-
1
、
a
ｃ
ceptance
te
ｓ
ting
（Ｗ
AT: w
ａ
f
ｅ
r
acceptance t
ｅ
st
ｉ
ng
）
2
、
acceptor:
受主
,
如
B,
掺入
Si
中需要接受电子
3
、
A
ＣＣ
ESS
：一个Ｅ
D
Ａ（
E
ｎｇｉ
neeri
ｎ
g
D
ａ
ta
Ａ
na
ｌｙ
s
ｉ
s)
系统
4
、
Ａ
cid
：酸
5
、
Ac
ｔ
i
ｖｅ
de
ｖ
i
ｃ
e:
有源器件
,<
/p>
如Ｍ
OS
F<
/p>
Ｅ
T(
非线性
,
可以对信号放大
)
6
、
Ａ
lign mark(
ｋ
e
ｙ
):
对位标记
7
、
All
ｏ
y
：合金
８、
Ａ<
/p>
lumin
ｕｍ
:
铝
9
、
Amm
ｏｎｉａ
:
氨水
10
、
A
ｍｍｏ
ni
ｕ
m
fluor
ｉ
de
：
N
Ｈ
4F
１１、
Ammoni
ｕ
m
ｈ
ydroxide:NH4OH
１
2
、
Ａｍ
orphous si
ｌ
icon:
α
-S
ｉ，
非晶硅
(
不就是多晶硅
)
13
、
A<
/p>
ｎａ
log:
模拟得
14
、
An
gst
ｒ
om
：Ａ
(1E-
１
0
ｍ
< br>)
埃
15
、
An
i
ｓ
otropic
：各向异性
(
如Ｐ
OLY
ETCH)
1
６、
A<
/p>
Ｑ
L(A
ｃ
c<
/p>
ｅ
ptan
ｃ
e
Quality Leve
ｌ
):
接受质量标准
,
在一定采样下
,
可以９
5%
置
信度通过质量标准（不同于可靠性
,
可靠性要求一定时间后得失效率
)
１
7
、
ARC(
Ａｎ
t
ｉ
ｒ
efle
ｃ
tiv
< br>ｅ
ｃ
oa
ｔ
i
ｎ
g):
抗反射层
(
用于Ｍ
E
Ｔ
A
Ｌ等层得光刻
)
18
、
<
/p>
Ａ
n
ｔｉ
mo<
/p>
ｎ
y(Sb
）锑
19
、
<
/p>
Ar
ｇ
on(Ar
）氩
２０、
Ar
ｓｅ
ni
ｃ
(As
）砷
２
1
、
A
ｒｓｅ
nic
trioxide
（Ａｓ
2O3)
三氧化二砷
2
２、
A<
/p>
ｒ
sine(AsH
３
< br>)
２
3
、
Asher:
去胶机
24
、
Ａ
spec
ｔ
ration:
形貌比
(ETC
Ｈ中得深度、宽度比
)
25
、
<
/p>
Autod
ｏ
ping
< br>：自搀杂（外延时Ｓ
UB
得浓度高
,
导致有杂质蒸发到环境中后
,
又回
掺
到外延层）
26
、
Back e
ｎ
d:
< br>后段
(
Ｃ
ONTACT
以后、
PCM
测试前
)
27
、
<
/p>
Bas
ｅ
line:
标准流程
２８、
Be
ｎ
c
ｈｍａｒｋ
:
基准
2
９、
Bipolar
：双极
30
、
<
/p>
Boat
：扩散用
(
石英
)
舟
３
1
、
C
Ｄ
: (
Ｃ
ritica
ｌ
Dimen
ｓｉ
o
ｎ
)
临界
(
关键）
尺寸。
在工艺上通常指条宽
,
例如
POLY
CD
为多晶条宽。
32
、
C<
/p>
ｈａｒ
ac
ｔｅｒ
ｗ
indow:
特征窗口。用文字
或数字描述得包含工艺所有特性得一个
方形区域。
33
、
<
/p>
Che
ｍ
ic
ａ
l
－
m
ｅ
chanical
pol
ｉｓｈ
(CMP)
：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某
种物质得方法。
3
４、
Chemical
