率高于
80MHZ
的高频晶体管。
21in
（
in=0.0254m
）以下的中小
屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管
,
其耗
散功率应大于或等于
750mW,
最大集电极电流应大
于或等于
50mA,
最高反向电压
应
大于
200V,
一般可选用
3DG18
2J
、
2SC2229
、
2SC3942
等型号的晶体管。
25
英
寸以上的大屏幕彩色电视机中使用的末级视放输出管，
< br>其耗散功率应大于或等于
1.5W
，最大集电极电流应大
于或等于
50mA
，最高反向电压应大于
300V
，一般可
选用
3DG18
2N
、
2SC2068
、
2SC2611
、
2SC2482
< br>等型号的晶体管。
＃
3
．行推动管
的选用彩色电视机中使用的行推动管，
< br>应选用中、
大功率的高频晶体管。
其耗散
功率应大于或等于
10W
，最大集电极电流应大于
150mA
，最高反向电压应大于或
等于<
/p>
250V
。一般可选用
3DK204<
/p>
、
2SC1569
、
2SC2482
、
2SC2655
、
2SC2688
等型号
的三极管。<
/p>
＃
4
．
行输出
管的选用彩色电视机中使用的行输出管属于高反压大功
率晶体管，其最高反向电压应大于
或等于
1200V
，耗散功率应大于或等于
50W
，
最大集电极电流应大于或等于
3.5A
（大屏幕彩色电视机行输出管的耗散功率应
大于
或等于
60W
，最大集电极电流应大于
5A
）。
21
英寸以下小屏幕彩色电
视机
的行输出管可选用
2SD869
、
2SD870
、
2SD871
、
2SD899A
、
2
SD950
、
8050
可以用什么三极管代换？
9013
用什么三极管代换？
你只要了解一些三极管的参数，自己就可以做替换了。
型号
类型
技术参数
9013
NPN
25V
0.1A
8050
NPN
25V
1A
3055
NPN
100V 15A
5551
NPN
180V 0.6A
1507
NPN
300V 0.2A
3039
NPN
500V 7A
1453
NPN
1500V 3A
2SD1884
NPN
1500V 5A
MJE13003
NPN
400V 1.5A
MJE13005
NPN
400V 4A
MJE13007
NPN
400V 8A
最后这三种管子较其它耐高压的管子便宜。
三极管参数英文代表
我在学
MULTISIM2001
的仿真软件，上面
有好多用英文字母来代表的参数我不认识（如
BF
——
放大倍数
，
RB
——
反向击穿电压。
~~~~~~~~~
以前都是
HEF
代表放大倍数）
现
在搞不懂
三极管参数中文字符号英文对照
Pcm
集电极最大耗散功率
Icm
集电极最大允许电流
V(br)cbo
发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压
V(br)ceo
基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压
V(br)ebo
集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压
Icbo
发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流
Iceo
基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流
Iebo
集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流
Vce(sat)
基极与发射极间的正向饱和压降
Vbe(sat)
集电极与发射极间的反向饱和压降
hFE
共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）
Ft
特征频率（共发射极电流放大
系数下降到
1
时的频率）
Cob
共基极输出电容
Nf
嗓声系数
Fa
共基极截止频率
Hre
共发射极交流输入开路时的电压反馈系数
Gp
共基极时功率增益
Kp
共发射极时功率增益
Vf
正向降压
Vr
反向降压
Typ
典型值
Max
最大值
Min
最小值
If
正向电流
Ir
反向电流
Toff
关闭时间
共发极交流输入开路时的输示
所有厂家的英文缩写与中文全称
,<
/p>
你自已对照吧
ADV
美国先进半导体公司
AEG
美国
AEG
公司
AEI
英国联合电子工业公司
AEL
英、德半导体器件股份公司
ALE
美国
ALEGROMICRO
公司
ALP
美国
ALPHA INDNSTRLES
公司
AME
挪威微电子技术公司
AMP
美国安派克斯电子公司
AMS
美国微系统公司
APT
美国先进功率技术公司
ATE
意大利米兰
ATES
公司
< br>
ATT
美国电话电报公司
AVA
美、德先进技术公司
BEN
美国本迪克斯有限公司
BHA
印度
BHARAT
电子有限公司
CAL
美国
CALOGIC
公司
CDI
印度大陆器件公司
CEN
美国中央半导体公司
CLV
美国
CLEVITE
晶体管公司
COL
美国
COLLMER
公司
CRI
美国克里姆森半导体公司
CTR
美国通信晶体管公司
CSA
美国
CSA
工业公司
