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PIN
太阳能电池
一．建模过程
1.
作图——如图
1-1
4
air top
n-doped
3
2
intrinsic
1
图
1-1.
几何
1
2.
形成联合体
p-doped
二．材料
1.
材料如图
2-1
——
区域
4
为空气层，区域<
/p>
1
、
2
、
3
为硅
Air
Silicon
图
2-1.
材料选择
三．物理场
1.
电磁波，频域（
emw
）
⑴应用于
“
所有域
”
,
如图
3-1-1
图
3-1-1
⑵端口
端口波激励
< br>“
开
”
，覆盖
< br>“
完美电导体
1”
，端口输入功
率
“inputPower”
，如图
3
-1-2
图
3-1-2
⑶周期性条件
覆盖
< br>“
完美电导体
1”
，如图
3-1-3
图
3-1-3
2.
< br>静电平衡（
init
）
⑴应用于域
1
、
2<
/p>
、
3
，如图
3-
2-1
图
3-2-1
⑵空间电荷密度
< br>贡献
“
电荷守恒
1
，初始值
1”
，空间电荷密度
“q*(p0
-
n0+Ndoping)”
< br>，如图
3-2-2
图
3-2-2
⑶电势
覆盖
“
零电荷
1”
，电势
< br>“phi_init”
，如图
3-2-3
图
3-2-3
⑷电势
覆盖
“
零电势
”
，电势
“phi_init
-
Vd”
，如
图
3-2-4
图
3-2-4
3.
< br>静电（
es
）
⑴应用于域
1
、
2
、
3
，如图
3-3-1
图
3-3-1
⑵空间电荷密度
贡献
“
零电势
1
，
初始值
1”
，
空间电荷密度<
/p>
“q*(pc
-
nc+Ndoping)
”
，
如图
3-3-2
图
3-3-2
⑶电势
覆盖
“
零电荷
1”
，电势
< br>“phi_init”
，如图
3-3-3
图
3-3-3
⑷电势
覆盖
“
零电荷
1”
，电势
< br>“phi_init
-
Vd”
，
如图
3-3-4
图
3-3-4
4.
稀物质传递
(n)
⑴传递机理
“
对流
”
，因变量：物质数
“1”
，浓度
“nc”,
应用于域
1
、
2
、
3
，如图
4-4-1
图
3-4-1
⑵反应
贡献
“
对流扩散
1
初始值
1”
，反应速率
“G
-
R_srh”
，如图
3-4-2
图
3-4-2
⑶浓度
覆盖
“
无通量
1”
，浓度
< br>“n_init”
，如图
3-4-3
图
3-4-3
5.
稀物质传递
(p)
⑴传递机制
“
对流
”
，因变量：物质数
“1”
，浓度
“pc”
，如图
3-5-1
图
3-5-1
⑵反应
贡献
“
对流扩散
1
，初始值
1”
，反应速率
“G
-
R_srh”
，如图
3-5-2
图
3-5-2
⑶浓度
覆盖
“
无通量
”
，浓度
“p_init”
，如图
3-5-3
图
3-5-3
四．网格
1.
光学网格
⑴尺寸
“
定制
”
，单元尺寸参数：最大单元尺寸
“3e
-
< br>9”
，最小单元尺寸
“1.51E
-
10”
，最大单元
生长率
“1.3”
，曲率因子
“0.3”
，狭窄区域解析度
“1”
⑵映射，域选择：几何实体层次
“
剩余
”
，控制实体：勾选越过删除的控制实体平滑，迭代数
“8”<
/p>
，最大单元深度
“8”
⑶构建选定，如图
4-1-1
图
4-1-1
2.
静电学网格
⑴尺寸
,
单元尺寸
“
预定义
”“
较细化
”
⑵尺寸
1
，几何实
体选择
“
边界
”,
单元尺寸：
“
定制
”
，最大单元尺寸
“0.3E
-
8”
，如图
4-2-1
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