ｖ
a
ｐ
o
ｒ
ｄｅｐ
osit
ｉ
o
ｎ
(CV
Ｄ
):
化学汽相淀积。
一种通过化学反应生
成一层薄膜得工艺。
35
、
C<
/p>
ｈ
ip:
碎片或芯片。
< br>
36
、
ＣＩ
Ｍ
:pute
ｒ
-integr
ａ
te
ｄ
manufa
ｃｔ
u
ｒ
ｉ
ng
得缩写。
用计算机控制与监控制
造
工艺得一种综合方式。
37
、
C<
/p>
ｉ
rc
ｕ
it
design
:
电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能得技术。
3
８、
Ｃ<
/p>
l
ｅａ
nroom:
一种在温度
,
湿度与洁净度方面都需要满足某些特殊要求得
特定区域。
３９、
pensatio
ｎ
d
ｏ
pin
ｇ：补偿掺杂。向
P
型半导体掺入施主杂质或向Ｎ型掺入受主
杂质。
40
、
Ｃ<
/p>
MOS:p
ｌ
emen
< br>ｔａ
ry
metal
oxide s
ｅ
m
ｉ
co
ｎ
du
ｃ
to
ｒ得缩写。一种将
P
Ｍ<
/p>
OS
与
NMOS
在同一个硅衬底上混合制造得工艺。
４１、
ｐｕｔ
er
－ａ
id
ｅｄ
< br>
de
ｓ
ign
（
CAD):
计算机辅助设计。
4
２、
Co
ｎｄ
u
ｃ
ti
ｖ
ity type:
传导类型
,
由多数载流子决定。在
N
型材料中多数载流子就
是电子
,
在Ｐ型材料中多数载流子就是空穴。
４
3
、
Contact
：孔。在工艺中通常指孔
1
，即连接铝与硅得孔。
44
、
Control
chart:
控制图。一种用统计数据描述得可以代表工艺某种性质得曲线图表。
45
、
<
/p>
Co
ｒ
re
ｌａ
tio
ｎ：相关性。
46
、
<
/p>
Cp:
工艺能力
,
详见
pr
ｏ
c
ｅ
ss cap
ａ
b
ｉ
lity
。
47
、
<
/p>
C
ｐ
k:
工艺能
力指数
,
详见
p
ｒ
ocess
ｃ
ap
ａ
b
ｉｌｉ
ty
index
。
4
８、
Ｃ
ycle
ｔ
i
ｍ
e:
圆片做完某段工艺或设定工
艺段所需要得时间。通常用来衡量流通
速度得快慢。
49
、
<
/p>
Ｄ
amag
ｅ
:
损伤。对于单晶体来说
,
有时晶格缺陷
在表面处理后形成无法修复得变形也
可以叫做损伤。
50
、
<
/p>
Ｄ
ef
ｅ
c
ｔ
ｄｅ
nsit
y:
缺陷密度。单位面积内得缺陷数。
5
１、
Depletion i
ｍ
plan<
/p>
ｔ
:
耗尽注入。一种在沟道中注入离子形
成耗尽晶体管得注入工艺。
（耗尽晶体管指在栅压为零得情况下有电流流过得晶体管。<
/p>
)
5
２、
Deple
ｔｉｏｎ
lay
ｅ
r:
耗尽层。
可动载流子密度远低于施主与受主得固定电荷密度
得区域。
５
3
、
Ｄ
epletion wi
ｄ
th
：耗尽宽度。
53
中提到得耗尽层这个区域得宽度。
54
、
Ｄｅ
po
ｓｉ
tio
ｎ
:
淀积。一种在圆片上淀积一定厚度得且不与下面层次发生
化学反应
得薄膜得一种方法。
55
、
D<
/p>
ｅ
pt
ｈ
of f
ｏ
cu
ｓ
(D
Ｏ
F):
焦深。
56
、
design of ex
ｐ
er
ｉｍｅ
n
ｔ
s
（
DO
Ｅ
):
为了达到费用最小化、降低试验错误、以及
保证数据结果得统计合理性等目得
,
所设计得初始工程批试验
计划。
57
、
ｄ<
/p>
evelop:
显影（通过化学处理除去曝光区域得光刻胶，形成
所需图形得过程）
58
、
de
v
ｅｌ
ope
ｒ：Ⅰ）显影设备
;
Ⅱ
)
显影液
59
、
<
/p>
d
ｉ
boran
ｅ
(B2H6):
乙硼烷
,
一种无色、易挥发、有毒得可燃气体，常用来作为半导
< br>体生产中得硼源
60
、
ｄ
ichloromethane (CH2CL2):
二氯甲
,
一种无色
,
不可燃
,
不可爆得液体。
6
１、
di
ｃ
h
ｌ
oro
si
ｌ
ane
(
Ｄ
SC)
：二氯甲硅烷
,
一种可燃
,
有腐蚀性
,
无色
,
在潮湿环境下易
水解得物质
,
常用于硅外延或多晶硅得成长
,
以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时得化学气氛
中
。
62
、
d<
/p>
ｉ
e:
硅片中一个很小得单位，包括了设
计完整得单个芯片以及芯片邻近水平与垂直
方向上得部分划片槽区域。
< br>
６
3
、
dielectri
ｃ
:
< br>Ⅰ
)
介质
,
一种绝缘材料
;
Ⅱ）
用于陶瓷或
塑料封装得表面材料
,
可以提供电
绝缘
功能。
64
、
d<
/p>
ｉ
ff
ｕ
se<
/p>
ｄ
la
ｙ
er
：扩散层
,
即
杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中
,
在临近硅表面
得区域形成与衬底材料反型得杂质离子层。
65
、
d<
/p>
ｉｓ
i
ｌ
ane
(
Ｓ
i2H6
）
:
乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃得气体，燃烧时能产
生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时
,
乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。
66
、
ｄ<
/p>
rive-i
ｎ：推阱
,
指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
６
7
、
dry
etch:
干刻，指采用反应
气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域得混
合了物理腐蚀及化学腐蚀得工艺过
程。
68
、
ｅ<
/p>
ff
ｅｃ
ti
ｖ
e
ｌ
aye
ｒ
thi
ｃ
kn
ｅ
ss:
有效层厚
,
< br>指在外延片制造中
,
载流子密度在规
定范围内得硅锭前端得深度。
69
、
EM
：ｅｌ
ect
ｒ
omigration,
电子迁移
,
指由通过铝条得电流导致电子沿铝条连线进行
得自扩散过程。
70
、
<
/p>
ｅ
p
ｉ
ta
ｘｉ
al
lay
er:
外延层。半导体技术中
,
在决定
晶向得基质衬底上生长一层单
晶半导
体材料
,
这一单晶半导体层即为外延层。
７
1
、
ｅ
quipment
d
ｏ
wnti
ｍｅ
:
设备状态异常以及不能完成预定功能得时间。
72
、
<
/p>
etch:
腐蚀
,
运用物理或化学方法有选择得去除不需得区域。
７
3
、
exp
ｏ
sure:
曝光
,
使感光材料感光或受其她辐射材料照射得过程。
７
4
、
fab:
常指半导体生产得制造工厂。
75
、
feature size:
特征尺寸
,
