-
半导体照明术语对照表
2009
年
2
月
< br>
序号
大陆术语
英文
定义
台湾地区
术语
半導體
一、基本术语
1-01
半导体
semiconductor
两种载流子引起的总电导率通常在导体和绝
缘体之间的一种材料
，这种材料中的载流子
浓度随外部条件改变而变化。
其基本特性是由在半导体中的载流子流动所
决定的器件。
具有非对称的电压电流特性的两引出端半导
体器件。
当被电流激发时通过传导电子和光子的再复
< br>合产生受激辐射而发出非相干光的一种半导
体二极管。
1-02
1-03
1-04
半导体器件
semiconductor
device
半導體元件
(
半導體
)
二極
體
發光二極體
[
半导体
]
二极管
(semiconductor)
diode
发光二极管；
LED
light-emitting
diode
solid state
lighting
semiconductor
lighting
substrate
epitaxial wafer
1-05
固态照明
采用固体发光材料，如发光二极管（
LED
）、
固態照明
场致发光（
EL
）、有机发光（
OLED
）等作
为
光源的照明方式。
采用
LED
作为光源的照明方式。
< br>用于外延沉积、扩散、离子注入等后序工艺
操作的基体单晶片。
< br>
用外延方法制备的具有电致发光功能的结构
片。
半導體照明
基板
磊晶片
1-06
1-07
1-08
1-09
1-10
半导体照明
衬底
外延片
发光二极管芯片
light-
emitting
diode chip
LED
模块
LED module
具有
PN
结结构、有独立正负电极、加电后可
發光二極體晶
< br>片
(
粒
)
辐射发光的分立半导体晶片。
由
单个或多个发光二极管芯片和驱动电路、
控制电路封装在一起、带有连接接口并具有
发光功能且不可拆卸的整体单元。
LED
模組
1-12
1-13
1-14
1-15
LED
组件
内量子效率
出光效率
注入效率
LED
discreteness
inner quantum
efficiency
light extraction
efficiency
Injection
efficiency
由
LED
或
LED
模块和电子元器件组合在一起，<
/p>
LED
元組件
具有一定功能并可维修或拆卸的组合单元。
< br>有源区产生的光子数与所注入有源区的电子
-
空穴对数之
比。
逸出
LED
结构的光子数与有源区产生的光子
数之比。
內部量子效率
出光效率
注入
LED
的电子
-
空穴对数与注入有源
区的电
注入效率
子
< br>-
空穴对数之比。
台湾地区
术语
序号
1-16
大陆术语
外量子效率
英文
outer quantum
efficiency
定义
逸出
LED
结构的光子数与注入
LED
的电子
-
空
外部量子效率
穴对数之比，等于内量子效率与
出光效率和
注入效率的乘积。
二、<
/p>
LED
类型
2-01
2-02
2-03
2-04
2-05
2-06
2-07
2-08
2-09
单色光
LED
monochromatic light
发出单一颜色光的
LED
，
有红色
、
绿色
、
蓝色、
單色
LED
LED
黄色、紫色等。
white
light LED
用单色芯片加荧光粉或多色芯片组合合成
白
色光的
LED
。
带有正负极引线、适用于穿孔直插安装工艺
的
LED
。
正负电极在封
装基板上、适用于表面贴装工
艺的
LED
。
白光
LED
砲彈型封裝
LED
表面封裝型
LED
白光
LED
直插式
< br>LED
；
Dual In-
line
DIP LED
Package LED
贴片式
LED
；
Surface Mounted
SMD LED
Devices LED
小功率
LED
功率
LED
LED
数码管
LED
显示器
LED
背光源
low power LED
power LED
LED nixietube
LED displayer
LED backlight
单芯
片工作电流在
100mA
（含
100m
A
）以下的
小功率
LED
发光二极管。
工作电流
在
100mA
以上的发光二极管。
<
/p>
采用
LED
显示数字或字符的器件或模块
。
采用
LED
显示数字、符号或图形的器件或模
块。
高功率
LED
LED
尼士管
LED
顯示器
采用
LED
作光源，
为被动显示提供
光源的
LED
LED
背光源
器件或模块。
用气相
、液相或分子束等方法在衬底上生长
单晶材料的工艺。在衬底上生长组分与衬底
材料相同的单晶材料，称同质外延；在衬底
