-
1.
acceptor:
< br>受主,如
B
,掺入
Si
中需要接受电子
2.
Acid
:酸
3.
Active
device
:有源器件,如
MOS
FET
(非线性,可以对信号放大)
4.
Align
mark(key)
:对位标记
5.
Alloy
:合金
6.
Aluminum
:铝
7.
Ammonia
:氨水
8.
Ammonium
fluoride
:
NH4F
9.
Ammonium
hydroxide
:
NH4OH
10.
Amorphous sil
icon
:α
-Si
,非晶硅(不是多
晶硅)
11.
Analog
:模拟的
12.
A
ngstrom
:
A
(
1E-10m
)埃
13.
Anisotropic
p>
:各向异性(如
POLY
ETCH
)
14.
AQL(Acceptance Quality Level)
:接受质量标准,在一定采样下,可以
95%
置信度通过质<
/p>
量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)
15.
ARC(Antireflective coating)
:
抗反射层(用于
METAL
等层的光刻)
16.
Argon(Ar)
氩
17.
Arsenic(As)
砷
18.
Arsenic
trioxide(As2O3)
三氧化二砷
19.
Arsine(AsH3)
20.
Asher
:去胶机
21.
Aspect ration
:形貌比(
ETCH
中的深度、宽度比)
22.
Autodoping
:
自搀杂
(外延时
S
UB
的浓度高,
导致有杂质蒸发到环境中后,
< br>又回掺到外延层)
23.
Back end
:后段(
CONTACT
以后、
< br>PCM
测试前)
24.
Baseline
:标准流程
25.
Benchmark
:基准
26.
Bipolar
:双极
27.
Boat
:扩散用(石英)舟
28.
CD
:
(
Critical Dimension
)临界(关键)尺寸。在工艺上通常指条宽,例如
POLY CD
为
多晶条宽。
29.
Character window
:特征窗口。用文字或数字
描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
30.
Chemical-
mechanical
polish
(
CMP
)
:
化学机械抛光法。
一种去掉圆片表面某种物质的方法。
31.
Chemical
vapor deposition
(
CVD
< br>)
:化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工
艺。
32.
Chip
:碎片或芯片。
33.
CIM
:
computer-
integrated manufacturing
的缩写。用计算机控制和监控制造
工艺的一种
综合方式。
34.
Circuit
design
:电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
35.
C
leanroom
:一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域
。
36.
Compensation doping
:补偿掺杂。向
p>
P
型半导体掺入施主杂质或向
N
型掺入受主杂质。
37.
CMOS
:
complementary metal oxide semiconduc
tor
的缩写。一种将
PMOS
和
p>
NMOS
在同一个
硅衬底上混合制造的工艺
。
38.
Computer-aided design
(
CAD
)
:计算机辅助设计。
39.
Conductivity type
:传导类型,由多数载流
子决定。在
N
型材料中多数载流子是电子,在
< br>P
型材料中多数载流子是空穴。
40.
C
ontact
:孔。在工艺中通常指孔
1
,即连接铝和硅的孔。
41.
Control chart
:控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
< br>
42.
Correlation
:相关性。
43.
Cp
:工艺能力,详见
process
capability
。
44.
Cpk
:工艺能力指数,详见
process capability
index
。
45.
Cycle
time
:
圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时
间。
通常用来衡量流通速度的快慢。
46.
Damage
:
损伤。
对于单晶体来说,
有
时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫
做损伤。
47.
Defect
density
:缺陷密度。单位面积内的缺陷数。
48.
Depletion
implant
:耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。
(耗尽
晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
)
49.
Depletion layer
:耗尽层。可动载流子密度远
低于施主和受主的固定电荷密度的区域。
50.
Depletion wid
th
:耗尽宽度。
53
中提到的耗尽层
这个区域的宽度。
51.
Deposition
:
淀积。
一种在圆片上淀积一定厚度的且不和
下面层次发生化学反应的薄膜的一
种方法。
52.