DIC
美国狄克逊电子公司
DIO
美国二极管公司
DIR
美国
DIRECTED
ENERGR
公司
LUC
英、德
LUCCAS
电气股份公司
MAC
美国
M/A
康姆半导体产品公司
MAR
英国马可尼电子器件公司
MAL
美国
MALLORY
国际公司
MAT
日本松下公司
MCR
美国
MCRWVE
TECH
公司
MIC
中国香港微电子股份公司
MIS
德、意
MISTRAL
公司
MIT
日本三菱公司
MOT
美国莫托罗拉半导体公司
MUL
英国马德拉有限公司
NAS
美、德北美半导体电子公司
NEW
英国新市场晶体管有限公司
NIP
日本日电公司
NJR
日本新日本无线电股份有公司
NSC
美国国家半导体公司
NUC
美国核电子产品公司
OKI
日本冲电气工业公司
OMN
美国
OMNIREL
公司
OPT
美国
OPTEK
公司
ORG
日本欧里井电气公司
PHI
荷兰飞利浦公司
POL
美国
PORYFET
公司
POW
美国何雷克斯公司
PIS
美国普利西产品公司
PTC
美国功率晶体管公司
RAY
美、德雷声半导体公司
REC
美国无线电公司
RET
美国雷蒂肯公司
RFG
美国射频增益公司
RTC
法、德
RTC
无线电技术公司
SAK
日本三肯公司
SAM
韩国三星公司
SAN
日本三舍公司
SEL
英国塞米特朗公司
DIT
德国
DITRATHERM
公司
ETC
美国电子晶体管公司
FCH
美国范恰得公司
FER
英、德费兰蒂有限公司
FJD
日本富士电机公司
FRE
美国
FEDERICK
公司
FUI
日本富士通公司
FUM
美国富士通微电子公司
GEC
美国詹特朗公司
GEN
美国通用电气公司
GEU
加拿大
GENNUM
公司
GPD
美国锗功率器件公司
HAR
美国哈里斯半导体公司
HFO
德国
VHB
联合企业
HIT
日本日立公司
HSC
美国
HELLOS
半导体公司
IDI
美国国际器件公司
INJ
日本国际器件公司
INR
美、德国际整流器件公司
INT
美国
INTER FET
公司
IPR
罗、德
I P R S
BANEASA
公司
ISI
英国英特锡尔公司
ITT
德国楞茨标准电气公司
IXY
美国电报公司半导体体部
KOR
韩国电子公司
KYO
日本东光股份公司
LTT
法国电话公司
SEM
美国半导体公司
SES
法国巴黎斯公司
SGS
法、意电子元件股份公司
SHI
日本芝蒲电气公司
SIE
德国西门子
AG
公司
SIG
美国西格尼蒂克斯公司
SIL
美、德硅技术公司
SML
美、德塞迈拉布公司
SOL
美、德固体电子公司
SON
日本萦尼公司
SPE
美国空间功率电子学公司
SPR
美国史普拉格公司
SSI
美国固体工业公司
STC
美国硅晶体管公司
STI
美国半导体技术公司
SUP
美国超技术公司
TDY
美、德
TELEDYNE
晶体管电子公司
TEL
德国德律风根电子公司
TES
捷克
TESLA
公司
THO
法国汤姆逊公司
TIX
美国德州仪器公司
TOG
日本东北金属工业公司
TOS
日本东芝公司
TOY
日本罗姆公司
TRA
美国晶体管有限公司
TRW
英、德
TRN
半导体公司
UCA
英、德联合碳化物公司电子分部
UNI
美国尤尼特罗德公司
UNR
波兰外资企业公司
WAB
美、德
WALBERN
器件公司
WES
英国韦斯特科德半导体公司
VAL
德国凡尔伏公司
YAU
日本
GENERAL
股份公司
ZET
英国
XETEX
公司
行管和电源管资料
MPSA42
NPN 21E
电话视频放大
300V0.5A0.625W
|
MPSA92 PNP 21E
电话视频放大
300V0.5A0.625W
MPS2222A NPN 21
高频放大
75V0.6A0.625W300MHZ
9011 NPN EBC
高频放大
50V30mA0.4W150MHz
9012 PNP
贴片低频放大
50V0.5A0.625W
9013 NPN EBC
低频放大
50V0.5A0.625W
9013 NPN
贴片低频放大
50V0.5A0.625W
9014 NPN EBC
低噪放大
50V0.1A0.4W150MHZ
9015 PNP EBC
低噪放大
50V0.1A0.4W150MHZ
9018 NPN EBC
高频放大
30V50MA0.4W1GHZ
8050 NPN EBC
高频放大
40V1.5A1W100MHZ
8550 PNP EBC
高频放大
40V1.5A1W100MHZ
2N2222 NPN 4A
高频放大
60V0.8A0.5W25/200NSβ=45
2N2222A NPN
小铁高频放大
75V0.6A0.625W300MHZ
2N2369 NPN 4A
开关
40V0.5A0.3W800MHZ
2N2907 NPN 4A
通用
60V0.6A0.4W26/70NSβ=200
2N3055 NPN 12
功率放大
100V15A115W
2N3440 NPN 6
视放开关
450V1A1W15MHZ
2N3773 NPN 12
音频功放开关
160V16A150W COP 2N6609
2N3904 NPN 21E
通
用
60V0.2Aβ=100
-400
2N3906 PNP 21E
通
用
40V0.2Aβ=100
-400
2N5401 PNP 21E
视频放大
160V0.6A0.625W100MHZ