上生长与衬底组分不同的单晶
材料，称异质
外延。
组分不同或掺杂
不同的半导体超薄层材料交
替排列形成载流子势垒或势阱，并且具有量
< br>子效应的材料结构。
磊晶
三、外延（工艺）
3-01
外延
epitaxy
3-02
量子阱
quantum well
量子井
3-03
3-04
3-05
单量子阱
多量子阱
single
quantum well
只有一个量子阱的材料结构。
multi-quantum well
包含多个单量子阱的材料结构。
單層量子井
多層量子井
金属有机化学汽
metal organic
相沉积；
chemical
vapor
MOCVD
deposition
超晶格
super
lattice
金属有机化合物和非金属氢化物的汽相源经
有
機金屬化合
热分解合成反应外延生长单晶材料的方法。
物半導體磊晶
技術
< br>两种（或两种以上）组分（或导电类型）不
同、厚度极小的薄层材料交替生长在一
起而
得到的一种多周期材料结构，其薄层厚度远
大于材料的晶格
常数，但接近于或小于电子
的平均自由程（或其德布洛意波长）。
由两种或两种以上不同的半导体材料形成的
异型（
P-N
）异质结构或同型（
P-P
或
N-N
）
2
3-06
超晶格
3-07
异质结
heterogeneous
structure
異質接面
台湾地区
术语
序号
大陆术语
英文
异质结构。
定义
3-08
3-09
3-10
单异质结
双异质结
single
heterojunction
double
heterojunction
由两种不同的半导体材料形成
的异型（
P-N
）
單異質接面
异质结构或同型（
P-P
或
N-N
）异质结构。
包含两个异质结的异质结构。
雙異質接面
图形化衬底
graphical
substrate
在外延生长前，采用蚀刻的方法，在表面形
成一定图案的衬底。
wet etching
将晶片浸没于化学溶液中，通过化学反应去
除晶片上不需要的部分，使光刻
图形转移到
晶片表面。
将晶片置于等
离子气体中，通过气体放电去
除晶片上不需要的部分，使光刻图形转移到
晶片表面。
利用光学的方法，对涂布在晶片表面的光
刻
胶进行光化学反应的过程。
在一定的温度下，使光刻胶固化的过程。
将原材料通过某种方法变成蒸汽，使其在真
空状态下沉积在待镀材料表面。
利用激光照射在芯片上，使外延层和衬底界
面
处熔化，从而将二种材料分离的方法。
电压
< br>-
电流特性遵从欧姆定律的非整流性的
电和机械接触。<
/p>
蒸镀在芯片表面的一种化学成分为氧化铟锡
的透明导电膜，以形成欧姆接触，有利于电
流扩展及透光。
圖形化基板
四、芯片（工艺）
4-01
湿法蚀刻
濕式蝕刻
4-02
干法蚀刻
dry etching
乾式蝕刻
4-03
4-04
4-05
4-06
4-07
4-08
曝光
烘胶
蒸镀
激光剥离
欧姆接触
氧化铟锡电极
exposure
baking
evaporation
laser lift-off
ohmic contact
Indium Tin
Oxide
electrode ITO
曝光
烘烤
蒸鍍
雷射剝離
歐姆接觸
氧化銦錫電極
4-09
4-10
4-11
4-12
4-13
4-14
4-15
衬底转移；
金属键合
金属反射层
同侧电极结构
substrate
transfer
<
芯片制造
><
/p>
将外延材料的外延层键合到其它
metal bonding
衬底材料上并将原来的衬底去除的方法。
reflective metal
electrode <
/p>
在
LED
芯片表面蒸镀一层金属，形成一
种可
提高外量子效率的光反射层。
基板黏合
金屬反射層
lateral
electrode
P
、
N
电极在芯片的上面，使部分电流横向流
同側電極結構
过外延层的一种电极结构。
structure
vertical electrode
P
、
N
电极分
别在芯片的上下二端，使电流垂
垂直電極結構
直流过外延层的一种电极结构。
structure
support substrate
<
芯片制造
>
用来承载外延层或芯片，并提供
电极接触的一种材料。
surface roughening
在
< br>LED
外延片或芯片表面形成可以提高芯片
出光效率和外
量子效率的粗糙表面结构。
normal chip
发光二极管芯片电极在出光面上，衬底材料
与支架焊接在一起的一种芯
片结构。
3
垂直电极结构
承载基板
表面粗化
正装芯片
承載基板
表面粗化
傳統晶片
台湾地区
术语
覆晶晶片
序号
4-16
大陆术语
倒装芯片
英文
flip chip
chip sorting