Depth of focus
(
DO
F
)
:焦深。
53.
design of experiments (DOE)
:
为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果
的统计合理性等目的,所设计的
初始工程批试验计划。
54.
develop
:显影(通过化学处理除去曝光区域的光刻胶,形成所需图形的过程)
55.
developer
:Ⅰ)显影设备;
Ⅱ)显影液
56.
die
:硅片中一个很小的单位,包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上
的部分划片槽区域。
57.
dielectric
:Ⅰ)介质,一种绝缘材料;
Ⅱ)用于陶瓷
或塑料封装的表面材料,可以提供
电绝缘功能。
58.
diffused
layer
:扩散
层,即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中,在临近硅表面的区域形
成与衬底材料反型的
杂质离子层。
59.
drive-
in
:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。
60.
dry
etch
:干刻,指采用反应
气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物
理腐蚀及化学腐蚀的工艺过
程。
61.
effective
layer thickness
:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范
围内的
硅锭前端的深度。
62.
EM
:
electromigration
,
电子迁移,
指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散
过程。
63.
epitaxial
layer
:外延层。半导体技术中,在决定晶向的基质衬底上生长一
层单晶半导
体
材料,这一单晶半导体
层即为外延层。
64.
equipment dow
ntime
:设备状态异常以及不能完成预定功能的时间。
65.
e
tch
:腐蚀,运用物理或化学方法有选择的去除不需的区域。
66.
e
xposure
:曝光,使感光材料感光或受其他辐射材料照射的过程。
67.
fab
:常指半导体生产的制造工厂。
68.
feature
size
:特征尺寸,指单个图形的最小物理尺寸。
69.
field-effect transistor
(
FET
)
:场效应管。包含源、漏、栅、衬四端
,由源经栅到漏的
多子流驱动而工作,多子流由栅下的横向电场控制。
< br>
70.
< br>film
:薄膜,圆片上的一层或多层迭加的物质。
71.
flat
:平边
72.
flow velocity
:流速计
73.
flow volume
:流量计
74.
f
lux
:单位时间内流过给定面积的颗粒数
75.
forbidden energy
gap
:禁带
76.
four-point
probe
:四点探针台
77.
functional
area
:功能区
78.
gate
oxide
:栅氧
79.
glass
transition
temperature
:玻璃态转换温度
80.
gowning
:净化服
81.
gray area
:灰区
82.
grazing incidence
interferometer
:切线入射干涉仪
83.
hard bake
:后烘
84.
h
eteroepitaxy
:单晶长在不同材料的衬底上的外延方法
85.
high-current implanter
:束电流大于
3ma
的注入方式,用于批量生产
86.
hign-efficiency particulate air(HEPA) f
ilter
:高效率空气颗粒过滤器,去掉
%
< br>的大于
的颗粒
87.
host
:主机
88.
hot carriers
:热载流子
89.
hydrophilic
:亲水性
90.
hydrophobic
:疏水性
91.
impurity
:杂质
92.
inductive coupled
plasma(ICP)
:感应等离子体
93.
inert gas
:惰性气体
94.
initial oxide
:一氧
95.
insulator
:绝缘
96.
isolated line
:隔离线
97.
implant :
注入
98.
impurity n :
掺杂
99.
junction :
结
100.
junction spiking n
:
铝穿刺
101.
kerf
:
划片槽
102.
landing pad
n :PAD
103.
lithography n
制版
104.
maintainability, equipment :
设备产能
105.
maintenance
n :
保养
106.
majority
carrier n :
多数载流子
107.
masks,
device series of n :
一成套光刻版
108.
material n :
原料
109.
matrix n 1 :
矩阵
110.
mean n :
平均值
111.
measured leak rate n
:
测得漏率
112.
median n
:
中间值
113.
memory n :
记忆体
114.
metal n
:
金属
115.
nanometer
(nm) n
:纳米
116.
nanosecond
(ns) n
:纳秒
117.
nitride etch
n
:氮化物刻蚀
118.
nitrogen (N2
) n
:
氮气,一种双原子气体
119.
n-type adj
:
n
型
120.
ohms per square
n
:欧姆每平方
:
方块电阻
121.
orientation
n
:
晶向,一组晶列所指的方向
122.
overlap n
:
交迭区
123.
oxidation n
:氧化,高温下氧气或水蒸气与硅进行的化学反应
124.
phosphorus (P) n
:磷
,一种有毒的非金属元素
125.
photomask n
:光刻版,用于光刻的版
126.
photomask,
negative n
:反刻
127.
images
:去掉图形区域的版
128.
photomask, positive
n
:正刻
129.