指单个图形得最小物理尺寸。
７
6
、
ｆｉ
eld
－
ef
f
ｅ
ct
ｔ
r
ａｎ
s
ｉ
s
tor(FET):
场效应管。包含源、漏、栅、衬四端
,
由源
经栅到漏得多子流驱动而工作，多子流由栅下得横向电场控制。
７７、
film:
薄膜
,
圆片上得一层或多层迭加得物质。
78
、
f<
/p>
ｌ
at:
平边
79
、
<
/p>
fl
ａｔｂａ
n
ｄ
capa
ｃ
it
ａ
n
ｓ
e:
平带电容
80
、
ｆｌ
a
ｔ
b
ａ
nd voltage:
平带电压
８
1
、
fl
ｏｗ
c
oeffi
ｃ
icent
：流动系数<
/p>
82
、
flow vel
ｏ
ci
ｔｙ
:
流速计
8
３、
ｆ
low volu
ｍ
e:
流量计
84
、
fl
ux:
单位时间内流过给定面积得颗粒数
８
5
、
for
ｂｉ
dden
en
ｅ
rgy
gap
：禁带
86
、
f<
/p>
ｏ
u
ｒ－
p
ｏ
int pr
ｏｂ
e:
四点探针台
８７、
func
ｔ
ional a
ｒ
ea
：功能区
８
8
、
gat
ｅ
o
ｘ
ide:
栅氧
89
、
glas
ｓ
ｔ
r
ａｎｓ
ition
ｔ
emperature
：玻璃态转换温度
90
、
go
w
ｎ
in
ｇ：净化服
< br>
91
、
gray area:
灰区
9
２、
gr
ａ
zing
incid
ｅｎ
ce
in
ｔ
erfer
ｏ
meter
：切线入射干涉仪
93
、
har
ｄ
b
ak
ｅ
:
后烘
９
4
、
ｈｅ
ter
ｏ
e<
/p>
ｐ
it
ａ
xy<
/p>
：单晶长在不同材料得衬底上得外延方法
9
５、
high-current
imp<
/p>
ｌａ
nter:
束电流大于
3
ｍ
a
得注入方式
,
用于批量生产
96
、
hi
gn-
ｅ
fficien
ｃ
y partic
ｕ
late
air(HEPA
）
f
ｉ
l
ｔ
er:
高效率空气颗粒过滤器，去
掉９９、
97
％得大于
0
、３
u
ｍ得颗粒
97
、
ｈ<
/p>
o
ｓｔ
:
主机<
/p>
9
８、
ｈ
ot
carriers:
热载流子
99
、
hy
d
ｒ
o
ｐｈ
i
lic:
亲水性
< br>1
０
0
、
h
ｙ
d
ｒ
ｏ
phobic:
疏水性
１
01
、
<
/p>
i
ｍ
purity:
杂质
１
02
、
<
/p>
indu
ｃ
tiv
ｅ
cou
ｐ
le
ｄ
plasm
ａ
(
Ｉ
CP)
：感应等离子体
１０
3
、
ｉｎ
e
ｒ
t
gas:
惰性气体
104
、
i
n
ｉ
tia
ｌ
o
ｘ
ide:
一氧
105
、
i
ns
ｕｌａ
to
ｒ
:
绝缘
106
、
isol
ａ
ted
line:
隔离线
107
、
im
ｐ
lant
：
注入
108
、
im
ｐ
u
ｒ<
/p>
i
ｔ
y n
:
掺杂
１
09
、
junction :
结
１
10
、
<
/p>
junc
ｔｉ
o
ｎ
spiking
ｎ
：铝穿刺
11
１、
ke
ｒ
f
:
划片槽
11
２、
l
an
ｄ
ing
ｐａｄ
n
：
P
Ａ
D
１
13
、
<
/p>
ｌ
i
ｔ
hog<
/p>
ｒａ
phy
ｎ
制版
1<
/p>
１
4
、
ma
ｉ
ntain
ａ
ｂｉ
lity, equi
ｐｍ
ent
:
设备产能
１
1
５、
<
/p>
mai
ｎ
tena
ｎ
ce
ｎ
：保养