complementary
electrode
定义
发光二极管芯片电极倒扣焊接在承载基板
上，形成一种芯片衬底（或靠原
衬底面）朝
上、引出电极在承载基板上的芯片结构。
按不同参数（例如电压、电流、波长、光强
等）对芯片进行分档测试选择
。
在
LED
芯片垂直结构中，为避免底部所发光
被顶部
N
< br>电极吸收，在
N
电极正下方电极区
域制作一个高阻层，使电流分布在
N
电极投
< br>影以外的互补区域。
发光二极管有源区发出的光从
LED
芯片的
N
面
取出。
4-17
4-18
4-19
芯片分选
内陷电极
互补电极
晶片分級
嵌入電極
互補電極
recessed
electrode
电极镶嵌在
LED
芯片外延层刻槽中。
4-20
4-21
N
面出光
侧面钝化
light
extraction
from N side
N
極出光
側面鈍化
lateral
passivation
在
LED
芯
片侧面镀上保护层，使芯片避免沾
污、保护芯片稳定性和可靠性。
leadframe
coat
提供引线端子和芯片焊接区域的一个或一组
零件。
五、封装
5-01
5-02
5-03
5-04
5-05
支架；
框架
点胶
装架
烧结
引线键合；
压焊
5-06
LED
封装
LED package
支架
在
LE
D
支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。
點膠
固晶
固化
打線
die attachment (die
将
LED
芯片安装在涂有银胶或绝缘胶的
PCB
bond)
或
LED
支架相应的位置上。
sinter
wire bonding
通过高温加热，使银胶固化。
为了形
成欧姆接触用金属引线连接
LED
芯片
电极与支架（框架）的引出端。
将
L
ED
芯片和焊线包封起来
，
并提供电连
接、
LED
封裝
出光和散热通道、机械和环境保护及外形尺
寸。
采用模条灌装成型的封装方式。
采用模压成型的封装方式。
采用点胶成型的封装方式，也称软包封。
与功率芯片粘接在一起的可以传导热量的金
属或其它材料的导热体。
在
LED
芯片与支架或热沉
中间放置一种合金
焊料（例如金或铅锡等），通过加温加压使
之
共熔的一种焊接方法。
嵌入
模具成型
點膠封裝
散熱片
共金結合
5-07
5-08
5-09
5-10
5-12
灌封
塑封
点胶封装
热沉
共晶焊
embedding
moulding
coating package
heat sink
eutectic bonding
5-13
5-14
5-15
5-16
5-17
透明介质
固化
切筋
气泡
黑点
transparent medium
无色透明的一种导电或非导电的胶状材料。
透明介質
cure
dam-bar cut
air bladder
stain
通过高温加热，使封装环氧固化。
切
断
LED
支架的连筋。
LED
封装体内存在的任何局部空隙。
4
固化
切腳
氣泡
外来异物在
LED
< br>封装体中所形成的点状体。
黑點
台湾地区
术语
序号
5-18
5-19
6-01
6-02
大陆术语
划痕
变色
可见光
辐射通量；
辐射功率
Ф
e
；
Ф
；
P<
/p>
光通量
Ф<
/p>
v
；
Ф
nick
英文
定义
LED
封装体表面上的机械划伤、
压伤
和外界杂
刮痕
质所引起的无序凹坑。
LED
封装体及支架镀层上的任何颜色变化。
變色
能直接引起视觉的光学辐射。其
波长范围一
般在
380
－
780nm
。
以辐射形式
发射、传播或接收的功率，单位
为
W
。
可見光
輻
射通量
;
輻射
功率
discoloration
visible
light
radiant flux
radiant
power
luminous flux
六、光度量术语
6-03
从辐射通量
Φ
e
导出的量，该量是根据辐射对
光通量
CIE
标准光度观测者的
作用来评价的。
对于明
视觉：
Φ
v
?
K
m
?
式中
:
830
360
d
Φ
e
(
λ
)
v
(
λ
)d
λ
d
λ
λ
)
是光谱光视效率。
布；
v
(
单位为
lm
d
Φ
e
(
λ
)
是辐射通量的
光谱分
d
λ
注
1
：
K
m
值<
/p>
(
明视觉
)
和<
/p>
K
m
’值
(
暗视觉
)
参见
GB
/T
2900.65-2004
定义
845-01-56
。
注
2
：
LED
的光通量
通常以它们所属种类的组来表示。
6-04
总光通量
Ф
total luminous flux
总光通量是在光源
立体角
4
π
范围内累积的
光通量之和。
總光通量
Φ
?
?
I
d
?
?
