-
半导体常用缩写词汇汇总
EPI
外延
PM
设备维护与保养
PCW
工艺冷却水
PMC
生产计划与物料控制
PLC
可编程序控制控制器
H
2
氢气
Sb
锑
N
2
氮气
砷
As
SiHCb
(
TCS
三
氯氢硅
B
硼
PH
3
磷烷
CMOS
互补金属氧化物半导体
HCl
氯化氢
CMP
化学机械抛光
Hg
汞（水银）
ESD
静电释放
HNO
3
硝酸
H
2Q
双氧水
HF
氢氟酸
MOS
金属氧化物半导体
SPC
统计过程控制
PCM
工艺控制监测
MRB
异常评审委员会
PCN
工艺变更通知单
CAB
变更评审委员会
ECN
工程变更通知单
OCAP
失效控制计划。
指制程过程中失控时所应采取的对应措
o
施
件，包含造成异常的因素等
PSG
磷硅玻璃
TF
薄膜
PVD
物理气相淀积
PHO
光亥
U
PCB
印刷电路板
DIF
扩散
RF
射频
II
注入
UV
紫外线
CVD
化学气相淀积
VPE
气相外延
SPV
扩散长度
Bubbler
鼓泡器
CD
关键尺寸
EMO
设备紧急按钮
CD-SEM
线宽扫描电镜
ScrubbLer
尾气处理器
ETCH
刻蚀（腐蚀）
Coat
包硅
H2-BAKE
氢气烘烤
SRP
外延层纵向电阻率分布
1
号液：（
NH
4
OH:H
2
< br>O
2
：
NH4OH :
H2O2 : H2O=1 : 2 : 7
H
2
O
）
2
，
3
号液：（
号液（
Caros
HCl
：
H
清洗液）：
2
O
2
：
（
H
H
Cl : H2O2 : H2O=1 : 2 : 5
z
SQ
iH
z
Q
）
H2SO4 : H2O2=3 :
H
1
2
O
,
4#
）
号液
:H2O:HF=10:1
CV
：
<
/p>
电容
-
电压测试
BOE
混酸：氟化铵氢氟酸混合腐蚀
液液
CZ
切克劳斯基直拉法
Wafer
：
抛光片
FZ
:
区熔方法
THK
Rs
TTV:
：膜厚
总厚度
：电阻
STIR
偏差
TIR
:
平整度
：局部平整度
BOW:
LTO
背封
弯曲度
CHIP:
崩边
SLIP
：滑移线
MARK
痕
迹
WARP
：翘曲度
CRACK
裂纹
SPOT:
斑点
HAZE
发雾
CROWN
：皇冠，
边缘突起物
是一种受控文