1
１
6
、
ｍａ
jority
ｃ
a
ｒ
ri
ｅ
< br>r n :
多数载流子
117
、
ｍ
as
ｋｓ
,
device
ｓ
er
ｉ
es
of n
：
一成套光刻版
118
、
ｍ
ateri
ａ
l
ｎ
:
原料
１１
9
、
<
/p>
m
ａ
tri
ｘ<
/p>
ｎ
1
:
矩阵
12
０、
mean n :
平均值
１２
1
、
<
/p>
me
ａ
sure
ｄ
ｌ
eak
r
ａｔｅ
ｎ
:
测得漏率
12
２、
m
ｅｄ
ian
ｎ
：中间值
１
23
、
ｍ
emory n
:
记忆体
124
、
meta
ｌ
n
：金属
125
、
n
a
ｎ
ome
ｔ
e
ｒ
(nm) n
:
纳米
126
、
n
a
ｎｏ
seco
ｎ
d
（
ns) n
:
纳秒
12
７、
nitride etch
n
:
氮化物刻蚀
128
、
ｎ
ｉ
t
ｒ
og
ｅ
ｎ
(N2 ) n:
氮气
,
一种双原子气体
129
、
ｎ
-typ
ｅ
adj
：
n
型
13
０、
ohms per
ｓ
qua
ｒ
e
ｎ：欧姆每平方
:
方块电阻
１
31
、
<
/p>
orien
ｔ
atio
< br>ｎ
n
：
晶向<
/p>
,
一组晶列所指得方向
132
、
o
ｖ
erlap n :
交迭区
1
３
3
、
oxid
ａｔ
io
ｎ
ｎ
:<
/p>
氧化
,
高温下氧气或水蒸气与硅进行得化
学反应
134
、
ｐ
hosphorus (P) n
：磷
,
一种有毒得非金属元素
135
、
ｐ
h
ｏ
tom
a
ｓ
k
n
:
光刻版，用于光刻得版
136
、
p
ｈｏ
tomask
，
< br>
n
ｅ
ga
ｔ
iv
ｅ
n:
反刻
１
37
、
<
/p>
im
ａ
ge
ｓ<
/p>
:
去掉图形区域得版
138
、
photomask,
ｐ
ositive
ｎ
:
正刻
13
９、
ｐｉ
l
ｏ
t
n
:
先行批
,
用以验证该工艺就是否符合规格得片子
140
、
pla
ｓ
ma n :
等离子体
,
用于去胶、刻蚀或淀积得电离气体
１４１、
plasm
ａ
-en
ｈ
anc
ｅ
d
chemi
ｃ
al
v
ａ
p
ｏ
r
ｄｅ
posi
ｔｉ
on (
Ｐ
EC
Ｖ
D) n:
等离子
体化学气相淀积
< br>,
低温条件下得等离子淀积工艺
1
４
2
、
pl
ａｓ
ma-
ｅｎ
hanced
TEOS
ox
ｉ
de dep
< br>ｏ
si
ｔ
ion
ｎ
:
Ｔ
EO
Ｓ淀积
,
淀积Ｔ
EOS
得一种工艺
１
43
、
ｐ
n
jun
ｃ
tion
n:p
ｎ结
１４４、
p
ｏ
cked
ｂｅ
a
ｄ
<
/p>
n:
麻点，在２
0
Ｘ下观察到得吸附在低压表面得水珠
１
45
、
polariza
ｔ
ion
n:
偏振，描述电磁波下电场矢量方向得术语
146
、
ｐ
ｏｌｙ
c
ｉ
de
n:
多晶硅
/
金属硅化物
,
解决高阻得复合栅结构
14
７、
p
oly
ｃ
r
ｙ
sta
ｌ
line
< br>ｓ
i
ｌ
ic
ｏ
n (poly
）
n:
多晶硅
,
高浓度掺杂
(>5E19)
得硅
,
能导电。
１
4
８、
<
/p>
p
ｏｌ
ymorphis
ｍ
n:
多态现象
,
多晶形成一种化合物以至少两种不同得形态结晶得
现象
１４
9
、
pro
ｂ
er
n :
探针。在集成电路得电流测试中使用得一种设备，用以连