式中
I
为发光强度；
Ω
为光源立体角范围。
在给定的持续时间
< br>Δ
t
内，
辐射通量
Ф
e
的时
輻射能
间积分，单位为
J
。<
/p>
6-05
6-06
辐射能量
Q
е
；
Q
光量
radiant energy
Q
v
；
Q
6-07
辐射强度
quantity of
light
在给定的持续时间
Δ
t<
/p>
内，
光通量
Ф
v
的时间
總光量
积分，单位为
lm/s
。
radiant intensity
离开辐射源的，
在包含给定方向的立体角元
d
輻射強度
Ω
内传播的辐射能量
d
Ф
e
除以该立体角元，
单位为
W
／
sr
。
luminous intensity
离开光源的，在包含给定方向的立体角元
d
光強度
Ω
内传播的光通量
d
Ф
v
除以该立体角
元，单
位：
cd=lm/sr
I
e
；
I
6-08
发光强度
I
V
；
I
6-09
平均发光强度
averaged
luminous
光源在一定的立体角内发射的光（或辐射）
平均光強度
I
LED
Ae
、
I
LED
Av
、
I
LED
Intensity
通量与该立体角的比，可表示为
:
B
e
、
I
LED
Bv
I
v
?
Φ
v
?
<
/p>
2
注：
CIE
推
荐标准条件
A
（探测器面积
1cm
，光源到
5
台湾地区
术语
序号
大陆术语
英文
定义
探测器间距
316mm
，
对应立体角为
0.001
Ω
）
和
B
（探
2
测器面积
1cm
，光源到探测器间距<
/p>
100mm
，对应立体
角为
0.01
Ω
）分别来测量远场和近场条件下的平均<
/p>
LED
发光强度
,
可以分别用符号
I
LED
Ae
、
I
LED
Av
、
I
LED
Be
、
I
LED
Bv
来表示。
6-10
辐射亮度
radiance
给定点的辐射束元在给定方向上的辐射强
度，与辐射束元垂直于指定方
向上的面积之
比。其数值与辐射面的性质有关，并且随方
2
向而变化，单位为
W/(m
.sr)
。
给定点的光束元在给定方向上的发光强度
，
与光束元垂直于指定方向上的面积之比。单
2
位为
cd/m
。
包含该点的面元上所接收的辐射通量与该点
2
面元
面积之比。单位为
W/m
。
包含该点的面元上所接收的光通量，与该点
2
面
元面积之比。单位为
lx
或
lm/m<
/p>
。
被照表面接收到的光通量与接收面积
的比
2
值，单位为
lx
或
lm/m
。
离开包含该点面元的辐射通量，与该点面元
2
面积之
比。单位：
W/m
。
輻射率
(
輻射
亮度
)
6-11
光亮度
L
V
辐射照度
E
e
；
E
光照度
E
v
；
E
平均照度
E
o
辐射出射度
M
e
；
M
流明
lm
luminance
irradiance
illuminance
average illuminance
radiant Exitance
lumen
輝度
6-12
6-13
6-14
6-15
6-16
輻射照度
照度
平均照度
輻射發散度
(
輻射出射度
)
光通量的
SI
单位：由一个发光强度为
1cd
的
流明
均匀点光源在单位立体角（球面度）内发射
的光通量。
< br>（第
9
届国际度量大会，
194
8
年）
。
等
效定义：频率为
540
×
10
赫兹、辐射通量
为
1/683
< br>瓦特的单色辐射束的光通量。
12
6-17
辐射效率
η
e
radiant efficiency
辐射源发射的辐射功
率
Ф
e
与其消耗的电功率
輻射效率
P
的比值。
6-18
发光效能；
luminous
efficacy
光源发射的光通量
Ф
V
与其消耗的电功率
P
的
發光效率
光源的光视效能
luminous
efficacy
比值，单位为
lm/W
。
of a source
η
V
辐射的光视效能
luminous
efficacy
光源发射的光通量
Ф
V
与其发射的辐射功率
Ф
視效函數<
/p>
(
光
見度
)
of radiation
e
的比值，单位为
< br>lm/W
。
K
眩光
glare
< br>由于光亮度的分布或范围不恰当，或对比度
太强，而引起不舒适感或分辨细节或物
体的
能力减弱的视觉条件。
关于主辐射能分布中心的一条直线。
注：除非另有规定，光轴即为最大辐射能的方向。
6-18
6-20
眩光
6-21
6-22
6-23
光轴
半强度角
θ
1/2
立体角
optical axis
half-intensity
angle
solid angle
光軸
半功率發射角
(
半強度角
< br>)
立體角
< br>发光强度值为光轴向强度值一半时光束方向
与光轴向（法向）的夹角。
以立体角的顶点为球心，以
r
< br>为半径作一个
球面，则此立体角为其边界在此球面上所截
的面积
dS
与半径
r
< br>的平方之比。
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
上一篇：LED灯具英文翻译
下一篇：LED屏幕显示系统中英文对照外文翻译文献