pilot n
:先行批,用以验证该工艺是否符合规格的片子
130.
plasma n
:等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积的电离气体
131.
plasma-enhanced chemical vapor
deposition (PECVD) n
:
等离子体化学气相淀积,低
温条件下的等离子淀积工艺
132.
plasma-enhanced TEOS oxide deposition n
:
TEOS
淀积,淀积
TEOS
的一种工艺
133.
pn junction
n
:
pn
结
134.
pocked bead n
:麻点,在
20X
下观察到的吸附在低压表面的水珠
135.
polarization
n
:偏振,描述电磁波下电场矢量方向的术语
136.
polycide n
:多晶硅
/
金属硅化物,
解决高阻的复合栅结构
137.
polycrystalline silicon (poly) n
:多晶硅,高浓度掺杂(
>5E19
)的硅,能导电。
138.
polymorphism n
:多态现象,多晶形成一种化合
物以至少两种不同的形态结晶的现象
139.
prober n :
p>
探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备,用以连接圆片和检测设备。
140.
process
control n :
过程控制。半导体制造过程中,对设备或产品规范的控制能力。
141.
proximity X-ray n :
近
< br>X
射线:一种光刻技术,用
X
射
线照射置于光刻胶上方的掩
膜版,
从而使对应的光刻胶暴光。
142.
pure water n :
纯水。半导体生产中所用之水。
143.
quantum
device n
:
量子设备。一种电子设备结构,其特性源于电子的波动性。
144.
quartz carrier n
:
石英舟。
145.
random
access memory (RAM) n
:
随机存储器。
146.
random logic
device n :
随机逻辑器件。
147.
rapid thermal processing (RTP) n :
快速热处理
(RTP)
。
148.
reactive ion etch (RIE) n :
反应离子刻蚀
(RIE)
。
149.
reactor n
:
反应腔。反应进行的密封隔离腔。
150.
recipe n
:
菜单。生产过程中对圆片所做的每一步处理规范。
151.
resist n :
光刻胶。
152.
scanning electron microscope (SEM) n :<
/p>
电子显微镜
(SEM)
。
153.
scheduled downtime n : (
设备
p>
)
预定停工时间。
154.
Schottky barrier diodes n
:
肖特基二极管。
155.
scribe line
n :
划片槽。
156.
sacrificial
etchback n :
牺牲腐蚀。
157.
semiconductor n
:
半导体。电导性介于导体和绝缘体之间的元素。
158.
sheet resistance (Rs) (or per square) n
:
薄层电阻。一般用以衡量半导体表面杂质掺
杂水平。
159.
side load:
边缘载荷,被弯曲后产生的应力。
160.
silicon on
sapphire(SOS)epitaxial
wafer:
外延是蓝宝石衬底硅的原片
161.
small scale integration(SSI):
小规模综合,在单一模块上由
2
到
1
0
个图案的布局。
174. spin webbing:
旋转带,在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。
175. sputter etch:
溅射刻蚀,从离子轰击产生的表面除去薄膜。
176. stacking fault:
堆垛层错,原子普通堆积规律的背离产生的
2
次空间错
误。
177. steam ba
th:
蒸汽浴,一个大气压下,流动蒸汽或其他温度热源的暴光。
178.
step
response
time:
瞬态特
性时间,大多数流量控制器实验中,普通变化时段到气流刚
到
达特定地带的那个时刻之间的时间。
179. stepper:
步进
光刻机(按
BLOCK
来曝光)
180. stress test:
应力测试,包括特定的电压、温度、湿度条件。
181. surface profile:
表面轮廓,指与原片表面垂直的平面的轮廓(没有特指的情况下)
。
182. symptom:
征兆,人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。
183. tack weld:
间
断焊,通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊(用于连接盖子)
。
< br>
184. Taylor
tray:
泰勒盘,褐拈土组成的高膨胀物质。
185. temperature cycling:
p>
温度周期变化,测量出的重复出现相类似的高低温循环。
186. testability:
易测性,对于一个已给电路来说,哪些测试是适用它的。
187. thermal deposition:
热沉积,
在超过
950
度的高温下,硅片引入化学掺杂物的过程。
188. thin film:
超薄薄膜,堆积在原片表面的用于传导或绝缘的一层特殊薄膜。
189. titanium(Ti):
钛。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
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