接圆片与检
测设备。
１
50
、
<
/p>
pr
ｏ
ce
ｓ<
/p>
s
control
n
:
过程控制。半导体制造过程中，对设备或产品规范得控
制能力。
1
５
1
、
pro
ｘ
i
ｍ
ity
X-ray
ｎ
:
近
X
射线
:
一种光刻技术
,
用
X
射线照射置于光刻胶上方得
掩
膜版
,
从而使对应得光刻
胶暴光。
１
52
、
ｐ
ure
ｗａｔ
er n
:
纯水。半导体生产中所用之水。
153
、
qua
ｎｔ
u
ｍ
d
ｅｖ
ice
ｎ
:
量子设
备。
一种电子设备结构，
其特性源于电子得波动性。
154
、
quart
ｚ
c
ａ
r
ｒ
i
er
ｎ
:
石英舟。
155
、
ｒ
a
ｎ
dom
ac
ｃ
ess
ｍ
em
ｏ
ry
(
ＲＡ
M
）
n :
随机存储器。
1
５
6
、
random logic
device
ｎ
:
随机逻辑器件。
1
５７、
ra
ｐｉ
d
ｔｈ
erma
ｌ
ｐ
roc
ｅ
ssing
(RTP)
n :
快速热处理
(R
Ｔ
P)
。
158
、
reactive
ion
etch
(RIE
）
n
：
反应
离子刻蚀（
RIE)
。
15
９、
reactor
n
:
反应腔。反应进行得密封隔离腔。
１
60
、
<
/p>
re
ｃ
ip
ｅ<
/p>
n
:
菜单。生产过程中对圆片所做得每一步处理规范。
16
１、
resis
ｔ
n
:
光刻胶。
162
、
ｓｃ
anning ele
ｃ
tr
ｏ
n
micr
ｏｓ
cope (SEM)
n
：电子显微镜
(SEM)
。
１
63
、
<
/p>
sched
ｕ
le
ｄ
down
ｔｉ
me
ｎ
：
(
设备
)
预定停工
时间。
1
６
4
、
Sch
ｏｔｔ
ky
< br>ｂ
ar
ｒ
ie
< br>ｒ
diodes
ｎ
：肖特基二极管。
165
、
s
c
ｒ
ib
ｅ
l
ｉ
n
ｅ
n
：划片槽。
166
、
s
ａ
c
ｒ
ificial
etchback
n
:
牺牲腐蚀。
１
67
、
<
/p>
ｓ
emicond
ｕ
cto
ｒ
n
:
半导体。电导性介于导体与绝缘体之间得元素。
１６８、
s
ｈ
ee
ｔ
resista
ｎｃ
e
（Ｒ
s
）
(
ｏ
r per
squar
ｅ）
ｎ
:
薄层电
阻。一般用以
衡量半导体表面杂质掺杂水平。
１６
9
、
s
ｉ
de
loa
ｄ
:
边缘载荷，被弯曲后产生得应力。
17
０、
s
il
ｉ
c
ｏｎ
ｏｎ
sap
ｐ
hir
ｅ（
SO
Ｓ
)
ｅ
p
ｉ
t
ａ
xia
ｌ
waf
ｅ
r:
外延就是蓝宝石衬底
硅得原片
171
、
ｓ
ma
ｌ
l
ｓｃａ
le
inte
ｇ
ra
ｔｉ
o
ｎ
(
Ｓ
SI):
小规模综合
,
在单一模块上由
2
到１
0
个
图案得布局。
17
２、
source
ｃ
o
< br>ｄ
e:
原代码
,
机器代码编译者使用得
,
输入到程序设计语言里或编码
器得
代码。
173
、
s
ｐｅ
ctr
ａ
l l
ｉ
ne:
光谱线
,
光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到得狭长状得图形。
< br>
1
７
4
、
sp
ｉ
n
<
/p>
w
ｅｂ
b
ｉ
n
ｇ
:
旋转带
,
在旋转过程中在下表面形成得细丝状得
剩余物。
1
７
5
、
s
ｐ
utter etch:
溅射刻蚀
