Fab厂常用术语

Fab

厂常用术语

some phrases and words in FAB cleanroom system

A.M.U

原子质量数

ADI After develop inspection

显影后检视

! n( + q8 _% g

' z

* p% H- r+ B

* Y: v

9 M! V

8 }

AEI

蚀科后检查

% Y4 _+ @7 ^%

v9 U,

g

Alignment

排成一直线，对平

7 B: R) M; B

R# i5

d

Alloy

融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值

ARC

：

anti-reflect coating

防反射层

ASHER:

一种干法刻蚀方式

ASI

光阻去除后检查

Backside

晶片背面

0 |' M

@6

~2 -

K. V(

F* L2 Y. @! {

: i2 t

4 t

Backside Etch

背面蚀刻

8 |! f9 Z) _

4 ^4 I

6 a. k

2 J8 m

Beam-Current

电子束电流

BPSG:

含有硼磷的硅玻璃

/ | 0 `& u%

J

Break

中断，

stepper

机台内中途停止键

Cassette

装晶片的晶舟

CD

：

critical dimension

关键性尺寸

Chamber

反应室

7 P) : K

l0 C3

O5 T0

u

Chart

图表

Child lot

子批

Chip (die)

晶粒

CMP

化学机械研磨

, U( a

E1 H*

^

Coater

光阻覆盖（机台）

Coating

涂布，光阻覆盖

Contact Hole

接触窗

1 r

/ l

Control Wafer

控片

Critical layer

重要层

CVD

化学气相淀积

# 3 U/ J M7 e)

Cycle time

生产周期

Defect

缺陷

! e) e) j% b)

L Y

4 B

h; Z)

I! G

DEP: deposit

淀积

- w) i7 q4 x; [(

Descum

预处理

% u$$ j$$ I6 Z* J3

g/ j

Developer

显影液；显影（机台）

Development

显影

DG: dual gate

双门

B8 X2 V* X.

l6 H1

G% r

DI water

去离子水

5 w/ j8 ^1 F4 R7

Diffusion

扩散

@+ W& ~# Q; Q

4 J0 j

& i' h

9 k; |

; c

Doping

掺杂

4 j6 `' H

k8 R8

Dose

剂量

Downgrade

降级

0 z2 Z* K, {$$

y' d!

a

DRC: design rule check

设计规则检查

8 }: W( O* n8 z/

d

Dry Clean

干洗

Due date

交期

Dummy wafer

挡片

5 W. W

K/ r7

O3 @:

E/R: etch rate

蚀刻速率

EE

设备工程师

End Point

蚀刻终点

8 I2 T1 ]; m/

z$$ l(

x

ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage

静电离子损伤

ET: etch

蚀刻

0 c8 r! S7 R' ^%

~' l;

|/ z

( N4 r

~+ T-

~* n)

i7 v

Exhaust

排气（将管路中的空气排除）

Exposure

曝光

/ n' O( p7 D( S%

FAB

工厂

FIB: focused ion beam

聚焦离子束

Field Oxide

场氧化层

Flatness

平坦度

Focus

焦距

c6 x: ~/

P' v*

Foundry

代工

: K; b5 H% S; {'

N( J3

t' P*

v

FSG:

含有氟的硅玻璃

Furnace

炉管

3 E( ?/ b, k6 l,

H$$ U5

{

/ z5 y$$ x X! J- Q

& @+ ^

GOI: gate oxide integrity

门氧化层完整性

H.M.D.S Hexamethyldisilazan e,

经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着

力 的化合物，称

H.M.D.S

HCI: hot carrier injection

热载流子注入

8 J g/ x6 q. Q4

e6 `7

|. y5

HDP

：

high density plasma

高密度等离子体

; |% ?# [ {- g

High-Voltage

高压

$$ |

u! c9 ~+ e

/ X- |

$$ H. w

+ w$$ j

Hot bake

烘烤

! T5 t

ID

辨认，鉴定

Implant

植入

/ @8 ?/ p

e- N-

4 ^# n3 c- W5 X$$

J0 v!

V

Layer

层次

LDD: lightly doped drain

轻掺杂漏

Local defocus

局部失焦因机台或晶片造成之脏污

/ r2 P5 L5 T

' Q0 a

0 h3 d

5 ]8 }

LOCOS: local oxidation of silicon

局部氧化

Loop

巡路

Lot

批

Mask (reticle)

光罩

Merge

合并

Metal Via

金属接触窗

MFG

制造部

) l

u0 H2

A% `

$$ B2 f3 b

Y! W*

M

Z( o1 o' L' ~3

E% d(

s

5 F1 j5 k) N;

`1 t'

Q1 L1

?

Mid-Current

中电流

Module

部门

NIT: Si3N4

氮化硅

) b9 [+ F* `6 q0

Y d

Non- critical

非重要

NP: n-doped plus(N+) N

型重掺杂

NW: n-doped well N

阱

% A1 t4 E7 M; C

L;

w$$ g/ ^

/ J. T

8 ?

{$$ X0 |4

i4 Y8

D4 t

OD: oxide definition

定义氧化层

OM: optic microscope

光学显微镜

5 y5 X! W/ j o

OOC

超出控制界线

; L2 t: i6 j1 S)

v. {7

[

OOS

超出规格界线

Over Etch

过蚀刻

* c: a. j( S8 F8

v0 k#

k

Over flow

溢出

Overlay

测量前层与本层之间曝光的准确度

OX: SiO2

二氧化硅

P.R. Photo resisit

光阻

P1: poly

多晶硅

PA; passivation

钝化层

Parent lot

母批

Particle

含尘量

/

微尘粒子

+ o F! _; P%

w; }0

L0 c

PE: 1. process engineer; 2. plasma enhance 1

、工艺工程师

2

、等离子体增强

PH: photo

黄光或微影

Pilot

实验的

Plasma

电浆

Pod

装晶舟与晶片的盒子

Polymer

聚合物

6 b

}3 n%

V

) {3 l

) E5 j

2 u3 k

k8 _1

H

' A3 Y: u) G6 H#

y* I0

X

POR Process of record

PP: p-doped plus(P+) P

型重掺杂

PR: photo resist

光阻

PVD

物理气相淀积