2N5551 NPN 21E
视频放大
160V0.6A0.625W100MHZ
2N5685 NPN 12
音频功放开关
60V50A300W
2N6277 NPN 12
功放开关
180V50A250W
2N6609 PNP 12
音频功放开关
160V15A150W COP 2N3773
2N6678 NPN 12
音频功放开关
650V15A175W15MHZ
2N6718 NPN
小铁音频功放开关
100V2A2W50MHZ
3DA87A NPN 6
视频放大
100V0.1A1W
3DG6A NPN 6
通用
15V20mA0.1W100MHz
3DG6B NPN 6
通用
20V20mA0.1W150MHz
3DG6C NPN 6
通用
20V20mA0.1W250MHz
3DG6D NPN 6
通用
30V20mA0.1W150MHz
3DG12C NPN 7
通用
45V0.3A0.7W200MHz
3DK2B NPN 7
开关
30V30mA0.2W
3DK4B NPN 7
开关
40V0.8A0.7W
3DK7C NPN 7
开关
25V50mA0.3W
3DD15D NPN 12
电源开关
300V5A50W
3DD102C NPN 12
电源开关
300V5A50W
3522V 5.2V
稳压管录像机用
A634 PNP 28E
音频功放开关
40V2A10W
A708 PNP 6 NF/S 80V0.7A0.8W
A715C PNP 29
音频功放开关
35V2.5A10W160MHZ
A733 PNP 21
通用
50V0.1A180MHZ
A741 PNP 4
A781
PNP 39B
开关
20V0.2A A928 PNP
ECB
通用
20V1A0.25W
A933 PNP 21 Uni 50V0.1A140MHz
A940 PNP 28
音频功放开关
150V1.5A25W4MHZ /C2073
A950 PNP 21
通用
30V0.8A0.6W
A966 PNP 21
音频激励输出
30V1.5A0.9W COP:C2236
A968 PNP 28
音频功放开关
160V1.5A25W100MHZ
/C2238 |350V2A15W
A1012 PNP
28
音频功率放
60V5A2
A1013 PNP 21
视频放大
160V1A0.9W
A1015 PNP 21
通用
60V0.15A0.4W8MHZ
A1020 PNP 21
音频开关
50V2A0.9W
A1123 PNP 21
低噪放大
150V0.05A0.75W
A1162 PNP 21d
通用贴片
50V0.15A0.15W
A1216 PNP BCE
功放开关
180V17A200W20MHZ /2922
A1220 PNP 29
音频功
放开关
120V1.5A20W150MHZ/C2690
A1265 PNP BCE
功放开关
140V10A100W30MHZ /C3182
A1295 PNP BCE
功放开关
230V17A200W30MHZ /C3264
A1301 PNP BCE
功放开关
160V10A100W30MHZ /C3280
A1302 PNP BCE
功放开关
200V15A150W30MHZ /C3281
A1358 ? PNP
高频
120V1A10W120MHZ
A1444 PNP BCE
高速电源开关
100V15A30W80MHZ
A1494 PNP BCE
功放开关
200V17A200W20MHZ /C3858
A1516 PNP BCE
功放开关
180V12A130W25MHZ
A1668 PNP 28B
电源开关
200V2A25W20MHZ
A1785 PNP BCE
驱动
400V1A1W/120V1A0.9W140MH
0Uz
A1941 PNP BCE
功放开关
140V10A100WCOP:5198
A1943 PNP BCE
功放开关
230V15A150W /C5200
A1988 PNP 30
功放开关
B449 PNP 12
功放开关
50V3.5A22.5W
锗管
B631K PNP 29
音频功放开关
120V1A8W130MHZ /D600K
B647 PNP 21
通用
120V1A0.9W140MHZ /D667
B649 PNP 29
视放
180V1.5A1W /D669
B669 PNP 28
达林顿功放
70V4A40W
B673 PNP 28
达林顿功放
100V7A40W
B675 PNP 28
达林顿功放
60V7A40W
B688 PNP BCE
音频功放开关
120V8A80W /D718
B734 PNP 39B
通用
60V1A1W /D774
B744 PNP 21
通用
30V0.1A0.25W
B772 PNP 29
音频功放开关
40V3A10W
B774 PNP 21
通用
30V0.1A0.25W
B817 PNP 30
功放开关
160V12A100W /D1047
B834 PNP 28
功放开关
60V3A30W
B937A PNP
功放开关
60V2A35
B1020 PNP 28
功放开关达林顿
100V7A40Wβ=6000
B1079 PNP 30
达林顿功放
100V20A100Wβ=5000/D1559
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