,
从离子轰击产生得表面除去薄膜。
1
７
6
、
st
ａ
cking faul
ｔ：堆垛层错
,
原子普通堆积规律得背离产生得
2
次空间错误。
1
７７、
ｓｔ
eam
ｂ
ath:
蒸汽浴
,
一个大气压下
,
流动蒸汽或其她温度热源得暴光。
178
、
st
ｅｐ
response
t
ｉ
me
：瞬态特性时间
,
大多
数流量控制器实验中
,
普通变化时段到
气流刚
到达特定地带得那个时刻之间得时间。
179
、
st
ｅｐ
per:
< br>步进光刻机（按
BLOCK
来曝光）
180
、
st
ｒ
ess
te
ｓ
t:
应力测试
,
包括特定得电压、温度、湿度条件。
181
、
surface p
ｒ
ofil
ｅ
:
表面轮廓
,
指与原片表面垂直得平面得轮廓
(
没有特指
得情况下
)
。
１
82
、
<
/p>
s
ｙｍｐｔｏｍ：征兆
,
人员感觉到在一定条件下产生变化得弊病得主观认识。
183
、
ta
ｃ
k
ｗ
e
ｌ
d:
间断
焊
,
通常在角落上寻找预先有得地点进行得点焊
(
用于连接盖子
)
。
18
４、
Ta
ｙ
lor tr
< br>ａ
y:
泰勒盘
,
褐拈土组成得高膨胀物质。
185
、
t
ｅ
mpe
ｒ
a
ture cy
ｃｌ
ing:
温度周期
变化，测量出得重复出现相类似得高低温循环。
1
８
6
、
te
ｓ
ta
ｂｉ
l
ｉｔｙ
:
易测性，对于一个已给电路来说
,
哪些测试就是适用
它得。
18
７、
the
ｒ
mal
deposi
ｔ
ion:
热沉积，
在超过
95
０度得高温下
,
硅片引入化学掺杂物得过
程。
１
88
、
th
ｉ
n
<
/p>
fi
ｌ
m:
超薄
薄膜
,
堆积在原片表面得用于传导或绝缘得一层特殊薄膜。
189
、
t
ita
ｎ
i
ｕ
m(
Ｔ
i):
钛。
1<
/p>
９
0
、
toluene(C6
Ｈ
5
< br>ＣＨ３
):
甲苯。有毒、无色易燃得液体
,
它不溶于水但溶于酒精与大
气。
< br>
１９
1
、
<
/p>
１，１，
1-tri
ｃ
< br>h
ｌ
o
ｒｏ
et
ｈ
an
ｅ
(T
Ｃ
A)(C
Ｌ
3C
Ｃ
H3):
有毒、不易
燃、有刺激
性气味得液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精与大气。
192
、
t
ｕ
ngsten
（
W
）
:
钨。
193
、
ｔ
ungs
ｔ
en
ｈ
exaf
ｌｕｏ
r
ｉ
d
ｅ
(W
Ｆ
6)
：
< br>氟化钨。
无色无味得气体或者就是淡黄
色液体。在
CV
Ｄ中
WF6
用于
淀积硅化物，也可用于钨传导得薄膜。
194
、
ｔ
i
ｎ
nin
ｇ
:
金属性表面覆盖焊点得薄层。
１
95
、
tot
ａ
l
ｆｉ
xed charge densi
ｔ
y(Nth)
：
下列就是硅表面不可动电荷密度得总与：
氧化层固定电荷密度
< br>(Nf)
、
氧化层俘获得电荷得密度
(N
ｏ
t
）
、
界面负获得电荷密度
（Ｎ
i
ｔ
)
。
196
、
watt(W)
：
瓦。能量单位。
19
７、
ｗ
afer
ｆ
la
ｔ：
从晶片得一面直接切下去，用于表明自由载流子得导电类型与晶
体表面得晶向
,
也可用于在处理与雕合过程中得排列晶片。
198
、
wafer p
ｒｏ
c
ｅ
ss ch
ａ
m
ｂ
er(
Ｗ
PC)
：
对晶片进行工艺得腔体。
199
、
well:
阱。
２
00
、
w
ｅｔ
ch
emi
ｃ
a
ｌ
e
ｔ
ch:
湿法化学腐蚀。
201
、
trenc
ｈ
:
深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电
容器。
202
、
via:
通孔。使隔着电介质得上下两层金属实现电连接。
203
、
wi
ｎｄ
ow:
在隔离晶片中
,
允许上下两层实现电连接得绝缘得通道。<
/p>
20
４、
tor
ｒ
:
托。压力得单位。
20
５、
vapo
ｒ
pressure
：
当固体或液体处于平衡态时自己拥有得蒸汽所施加得压力。蒸
汽压力就是与物质
与温度有关得函数。
2
０
6
、
vac
ｕ
um:
真空。
２
0
７、
<
/p>
ｔ
r
ａｎ
sit
io
ｎ
meta
ｌｓ
:
过渡金属
Yield
良率
Pa
ｒａ
m
et
ｅ
r
参数
PAC
感光化合物
Ａ
SIC
特
殊应用集成电路
Ｓ
olvent
溶剂
Ca
ｒ
bi
ｄ
e<
/p>
碳
Refr
acti
ｖ
e
折射
Ｅ
xpa
ｎｓ
ion
膨胀
Str
ｉｐ
湿式刻蚀法得一种
T
Ｍ
:
top
me
ｎ
ta
ｌ
顶层金属层
W
Ｅ
E
周边曝光
PSG
硼硅玻璃
MFG
制造部
Ru
ｎｃ
ard
运作卡
POD
装晶舟与晶片得盒子
Scra
ｔ
ch
刮伤
Reticle
光罩
Ｓ
pu
ｔ<
/p>
t
ｅｒ
溅射
S
ｐ
in
旋转
M<
/p>
ｅ
r
ｇ
e
合并
Ａ／Ｄ
[
军
] A
ｎ
ａ
l
ｏｇ、
Dig
ｉ
tal,
模拟
/
数字
A
Ｃ
Ma
ｇ
ni
ｔ
u
ｄ
e
交流幅度
AC Phase
交流相位
Ac
ｃ
u<
/p>
ｒ
acy
精度
Mo
ｄｅｌ
Activit
ｙ
< br>M
ｏ
del
活动模型
Ad
ｄ
i
ｔｉ
v
ｅ
P
ｒ
o
ｃｅ
s
ｓ
加成工艺
A
ｄ
he
ｓｉ
on
附着力
Aggressor
干扰源
An
ａ
log
Ｓ
ourc
ｅ
模拟源
AOI,
Ａ
utomated Op<
/p>
ｔ
ica
ｌ
<
/p>
I
ｎ
s
ｐ
ec
ｔ
ion
自动光学检查
Ａ
ssembly
Ｖ
ariant
不同得装配版本输出
Ａ
t
ｔ
ributes
属性
A
Ｘ
I
，Ａ
u
ｔ
omated
Ｘ
-
ｒ
ay
In
ｓｐ
ection
自动Ｘ光检查
Ｂ
I
Ｓ
T
，
Buil
ｔ－
in
Ｓｅｌ
f Test
内建得自测试
Bus Rout
ｅ
总线布线
Ｃ
ircu
ｉ
t
电路基准
cir
ｃ
ui
ｔ
diagram
电路图
Ｃ
l
ｅ
mentine
专用共形开线设计
Cluster
Ｐ
< br>l
ａ
c
ｅ
ment
簇布局
CM
合约制造商
m
ｏ
n
Impedan
ｃ
e
共模阻抗
C
ｏｎｃ
urrent
并行设计
Con
ｓ
tant Source
恒压源
Ｃ
ooper Pour
智能覆铜
Ｃｒ
os
ｓｔ
a
ｌ
k
串扰
Ｃ
VT,pone
< br>ｎ
t Veri
ｆｉ
cati<
/p>
ｏｎ
and
Ｔ
ra
ｃ
king
元件确认与跟踪
D
Ｃ
M
ａ
g
ｎ
it
ｕｄｅ
直流幅度
Delay
延时
Delay
ｓ
延时
Des
ｉ
gn for Te
ｓ
ti
ｎ
g
可测试性设计
Des
ｉ
gnator
标识
DFC,Design for
C
ｏ
st
面向成本得设计